UNIVERSIDAD NACIONAL DE

INGENIERIA
FACULTAD DE INGENIERIA
MECÁNICA

EXPERIENCIA N0 3:

“TRANSISTORES BIPOLAR

CIRCUITOS DE POLARIZACIÓN

CURVAS CARACTERÍSTICAS”

ELECTRONICA BÁSICA MB841

PROFESOR: ING. AREVALO ROBINSON

INTEGRANTES:
 CHOLAN LLAMOGA JEAN PIERE 20171200I
 ESPINOZA LUDEÑA LUIS GERMAN 20171190C
 FERNANDEZ EGOAVIL CRISTHIAN RAFAEL 20171238F
 PINILLOS ALEGRE CARLOS ANDRÉS 20172099J

OCTUBRE - 2019
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INDICE
INTRODUCCION .......................................................................................................... 3

1 OBJETIVOS ........................................................................................................... 4

2 MARCO TEORICO ................................................................................................. 4

3 RESULTADOS ....................................................................................................... 8

3.1 PRIMER CIRCUITO ........................................................................................ 8

3.2 SEGUNDO CIRCUITO ..................................................................................... 8

3.3 TERCER CIRCUITO ........................................................................................ 9

3.4 CUARTO CIRCUITO ..................................................................................... 10

3.5 QUINTO CIRCUITO ...................................................................................... 10

4 CUESTIONARIO .................................................................................................. 11

5 OBSERVACIONES ............................................................................................... 13

6 CONCLUSIONES ................................................................................................. 13

7 HOJA DE DATOS ................................................................................................. 14

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INTRODUCCION

El transistor es un componente electrónico que logró revolucionar la vida de las personas,

pues permitió dar un gran salto dentro de los avances tecnológicos, siendo este uno de los
mejores inventos del hombre diseñado para operar en forma de amplificador, oscilador o
conmutador.

En el presente informe de laboratorio se analizarán los datos obtenidos en el laboratorio

y se realizarán comparaciones con los resultados obtenidos de forma teórica, utilizando
softwares de apoyo para realizar estos cálculos con la mayor precisión posible.

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1 OBJETIVOS

 Mejorar el entendimiento de un transistor BJT analizando los datos obtenidos en

el laboratorio.
 Comparar datos teóricos y experimentales.
 Interpretar los errores obtenidos de la comparación de los datos.

2 MARCO TEORICO

Descripción básica

El transistor de unión bipolar (BJT) es un dispositivo electrónico de tres terminales,

construido mediante dos junturas de semiconductores tipo P y N. La relación entre
Tensión y Corriente del puerto de salida (colector-emisor) varía según la intensidad de
corriente que circula por el puerto de entrada (base-emisor). Hay dos clases de
transistores BJT, los NPN y los PNP, el nombre se refiere al tipo de material
semiconductor utilizado en cada parte, Colector-Base-Emisor respectivamente.

Símbolos de circuito

Condiciones de operación:

Para obtener condiciones normales de operación las junturas deben estar polarizadas

 base-emisor con polarización directa (en un NPN, Vbase > Vemisor)

 base-colector con polarización inversa (en un NPN, Vbase < Vcolector )

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Además (por ley de Kirchoff de corrientes) se verifica que : 𝐼𝑒 = 𝐼𝑏 + 𝐼𝑐

En el transistor BJT se reconocen 3 regiones de operación

 Activa: Esta región de operación se considera de corriente constante, se cumple

aproximadamente la relación:
𝐼𝑐 = ℎ𝐹𝐸 . 𝐼𝑏
(En la cual hFE es la ganancia de corriente continua y depende de la
construcción del transistor.)
Aunque en la práctica 𝐼𝑐 varía levemente para diferentes valores de 𝑉𝐶𝐸 , para
esta región se puede pensar que: la corriente 𝐼𝑐 es una versión amplificada de la
corriente 𝐼𝑏 . [Zona Lineal]

