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SUPLEMENTO BYTE
8080, UM NOVO CAMINHO ABERTO
O QUE SÃO AS «BULK MEMORIES»?
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LUZES SEQUENCIAIS
5 CAMPING-LUX
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KITS NOVA ELETRONICA
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TODAS AS ..FAMILIAS.. DE
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SEQUENCIAIS ••
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•• Um efeito tão fascinante quanto o das •• •
• Luzes Psicodélicas e da «Strobo».
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- 4 canais ••••••
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•• Funciona tanto em 110 como em 220 volts ••
• Possui controle de velocidade de luz ••••
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•• 500 W por canal, em 110 V
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•••••• 1 kW por canal, em 220 V
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No conjunto das Luzes Psi- Já nas Luzes Seqüenc iais , o
••• codélicas, o efeito é baseado no efeito baseia-se na cor das luzes
••• •••
movimento e na cor das luzes, e, também, na maneira como fo- •• •••
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• •
que variam de acordo com a me- ram dispostas, ou seja, no arran- •••••••
•••••• •
lodia que as faz funcionar. jo do conjunto de lâmpadas.
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• •
Conclui-se, desta maneira, que
• • ••
• • de luz Na «Strobo», temos lampejos este conjunto requer uma certa
• forte, com uma freqüência dose a mais de imaginação por ••
•• controlada, que nos dão a im- parte do montador, para que o
•• pressão daquele movimento efeito apareça em sua plenitude. ••
•• «quebrado» nas pessoas e obje- O resultado final é, realmente,
••
tos. • surpreendente.
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3 NOVA ELETRÔNICA 379
Logo mais, daremos algu-
mas «dicas» de montagens para
o conjunto de lâmpadas. Por en-
quanto, vamos ver, com um pou- 00000000000000000000
co mais de oalma, o que são as
Luzes Seqüenciais.
Tomemos como exemplo o
A
nosso própr'io kit de Luzes Se-
qüenciais, que possui quatro
canais, imaginando uma lâm-
pada conectada a cada canal.
Assim, teremos um total de 4
lâmpadas no circuito. Quando o
conjunto está ligado, as lâmpa-
das acendem-se em sucessão,
uma por vez, ou seja: a primeira
lâmpada acende e vai se apagar 00
quando a segunda acender; es-
ta, será apagada apenas ao 0
o ° 0 o o ºo
o o ooo· oº o 0 0o oo
acendimento da terceira, e as-
sim por diante; ao se apagar a 0oo
oo
quarta lâmpada, a primeira esta-
rá acesa novamente, dando ini-
cio a um novo ciclo.
oo
O circuito possui também
um controle-de veloc idade , que
o o o o o
comanda a velocidade com que 0·0 0 0 ° 8
a luz «corre» pelas lâmpadas, is-
to é, a rapidez com que as lâm-
padas acendem e apagam.
Agora, tente imaginar as pos-
sibilidades deste circuito. Claro
que com apenas quatro luzes, o
efeito parece um tanto pobre;
mas, e se forem adicionadas
mais lâmpadas? Como você já
deve saber, o circuito tem uma
capacidade de até 500 W porca- 00000
nal (isso, em 11O V , porque em
220 V, a capacidade dobra), o 00000
que significa a possibilidade de
se conectar até 5 lâmpadas de 00000
100 W por canal, ou seja, 20 lâm-
padas, no total.
00000 e
Daí, variando as cores das
lâmpadas e distribuindo-as de
maneiras determinadas (dese-
nhos geométricos, por exemplo),
a verdadeira capacidade do cir-
cuito é revelada. Linhas conti-
nuas, retas, curvas, círculos,
quadrados, cruzes, em azul, ver-
de, vermelho, amarelo, branco,
tudo isso é possível de se con-
seguir com as Luzes Seqüenci- 00000 00000 D
ais; basta dar asas à imaginação.
Falando em imaginação,
aqui estão algumas idéias que
prometemos dar, para o monta- FIGURA 1 As setas indicam o sentido de deslocamento da luz_
- 0.- ººº
o 00 o o
20 lâmpadas;
No esquema B, as mesmas
20 lâmpadas foram dispostas
E .......... ' em círculo, «fechando» o cami-
o nho da luz; a espiral também é
o ' o uma boa opção;
O esquema C já é um pouco
diferente; as lâmpadas foram.
distribuídas em quatro linhas,
com a luz se movimentando em
sentidos alternados, isto é, na
primeira linha, a luz se move
para a direita; na segunda linha,
para a esquerda e, na terceira,
para a direita novamente, e as-
sim por diante. Este efeito se
torna ainda mais interessante se
for utilizada uma cor diferente
para cada linha;
A alternativa do esquema D é
uma variação do anterior, mas
produz um grande efeito; as li-
nhas de lâmpadas estão coloca-
das uma em frente à outra, e no-
vamente a luz se desloca em
F sentidos diferentes (a luz parece
se «chocar», no ponto de encon-
o tro das linhas);
G o esquema F;
8
alimentação e regulação circuito de potencia
B
1N4002 F
D1
14
Cl3
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Cl1
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9 x 6 2 11 X 8
C3
100µF/16V 14 õ
D4 "O
13
FLV 1l0 Cl2 2
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7 7474 3 CLK o
u
7
CII
Cl3 7
FIGURA 2
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A B e
o o 1 saídas
X do
o 1 o conta
o o dor
1
-X. --'
1 1 o
condutor
FIGURA9
Re çáodec mponen s
R1, R2, R3, R4, R7 - 470 ohms
R5 - 100 ohms R8 220 ohms
R6 - 150 ohms
(Todos os resístores são de ¼ W.)
P1 - potenciômetro de 1 kohm,
pequeno
C1, C3 - 100 uF /16 V
01 - EM 6121 C 2 - 1000 µ F/16V
01, 02 -1N 4002
03 - Zener 5,6 V/400 mW
04 - LEO vermelho (FLV 110 ou
FIGURA 11 FIGURA 12 equivalente)
TR1, TR2, TR3, TR4 - TIC 1260
Cl1 - 7402
Cl2 - 7474
Cl3 - 7400
T1 - transformador 110-220 V/
6-0-6 V; 150 mA
F1 - fusível de 6 A
Porta-fusíveis
Placa de circuito impresso n.0
3043 - Nova Eletrônica
4 dissipadores para os tiristores
Chave liga-desliga
FIGURA 13 Cabo de força
4 soquetes para as lâmpadas
1 4 conectores para os tirístores,
FIGVRA6
FIGURA 4
impressos no patamar).
- --
FIGURA 10 FIGURA 11
BRASITONI
O mais completo e variado estoque
de circuitos integrados C-MOS, TTL ,
Lineares, Transístores, Diodos,
Tirístores e Instrumentos Eletrônicos
Rua 11 de Agosto , 185- Campinas - Fone: 31-1756
Sugestões da Nova lletrõnica
NÃO E:STÁ NOS LI\IROS !
resístores (39 k, ½ W e 220 k, ¼ W, para os resísto- O diodo colocado no circuito protege o circuito
res de entrada e de realimentação, respectivamente). de entrada e evita que a tensão de alimentação ul-
O 7400 possui diodos internos de «grampea- trapasse os 5,7 V. O circuito pode trabalhar sem o mento»,
com a finalidade de proteger as entradas diodo, mas correntes superiores a 1 mA, a 7 V, po-
contra tensões mais negativas que a tensão de um dem causar danos.
diodo. Esses diodos podem suportar até 10 mA, A ação deste «Schmitt» remove qualquer oscila-
polarizados diretamente, sofrendo ruptura do subs- ção do sinal e fornece os tempos padrão de subida
trato a 7 volts. e queda dos pulsos, de acordo com a lógica TTL.
Eletrônico -
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Disponível em forma de kit
Sem necess ida de de a fina çã o
Presente perfeito para o Natal!
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Rl RB Rll
3.3k 3,3k 1,5k 1,2k 1K
R7 Rl0 R13
R2 1. 2k lk 8200
R4 R6 R9 R12
,
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SPK 4 8 7
CH1
3 Cl1
55 5
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2 6 - 81
,0 1 µF C1
FIGURAI
R2
gão eletrônico não é tão bonito 2
,_/ chave
aberta I í7 Í7 1
u
como os outros mini-órgãos já
prontos, mas diverte do mesmo V1 1
LJ LJ _
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6 1 fechada - -
Funcionamento
O circuito completo do mini-
órgão eletrônico está na figura
1. Observe a simplicidade de
seu circuito: quinze resistores,
um capacitar, um circuito inte-
grado e um alto falante, além da
chave liga-desliga, das teclas e
\
das pilhas.
O circuito consiste, basica-
mente, de um oscilador, forma- J
do pelo integrado 555 e cuja fre- tecla pressionada
qüência de oscilação varia, FIGURA4
Montagem do
mini-órgão eletrônico
A montagem do instrumento
não oferece maiores dificulda -
des; basta seguir a seguinte or-
dem:
1) - Veja a figura 5; ela for-
nece uma visão da placa do mi- FIGURAS
ni-órgão, pelo lado dos compo-
nentes. O que aparece em cor é 2) - Uti Iize ferramentas em 4) - Solde, em seguida, oca-
o lado cobreado da placa, como bom estado para a montagem; pacitar em seu lugar;
se a estivéssemos olhando con- isso inclui um ferro de soldar, de 5) - Agora vem o componen-
tra a luz. boa qualidade, ponta fina e de, te mais delicado: o circuito inte-
6) - Chegamos ao ponto de
montar os parafusos e as teclas
sobre a placa. Eles devem ser
montados em todos os nove
conjuntos de furos da mesma.
Guie-se pelo desenho da figura
8, que ensina como fazer" isso;
não é preciso soldar nada nessa
operação; basta apertar os para-
FIGURA9 fusos e pronto.
OSOM MAIOR
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A primeira vantagem a expor conta o preço, existem vários digitais necessitam de uma ali-
seria a do preço: mesmo com to- outros fatores a considerar: mentação para o funcionamento
de seu circuito interno. Este fa-
da a evolução dos instrumentos Alimentação: Os aparelhos tor torna o medidor analógico
digitais, eles ainda custam bem analógicos apresentam um mais adequado para ser em-
mais caro que os analógicos, menor consumo que os digitais, pregado nas medições em cam-
sendo estes quase tão precisos pois suas escalas de tensão e po, fora da bancada.
quanto aqueles. corrente são ativadas pelo pró-
prio circuito queestá sendo ana- Dimensões: Os analógicos
Porém, se não levarmos em lisado, enquanto os aparelhos ainda são os menores instru-
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FIGURA 1 FIGURA2
FIGURA3
mentos de medição; o multíme- plays», sofrem «ofuscamento» analógico, com todas as suas
tro da figura 1, por exemplo, tem pela luz do sol, ou por qualquer escalas de medição; e na figura
um tamanho de 150 x 80 x 40 luz de grande intensidade. 3, temos a tabela das faixas ou
mm, apenas , com um peso de alcances do mesmo aparelho.
350 gramas. Sem comparaç ões, agora, va- Estas duas figuras foram colo-
Além disso, sabendo-se que mos ver o que podem nos ofere- cadas juntas para que possamos
a redução no tamanho de um cer os instrumentos analógicos; mostrar como é fácil trabalhar
aparelho tende a aumentar seu esses aparelhos passaram por com essas escalas.
preço, os analógicos apresen- vários aperfeiçoamentos, que os
tam um custo menor de miniatu- tornaram mais práticos, preci- Veja que os valores mostra-
rização, em relação aos digitais. sos, confiáveis e seguros. dos na tabela da fig. 3 expres-
Precisão: Graças aos melho- sam o valor máximo atingido pe-
Escalas não-lineares: Certas ramentos introduzidos no circui- las escalas; e junto a cada valor
escalas não-lineares, tal como a to e no mecanismo do ponteiro , de tensão, corrente, resistência ,
de decibéis (que quase todos os os instrumentos analógicos tive- etc. está presente o multiplica-
instrumentos analógicos pos- ram sua precisão elevada; é dor, que é o número pelo qual se
suem) são difíceis de se desen- deve multiplicar a leitura, na es-
volver em instrumentos digitais. comum encontrar tais instru- cala, para se obter o valor real de
E, além do mais, os apare- mentos com precisões entre 2 e medição.
lhos digitais de medição não 3%, dependendo da escala. Vamos tomar , como exem-
possuem escalas de medida de plo, as escalas de tensão e cor-
capacitância, junto às escalas Proteção: Os aparelhos de rente contínua do mostrador da
convencionais, coisa bastante medição atuais são protegidos
comum em vários multímetros de tal maneira que resultam pra-
de ponteiro. ticamente indestrutíveis. Existe,
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FIGURAS
ALFATRONIC
SEMICONDUTORES EM GERAL
CIRCUITOS INTEGRADOS
National MICROPROCESSADORES
INTERRUPTORES DE ALAVANCA
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ELETROMAGNÉTICOS
REED SWITCHES.
