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Abstract— En el siguiente informe se tiene como objetivo terminales drenador y fuente, y roturas en la capa de óxido
principal el funcionamiento basico de dos de los transistores no de la compuerta que pueden dañar irreversiblemente al
de efecto de campo existentes actualmente en el mercado: el dispositivo.
MOSFET y el JFET, es necesario analizar las condiciones
particulares de cada uno para saber en que momento trabajan
es sus diferentes regiones para veri car con detalle que ocurre
en cada una de ellas. Siguiendo con el JFET se debe tener en cuenta lo siguiente:
II. TRANSISTORES MOSFET VS JFET Al igual que en el transistor MOSFET, en este caso
también existe la region de saturación, en esta región, de
De una forma breve se explicarán las regiones de operacion similares características que un BJT en la región lineal, el
en las que trabaja un MOSFET y un JFET, cuáles son JFET tiene unas características lineales que son utilizadas
las características principales de cada una de ellas y qué para la ampli cación, en este caso se comporta como una
condiciones deben establecer en el transistor para que opere fuente de corriente controlada por la tensión VGS cuya ID
en dichas regiones. Sabiendo a priori que en los transistores es prácticamente independiente del voltaje VDS , en este caso
MOS se de nen las mismas regiones de operación que en las entonces VDS VGS V p , donde V p es el voltaje de
del JFET: corte, triodo, saturación y ruptura. estrangulamiento.
Comenzando por el MOSFET se debe tener en cuenta lo
siguiente:
En la región de corte se veri ca que VGS < V t y la Finalmente y como en el caso anterior la región de ruptura
corriente ID es nula. en los transistores JFET se produce por tensión alta sus
En la región de triodo el transistor se comporta como un terminales, esto puede producir la ya mencionada ruptura por
elemento resistivo no lineal controlado por tensión. avalancha a través de la unión de puerta. Las especi caciones
En la región de saturación y la más importante si se trata de los fabricantes indican la tensión de ruptura entre drenaje y
de ampli cación el transistor se comporta como una fuente fuente con la puerta cortocircuitada con la fuente; esta tensión
de corriente controlada por la tensión VGS : En esté caso la se designa por BV DSS y su valor está comprendido entra 20
corriente permanece bastante constante y el transistor opera y 50V:
muy bien.
En los transistores MOSFET también se puede ver una A continuación se puede observar una gra ca de compara-
región más llamada ruptura en este caso el transistor MOS ción de las curvas características de ambos transistores:
puede verse afectado por fenómenos de avalancha en los
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MOSFET
Los transistores MOSFET (Metal-Oxido-Semiconductor)
son dispositivos de efecto de campo, al igual que los JFET, que
utilizan un campo eléctrico para crear un canal de conducción.
Son dispositivos más importantes que los JFET ya que la
mayor parte de los circuitos integrados digitales se construyen
con la tecnología MOS.
Al igual que los JFET existen dos tipos de transistores MOS,
los P-MOS Y LOS N-MOS
Fig2: Circuito Montado
Los transistores JFET y MOSFET tienen una estructura
física muy diferente, pero sus ecuaciones analíticas soy muy
similares, por esto los transistores MOS tienen las mismas
regiones de operación que los JFET Los voltajes y corrientes medidos se pueden observar en la
siguiente tabla y la grá ca obtenida fue de forma similar a la
Es de gran importancia saber en qué consiste el efecto estudiada de forma teórica.
de modulación de longitud del canal como bien sabemos la
corriente de del drenaje es proporcional al cociente entre el
ancho del canal W y su longitud L, de esta forma como
diseñadores se pueden seleccionar los estos valores, para
obtener determinadas curvas características i v.
Para valores mayores de vDS la corriente del drenaje
aumenta cada vez más lentamente; esto se debe a que el
extremo del canal más próximo al drenaje se halla polarizado
en inversa a causa de la fuente de tensión vDS
A medida que vDS aumenta el canal se alarga más y su
resistencia aumenta de manera correspondiente, por tanto la Tabla1: Cambios en la corriente debido a variaciones en el
característica iD vDS no continúa como recta si no que se voltaje de compuerta para el MOSFET
curva, entonces cuando vDS llega al valor de V t que reduce
el voltaje entre compuerta y canal en el extremo del drenaje,
la profundidad del canal en el extremo del drenaje disminuye
casi a cero y se dice que el canal está estrangulado; el aumento
de vDS más allá de este valor tiene poco efecto en la forma
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