 Saturación: Si 𝑉𝐶𝐸 es demasiado pequeño, 𝐼𝑐 ya no es proporcional a 𝐼𝑏 , es

decir, aunque 𝐼𝑏 aumente, Ic no sigue ese crecimiento
𝐼𝑐 < ℎ𝐹𝐸 . 𝐼𝑏
La tensión 𝑉𝐶𝐸 permanece prácticamente constante en un valor llamado 𝑉𝑆𝐴𝑇 ,
para esta región se puede pensar que: entre colector y emisor, el transistor
trabaja “como una llave cerrada”. [Zona No lineal]
 Corte: Cuando 𝐼𝑏 es muy pequeña o nula, implicará además 𝐼𝐶 = 0. Lo que
equivale a decir que no hay conducción entre colector y emisor. En esta región
se puede pensar que: entre colector y emisor, el transistor trabaja “como una
llave abierta”. [Zona No lineal]

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Características Ideal V-I (tensión-corriente)

En la gráfica se ven varias curvas de 𝐼𝑐 para diferentes corrientes 𝐼𝑏 .

El punto de trabajo concreto dependerá del circuito externo.

Determinación de la región de operación

Lo primero que hay que analizar es la 𝐼𝑏 . Si la tensión en la juntura 𝑉𝑏𝑒 no supera la

mínima Vγ (en general del orden de 0.7v), entonces 𝐼𝑏 = 0, y el transistor estará en
corte. Si ese no es el caso, se conjetura que está trabajando en Zona lineal 𝐼𝑐 = ℎ𝐹𝐸 . 𝐼𝑏
, si luego del cálculo se encuentran resultados erróneos o inconsistentes con los valores
del circuito, sabremos que el transistor se encuentra en región de saturación. En este
último caso debemos realizar los cálculos manteniendo 𝑉𝑐𝑒 = 𝑉𝑠𝑎𝑡

Potencia admitida

Debido a que hay circulación de corriente entre dos puntos que tienen una diferencia de
potencial (𝐼𝑐 con Vce y 𝐼𝑏 con Vbe) el transistor disipa potencia, la cual provoca un
aumento de temperatura, que puede llegar a fundir o quemar al transistor. En general los

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transistores especifican cual es la potencia máxima que pueden disipar 𝑃𝑚𝑎𝑥 , que no
debe superarse, calculando 𝑃 = 𝑉𝑐𝑒. 𝐼𝑐 , siempre debe ser 𝑃 < 𝑃𝑚𝑎𝑥 .

Dispositivos comerciales

Los transistores BJT se comercializan mediante nombres codificados, por ejemplo,

BC548, BC557, 2N3055, etc. Tienen diferencias constructivas que definen las
características eléctricas tales como los valores máximos soportados de potencia,
tensión, la ganancia de corriente, variación con la temperatura, etc. Además, se
diferencian en la forma del encapsulado, la posición de los pines, tamaño, etc. Toda esta
información, suele resumirse en lo que se llama una hoja de datos (datasheet)

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3 RESULTADOS
3.1 PRIMER CIRCUITO

R1(1)

R2 R1 +4.83
1500k 3.9k Volts

+4.01
Volts

Q1
2N2222

+0.66
Volts

VB VC VE VCE VCB VRC VRE

Medido 0.58 2.68 0 2.62 1.965 6.32 0

Calculado 0.66 3.14 0 3.14 3.8 4.52 0

3.2 SEGUNDO CIRCUITO

R1(1)

R2 R1 +4.83
1500k 3.9k Volts

+4.01
Volts

Q1
2N2222

+0.66
Volts

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VB VC VE VCE VCB VRC VRE

Medido 2.52 2.05 1.86 0.17 -0.45 7.45 1.86

Calculado 2.07 3.45 1.41 2.04 1.38 5.78 1.40

3.3 TERCER CIRCUITO

R1(1)

R2 R1 +5.54
27k 3.9k Volts

+4.08
Volts

Q1
2N2222

+0.66
Volts

+1.71
Volts
R4 R3
6.8k 1.2k

VB VC VE VCE VCB VRC VRE

Medido 2.24 6.54 1.41 4.92 4.28 4.72 1.41

Calculado 2.38 6.02 1.73 4.29 3.64 5.32 1.23

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3.4 CUARTO CIRCUITO

R1(1)

R1
2.7K

+9.54
Volts

R2
100K
+1.77
Volts

Q1
2N2222

+0.69
Volts

VB VC VE VCE VCB VRC VRE

Medido 0.16 2.07 0 1.84 2.38 9.2 0

Calculado 0.69 1.03 0 2.41 1.72 9.24 0

3.5 QUINTO CIRCUITO

R1(1)

R1
2.7K

+9.24
Volts

R2
100K

+1.72
Volts

Q1
2N2222

+0.69
Volts

R3
1.2k
0.00
Volts

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VB VC VE VCE VCB VRC VRE

Medido 3.11 3.77 2.23 1.29 0.65 7.49 2.23

Calculado 0.68 1.93 1.25 0.68 1.25 9.72

4 CUESTIONARIO

1. ¿Por qué existe gran diferencia entre lo calculado y medido en el caso de Polarización Fija?