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TDA 201O, TDA 2020:
alta fidelidade nos novos
amplificadores de
potência para áudio
O TDA 201O e o TDA 2020 são
amplificadores operacionais
que cobrem a faixa de áudio e se
apresentam sob a forma de cir-
cuitos integrados monolíticos.
Esses novos integrados da SGS
são encapsulados em plástico,
num encapsulamento tipo «quad•
in-line» (veja figura de entrada)
de 14 pinos e se destinam a es-
tágios de potência em amplifica-
dores classe B.
O TDA 2010 pode fornecer 10
watts de potência, com 1 % de
distorção total, se alimentado
com ± 14 V e estiver conec-
tado a um alto-talante de 4 ohms;
oas mesmas condições, ele en-
trega 8 watts a um alto-talante
de 8 ohms.
Por sua vez, o TDA 2020 é ca-
paz de fornecer 20 watts a um al-
to-talante de 4 ohms, com 1 % de
distorção total, se alimentado
com ± 18 V; se for alimen-
tado cõm ± 17 V, a potên-
cia de saída será de 15 watts,
com a mesma carga.
Ambos podem fornecer até Fornecem 10 W (TOA 2010) e 20 W
3,5 amperes na saída e apresen-
tam uma distorção total bastan-
(TDA 2020) de potência.de saída.
te reduzida. Baixa distorção harmônica e por in-
Além disso, tanto o TDA
20 O como o TDA 2020 incorpo-
termodulação.
ran1 dois tipos de proteção inter- - Alta corrente de saída.
na que os tornam virtualmente
indestrutíveis. Veremos o princí- - Possuem proteção contra curto-cir-
pio de operação das mesmas
mais adiante, juntamente com cuitos e sistema de limitação térmica.
as cur.vas ilustrativas. - Aceitam alto-falantes de 4 e 8 ohms.
Veja na figura 1, o circuito in-
terno destes amplificadores Resposta em freqüência a -3 dB:
operacionais e, na figura 2, seu
encapsulamento, visto por cima.
10 Hz a 160 kHz.
Repare que a disposição dos
Q1
Circuito
limitador de 14
potência e
corrente
12
Q2
Circuito
3
-,...-+---+-----1-----+--1-----1---'----' limitador de
potencia e
corrente
Vs-Tensão de 1 1
sem 5 18 5 22
conexão Alimentação (V)
- alimentação compensação
Gv-Ganho de tensão RL=4ohms 1
(malha fechada)-dB 30 30
sem
f = 1 kHz 1
conexão compensação
!d-Corrente dre- Po= 18,5W
entr. não entrada nada (A) RL = 4 ohms
inversora 8 inversora (TOA 2020)
0,8
Po = 12W
RL=4ohms
(TOA 2010)
As proteções
,
· ,;.k< +•
/ ,"J-t-:1
V
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:1 OH +r H
.... • 1-
·r- J;,1-'
7,...P- r-r
,-,-
-
--
4n V · º-"' 1
figura 1, vejamos como operam V "'.' e n
as proteções internas destes
dois operacionais:
o
Proteção contra curto-circui-
tos: Esta é a inovação mais im-
1) 12 14 "I) 12 14 16 18 20 ,v, <v>
portante introduzida em amplifi-
cadores de áudio integrados; Potência de saída típica x tensão de alimentação
consiste de um circuito quelimi- FIGURA4
ta a corrente dos transistores de
saida. Na figura 7, vemos que a TOA2010 TOA 20 2 0
corrente máxima de saída é uma
função da tensão coletor-emis-
d
("!.) 1 1:·1111 i 1
d
( .) 1 1111111 1
sor dos transistores; desta ma- 1
- RL :4!\ P0: 10 W
1 r---Ys* ! 17V RL = "-• ·
1 4 , t l 4, I 1 l
1
i
4 ' 1 l4 ' t
02
l 4 , 1
-r1 1, , t
- 1
1 ,. ' •
10 "IJ' "IJ' 1 (Hz) 10• 10•
circuitos. Caso a condição de "1) 10 10' 1 (Hz)
1
G,t 30 dB
G.=, 30dB
Limitação térmica: A presen-
ça de uma proteção deste gêne- 0.6 0.6
I
o.,
- 15 kH.t V
temperatura ambiente acima do 02 .02
... - 11 IJ /
limite podem ser facilmente
suportadas, já que a temperatu-
ra da junção não pode ultrapas- o
-
111,oH,I
... -
/ l kH z · nm,1 . '. o
40Hz·1kH
11111
sar os 150°C. 10 10 P0 (W ) 10
01
lc ,nu
1
1
\
20
"•
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16
'I
o 12 r\ - - u
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ld
' \.
\
\ 011
,/ 1
-3 :\
1.1 04
\,
't
·4
O 10 20 30
. 40 Y
CE 01 M
Area segura de operação e o 50 100 Tc.1s• ('C)
comparado ao de um circuito
+Vs convencional , pois não há pos-
sibilidade de danos ao circuito
devido à alta temperatura da jun-
C3 C5
C1 ção.
o1.µ rnov'E[
VI o---t---- -:;:-- -:;:- Se, por qualquer razão, a
0.1µF temperatura da junção chegar
100 R3 aos 150°C, o sistema limitador
kO
47r
µF C2
6
simplesmente reduzirá a dissi-
pação de pot ência e o consumo
de corrente.
3.3 R 2 0,1 100 A figura 9 referente ao TOA
k() R1 100kO F µF 2020, mostra o efeito desta pro-
'- -'V1Mr l-- -iJ'·J---=---1 --- J0.1µF
5% teção.
5%
- Vs Um circuito prático
Passando para o plano práti-
co, apresentamos, n.a figura 10,
FIGURA 10
um circuito amplificador que
pode empregar tanto o TOA 2010
como o TOA 2020, sem que ne-
nhum componente tenha seu va-
lor alterado.
o Na figur a 11, temos, em es-
cala natural, o desenho do cir-
--- cuito impresso utili zado para o
o amplifi cador da figur a 10, visto
pelo lado dos componentes.
,.-
,/,., ,_
ªJ
li
::,_ : •
Este circuito im pres so en-
c ontra-s e à venda em todas as
lo jas qu e o ferecem os kit s Nova
::::: Eletrôni ca, ou seja:
SINAL •
.. H-UMMMM
RUIDO bZZZZZZz1zzzzzzzzzzzzzzzzzzzzzz .......
:zu,,.,.
. t"
HERMAN BURSTEIN ..
As relações sinal/ruído para sinal/ruído, para o mesmo «tape- caseiros com razões sinal/ruído
«tape-decks» tendem a ser pro- deck». Antes de abranger esse da ordem de 65 dB e até mesmo
blemáticas, devido à variedade e assunto, porém, vamos explorar de 70 dB. Agora que as boas re-
à variação dos fatores envolvi- um pouco o sentido da relação lações SIR estão disponíveis a
dos nessas medições. O máxi- sinal/ruído para «tape-decks». um custo razoável, é dada uma
mo sinal que pode ser introduzi- maior importância, nas indús-
do em uma fita é definido de vá- Um pouco de história trias de gravação, aos níveis
rias maneiras; uma delas diz que Uma relação sinal/ruído de mais elevados da relação sinal/-
o sinal razoável é aquele que faz 55 dB é o mínimo necessário ruído.
com que o VU meter do «tape- para uma reprodução de alta fi-
deck» indique O VU, mas tal lei- delidade. Há dez anos atrás, a Significado da relação
tura pode representar uma infini- maioria dos gravadores caseiros S/R para gravadores
dade de níveis de sinal. não alcançavam uma relação si- De um modo geral, a relação
nal/ruído melhor que 45 dB. E, há sinal/ruído se refere à razão en-
A relação sinal/ruído (S/R) aproximadamente três anos tre o sinal de áudio desejado
também varia com o tipo e a ida- atrás, o mesmo tipo de «tape- (material de programa) e o sinal
de da fita utilizada e, é claro, va- decks» eram considerados de áudio indesejado (ruído). Ara-
ria com a inclusão de um siste- ótimos, se exibissem uma S/R zão é expressa em decibéis (dB),
ma de redução de ruído, tal co- de 55 dB. como veremos no próximo pará-
mo o sisíema Dolby.
grafo. Mais especificamente, o
Devido a esses e outros fato- Entretanto , os melhoramen- numerador da razão S/R refere-
res, ainda, a relação S/R, para tos introduzidos pelos circuitos se ao máximo sinal de áudio que
um certo modelo de «tape -deck», eletrônicos dos gravadores, pe- pode ser registrado numa fita; e
varia ao longo de uma faixa con- las cabeças de gravação e pelas
siderável - de 10 dB ou até mais. fitas, adicionados ao advento o denominador, está relaciona-
dos dispositivos de redução de do ao ruído do sistema de grava-
O objetivo deste artigo é o de ruídos, como o Dolby, dbx e o ção (produzido pelos circl.fitos
explicar o porquê de tão grande AN RS, tornaram possível o eletrônicos de gravação e repro-
variação nos valores da relação aparecimento de equipamentos dução e pela fita).
• , _ ,... rl
produza 3% de distorção harmô-
nica; depois, a medição do nível
deste sinal na reprodução; de-
pois ainda, a rebobinagem da fi-
• - -,._
•....- ••i 9
- •• -
•
. .....
ta e uma nova reprodução da
mesma, mas desta vez, sem o si-
nal de 400 Hz, de entrada; uma
nova medição da reprodução,
que desta feita consiste apenas Pode-se perceber, agora, co- se 7 ou 8 dB abai xo do nível de
de ruído; e, finalmente, exprimir mo é desejável manter a razão 3%; desta maneira, quando o ní-
a razão entre a primeira e a se- sinal/ruído acima dos 55 dB, par- vel de 1% for empregado para
gunda medição da reprodução, ticularmente quando se trata de medir a relação S/R (geralmente
em termos de dB. um material de programa com é o caso para gravadores profis-
uma larga faixa dinâmica ( = ra- sionais), esta é reduzida em 7 ou
Uma S/R de 55 dB significa zão entre os sons mais altos e 8 dB. Como exemplo, podemos
uma máxima razão de potência os sons mais baixos). Um grava- citar que uma relação S/R de 65
de 316000 : 1, o que quer dizer dor com uma S/R de 65 dB, por dB, a 3%, cai para 57 ou 58 dB, a
que, assumindo um sistema de exemplo, nos assegura de que o 1%.
áudio com uma resposta razoa- sinal de áudio estará ao menos
velmente plana, o alto-falante 20 dB acima do ruído, conside- A segunda alternativa para
fornece quase 316 000 vezes rando uma faixa dinâmica de 45 nível de referência refere-se ao
mais potência para o material de dB. Em resumo , a razão sinal/ruí- nível de gravação que faz com
programa desejado, em relação do será de 20 dB nos trechos que o VU meter do aparelho indi-
ao ruído não desejado. Ass im, mais silenciosos do programa, que O VU. Normalmente , os VU
uma S/R de 60 dB significa uma sendo, então, maior do que isso meters, em equipamentos de al-
relação de 1 000 000 : 1; 65 dB, em passagens com maior quan- ta qualidade , são calibrados pa-
3 160 000 : 1; 70 dB, 10 000 000 tidade de sons e por fim, será de ra indicar O VU quando o nível de
: 1. 65 dB, nas passagens mais ele- gravação é tal que a 400 Hz pro-
vadas. duz 1% de distorção harmônica
Repare , no parágrafo an- sobre a fita. Em tais casos, o
teri or, nossa referência à nível de referência de O VU dá
máxima razão de potênc ia; a As razões para discrepâncias
Existem pelo menos sete fa- origem à mesma classificação
maior parte do tempo, o sinal de S/R do nível de referência de 1%.
áudio está bem abaixo do pico e, tores que explicam o motivo pe-
portanto, a relação sinal/ruído lo qual um dado modelo de fita Algumas vezes , contud-o,
vai ser reduzida pelo mesmo pode receber diferentes classifi- uma leitura de O VU poderá cor-
número de dB (freqüentemente cações quanto à relação responder a menos ou a mais que
20 ou 30 dB, ou até mais). Duran- sinal/ruído: 1% de distorção; a relação
te uma passagem silenciosa, o sinal/ruído acompanhará esses
nível de áudio do material de 1. Nível de referência para a valores.. Especial atenção deve
programa pode cair de até 45 dB, medição da S/R: Conforme já ser dada aos gravadores que
o que fará com que a relação S/R dissemos, a razão S/R para equi- possuem VU meters de leitura
so fra a me s ma redução. pamentos caseiros baseia-se de pico que (diversamente do
Para ilustrar o que queremos normalmente, em um nível de VU meter padrão) indicam o ní-
demonstrar, vamos assumir uma gravação que produz uma distor- vel de pic o, ao invés do nível mé-
fitacomumaS/R de 55 dB, basea- ção harmônica de 3% sobre a fi- dio do sinal de áudio. Os medi-
da no nível máximo permitido ta. Podemos chamar a isso de dores de leitura de pico tendem
de gravação. Porém, se o nível nível de referência a 3%. a ser calibrados de modo que O
do programa cai de 45 dB, duran- Contudo, dois outros níveis VU corresponda ao nível de refe-
te uma passagem mais silencio- de referência são também utili- rência de 3%; assim, neste ca-
sa, a S/R cairá de 55 dB para 10 zados; um deles é o que produz so, a relação sinal/ruído baseada
dB, apenas; e, deste modo, o ní- uma distor<;:ão harmônica de em O VU será equivalente àquela
vel do sinal desejado estará a 1%. Este nível tende a ser um ní- baseada no nível de referência
apenas 10 dB acima do ruído. vel de gravação que chega a qua- de 3%.
