TD de Physique du Solide DOPAGE DES SEMICONDUCTEURS
On cherche à évaluer, à l’équilibre thermique (température T), le nombre d’électrons
par unité de volume n(T) dans la bande de conduction, et le nombre de trous par unité de volume p(T) dans la bande de valence. On commence par examiner les propriétés générales des concentrations de porteurs (§1), avant d’étudier le cas d’un semiconducteur sans impureté (§2!: semiconducteur intrinsèque), puis celui où des impuretés s sont présentes (§3!: semiconducteur extrinsèque).
La figure introduit les notations utilisées!:
e0v est l’énergie du haut de la bande de valence e0c est l!‘énergie du bas de la bande de conduction L’énergie de la bande interdite est eg = e0c - e0v ed est l’énergie du niveau donneur. ea est l’énergie du niveau accepteur.
-1- 1) Propriétés générales de n(T) et p(T)
Les états occupés de la bande de conduction et les états vacants de la bande de valence sont situés près des extréma de bandes. On modélise alors la structure de bandes par une relation de dispersion parabolique (approximation de la masse effective)!: r h2k 2 () ec k = e0c + 2mc pour la bande de conduction r h2k 2 () et ev k = e0v - 2mv pour la bande de valence r où k est le†vecteur d’onde de l’électron ou du trou. a) Donner les densités d’états par unité de volume r c (e) dans la bande de conduction et r v (e) dans † la bande de valence. b) Le potentiel † chimique des électrons est noté m. Donner la probabilité d’occupation d’un état de la bande de conduction et la probabilité d’occupation d’un état de la bande † de valence c) Donner les†expressions de n(T) et p(T) sous la forme d’une intégrale. d) On suppose que le potentiel chimique m est situé dans la bande interdite à une distance des extréma de bandes grande devant kBT!(cas d’un semiconducteur non-dégénéré). Montrer que n(T) et p(T) prennent alors les expressions!: -( e -m ) k B T et p (T ) = Pv ( T )e ( 0 v ) B - m -e k T n(T ) = Nc (T )e 0 c où Nc(T) et Pv(T) sont des fonctions lentement variables de la température dont on donnera l’expression. e) Eliminer m pour trouver une relation simple entre n(T) et p(T).
2) Semiconducteur intrinsèque
Dans un semiconducteur intrinsèque, la contribution des impuretés aux propriétés
électroniques est négligeable.
a) Quelle est la valeur commune ni(T) de n(T) et p(T)!? En donner un ordre de
grandeur. b) Quelle est l’expression de potentiel chimique mi(T)? Vérifier l’hypothèse du semiconducteur non-dégénéré (faite au 1)d)). c) Tracer ln(ni) en fonction de 1/T.
-2- 3) Semiconducteur extrinsèque
On considère maintenant un semiconducteur extrinsèque, qui contient des impuretés!: Nd
atomes donneurs et Na atomes accepteurs par unité de volume. Le semiconducteur est dopé avec des impuretés en faible concentration par rapport aux autres atomes du cristal (typiquement 1015 à 1018 cm-3). Les impuretés donneuses (acceptrices) sont chargées positivement +e (négativement –e) et peuvent lier un électron (trou) avec une énergie de liaison ed(a)* faible devant eg!: on a alors des états électroniques discrets, appelés niveaux donneurs (accepteurs), d’énergie ed(a) telle que ec – ed = ed* << eg (ea – ev = ea* << eg)
1 La probabilité d’occupation d’un niveau donneur est fd (ed ) = 1 (e d -m) k B T 1+ e 2 1 La probabilité d’occupation d’un niveau accepteur est fa (ea ) = 1 1+ e(m-e a ) k B T 2 † a) Trouver le nombre nd(a)(T) d’électrons (trous) par unité de volume piégés sur les donneurs (accepteurs). b) Ecrire l’équation de conservation de la charge † c) On supposera que le potentiel chimique m reste éloigné des bords de bande et des niveaux d’impureté.!: ed - m >> k BT m - ea >> k BT Comparer nd à Nd, na à Na. Reécrire l’équation de conservation de la charge dans cette hypothèse. Donner les expressions de n et p en fonction de Na-Nd et ni. † † d) On étudie le cas où Nd - Na >> ni Donner les expressions de n et p en fonction de Nd-Na et ni (dans les cas Nd>Na et Nd<Na) Donner l’expression de m en fonction de e0c, Nd-Na, Nc (dans le cas où Nd>Na) Quelles valeurs Nd-Na ne doivent pas dépasser pour vérifier les hypothèses de départ!?