De manera experimental el transistor utiliza un factor de ganancia distinto al usado para los
cálculos teóricos.

2. ¿Cuál de los circuitos de polarización resultó más exacto entre lo calculado y medido?

El circuito N°3 fue el que presentó menor error al momento de comparar lo calculado y
medido.

3. De acuerdo a la ubicación del punto Q, en la recta de Carga. ¿En qué zona se ubica
cada una de las polarizaciones?

Para el circuito 1 y 2:

1 1
𝐼𝐶𝑄 = − 𝑉𝐶𝐸𝑄 + − 𝑉𝐶𝐶
𝑅𝑐 𝑅𝑐

𝐼𝑐𝑞 = 1.6𝑚𝐴
𝑄 = {𝑉
𝐶𝐸𝑄 = 3.14𝑉

Para el circuito 3:

1 1
𝐼𝐶𝑄 = − 𝑅𝐸 𝑉𝐶𝐸𝑄 + 𝑅𝐸 𝑉𝐶𝐶
𝑅𝑐 + 𝛼
𝑅𝑐 + 𝛼

𝐼𝑐𝑞 = 1.3𝑚𝐴
𝑄 = {𝑉
𝐶𝐸𝑄 = 4.92𝑉

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Para el circuito 4:

𝑉𝐸 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐶𝑄 = 𝛽 ∗ ( )
𝑅𝐵 + 𝑅𝐵 (𝛽 + 1)

𝐼𝑐𝑞 = 0.133𝑚𝐴
𝑄={ 𝑉
𝐶𝐸𝑄 = 2.07𝑉

Para el circuito 5:

𝑉𝐸 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐶𝑄 = 𝛽 ∗ ( )
𝑅𝐵 + 𝑅𝐵 (𝛽 + 1)

𝐼𝑐𝑞 = 0.6𝑚𝐴
𝑄={
𝑉𝐶𝐸𝑄 = 1.54𝑉

Todos se encuentran en la región activa

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5 OBSERVACIONES

 Transistor funciona como interruptor :

Conectado al colector (Rc) si se hace pasar rápido de corte a saturación y
viceversa. En corte es un interruptor abierto y en saturación es un interruptor
cerrado. Los datos para calcular un circuito de transistor como interruptor
son: el voltaje del circuito que se va a encender y la corriente que requiere
con ese voltaje. El voltaje Vcc se hace igual al voltaje nominal del circuito, y
la corriente corresponde a la corriente Icsat. Se calcula la corriente de
saturación mínima, luego la resistencia de base mínima.
 Transistor funciona como amplificador:
El comportamiento del transistor se puede ver como dos diodos, uno entre
base y emisor, polarizado en directo y otro diodo entre base y colector,
polarizado en inverso. Esto quiere decir que entre base y emisor tendremos
una tensión igual a la tensión directa de un diodo, es decir 0,6 a 0,8V para un
transistor de silicio y unos 0,4 para el germanio. Lo interesante del
dispositivo es que en el colector tendremos una corriente proporcional a la
corriente de base: IC = β IB, es decir, ganancia de corriente cuando β>1.Para
transistores normales de señal, β varía entre 100 y 300.

6 CONCLUSIONES

 Mediante la experiencia en el laboratorio pudimos comprender la

importancia de los transistores en la electrónica.
 El BJT tiene tres zonas (Zona de Corte, Zona Activa, Zona de
Saturación) y puede trabajar como conmutador o como switch, en este
caso observamos las zonas de activa y de saturación.
 Es necesario regular de manera adecuada el osciloscopio para tener
una buena apreciación de la magnitud de amplificación que se está
haciendo.
 La región de operación en la cual se sitúe el transistor depende del
voltaje al cual se encuentre sometido.

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