01 02 Tc =(2 ii /3)_J LC
SCR2 Velocidade da ten-são direta rea-
SCRt
pli_cada após o bloqueio do SCR:
dv/dt = 0,85Eb/ V LC '
A
SUPRESSAO
DOS
TRANSIENTES
DE
KO MING CHO
INTRODUÇÃO: DEFEITOS
TENSAO
O aspecto mais desconcer- tensão
tante (e, também, mais irritante) interruptor
fechando d ;h /\
dos defeitos de um circuito é o
fato de, freqüentemente, não en-
o
tendermos o que os ocasionou.
Quando esses defeitos atingem \Jinterrupto\j
1-fechado
um produto pelo qual somos
responsáveis, despendemos
uma quantidade razoável de
tempo, esforço e dinheiro para
resolver o problema.
Nos produtos eletrônicos
existem muitas causas de defei-
tos, e é raro que estes sejam to- carga
talmente compreendidos. Uma
causa significante, mas nem FIGURA 1
sempre reconhec ida, é o transi-
ente de sobretensão. Em muitos cuja fonte é identificável e aque- de um indutor (pois, V= L.di/dt,
casos, o transiente é uma fonte les com origem desconhecida. em um indutor).
de defeitos que não deve ser Vejamos os da primeira categoria. Chaveamento de indutâncias
desprezada. é, portanto, uma fonte conheci-
Fontes identificáveis - Em da de transientes; podemos, en-
TRANSIENTES: CAUSA, qualquer circuito prático, a mu- tão, examinar alguns casos rela-
EFEITO E DETECÇÃO dança de uma determinada con- cionados a essa fonte: Por estra-
As causas: Ao tratarmos de dição elétrica ou da energia es- nho que pareça, a chave liga-
qualquer defeit o, devemos, pri- tocada em um indutor ou capaci- desliga tão comumente usada
meiram ente, estabelecer sua tar, pode causar um transiente no primário de um transforma-
origem, dimensão e natureza. de tensão. Exemplo disso é o pi- dor, pode-se tornar uma fonte de
Os transientes podem se dividir co de tensão provocado pela transientes. De acordo com a fi-
em duas categorias: aqueles energização ou desenergização gura 1, no instante em que fe-
D
fluxo e
corrente
magnetizan
:- interruptor
aberto
_ transiente
de tensão
carga
FIGURA 2
chamos a chave, introduzimos, O mesmo efeito pode, às ve- corte, o transiente de pico pode-
no circuito, uma tensão sob a zes, surgir de um modo intrigan- rá danificá-lo. É por esta razão
forma de um «degrau». Pelo aco- te. Supondo um circuito protegi- que se utiliza, geralmente, um
plamento deste degrau com o do por um fusível, como o da fi- diodo em paralelo com a bobina,
capacitar e o indutor do secun- gura 3, onde ocorre um curto-cir- a fim de permitir sua desenergi-
dário,pode-se originarumaoscila- cuito; neste caso, o fusível zação de uma forma segura (fi-
ção transiente, com um pico su- «queima», e o efeito produzido é gura 4).
perior ao dobro da tensão de pi- semelhante ao de uma chave
co normal do secundário. sendo aberta, dando origem, en- Fontes não identificáveis -
Efeito semelhante ocorre ao tão, a um transiente, o qual pode Freqüentemente, os problemas
abrirmos a chave: com a inter- alojar-se em um dos dispositi- de transientes não estão locali-
rupção da corrente, ela vai a ze- vos paralelos. Para aqueles que zados no sistema, mas na rede
ro, bruscamente (figura 2). Devi- se descuidaram da existência de de alimentação (ou na própria
do ao efeito expresso pela fór- transientes, a danificação do carga). Essas fontes não são
mula V= L.di/dt, onde di/dt é dispositivo permanecerá um localizáveis, aparecendo, em ge-
bastante violento, o transiente mistério, já que o curto-circuito ral, de uma forma aleatória; o
no secundário do transformador ocorreu numa outra extremidade único processo prático para es-
será considerável. do sistema. tabelecê-las seria por meio de
umaaproximação estatística.
Se, por acaso, a carga do cir- Um outro exemplo a citar se- Entre tais fontes, podemos
cuito lfor representada por um ria o chaveamento de um sole- citar os picos de tensão da rede
componente semicondutor nóide (ou relé) através do coletor (onde é possível observar picos
subdimensionado, lá se vão de um transístor. No momento de até 6000 volts, em redes de
mais algumas horas de trabalho. em que o transístor entrar em 110 volts), e picos de tensão in-
duê'.idos, por algum meio exter-
no, em cabos longos (o que é
bastante freqüente em telefonia).
Os efeitos:
SCR Nos semicondutores - Co-
danificado
mumente, o dano ocorre quando
curto-
Valiment. circuito
FIGURA3
FIGURA4
•
operação, pois o pico de tensão
é capaz de tirá-lo de sua área se-
gura de trabalho, causando a
sua destruição, pela «avalanche a
térmica».
Nos contatos - Os contatos
1
são danificados pelos arcos
produzidos durante o transiente,
quer seja pela transferência de
material, quer pela corrosão.
Nos isolamentos - A isola-
ção de fios e cabos, por exem- FIGURAS
pl o, tem a tendência a se deterio-
rar, devido a uma carbonização mente, os zeners de aplicação todo o volume do material. Exi-
localizada. industrial são caríssimos e, bem uma ruptura mais «suave»
quanto aos normais, geralmente (em relação ao zener) e, devido a
Geração de ruídos - Os ruí-
não resistem a um tratamento isso , suportam uma grande dose
dos gerados por transientes po-
mais rigoroso; de energia, quando ligados ao
dem ser transmitidos diretamen-
b) - Tubos de descarga - Ba- circuito;
te, ou via indução eletromagné-
seados num princípio semelhan- d) - Varístores de metal-óxido
tica , a outros pontos do sistema.
te ao empregado pelos diodos (MOV - metal-oxide varistors)
Este efeito torna-se bastante
zener (efeito de avalanche), os -Consistem de uma nova série
significativo em circuitos lógi-
tubos de descarga especiais de supressores cerâmicos e
cos, muito utilizados, atualmen-
te, nos sistemas de controle. também podem suprimir os tran- possuem uma ruptura bidirecio -
sientes de tensão; nal, visivelmente não-linear (fi-
A detecção: Devido à carac- c) - Células de selênio e carbo- gura 5).
terística aleatória dos transien- neto de silício - São supresso-
tes, estes são difíceis de detec- res especiais, de alta energia, Suas características de rup-
tar. Quando sua origem é conhe- projetados para tolerar uma alta tura são bem semelhantes às
cida, pode-se observá-los com o corrente reversa, podendo dissi- dos diodos de avalanche , por is-
auxílio de um osciloscópio pro- par uma potência razoável, por so permitem uma eliminação efi-
vido de memória. No caso de
fontes não identi fi cáveis, o úni-
co meio seria o de medir sua mé-
dia de ocorrência e a amplitude
média, através de algum proces-
so de registro.
SUPRESSÃO DOS
TRANSIENTES
A eliminação de transientes
pode ser efetuada de várias <I>
maneiras: 1:
õ
1) - Filtros: Pode-se usar ca- (J
-
--
R= I0 12 0 HMS 1= KV<I
1 I
I v,_ _V2
I R, 1-10 0HMS
1 1 SL0PE,
2
100
I
i/
,
.,,-1-,«- 1
1
1
1 1 1 J
/ 1 ' ------ 1 I 2 ,
> I I
//
1/ i
· ,eg;ãode
fuga
1
1
,- operação normal do varistor
1
1 1 1
de
região
inflexão
---
10 I
10 - 10 10 - 9 10 - 0 10 - 6 10 - 5 1-0 • 10- 10- 2 10-• 10 1 10
FIGURA 7
J - am éres
ciente e confiável, num encap- 3) - Região superior - Em O supressor MOV pode ser
sulamento reduzido. altas correntes, o varístor torna- instalado como na figura 9a ou
De todos os dispositivos se quase um curto-circuito, e na figura 9b. O primeiro circuito
supressores, estes são os que sua resistência é da ordem de 1 dissipa toda a energia, do indu-
apresentam as melhores carac- a 10 ohms. tor, por intermédio do varístor e
terísticas. Falaremos, portanto, o segundo, faz com que o
um pouco mais sobre eles. APLICAÇÕES DOS VARÍSTORES transístor entre em condução
novamente, para poder dissipar
VARÍSTORES - Proteção da fonte contra a energia armazenada. A
Características elétricas: A transientes da linha (figura 8): escolha por um ou outro circuito
curva corrente x tensão de um para efeitos experimentais, utili- é determinada pela confiabilida-
MOV pode ser observada na fi- zou-se, neste caso, um gerador, de e pela economia de cada
gura 6, juntamente com seu sím- representando o transiente. método.
bolo. Na figura 7, temos uma Caso o transiente seja apli-
curva idealizada e mais detalha- cado diretamente ao circuito, - Eliminação de ruíd os e ar-
da (note que a corrente agora es- ele é reduzido de 5 kV para ape- cos nos contatos:
tá no eixo das abscissas). A cur- nas 2,5 kV, mesmo após ter sido Cargas indutivas podem
va foi traçada desta maneira filtrado pelo circuito LC. causar arcos nos contatos das
para que tenhamos uma melhor Instalando-se um MOV no chaves ou contactares que as
visualização de suas três circuito, por outro lado, limita-se controlam,provocandoa deterio-
regiões principais, que são: o transiente a 400 V, valor bas- ração dos mesmos e geração
1) - Região de fuga - A um tante aceitável. de ruídos na linha.
baixo nível de corrente, o varís- - Proteção contra transien- Coma colocação de um varís-
tor aptesenta uma alta resistên- tes ao se chavear cargas induti- tor, numa das posições indica-
cia, da ordem de 1012 ohms e, vas (figura 9): no instante do cor- das pela figura 10, esses efei to s
portanto, se comporta como um te do transístor, o indutor força podem ser eliminados.
circuito aberto. sua corrente através do transís-
- Proteção de fontes chave-
2) - Região normal do varís- tor, até dissipar toda sua ener-
adas:
tor - Nesta área, a curva segue gia. Como o transístor fica inver-
Aplicações súbitas da ten-
a equação 1 = KV oc, sendo K samente polarizado, essa inje- são de aiimentação chegam a
uma constante e oc:, o expoente ção de corrente por parte do in-
danificar um regulador
não-linear (este fator pode variar dutor é suficiente para provocar
chaveado, devido à alta corrente
de 25 a 50). uma ruptura em sua junção.
necessária para a carga do capa-
citar de filtro.
50 O Um varistor é a resposta,
para providenciar uma «pré-car-
VT
5 x
:!:5kVsen 10 TTt
-e 10 5 t
- 150µF
ga» do capacitar, até um valor
seguro, sem afetar o funciona-
mento do circuito.
CONCLUSÃO
Com o que foi exposto, pre-
FIGURAS
tendemos fazer'uma ligeira apre-
O>-- - - - - - -
FIGURA9 FIGURA 10
sentação das causas, efeitos e que não devemos dramatizar, e também, uma pequena discus-
prevenção dos transient es de começar a ver transientes de são sobre os métodos de su-
tensão . Sendo um efe it o sempre tensão em todas as bobinas que pressão, principalmente a res-
presente em qualquer circuito, encontrarmos. O que devemos peito dos varístores d metal-ó-
seria um engano considerá-lo ter em mente é que este fenôme- xid o, que, esperamos, vai ajudar
«desprezível», já que_ nem sem- no pode sempre ocasionar pro- os leitore s que se depararem
pre isto corresponde á realidade. blemas do tipo «eu não entendo». com um ou vários de.sses pro-
Mas, por outro lado, é claro Aproveitamos para fazer, blemas. .,
ESUA
APLICAÇÃO
...
AS
COM UNICAÇÕES
B.M . KALE, J.E. MOOR E,J.M . COSTA
TELEBRÁS - UNICAMP CONCLUSÃO
A fabricação de fibras óticas variação da concentração relativa de Si mos o laser de c o 2 como fonte de calor,
A primeira etapa consiste na produ- (silício) e Ge(germânio). devido á pureza desta fon t e e á fac ili da-
ção de uma forma primária, por deposi- de de se controlar a temperat ura.
