Chapitre 8

Introduction
Processus optiques
Principaux dispositif et applications
Matériaux

Science et génie des matériaux, Romuald Houdré - 2006 /2007

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 Plan du cours
1. Introduction
- Caractéristiques physiques des semiconducteurs
- Quels Matériaux pour quel type d’applications
1/3 2. Propriétés électroniques des semiconducteurs
bases - Structure de bandes
- Statistiques d’occupation des bandes
- Propriétés de transport
- Processus de recombinaison
3. Jonctions et interfaces
- Jonctions métal/semi-conducteurs
- Jonction p-n à l’équilibre, Jonction p-n hors-équilibre
1/3 4. Composants électroniques
transport - Transistors bipolaires
- Transistors à effet de champ
- Dispositifs quantiques
- Nouveaux matériaux
5. Composants optoélectroniques
- Détecteurs
1/3 - Diodes électroluminescentes
optique - Diodes lasers
- Lasers à émission par la surface
- Lasers à cascade quantique

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 Processus optiques dans les semiconducteurs

Transitions optiques Interaction matière-rayonnement

Lumière 1 électron + 1 trou absorbtion

1 électron + 1 trou Lumière émission

BC E (k ) BC E (k )

h
h

absorbtion émission

BV BV
k k

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 Processus optiques dans les semiconducteurs

Règles de sélection

Règle d'or de Fermi

Probabilité de transition d'un état initial vers un état final
+ pour absorbtion
H = Ve ±it - pour émission stimulée
Admettre

interaction

2
2
= état final V état initial  ( f ) ( E final  E initial ± h )
h
probabilité de élément de densité conservation
transition par matrice de d'états de l'énergie
unité de temps l'interaction finaux

Les règles de sélection sont données par l'élèment de matrice <f|V|i>

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 Processus optiques dans les semiconducteurs

Les règles de sélection sont données par l'élèment de matrice <f|V|i>

r ikrrr
Etats propres du cristal:
kr = ukr ( r )e
fonction de Bloch. onde
Même péridocité plane
que le réseau

BC E (k )
q: vecteur d'onde de la lumière: q=2
/

Admettre

r r r
f Vopt i  ui Vopt (
u f  k f
ki
q ) h
Règles de sélection
Règles de sélection sur k
entre nature de bandes

r r r
k f = ki + q Transitions verticales en k BV k

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 Processus optiques dans les semiconducteurs

Règles de sélection: Cas d'un puits quantique

BC
n=3

n=2
n=1

L= quelques nm

n=1
n=2
BV n=3
n=4

Niveaux d'énergie quantifiés

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 Processus optiques dans les semiconducteurs

Règles de sélection: Cas d'un puits quantique

r r
ik// r r
Fonctions d'ondes
r
k//
e f (z)u ( r )
r
k//

 r r r
r r r r
 ik //i r ik f r
( )
Admettre

f Vopt i   ui u f e f i Vopt e f f + f i f f ui Vopt u f  k f
k i
q

//

 
=
if =
nm
transitions
transitions verticales
transitions intrabandes
interbandes
r r
et inter-sousbandes k f = ki
n=m

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 Processus optiques dans les semiconducteurs

Règles de sélection: Cas d'un puits quantique

 ri r
i
rfr
k r  r r r
f Vopt
ik // r
(
i   ui u f e f i Vopt e // f f + f i f f ui Vopt u f  k f
k i
q
  )
transitions intrabandes transitions interbandes transitions
et inter-sousbandes n=m verticales

E (k )

Intersousbande Intrabande Interbande n=m transitions

verticales

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 Processus optiques dans les semiconducteurs

Coeficient d'absorbtion

Après sommation sur toutes les

transitions possibles, soit de Eg à +
:
BC E (k )

mr3 / 2
 h
E g
n h

Eg
I(z) = I0e
z a : coefficient d'absorbtion

proportionnel à la densité d'états jointe

1 1 1 BV k
mr = masse réduite = +
mr me mh

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 Processus optiques dans les semiconducteurs

Coeficient d'absorbtion
à 2D pour des puits quantiques on aurait un
mr3 / 2 résultat semblable avec une densité d'états
 h
E g
n jointe à 2 dimensions et la masse réduite

Puits
quantiques

GaAs 300 K

http://www.ioffe.rssi.ru/SVA/NSM/Semicond/

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 Processus optiques dans les semiconducteurs

Absorbtion dans un matériau à bande interdite indirecte

transitions
verticales

transitions indirectes,
assistées par un phonon
http://www.ioffe.rssi.ru/SVA/NSM/Semicond/

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 Processus optiques dans les semiconducteurs

Recombinaison, émission spontanée

BC E (k )

BC E (k )

h

h

h

BV k BV k

émission spontanée Spectre d'émission

Photo luminescence
Electro luminescence

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 Processus optiques dans les semiconducteurs

Recombinaison, émission spontanée

BC E (k )

InP
T=4K
h

h

BV k

Photo luminescence
Electro luminescence

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 Processus optiques dans les semiconducteurs

Recombinaison, émission stimulée

Les taux d'émission stimulés et
spontanés ne sont pas
BC E (k ) indépendants.
dn 2 dn
n1 =
B12 n 2 Ih =
1 absorption
dt dt
h

Ih
dn1
=
B21n1Ih =
2
dn
stimulé
dt dt
dn1 dn
=
An1 =
2 spontané
dt dt
n2
A at B: coefficients d'Einstein

BV Ils sont reliés par :

k
B12 = B21 = B
émission stimulée A n 3 2 photons
Processus d'amplification = 8
3 =  3D densité d'état
B c n: indice

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