Após a deposição das camadas de vi-
ção química de vapor (fig. 7). O processo Uma fibra de vidro, ao terminar seu
dro, o tubo é despejado em uma barra
pode ser resumido assim: o revestimen- esticamento, possui uma resistência á
to da forma primária é um tubo de quar- sólida; esta barra (de 100 cm de compri-
tensão igual á do aço. Contudo, esta re-
tzo, disponível no mercado. O núcleo da mento e 1 cm de diâmetro) é então esti- sistência mecânica se deteriora rapida-
forma é originado a partir de camadas de cada até se tornar uma fibra de 1 km de mente se a fibra não for protegida; para
vidro, depositadas no interior do tubo. comprimento e 0,2 mm de diâmetro. A se preservar essa qualidade da fibra, é
Ao se controlar a composição de cada fig. 8 mostra os equipamentos utilizados necessário aplicar um revestimento
camada, pode-se escolher seu índice de no puxamento das fibras. protetor á mesma, imedia tamente após o
refração; e, variando o índice de refração A f orma primária é aquecida a uma seu esticamento.
de cada camada, pode-se controlar o per- temperatura ligeiramente superior ao As fibras óticas no Brasil
fil do índ ice. seu ponto de fusão, sendo então estica- Em 1974, a TELEBRÁS iniciou o fi-
da, até se tornar uma fibra fina, que é en- nanciamento do primeiro trabalho brasi-
No sistema mais simples, as cama- rolada em um tambor. Uma parte crítica leiro envolvendo comunicações óticas.
das de vidro formam-se no momento em do equipamento é representada pela O projeto de comunicações óticas inclui,
que Si0 4 e GeCI 4, vaporizados, reagem fonte de calor; existem várias maneiras atualmente, dois grupos principais: o
com o 2, no interior do tubo, para dar ori- de se aquecer a forma primária, cada grupo de lasers de semiconrjutor e o de
gem a Si0 2 e Geo 2. O controle do índice uma delas com suas vantagens e des- fibras óticas. O programa continua em
de refração é levado a termo através da vantagens. Nós, da UNICAMP, escolhe- crescimento, mas já alcançou um
1 1 1 1 1 1 1
B - 11 B-5 B-3 B-4 B- 6 B-8 8 -7
1
ÓTICA ANAL ÍTICA CVD PUXAMENTO ÓT ICA ACOPLAMENTO TEORIA
1INTEGRADA W. MAY. J. M.COSTA C. ROUSE R SRIVASTAVA R. SUSSMAN E. BOCHOVE
B. M. KALE K. M. ITO 1 P ALCANTARA H. SUNAK W. MEYER
1 8-9 J. E.MOORE
QUIMICA E M.S. 1
8-10
TESTES MECÂNICOS
E CABOS
FIGURA 9 0,sanlzaçio do Grupo de Flbraa Ótica• naUNICAMP
Outros exemplos seriam: comunica- no logi a mod ern a dentro de seu terno e, eventualmente, no mercado ex•
ção por computador central com termi- territór io. Nosso programa visa á !ab ri• terno.
nais; comunicações militares dentro de cação nacional de fibras óticas, projeta• A tendê ncia do projeto de fibras óti·
um avião ou navio, onde a limitação de das aqui, por pessoal brasileiro. cas á auto-suficiência, quanto aos
peso, evi tar o «cross-talk» e manter As fi br as óticas fab ricadas no Brasil materiais uti lizados, inevitavelmente
segredo são fa tores impo r tan tes. podem ser sofis ticadas o su fic ien te, tec· fará com que vários setores da indústria
A principal vantage m para o Brasil é nologicamente falando, para enfren ta r a nacional sejam ativados , tanto o de
o fato de se poder desenvolver uma tec- conco rrência estrangeira no mercado in- matéria-prima, como o de cabos.
In s t rum e nto ind is pe ns ável para os in s talador es de antena s de T.V. & F.M.
To talm ente transis tori zado. Alim e ntado por um a p i lha .de 4,5 V com au ton o mia de
100 h. Sinton ia co ntinu a nas band as de T.V. & F.M . e ac im a de tud o perm it e m ed i r
se paradament e a am plitud e da s d uas band as de T.V., Videc, & Aud io.
CARACTERIST/CAS TÉCNICAS
CAMPO DE FREQUÊNCIA VHF. . . . . . . . 41/65, 65/110 & 155/180 M Hz - Três fai xas
CAMPO DE FREQUÊNCIA UHF ................................................................. 470/840 M Hz
SENSIBILIDADE DE 10 µF até 10.000 µF em duas faixas até O, 1 V c om ate nuador
externo e até 1 V com dois atenuadores ext e rn o s.
IMPEDÂNCIA ENTRADA 75 Ohms desbalanceado e 31.,,; 0 hm s bal a nc e ad o com b!!
!• · • 4,
e ,_.· . .,._ .., e.
/um e xtern o.
•ê
.o. . _, ,.
.. ... ""'! PRECISÂO DE FREQUÊNCIA ................................................................melh or que 2 %
t• PRECISÂO DE SENSIBILIDADE. . . . . . . . . . . + ou - 3 dB em VHF , e 6 dB em UHF
TOLERÂNCIA ATENUADOR EXTERNO ............................................................. 3 dB
FORNECIDO COM BOLSA DE COURO, FONES AURICULARES, BALUNS & ATE·
(!)lrõ
NUADORES
lf s
G, ............... ,., TEMOS VAGAS PARA REPRESENTANTES EM ALGUMAS CAPITAIS
y f •· . UII
( l fl ( fl h ili(Tfl •• 1 • • •
---
o o metal.
- 10
"O
"'
Q. As dimensões desses capa-
o"' - 20
citores, a exemplo dos demais,
<I variam de acordo com o valor da
- ...:. 3 O':--"'---------'-
55- 40 - 25 - 15 +5
.. , .,
L
,
1-
------------------------------------L.--1--'--'-'-
25 35 50 65 85 95 110 125
capacitância e da tensão de iso-
lação.
temperatura,°C
FIGURA3
As codificações dos
Por outro lado, eles apresen- capacitares de tântalo
tam também algumas desvanta- O capacitor de tântalo, como
gens: custo mais elevado, devi- tantos outros componentes ele-
do à raridade do material com trônicos, tem seus valores im-
que são confeccionados, faixa pressos sobre o próprio corpo.
mais estreita de valores de capa- E, como em tantos outros com-
citâncias e tensões, e corrente ponentes, a maneira de imprimi-
de fuga um pouco mais elevada. los varia de fabricante para fabri -
cante. Uns, preferem estampar
E, como são feitos, diretamente os valores de capa-
por fora e por dentro? citância e tensão sobre o capaci-
FIGURA4 tor (figura 6); outros, resolveram
Existem vários tipos de capa-
nho, os capacitares de tântalo citores de tântalo, e eles variam fazer coisa semelhante, porém
são superiores aos seus «primos» quanto ao encapsulamento e com uma certa codificação de
de alumínio quanto à vida útil, quanto ao material utilizado em números e letras, que varia de
tanto em estocagem, como em seu int erior. Na figura 4, mostra- acordo com o fabricante. E, fi-
operação, e apresentam uma mos vários modelos, entre os nalmente, existe o já consagra-
menor variação de capacitância, muitos encontrados no comér- do código de cores, que pode
em relação à temperatura. Na fi- cio. Observe que são fabricados ser interpretado do mesmo mo-
gura 3, as curvas mostram este tanto para montagem em pé, co- do que é feito em resistores e
último ponto. mo para a montagem «deitada», outros tipos de capacitores;
ou axial. mas, isto requer um pouco de
Os «tâ ntalo s» são aprecia- prática, devido à posição das fai-
dos, também, pela grande esta- Os tântalos mais comuns, xas coloridas e sua quantidade,
bilidade química e resistência à hoje em dia, são os chamados que também podem variar con-
corrosão, por parte da sua pelí- de tântalo sólido, fabricados em forme o fabricante.
cula interna de óxido, o que os todo s os encapsulamentos vis-
torna mais confi áveis que os ele - tos na fig. 4. Na figura 5, pode- A partir de agora, vamos dis-
trolít ic as convencionais. mos apreciar o tipo cilíndrico , secar os códigos de cores utili-
zados para os tântalo s, forne-
cendo todas as «dicas» para in-
terpretá-los.
TABELA li - Cap acitar es com quatro fai xas colorida s e ponto central
3- 6 marrom 1 1 X 10 e tensão
11 de15uF-6V.
Um último ponto a conside-
, .►
.•.·:.•. l
. .
..........
• • ♦;. ; .
. .:'··.:·...•=·=·· '
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•: •:·•:···
·. •
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•:-:.:.-. :. =" · .
..•__. - . • •• •• •
•...
• -.
sões físicas.
PROCESSOS DE FABRICAÇÃO
Uma vez terminados todos
os testes de qualidade e inspe-
ção, as matérias-primas são libe- Ação de um oagem1,, d u rante o ciclo de mesmo nome
radas para produção. Um moinho rotativo, parcialmente preenc hido comes•
feras de aço, mistura partículas de óxido co m ades1v
«Moagem» - O primeiro plãstico. para formar uma pasta fluida, grossa eüm1da.
passo no processo de fabrica-
ção de fitas magnéticas é a mis- qüência , aumento na transferên- No interior da máquina, vá-
tura de todos os ingredientes. cia de sinal de camada para rios processos diferentes de-
Isto é feito em um moinho de es- camada e, dependendo da for- senvolvem-se ao mesmo tempo.
feras, um grande tambor rotati- mulação, pode causar um enfra- A película é coberta, de um lado,
vo, parcialmente preenchido quecimento em todo o revesti- com uma ou mais camadas de
com bolas de aço. Quando o mento da fita. revestimento magnético, e, para
tambor é posto em movimento, certos tipos de fi tas, uma cama-
As fitas magnéticas foram da de um revestimento especial
as bolas cascateiam pela mistu-
bastante aperfeiçoadas, nos últi- pode ser acrescentada no verso.
ra, chamada de pasta fluída, e
mos anos, pelo progresso da
criam o tipo de agitação e ação A película sofre, ainda, uma
tecnologia da «moagem». Os
misturadora necessária para operação para eliminar cargas
atuais métodos de dispersão re-
produzir a dispersão desejada. estáticas, e uma outra, de limpe-
O propósito final da duziram de muito as perdas de
interação, além de terem permi- za, além de ter suas rugas pren-
«moagem» é a de produzir uma sadas e de passar por um pro-
tido uma substancial melhora na
dispersão, em que cada partícu- cesso de estabilização. As partí-
densidade do revestimento, sem
la de óxido é separada das de- culas são então orientadas, o
alterar suas propriedades físicas
mais, e é recoberta por uma fina solvente é removido e a fita pas-
ou elétricas.
camada de adesivo. A despeito sa por uma secagem. Depois, é
da natureza industrial dessa Revestimento - Uma vez polida, densificada e enrolada
operação, o processo é, na atingido seu nível ótimo de dis- suavemente na outra extremida-
verdade, preciso e delicado. persão, a pasta fluída é trazida de da máquina revestidora. E
Uma «moagem» insu fi ci ent e, para a máquina revestidora, para esta surpreendente série de
por exemplo , resulta numa dis- ser aplicada à película de base. operações é feita dentro de um
persão incompleta , onde gran- processo contínuo, cujo ritmo
des grupos de partículas ficam A máquina revestidora é um não é reduzido, nem ao menos
reunidos, causando, assim, inte- equipamento imponente, muito quando da troca dos rolos de po-
rações magnéticas indesejá- parecida com uma impressora. liester.
veis. Tais interações vão se ma- Na parte frontal da máquina,
nifestar através de um maior ní- grandes rolos de poliester - de Como em todos os demais
vel de chiado, saída mais baixa, 10.00 pés (3.300 metros), ou estágios de fabricação da fi ta , a
variações na uniformidade e até mais, de comprimento , e 60 po- precisão durante a operação de-
mesmo pontos fracos no revesti- legadas (1,5 m) de largura - são termina a sensibilidade e a
mento, que podem ocasionar colocados em posição. A pelícu- compressão da fita em freqüên-
dispersões, e desgaste. la é então inserida por um sem cias baixas e médias, assim co-
Uma «moagem» excessiva número de rolo s, guias e eleva- mo sua distorção harmônica e
pode ser igualmente prejudicial, dores, que a transportam através os níveis ótimos de polarização
manifestando -se através de uma da máquina, a alta velocidade e e gravação. Deste modo, a es-
perda de resposta em alta fre- baixa tensão mecânica. pessura do revestimento deve
.R.S
J 30ii1wl
1 filamento
l 1
1 R7 3ÕÕ 1W
"display"ligado
s
7
1
,-
1
graae 1
filamento-,
- 1 R2 '-<1
í
B4
21 dez horas C4
IGN~ - ......
100k IGN horas A
B
A3
B3
1 5
....'. 30V e C3
.. 1 1W D D3 D1
31 D2
...
220
Vss
E E3
BAT::;
1
R3•
510
. • ·Ra· F
G
F3
G3
R4 dois pontos
1 sei. dez min.B
luzes 4.1 li' Q1 B2
....\!,
--
20k de modo e
de estac.1 dois pontos
C2
1
.....
RS monitor
de tensão
A
E
D2
E2
D1 56k F F2
luzes 2l G G2
do painel
1
- - 10fJF = =iC3
min.A
B
A1
B1
e C1
2sv-- D D1
- Ajmin.
E E1
S1j 1- Aj. horas
Aj. min 7 1 G
F F1
- - 4-
-
Voo
VGG conversor ......
G1
A j. hora;7
s
-
1
1-
osc.1
..,...i
,
,. Q2
D4 2.097152MH
=H0.........
16V
1 IW
e,_: X1
C2
;: • 3.8 -
61, 24pF
FIGURA 1 30pF
½NDT
,,LI,:, ,:,,:,
•HAS , -----------
·•
, ele pode ser também emprega-
do em outras aplicações; na fi-
«display» acende a uma lumino- gura 2b aparece uma alternativa
sidade que varia entre O e 33%, . ..11,
L l ·•L I LI de conexão, caso se deseje ligá-
... L ,
dependendo do nível de tensão lo em casa ou a aparelhos portá-
o
presente na entrada das luzes de teis, alimentados a bateria.
painel (pino 2). Durante tal con- 1-IGNIÇÃO Concluindo a apresentação
dição, o estado da entrada de ig- 2-LUZES DO PAINEL deste módulo, vamos fornecer
3-BATERIA
nição (pino 1) não afeta o brilho 4-LUZES DE ESTACIONAMENTO
um resumo de suas característi-
do«display». FIGURA 4 5-SEM CONEXÃO cas principais:
6-TERRA
=o, --
0 ----- 12
aj. rapido ·1 3
1 a j. rapido
- PM
A4
--o---- r a. _j _ l_en_t_o:-:-------------------"-"'-4j aj. lento
11 84
:z perm. aj.tempo
i=; 15I perm.aj. tempo C4
> 161 segundos D4
---- --
E4
0- - - -4 '
171 alarme G4
o ----------- ll 1al " s lee p" A3
83
- - - --11! - - ....:...;_.:.... ent ."sonec a" C3
saida24h D3
21 saída 24h E3
se leção 12/ 24 h
1 2 I seleção 12/24h F3
con t role 2 pontos G3
101 cont.2 pontos
seleçã o 50 / 60 Hz
sei.50/60Hz cu-
A2
des l. a larme Q 82
om C2
a te n. R1 J) D2
E2
ma x. m
,....
t_ _ ,, 1.8k 4 brilho F2
R2 O·G') G2
r--+-......I\IW'.,...-- - - - - - - - - - - -!7. ent 50/60Hz õ A1
1M z 81
----+- ......,.--+---,--------+...J>JIMr=8-iVoo s: C1
oC/) D1
R7 E1
220 O F1
k R3 G1
5
-os
t
- .alarme a i.
lig.
6
1---,-- + - - -+- --,f- - - - - - -l---- - - - - osc.
---....
9V- . 0pF
C1 C2
0,001JJF
C4
28
37 }
45 fonte
r 1 10 mA
J-=- 1.- + - --4 ..--.--4.-. - - - -:::::::;;d-- -
0,1 53
+ JJF_. 9
comum
sa,ºd a
alarme
sa,.da
sleep
'"':]
23 22
3,6V 125mA 03
K:
g: 1- - - ..rnrn-- .......... J
u,
;- "'
00
G> ;::;;;:;;;
C0;'A> 3
lf
"t)
<'D o - ::. <'D(D
+ !O 1
"::) ' '"
o o
' , ,=......, . e
Relógio de 12 horas.
e,
Tensão de alimentação - 12
volts, corrente contínua. •
Consumo - «display» apa-
gado, 25 mW (2 mA); a 100%, 1,2
W (83 mA); a 33%, 1,4 W (97 mA),
e a 0%, 1,5 W (104 mA). ,_J '·
Base de tempo - interna, a
cristal.
Precisão - 0,5 segundo/dia.
«Display» - dígitos de
7,6 mm de altura, em cor verde.
Dimensões - 7,5 x 4,4 cm.
A figura3 mostra a vista pos-
terior do circuito impresso onde
está montado o módulo MA
1003, dando inclusive uma boa
visão do integrado MOS, que é a
«alma» do conjunto (a mancha FIGURA6
preta, sob o cristal).
de tensão no pino 11 do circuito nexão direta de um alto-falante
O MA 1023A, MÓDULO DE ao seu circuito.
impresso.
RELÓGIO DIGITAL COM LEDs
Este é também um relógio de É possível controlar a lumi- Outros pontos importantes
4 dígitos, mas seu «display» é nosidade do «display», de ma- são as funções de «SONECA»
formado por diodos emissores neira contínua,com um potenciô· (SNOOZE), a de MÚSICA TEM-
de luz (LEDs). Seu circuito inte- metro, ou apenas em dois ní- PORIZA DA (SLEEP) e a de
grado utiliza a tecnologia MOS veis (luminosidade máxima e ALARME (ALARM). O primeiro
de canal n e o módulo requer atenuada), com um interruptor fornece alarmes repetidos, com
duas tensões de alimentação: simples. Os segmentos podem 9 minutos de intervalo entre
3,6 V para o «display» e 7 a 11 V, ser testados, todos de uma vez, eles, é:1 partir da hora programada
para o integrado. Entretanto, ao se pressionar as chaves para «acordar»; o segundo, desli-
apenas o transformador de ali- ALARME e SLEEP ao mesmo ga o rádio depois de um péríodo
mentação e os interruptores de tempo; isto provocará o acendi- de ternpo programado; e o ter-
ajuste são o necessário para pô- mento de todos os segmentos. ceiro, fornece o alarme na hora
lo a funcionar. de «acordar», em um tom contí-
Quando é usado com bateria nuo ou por meio da música do
Além disso, este módulo é e aseilador de emergência, o rádio.
muito versátil, pois pode ser uti- «display» pisca ao faltar a ener-
lizado como relógio desperta- gia da rede. Além de tudo isso, pode-se
dor, rádio-relógio ou instrumen- ler os ;egundos no «display», ao
to de painel. Seu esquema com- se pre:,sionar uma chave ligada
E, ao contrário do módulo
pleto está na figura 5, que mos- ao pinc, 15 do circuito impresso.
tra também as conexões com o para relógios em veículos (MA
1003) o acerto da hora é feito pe-
transformador. A e)ntagem de tempo conti-
lo método do «rápido» e «lento»,
Suas dimensões: 8,5 x 3,8 cm. com dois controles separados. nuará, 11esmo em caso de falta
de força, graças a um oscilador
Características gerais do Circuito: Este módulo ofere- interno que pode ser alimenta-
módulo MA 1023A (figura 6) ce inúmeras possibilidades, que do corr uma única bateria de 9
podem ser acompanhadas pela volts.
«Display»: Forma um bloco figura 7; essa figura ilustra as
único, onde estão encapsulados conexões permitidas pelo MA AcaDamos de apresentar o
todos os dígitos, de 17 mm de al- 1023A. que existe de mais atualizado
tura, aproximadamente. Sendo em matéria de relógios digitais;
constituído por LEDs, sua cor é Um detalhe interessante pelo que se pôde ver, a evolução
vermelha, quando está aceso. sobre este relógio é o fato dele não só os torna mais econômi-
produzir um tom de alarme, pelo cos e mais precisos, como tam-
Por opção do montador, o seu circuito interno (com um bém mais práticos, facilitando
«display» pode ser de 12 ou 24 tom de 800 Hz, modulado a um enormemente sua instalação e
horas, selecionando-se o nível ritmo de 2 Hz), e de permitir a co- utilização por oarte do montador.
ajuste lento
13
---
---
14
perm. aj. tempo
.........
" "□
4 voo 15
VAC segundos
---
CA
7
VLED
vss
.. alarme 1 6
sleep
" soneca
17
" 19
-----
11
seleção 12/24H
2 9
VLED controle dois pontos
10
seleçao 50/60Hz
des l. alarme 18
8
Vss coótr.de 1
1
brilho max. ,
0 1
atenuação doi..;6=-----4 -- 4-y 1
saída
+rádio - rádio sleep display
atenuado
23 22 21 24
----+---+----t-----, -------- ,
musica e
alarme
rádio+
auto j_ musica
1------+------...-... - -
,_
♦ -o'OOA T
ao estágio
de audio
SEÇÃO
DO RADIO
J
FIGURA 7a
-- 12
13
a jus te rápido
ajuste lento
4
VcA i ----- --.,
15 segundos
16 alarme
VLEDt----t---
78
Vss• ::..._- -+ - 1
LJ
da
controle
de brilho
! m::vomn / 6 atenuação do
5
0 o 1-- - ...........
-4a'-"--'-d-o------------- t "d is p la y "
aten-u
SPKR+ SPKR-
26 25
alto falante
FIGURA 7b de 8 ou 16 O
umconsumo cada vez menor. por duas razões: primeira, pelo fato deste méto??
Atualmente, esta tecnologia ocupa uma posi- evoluir diretamente do processo de portas de s1l1-
ção ainda mais elevada.Pela primeira vez, ela é ca- cio•padrão, e portanto, não necessitar novas est ru-
paz de desafiar o desempenho dos circuitos bipola- turas de dispositivo, nem esquemas complexos de
res, enquanto continua batendo novos récordes em circuito (qualquer dessas duas exig ências iri a tor-
complexidade e baixo custo. As técnicas que nar os resultados e custos de fabricação demasia-
demonstraram ser capazes de empreender estaca- damente imprevisíveis para garantir sua utilidade
minhada são várias, mas partilh am uma caracterís- em uma grande variedade de produtos semicondu-
tica decisiva, que consiste em reduzir o compri- tores).
mento efetivo do canal, ou seja, o espaçamento en-
tre dreno e supridouro do transístor MOSFET fun- Segunda, este método se adapta á ten_dênic
damental. dos padrões de circuitos cada vez menores, a medi-
CB _J LD
1
t Capacitância parasita, WL/Tox
Atraso de porta, VC/I
1/S
1/S
FIGURA 1 Dissipação de potência, VI 11s2
Reduzindo - Para reduzir as dimensões de um d1spos1t,vo MOS, todos os parâ- Produto potência-atraso 11s3
metros devem ser reduzidos proporcionalmente. Se o comprimento do canal, L, for
encur tado de 1/S, onde Sé o fator de redução, a espessura do óxido Tox, a subd,fusão
lateral, L0 . e a profundidade da J nç o. XJ· também devem ser d1mmuidos de 1/S. Ao
mesmo tempo, a constante de dopagem do substrato, c8 . deve ser aumentada de um
fator ,gual a S
Tabe la li : Evolu çã o da re du ção dos di spo sitivo s MOS
da que os processos fotolitográficos tornam-se
mais refinados e as técnicas de fabricação das «bo- Parâmetros Método de Método de H-M OS MOS
do di spositi vo enriquecimento deplexão 1977 1980
lachas» (wafers) por meio de feixe de elétrons estão e do circuito n-M OS-1972 n-M OS-1976
prontas para entrar em atividade.
Além disso, as estruturas de dupla difusão têm Comprim ento
do canal, L (µm) 6 6 3,5 2
um futuro limitado. Elas podem ter sido apropria-
das para a evolução alcançada há dois ou três anos Difusão lateral,
atrás, quando a indústria ainda não era capaz de Lo(JJm) 1,4 1,4 0,6 0,4
produzir canais abaixo de 5 µm de comprimento. Profundidade
Mas, agora que canais de 4 um (e, logo mais, os de da junção,
3 e 2 um) são possíveis, a necessidade de novas XJ (µm) 2,0 2,0 0,8 0,8
estruturas , tais como D-MOS e V-MOS, pode estar, Espessura do
simplesmente, desaparecendo. óxido da porta,
Tox (Â) 1200 1200 700 400
Como reduzir um dispositivo MOS Tensão da fon-
A figura 1 mostra a seção em corte de um dispo- te de alimenta-
ção, Vcc (V) 4 a 15 4a8 3a7 2a4
sitivo de portas de silício, canal n, onde L é o com-
primento do canal, Tox é a espessura do óxido da Menor atraso
porta, Xj é a profundidade da junção, Lo é a difusão de porta (ns) 12 a 15 4 1 0,5
lateral e Cs é o nível de dopagem do substrato. Potência da
Agora, a teoria de redução de primeira ordem diz porta PD (mW) 1,5 1 1 0,4
que as características de um dispositivo MOS
Produto veloci-
podem ser mantídas e a operação desejada, asse- dade-potência
gurada, se os parâmetros do dispositivo forem re- (pJ) 18 4 1 0,2
duzidas como nos faz ver a tabela 1. Quando S é o
fator de redução e o comprimento L for reduzido de da profundidade da junção, ela também sofre uma
um fator 1/S, então as outras dímensões do disposi- redução de 1/S; isto significa que, como o atraso de
tivo - a espessura do óxido da porta, e a subdifu- porta é aproxi m adamente proporc iona l à capacitân-
são lateral, a largura do dispositivo e a profundida-
cia parasita, ele é reduzido de 1/S, igualment e. Em.
de da junção - devem também ser reduzidas de
1/S. Além disso, para manter a tensão de limiar ade- adição a isto, sendo o consumo proporcional à ten-
quada e a tensão de ruptura dreno-supridouro, a te- são e corrente de alimentação, ele é reduzido de
oria de redução manda que a concentração de im- um fator ainda maior, igual a 11s2. Finalmen te, te-
purezas do substrato seja aumentada de um fator mos o produto potência-at raso, ou figura de mérito,
S, enquanto a tensão e a corrente de alim entação de um dispos i tivo MOS; e como ele result a do pro-
são reduzidas de 1/S. duto do atraso de porta com o consumo, sua redu-
ção at inge o significan te fator de 1 /S3 . Portanto, a
redução das dimensões de um disposi tivo MOS
O efe ito sobre o desempenho provoca uma melhoria no desempenho do mesmo,
Quando este processo é aplicado corretamente, determinada pelo cubo de seu fato r de red ução.
a elevação no desempenho dos dispositivos é fan-
tástica , como a tabela I pode mostrar. A capacitân- Em resumo, reduzindo as dimensões de um cir-
cia parasita, o atraso de porta, o consumo e o pro- cuito, o projetista de MOS ganha um enorme poder
duto potência-atraso , todos eles sofrem uma gran- sobre a densidade e desempenho do mesmo - um
de redução. Já que redução da capacitância parasi- fato que também é representativo de eve nt os seme-
ta é aproximadamente proporcional à diminuição lhantes, na história dos disposi ti vos MOS.
43 8 NOVA ELETRÔNICA 62
250 1000
800
600
400
16,384-BIT
-
.J
:E
200
; 6-BIT
1'
200
o
ti
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ti
24
'O 100
o
.r.
e 80
150 1,024-BIT
"E' 60 2115
2
'' '
40
20
.......' -o....._
"'o.,2.147
100
1972 1974 1976 1978 1980
A tabela li enfoca a mudança para H-MOS nesta ns. A este processo, foram intro duzidas, em 1976, a
perspectiva. Observe a grande redução nos parâ- isolação do óxido e a polarização do substrato , para
metros de circuito que ocorreram entre 1976 e originar a memória RAM estática 2115, que permite
1977, época em que a Intel mudou do processamen- o acesso aos mesmos 1024 bits emapenas 70 ns.
to normal de portas de silício canal n, para a tecno- Hoje em dia, o efeito de redução de disp ositivos
logia H-MOS. Reduzindo o comprimento do canal é ainda mais aparente devido á tecnologia H-MOS,
de 6 para 3,5 µme diminuindo os outros parâmetros que introduz a 2115 (agora chamada 2115A) em uma
apropriadamente, foi possível dividir o produto ve- pastilha pouco maior que 100 mils de lado, enquan-
locidade-potência por quatro. Este aperfeiçoamen- to to melhora o tempo de acesso para 25 ns.
teria ido mais longe se a tensão de alim enté;l.ção
tivesse sofrido uma redução permitida pela teoria O que está para vir
de primeira ordem de redução de dispositivos, ao Aplicada a um projeto de memória estática de
invés de ser mantida ao nível mais aceitável de 5 V. 4096 bits, a tecnologia H-MOS resulta em uma
Em meados de 1980, porém, quando o comprimen- «pastilha» pouco maior que a utilizada na memória
to do canal for reduzido para 2µm, e a tensão de ali 2102 original, e ainda levando os tempos de acesso
mentação para 3 V, o desempenho será drastica- para baixo dos 50 ns. À medida que o processo
mente melhorado, desta vez de um fator de cinco, MOS for se desenvolvendo e a redução continuar ,
tornando-se, então, 20 vezes melhor do que os dis- será possível montar uma RAM totalmente estáti-
positivos MOS de 1976. ca, de 16.384 bits, em uma «pastilha» não maior que
Um exemplo do que significa para o usuário a 200 mils de lado, oferecendo aos pro jetista s de sis-
redução de dispositivos está nas figuras 2 e 3, que temas tempos de acesso na faixa de 50 ns.
registram o progresso atingido, ao longo dos anos, A alta velocidade e a alta densidade da tecnol o-
em memórias de acesso aleatório, estáticas (static gia H-MOS são conseguidas com o auxílio de cinco
RAMs). Em 1972, a memória MOS RAM padrão era a maiores aperfeiçoamentos da tecnologia MOS,
2102, de 500 ns, construída com um canal de 6 µm quatro dos quais estão relacionados á redução de
de comprimen· to e uma espessura de óxido da porta dispositivos: espessura do óxido da porta, profun-
de 1200 angstrons; seu produto velocidade-potên- didade da junção, comprimento do canal e implan-
cia era de 18 pic o jou les e ocupava uma «pastilha» tes de íons modificadores de limiar; o quinto aper-
(chip) de silício de quase 140 mils (mil = 1 milési- feiçoamento, não relacionado com redução de dis-
mo de polegada) de lado, possuindo uma célula de positivos, consiste na utilização de um substrato
8 mils2, aproxim adamente. de alta resistividade.
Em 1974, a memória 2102 foi reprojetada com O substrato de alta resistividade, feito com
base em uma tecnologia de canal n, que reduziu material tipo p, com resistividade de 50 ohm.cm , é
sua área em 15% e seu tempo de acesso para 200 empregado para reduzir a capacitância da junção,
1.2
1-
>
i
] 1.0
.,
"O
a efeito de segunda porta
o
""o.a
+vos
3 5 7 10
(a) largura do canal, N (µml
]
..
::::..1.4 Problemas de segunda ordem - Os d1spos1t1vos de pequenas dimensões são vulne •
ráve,s a dois efei tos de segunda ordem. O primeiro deles é o el eito de segunda porta
(a), onde as tin ha s do campo elétrico que emanam da Junção do dreno vào acabar na
1.2 «m te rla c e ,1 ó x1d o -s11ic 10. O ou tro efeito é chamado de 1,punch-th rough" (b), e pode se r
o aliviado p ela escolha cuidadosa das impurezasdo substra to, atra vés do implante de
ions. combinadocom um óxido pouco espesso para a porta.
'"e':
1/)
64 NOVA ELETRÔNICA 64
vcs
20
, a - z,-) 7cz zzzz1
eee vos
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o
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"O
o 1- C1)
"O
2 3 4 5 6 C1)
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1 1- "'
O)
..Q
0.8
l
1
FIGURAS FIGURA9
Uma alteração na tensão de alimentação - Levando a tensão de alim enta ção de Beneficiando o desempenho - A me,d da que a tecnolog,a MOS e aperte,çoada e
5 para 3 V, consegue-se uma s1gnlf1can te melho ra na veloc idade e no cons umo dos seus d1sposit1vos torn am- se cada vez melho res, a necessidade de menores tensões
circu110 s M OS. espec ialmen te em d1spos1 t1vos reduzidos. O resultad o é mais v1si vel de alimen tação é mai s u rgen te. Par a canai s de 2 um de compnmen to, uma alimen ta•
n os m,croprocessadores, onde uma redução de 2 V nessa tensão re fle te como uma cão de 3 V fornece atrasos ótimos de porta e plena confiabilida de no processo.
dupllcaçao do desempenho.
O problema para os dispositivos de canal curto pode ocorrer, quando houver um tluxo de corrente
reside no fato de que a tensão de «punch-through», atravé.-, do canal. Ativada por campos elétricos
ocasionada pelo efeito de mesmo nome, é uma fun- elevados, a ionização por impacto dá origem a uma
ção linear d'J comprimento do canal (figura 6). população de elétrons e buracos com uma quanti-
Quanto mais curto é o canal, menor é a tensão res- dade de energia bem maior que a verificada em elé-
ponsável pelo «punch-through» e, portanto, mais trons normais do canal. Os buracos fluem para o
suscetível é o componente á corrente de fuga. No substrato e introduzem uma pequena carga na ali-
caso de H-MOS, contudo , este problema é contor- mentação de polarização reversa.
nado ao se manter um canal suficientemente longo
e ao se reduzir a espessura do óxido, já que uma ca- Alguns dos elétrons possuem energia suficien-
mada mais fina evita inversões indesejadas, pelo te para serem injetados no óxido da porta, como se
acoplamento capacitivo mais perfeito do potencial vê na fig.l a, onde criam umacorrente ou são aprisio-
de superfície ao eletrodo de porta, aterrado. nados. Esses elétrons aprisionados causam um
Um outro efeito de «punch-through» ocorre, de deslocamento tensão de limiar (figura 7b) - um
acordo com a figura 5b, quando o campo elétrico deslocamento que poderia introduzir problemas de
originado no dreno atinge a fonte e polariza direta- confiabilidade em canais menores que 4 um.
mente a junção, criando um fluxo de corrente; isto
é similar ao que acontece em transístores bipola- Por fim, existe o aumento na capacitância de in-
res. Mas, esta tensão de «punch-through», que é terconexão, induzido pelos campos elétricos dos
proporcional a L2, representa um fator limitador so- extremos. Este efeito parasita ocorre devido a algu-
mente em dispositivos menores que os usados mas das mesmas razões associadas à elevação da
atualmente na tecnologia H-MOS. tensão de limiar por causa dos canais estreitos -
uma estreita faixa de metal, sobre a extensa área
Ionização por impacto do plano de terra, possui uma superfície efetiva
Uma outra fonte de fugas é a ionização por im- maior e, portanto, uma maior capacitância parasita,
pacto, cujos efeitos estão ilustrados na figura 7a. A que parte dos campos vizinhos a suas extremidades.
tensões de dreno muito elevadas (20 V), as junções
sofrem avalanche, em todos os comprimentos de Felizmente, o único possível problema quanto á
canal maiores que 4 µm. Porém, mesmo em ten- confiabilidade, trazido átona pela teoria de segun-
sões de dreno significativamente menores (5 V), da ordem - o aprisionamento de elétrons injeta-
usada s em H-MOS. uma fraca ionização de impacto dos no óxido da porta - provou não afetar os dis-
66 NOVA ELETRÔNICA 66
Onde H-MOS é a melhor téc ni ca TTL, pelo menos, esta tensão de alimenta-
Os três métodos MOSque visam um alto desempenho sao H - MOS. V-MOS e SIií-
cio sobre Safira. Como se pode notar pela tabela anexa, tanto H-MOS como V-MOS, ção mais baixa para os futuros dispositivos MOS
em seu atual estágio, apresentam um produto velocidade-potência de 1p1co1 oule . precisa ser aceito pelos usuários de circuitos inte-
A tecnologia V-MOS, em pr incípio, possui uma melhor densidade de encapsula-
men to , mas paga por essa apresentação compacta com um processo mais complexo. V- grados.
MOS, arnda, produz d1spos 1tivos ass1mé tncos, que podem ser utili zados em um só
sentido, de tal modo que as cont,gurações da lógica de integràção em larga escala
Existe, é claro, uma alternativa pa ra os usuários
saom,u I0 ma,s d1lice,s de se ob ter do que com a tecnologia H·MOS. que se recusam a aceitar tensões bai xas nos siste-
SOS (s,ll con-on-s apphire - s,lic,o sobre safir a), por outro lado, possui o melhor
produto velocidade-potência; mas esta técnica requer om substra to que resulta ser de mas; a solução para eles é a util ização de converso-
seis a sete vezes ma,s d1spend1oso, e isto parece Iust1f1cável ap,enas para aplicações res para transformar essas tensões mais baixas
, croprocessadores. que não requerem uma operação nos limites de alta veloc1•
de m
dade da curva veloc1dade . po t ência , nos níveis ma i s el evados de TTL, ou o emprego de
A principal vantagem da tecnologia H·MOS sobre a V-MOS, hoje em dia, està no
processo direto de redução, que permite atingir um maior desempenho e uma maior
duas fontes de alimentação. Mas, ambas as solu-
densidade, a um custo menor. O desempenho esperado em 1980, para os d1sposit1vos ções são temporárias.
MOSreduzidos (canais de 2 um), está na tabela - é de aproximadamente cinco vezes
melhor que a da atual tecnologia.
A ch ave para o futuro:
Comparação entre três tecnologias MOS menores tensões de alimentação
Parâmetro O fato é que uma tensão de alimentaç ão menor
H-M OS H-MOS re- V-M O S SOS
1 9 77 ruzido-1980 1977
eleva cons ide rave lmen te a c on fiab i lidad e dos
1977
Densidade de di stribui ção dispositivos de pequena área, enquanto aumenta
(portas/m m2) 170 200 220 150 bastante seu desempenho. A confiab ilidade cresce
Produto velocid ade- graças ao fato de que as tensões mais baixas signi-
po tência (pJ) 1 0,2 1 0,2 ficam maior tolerância à tensão de «punch-through»
Atr aso de por ta (ns) 1 0,4 1 0,5 menor e, ao mesmo tempo, provoca campos elétri-
Número de filmes 2 2 3 3 cos bem mais fracos na região do canal. Este
Número de implantes 3 3 3 2 segundo mot ivo reduz o risco de aprisionamento
de carga no óxido da porta, que poderia alte rar a es-
pos iti vos H -MOS, em sua presente forma. E verda- tabilidade do circuito, a longo prazo.
de que os elétro ns apris ionados tendem a elevar a A m elhora no desempenho é ainda mais formi-
tensão de limiar, e que uma elevação na tensão de dável; para as memórias RAM e para os micropro-
limiar poderia causar uma degeneração na veloci- cessadores (fig u ra 8), só o impacto causado por um
dade do circuito ou até mesmo impedi-lo totalmen - melhor produto veloc id ade-potênc ia já seria sufici-
te de funcionar; mas, testes de «stress» acelerado ente para comp ensar a m udanç a de ten são de ali·
sobre circu itos de memória H-MOS não revelaram mentação de 5 para 3 V.
sinais de degradação. De fato, medições adicionais
em transístores individua is, mais um modelo fís ic o Para as RAMs, que trabalham no ponto de satu-
para injeção de elétrons, mostram que os dispositi· ração da curva veloc idade-potênc ia, u ma tensão de
vos H-MOS apresentarão um deslocamento tota l de alimentação mais baixa iria reduzir o consumo em
limiar menor que O,1 V, após 10 anos de «stress» 60%, mantendo a veloc idade no mesmo val or. Esta
(esforço) cont ínuo , nas condições de pior caso (a redução no consumo torna-se ex tremam ente im-
oºc e Vos de 5,5 V). portante quando a densidade do integrado sobe
para 65.536 e 262.144 bi ts , já que existe um acordo
O processamento cuidadoso do óxido da porta comum de que, para uma operação confiável , a dis -
é em parte responsável por esses excelentes resul- sipação em potênc ia por encapsulamento deve ser
tados, pois isto minimiza a densidade de locais de mantida abaixo de 1 watt.
aprisionamento de elétrons. Além disso, vale a
pena observar que os óxidos de porta desses dispo- Quanto aos microprocessadores, que operam
sitivos H-MOS de 5 V estão submetidos a menos em uma região bem afas tada do ponto de saturação
esforço (stress) do que os óxidos das atuais RAMs da curva veloc idade-potênc ia, eles podem tirar o
dinâmicas de 12 V, pois uma tensãode 5 V aplicada máxim o proveito de uma conside rável elevação de
a um óxido de 700 angstrons de espessura provoca vel oc idade, para uma determ inada dissipação em
um campo elétrico menor que o ocasionado por 12 V, potência. Um mic roprocessador de 3 V, por exem-
aplicados aos óxidos padrão atuais de 1000 angs- plo , poderá operar ao dobro da velocidade de um
trons de espessura. dispositivo similar, de 5 V.
Mesmo sabendo que a redução dos dispos i ti - A maneira como a tensão de alimentação afeta
vos usados em H-MOS, para melhorar o desempe- os vários processos MOS, desenvolvidos ao longo
nho da te cnolog ia MOS, promete muito para o fut u- dos anos, aparece na figura 9, e novamente, a
ro , deve -se respeitar uma condição, se quisermos necessidade de menores tensões torna-se eviden-
que todo o seu potencial seja aproveitado; essa te. Realmente, na versão de 1980, reduzida, de dis-
condição é a redução da tensão de alimentação. posi tivos MOS (comprimentos de canal de 2 µm e
A tabela li mostra que, para garantir o sucesso espessuras de óxido de 400 angs trons) , uma fo nte
desta técnica , as tensões de ali mentação deverão de alimentação fornecendo de 2 a 4 V, tornará pos-
estar situadas na casa dos 2 a 4 V, po r volta de sí vel a obtenção de atrasos de porta iguais à meta-
1980, para os disposi tivos de 2 µm. Como atualmen- de dos atuais, veri fic ados em dispos i tivo s H-MOS,
te todas as tensões são mantidas ao nivel de 5 V da funcionando com 5 volts. ·
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TECNICA
Em vtriu opçõet
1 ou 1,5 mm 1A
to circuito
,
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A seu dispor,
@.
A soluçAo t,nal para o pro-
O maior Que- blema de regulagem de en-
bra galho d>
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técnico rep&-
stc1oneda a onIena para
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Mede apenas 11 çm. Fun• za com tncrl- ao a1mple1 toque de bo·
cIona com 1 prlha pequena vel rapidez
Para local ização de delei- dele1Ios em "º u:
Equipe Técnica da Ios em râdios, ampl1hc11-
dores, gravadores, aom de
Tv, e quaisquer outros para-
relhos sonoros.
pilha, vjlvuls, •
ou1ros aparelhos aonoroa
Em 3 opções
néscfa; 1 11 ,;;n
: çada
Serve para antenal novu
ou Jt instaladas
Garantia de 6 meaea
fllliSffi
'111
SUPllMINTO
O que são
as ''bulk
memories''?
«Bulk memories» ou memórias de grande capacidade, são
dispositivos, como seu próprio nome já diz, com uma elevada
capacidade de armazenagem de informações, e cujo
objetivo são as memórias de computadores e
microcomputadores,em substituição às velhas memórias de
núcleos, tambores ou discos magnéticos.
Seus representantes principais são as memórias tipo CCD
(charge coupled devices, ou dispositivos de cargas acopladas)
e as memórias tipo «bubble» (bubble memories, ou memórias
«bolha»), que serão descritas neste artigo.
Mas, ao contrário das memó- podem ser guardadas durante ço principal/laços secundários
rias CCD, as memórias «bubble» anos a fio. de magnetização; o laço maior
não são voláteis, isto é, a infor- retém um único bloco de dados,
mação retida em seu interior A organização de uma me- composto por «1s» e «Os» (pre-
não é perdida, nem mesmo se a mória «bubble» de aproximada- sença ou ausência de «bolhas»),
alimentação for retirada. Na ver- mente 100 kbits pode ser vista que podem ser escritos na me-
dade, as informações introduzi- na figura 2. Basicamente, ela m ória , lidos , apagados ou dupli-
das em uma memória «bubble» consiste em uma distribuição la- cados.
entrada saida
de dados de dados
locais de locais de
transferencia transferencia
FIGURA2
LJ\ ..[" 641"' bolhas" por laço
uu
nal, dos laços menores para o la-
TABELA 2 ço princ ipal , que os leva, então,
até a cabeça de leitura.
Perspectivas para as memórias «bubble»
Na tabela li, estão reunidos
Características 1976 1978 1980 alguns dados essenciais sobre
as memórias «bubble», inclusive
Dimensão da com previsões para o futuro.
«bolha» (µm) 4-6 2-3 menor que 1
Densidade A principal aplicação das
(bi ts/pol 2) 102 107 maior que 108 memórias «bubble» reside na
substituição das memórias à ba•
Ritmo de se de fitas e discos magnéticos,
dados (MHz) 0,1 - 0,25 1 maior que 1 convencionais, exibindo uma
Tempo de capacidade de armazenagem
acesso (ms) 10 1 menor que 1 entre 1 e 10 milhões de bits.
Capacidade do
Uma comparação com
módulo (bits) 106 108 109 - 1010
as demais tecnologias
No gráfico da figura 3 vemos
uma compração, a grosso modo,
ELETRONICA
(tempos de acesso
1Õ4 e registro longos]
cabeça móvel
(magnética)
'}
SOM Á-LO AO SOMADOR
y
AVANÇAR O CONTADOR
DE 1
LINGU GE:NS
1.ª LIÇÃO não
l1 li r.r= e ru: D nr,_ GERALDO COEN
Microcomputadores - Cada ções determinadas por um pro sim
vez se fala mais destes disposi- grama que está contido em sua
tivos que fazem de tudo, circui- memória. Muda-se o programa e
tos complexíssimos em um só o microcomputador muda de
função. A «alma» do microcom- IMPRIMIR O SOMADOR
«chip», circuitos ditos inteligen-
tes. Com um microcomputador putador é o programa, o chama-
pode-se construir sistemas ela- do «software».
borados , controles de qualquer Portanto, desenvolver um
tipo, pode-se simular qualquer sistema baseado em microcom-
circuito lógico. putador significa desenvolver
FIM
Qual é o segredo destes dis- um ou mais programas. Deve-
positivos poderosos? Como se mos aprender a programar. Este
consegue com eles realizar uma foi o objetivo do curso publica-
Soma de trinta números
variedade infinita de projetos? O do em Nova Eletrônica: «Progra-
segredo está na programação. O mação de Microcomputadores». FIGURA 1
microcomputador efetua opera- Naquele curso aprendemos a
•
8080, Um Novo
Camihho Aberto
Muito se tem falado e escrito sobre o 8080, a unidade central de processamento mais acei-
ta, atualmente, pelo mercado internacional; mas, apesar de existir uma vasta literatura sobre
o assunto, esta é composta, em sua quase totalidade. de informações em inglês e a um custo
que nem sempre está ao alcance do leitor brasileiro.
Neste artigo, pretendo mostrar o 8080, sob o ponto de vista de «hardware», isto é, anali-
sar este versátil componente como um integrado e explicar seu funcionamento, a fim de per-
mitir ao leitor uma melhor compreensão do mesmo, eliminando várias dúvidas existentes.
Em outras palavras, quero desvendar para o leitor alguns mistérios que ainda rodeiam esse
componente, tirando-o daquela categoria do «Ah! É complicado demais!»
Dl1----1t-+---;--t---t -- -
um total de 256 dispositivos de D0l---. >--1--+- --;- -t---t-- - -
1/0 endereçáveis. 8080
saídas
As 16 linhas de endereço tipo tri state
empregam a tecnologia «tri-
state», que permitiu uma grande
simplificação no sistema de
transmissão de dados do com-
--------- ....... .....
endereço do dispositivo DMA
/,
8080STATUS LATCH ra operações de lei tura de uma
memória ou 1/0 de acesso lento.
10 Passado um curto período de
1 8
9
ºº
o , tempo, após ter sido enviado o
o,
o,' J
7
o, endereço desejado (450 ns,
8080 º• • o,
o
aproximadamente), o dado da
5 L, memória ou 1/0 endereçado já
o,• 6
o, deve estar no barramento. Se a
SY NC
19 memória ou 1/0 for lent o demais,
081N ..!.?. o dado cont ido no barramento
0 1 o2
STATUS
LATCH
não será válid o. A fim de evita r
22 15
----2. o,
ºº6• tal problema,
«O» no READY aplica-se urn nível
do processador,
7 -
J!_
l fl.lti,
"U
9 10
STA.Ct
HLTA
enquanto este fica esperando;
. 16
18 8212
3: 17 d,..l
logo após o dado ter sido corre-
.. CLOCK GEN
-
(\11T TL )
20
22
19
E
M;
INP
MEM
tamente carregado no barramen-
& DRIVER r< CLR to, o sinal READY vai para «1» e
14 DS1 MO 0 S1
13 12 y1 o processador cont inua o pro-
D8 tfl. cesso de leitura.
Do INTA o o o o o o o o
D1 wo 1 1 o 1 o o 1 1
D2 STACK o o o 1 1 o o o o o
D3 HLTA o o o o o o o o 1
D4 OUT o o o o o o 1 o o o
D5 M1 1 o o o o o o 1 o
Ds INP o o o o o o o o o
FIGURA6 D1 MEMR o o o o o o
"'
TECNICAS DIGITAIS
Nesta lição, concluiremos o estudo teórico de cir-
cuitos lógicos e veremos como eles se apresentam na
prática.
LIÇÃO 4
PORTAS NE/NOU (NAND/NOR) rações é prejudicada. Por essa tração de"NÃO É" (ou É NEGA-
A maioria dos circuitos digi- razão, é geralmente preferível DO). Uma porta NE, portanto , é
tais pode ser construída utilizan- combinar portas simples de dio- uma porta E (ANO), seguida por
do-se apenas os três elementos dos com algum reforçador, para um inversor; a figura 1-4A mos-
lógicos básicos, já vistos, e que permitir uma maior flexibilidade tra o esquema básico de uma
são o inversor, e as portas E de interligação de circuitos. Es- porta NE.
(ANO) e OU (OR). Na prática, po- se reforçador (buffer, em inglês) Note a expressão algébrica
rém, a maior parte dos equipa- é representado, em geral, por de saída para a porta E e para o
mentos digitais emprega, em um transístor, e ele está presen- inversor. A expressão inteira de
seus circui tos, versões especia- te em todas as portas do tipo NE saída da porta E sofre uma inver-
is daqueles elementos , deno- e NOU (daí, a preferência pores- são, indicada pela barra coloca-
minadas portas NE (NANO, em se tipo de porta, ao invés das da por cima da mesma.
inglês) e porta NOU (NOR, em mais simples). Na figura 1-4B temos o sím-
inglês). Porta NE (NANO) bolo padrão básico utilizado pa-
Tais elementos especiais O termo N·E seria uma con- ra uma porta NE; note que é se-
são constituídos, basicamente, melhante ao símbolo E, mas
por portas E e OU, combinadas com um círculo acrescentado à
com um inversor. A---1 sua saída, para representar in-
C· A·B
As portas NE e NOU são os versão.
8 É fácil deduzir a operação ló-
elementos lógicos mais utiliza-
dos, porque oferecem numero- gica da porta NE, a partir do cir-
sas vantagens sobre as simples A cuito da figura 1-4. Essa opera-
portas de diodos, já considera- ção é indicada pela tabela da
das. Em grandes e complexos verdade da figura 2-4.
sistemas digitais, não é possível A saída (NANO) é, simples-
interligar muitas portas simples, mente, o complemento da saída
umas atrás das outras, pois, não E (ANO).
havendo reforço de sinal entre Porta NOU (NOR)
B
as mesmas, surgem problemas Da mesma forma que se veri-
FIGURA 1-4
de carga e a velocidade das ope- fica com a porta NE, a porta
A B E NE D E ou NOu
A.B A.B=C D+E D+E -- F
o o o 1 o o o 1
o 1 o 1 o 1 1 o
1 o o 1 1 o 1 o
1 1 1 o 1 1 1 o
NOU(NOR) é um elemento lógi- irão se comportar como simples «O» e «O». A saída será:
co aperfeiçoado para executar inversores. Combinando as por- a. «O» binário
funções lógicas de decisão. O tas NE e NOU com inversores b. «1» binário
termo NOU (NOR) é uma contra- externos, podemos realizar as
ção da expressão «NÃO OU» (ou operações E e OU. 4. A equação de saída de
NOT OR). A porta NOUé, portan- uma porta NE é igual a:
to, um circuito que combina a Pequeno teste de revisão a. C =A. B
função lógica de uma porta OU b. C =A+ B
1. As portas NE (NAND)/NOU c. C =A. B
com um inversor. (NOR) são usadas mais freqüen-
A figura 3-4 é a represen- d. C =A+ B
temente que os circuitos sim-
tação lógica da porta NOU; note ples E(AND)/OU (OR), porque: 5. A equação de saída de
que a expressão de saída é a a. As portas NE/NOU podem uma porta NOUé igual a:
função OU (OR) invertida. também realizar operações a. F =D+ E
A operação lógica da porta E/OU. b. F = D. E
NOU é ilustrada pela tabela da c. F = D. E
b. As portas NE/NOU são meno-
verdade da figura 4-4; a saída da
porta NOU é simplesmente o
res e mais baratas. d. F =D+ E
c. As portas NE/NOU são auto-
complemento da saída da porta reforçadas (self-buffered). Respostas
OU. d. As portas NE/NOU não podem 1. (e) - As portas NE/NOU
Assim como em qualquer realizar a função NÃO, NEGA- são auto-reforçadas (self-buffe-
porta lógica, as portas NE e DO. red), o que permite maiores velo-
NOU podem ter duas ou mais cidades e cargas razoáveis. São
2. Uma porta NE, de três en-
entradas, dependendo da aplica- mais versáteis que as portas
tradas, tem entradas «O», «1» e
ção e podem ser utilizadas para E/OU simples, daí serem usadas
«1». A saída será:
realizar qualquer uma das três mais freqüentemente.
a. «O» binário
funções lógicas básicas. Por .
b. «1» binário
exemplo , ligando em curto to- 2. (b) - «1» binário. A saída
das as entradas, tanto da porta 3. Uma porta NOU, de quatro de uma porta NE é igual a «O» bi-
NE como da porta NOU, elas entradas, tem entradas «1», «O», nário, se, e somente se, todas as
X y A B e
1 1 o o 1
1 o o 1 1
D
•D
F E= E
o 1 1 o 1
E
o o 1 1 o
FIGURAS-4 FIGURA6-4
- 1
:1
1
C=A •B
. 1 F=D+E
1
- 1
l
A B
FIGURA 11-4 D E
FIGURA 10 - 4
r-- -
CN Al
dos os seus componentes, é fa-
W X Y
bricado de uma só vez. Os cus-
tos de produção são reduzidos e
a confiabilidade é aumentada.
Os circuitos integrados exis-
tem há 15 anos; nesse curto es-
- z LCNFl
paço de tempo, foram feitos
avanços significativos, pois a
complexidade e a sofisticação
dos mesmos elevaram-se ex-
traordinariamente, enquanto
l -i- M
464NOVA ELETRÓNICA 88
Entradas Saída Entradas Saída Entradas Saída
A B c A B c A B c
ov ov
ov +5V
+5V ov
+5V +5V
12 V
FIGURA 19 - 4 D
)1---+ ----- ci F
r
da figura 23-4.
K1CNAl K2(N Fl K3CNA>
12) - Desenhe o esquema
lógico do circuito de portas de KS(N Al
diodos da figura 24-4 , empregan-
do, ao invés dos diodos , os sím- K6CNF>
bolos padrão das portas lógicas.
FIGURA23-4
a.2
b.4
c.5
d. 16
e.32
466NOVA ELETRÔNICA
90
tabela da verdade deverá estar
igual à da figura 27-4a; as tabe-
las da verdade para a lógica po-
A sitiva e para a lógica negativa
o são dadas pelas figuras 27-4b e
ENTRADAS 27-4c, respectivamente. Esses
1
B
circuitos realizam as funções
o OU positiva e E negativa.
SAIDA 4)-
E A. G = N + M - NOU
b. H = J.K.L - E
SAIDA
c. A= B - NÃO (inversor)
ou d. O= R.S- NE
FIGURA25-4 e. CLR =PB+RST - OU
6) - (a) - E. A ignição só
permite a partida do motor, se as
portas estiverem fechadas E os
cintos apertados E a chave de
ignição ligada.
7)-
F1GURA26-4 a. OU
b. NOU
c. E
d. NE
e. NÃO
FIGURA27-4
formarr uma porta E; o inversor
n.0 8 trnnsforma-a em uma porta
NE.
9) - No circuito de portas a
diodos da fig. 21-4, se ambas as
entrada, . estiverem em O V, os
D E F D E F D E F dois diodos irão conduzir e a saí-
o da será de O V. Se uma das entra-
ov ov 1 1 1 o o o das for 1) V, os dois diodos irão
ov - 5V ov 1 o 1 o 1 o conduzir e a saída será de O V.
-5V ov ov o 1 1 1 o o Se uma das entradas for O V e a
-5V -5V -5V o o o 1 1 1
outra, -5 V, o diodo associado
TABELA DE TENSOES OU POSITIVA E NEGATIVA com a entrada O V irá conduzir, e
o outro, será polarizado reversa-
FIGURA28-4 mente; deste modo, a saída
apresentará os O V.
ALFATRONIC
CONECTORES COAXIAIS
MINIATURA, SUBMINIATURA E MICROMINIATURA
PARA UHF e S.H.F.
SULECTRO
SMA - SMB - SMC - BNC - N
CONHEX - NANOHEX - KWICK - KONNECT
DE ACORDO COM A MIL - C - 39012
ALFATRONIC - IM P. EXP. RE PR.LTOA - Av . Rebouças, 1498- São
Paulo - CEP 05402
TEL. PBX 282-0915 - 280-3520 - 280-3526 - Telex (011) 24317
Revista n.0 9
No artigo da Super Fonte Regulada, pág. 258/10;
Os resístores R3 e R7 são de ½ W e não¼ W.
Os diodos D1.e D2 são os 30S2, e não 1N 4001.
-. CURSO
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AUDIO
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ACÚSTICA! Descreverei regras gerais ção o som reproduzido ao ar li-
Não é preciso repetir a enor- sobre o tratamento acústico e vre, o qual, este sim é reproduzi-
me importância da acústica ao principalmente, um absorvedor do com a máxima aproximação
se pensar em sistemas de som. acústico muito prático. do original. Na prática, porém,
O ambiente onde se instala os absorvedores acústicos não
um sistema de som é tão impor- TRATAMENTO ACÚSTICO absorvem por igual a todas as
tante quanto o próprio sistema, Para reproduzirmos um som freqüências, mas sim, possuem
quando se deseja considerar os tal como o original gravado, não uma curva de absorção como,
resultados finais, da produção deveríamos ter, teoricamente, por exemplo, da figura 1-A. O
ou reprodução sonora. um ambiente que refletisse atra- resultado é que a sala assim tra-
vés de suas paredes e objetos, o tada apresentará uma resposta à
Fazer, em espaço tão curto som proveniente das caixas reverberação das freqüências
quanto uma lição deste curso, a acústicas reprodutoras. como a da figura 1-B, saindo pior
explicação de todo o estudo que a emenda que o soneto.
envolve a acústica de ambientes O amador menos avisado,
e a acústica arquitetônica é im- Muitas vezes, o som antes
muitas vezes levado por raciocí- do tratamento era mais natural.
possível ou, pelo menos, ineficaz. nio correto, mas talho em infor- Eu mesmo já gastei um bocado
Escolherei, ao tratar da acús- mações básicas, tende a tentar de dinheiro e tempo enchendo
tica, como tem sido meu critério imitar este ambiente teorica- paredes de absorventes acústi-
no curso de áudio, a abordagem mente não refletor, colocando cos desse tipo mais comum,
prática, o que resolverá realmen- absorventes acústicos comer- que a ética me impede de men-
te grande quantidade de proble- ciais pregados diretamente so- cionar, e que se usa sempre nos
mas para grande número de pes- bre as paredes, ou sobre peque- forros dos escritórios (veja bem,
soas e, quando estudada e apli- nos caixilhos nas paredes e teto não é o absorvedor que não
cada com bom senso, permitirá do recinto que utilizará para au- presta...).
resultados de nível «profissio- dição sonora. Este procedimen-
nal» para amadores. to, pensa ele, imitará com pertei- As freqüências graves, para
3
serem absorvidas, necessita -
riam absorvedores de espessura
aproximadamente igual a um
A
quarto do seu comprimento de
onda. Imagine como ficaria sua
sala com uns dois metros e
meio de absorvedores pregados
nas paredes (talvez sumisse a
sala).
Supondo que a sala esteja
construída e não se possa
mexer nas paredes, é mais racio-
nal tratarmos de absorver ao má-
ximo os sons graves e as demais
freqüências de uma maneira mé-
B
dia e sempre absorvendo por
igual a todas as freqüências.
Passo a descrever três tipos
básicos de absorvedores acústi-
cos.
ABSORVEDORES ACÚSTICOS
Absorvedores Macios
Estes são materiais porosos
que são aplicados às paredes;
sua ação depende da perda da
energia sonora enquanto o ar vi- GRAVES AGUDOS
500Hz
bra nos interstícios da espuma,
lã de rocha, ou o que for. FIGURAI
Este método funciona muito
bem para médios e agudos, mas
seria necessário um metro de RESSOADORES DE HELMHOLZ conseguiram reduzir ressonân-
espessura para absorver os gra- Cavidades que são abertas cias de 30 ciclos existentes en-
ves. É claro que iria ser perdido ao ar por um fino tubo, ressoam tre as paredes . Não podia colo-
muito espaço neste caso. a determinadas freqüências. Se car móveis grandes próximos às
o interior for preenchido com aberturas, pois alteravam os res-
Estou falando de salas para material absorvedor macio, elas soadores.
reprodução de som; para grava• irão absorver aquela freqüência. ABSORVEDORES
ção , não se deve usar mais ab- A absorção de som de baixa DE MEMBRANA
sorção do que o necessário para freqüência de largo espectro, São muito usados para traba-
cada tipo de programa, pois are- pode ser conseguida com ban- lhar com as baixas freqü ênc ias,
verberação é interessante e cos de tais ressoadores, mas, mas os próprios ressoadores po-
necessária, em diferentes graus, apesar de dar bons resultados, dem tornar-se problemáticos.
para música pop, música sin- esta é uma técnica especializa- Funcionam de maneira simples:
fônica, vozes , música sacra, etc. da e não tem tido larga aceita- uma membrana de determinado
Muitos tipos de absor- ção. É útil, no entanto, para re- material, por exemplo, papelão,
vedores são encontrados no solver problemas de ressonân- é colocada num lugar sobre um
mercado, com espessuras ao re- cias entre paredes paralelas em espaço de ar. O material se mo-
dor de 2 cm, suficientes para estúdios. Não deve ser superes- ve com a onda sonora como um
sons médios. timada esta técnica, devido a pistão, mas seu movimento é
que os ressoadores devem ser amortec id o; portan to , aquela
O controle das freqüências colocados em lugares deter- energia de baixa freqüência é
altas, para as quais a absorção minados. que poderiam ser ocu- perdida. É muito difícil conse-
pode ser excessiva , é feito por pados por equipamentos do guir resultados usando esta téc-
meio de perfuração dos absorve- estúdio. nica.
dores. Com 5% de perfuração ,
muitos dos agudos vão ser refle- Eu, part ic ularm ente , obtive UM ABSORVEDOR PRÁTICO
tidos. Com 25%, muitos serão sucesso usando este método USADO EM
absorvidos. Diferentes superfí- em minha sala de som, escavan- ESTÚDIOS EUROPEUS
cies podem ser alternadas. do no chão ressoadores que Usa-se várias unidade s, cada
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