Laboratorio de Electrónica l – Instructor: José Murillo
Características del BJT
Ángel F. Vivas, 20161003696, Josué D. Bustillo, 20161005322
Resumen— Durante la práctica primero se hizo la identificación
del BJT y sus terminales para conectarlo de manera correcta.
Posteriormente se realizan otras tres conexiones para determinar
las características de cada una de las uniones del transistor.
Palabras Clave— Unión, Juntura, Transistor, Ganancia, Curva
característica.
I. INTRODUCIÓN
E n el presente informe se da cuenta de los distintos
resultados obtenidos durante la práctica de las
características del BJT que es un componente de suma
importancia en el mundo de la electrónica y el cual vemos
presente en muchos de los aparatos electrónicos que hoy en día
conocemos y manejamos.
La importancia de este dispositivo radica en el hecho de que
puede tener muchas aplicaciones que van desde, por ejemplo,
servir como un interruptor, hasta poder ser conectado de tal
manera que se vuelva un amplificador de corriente, lo cual
sucede justamente al estar el transistor en el modo de región
activa.
II. OBJETIVOS
1.- Identificar el tipo de transistor a usar (pnp o npn).
2.- Determinar las terminales del emisor y colector.
3.- Encontrar la curva característica de entrada del transistor.
III. MARCO TEÓRICO
El transistor, que se empezó a utilizar a finales de la década de
los años cuarenta del siglo XX, se consideró en su época como
una maravilla de lo compacto en comparación con el tamaño de
los tubos al vacío. Sin embargo, a partir de 1950 el tamaño de
los dispositivos electrónicos se ha reducido en un factor de
alrededor de 10 veces cada cinco años. En 1960, cuando se
empezó a usar la palabra microelectrónica, un bloque (chip) de
silicio de un área de 0.5 cm² podía contener de 10 a 20
transistores con varios diodos, resistores y capacitores. Hoy en
día tales bloques pueden contener varias docenas de miles de
componentes.
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Gran parte del estímulo para miniaturizar circuitos electrónicos
provino de los programas para construir cohetes balísticos, los
cuales tenían una limitada capacidad de carga. A medida que la
micro tecnología electrónica se desarrolló, se aplicó muy
rápidamente a computadoras comerciales, reduciendo
enormemente el tamaño de sus procesadores. Más tarde se
diseñaron diferentes dispositivos portátiles como las
calculadoras y otros que han inundado la casa, la oficina, la
escuela, las carreteras, etcétera.
Cuando se empezó a usar el transistor no hubo gran
modificación en la forma de conectar componentes individuales
en circuitos electrónicos; aunque, por supuesto, el tamaño de
los circuitos decreció debido a la disminución del tamaño del
transistor. Sin embargo, en el mismo transistor ya hubo una
novedad: fue el primer componente electrónico en el que
materiales con diferentes características no se conectaron
sino que simplemente se unieron.
Fig. 1 Esquema de un transistor npn.
A. Configuración de Base-Común.
cuando el diodo de entrada está polarizado directamente,
mientras que el diodo de salida será polarizado inversamente.
En estas condiciones, el dispositivo funcionará como un
amplificador.
se tiene como entrada al diodo emisor-base como salida al
diodo base-colector y como punto de referencia o común a la
terminal de la base, de ahí que a esta configuración se le dé el
nombre de base común. La notación y simbología utilizada para
esta configuración se muestra en la figura 2, para ambos tipos
de transistores. La flecha en los símbolos utilizados representa
el sentido convencional de la corriente de emisor. Esto significa
que para explicarnos el funcionamiento en conjunto del BJT
como amplificador, requerimos de conocer las características
tanto de su sección de entrada (diodo EB), como las de salida
(diodo BC).
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Fig. 2. Transistor configurado en base-común
Fig. 3. Curva característica para el diodo de entrada en un
transistor de silicio en configuración base común.
Las características de entrada están dadas para un punto de
excitación determinado, en el cual influyen las características
de salida. En el diodo de entrada emisor-base (EB) luirá una
corriente que se identifica como corriente de emisor (IE), del
orden de los miliamperes, al tiempo que el diodo está polarizado
directamente por un voltaje que se identifica como VBE,
medido en volts. Esto da como resultado la curva característica
del diodo emisor-base representada en la figura 3. Esta curva se
ve influida de manera directa por la magnitud del voltaje que
existe entre terminales del diodo de salida colector-base (VCB).
A mayor valor de VCB la curva característica del diodo EB se
desplaza hacia la izquierda de la gráfica; esto significa que para
elevar la corriente en el emisor se necesita menor voltaje en las
terminales de base-emisor. Si se disminuye el voltaje entre
terminales colector-base (diodo de salida), la curva
característica del diodo de entrada emisor-base se ve
desplazada hacia la derecha; lo que quiere decir que para elevar
el valor de la corriente de emisor (IE) se requerirá un mayor
voltaje entre base y emisor.
B. Configuración en emisor común
Si ahora se cambia la ubicación de las terminales del
transistor, conectando la terminal de emisor al común o
tierra, se obtiene una nueva configuración llamada de
emisor común, cuya entrada estará entre ter- minales base y
emisor, mientras que la salida será del colector al común. Ésta
es la configuración que con mayor frecuencia se utiliza en
circuitos amplificadores con BJT. Se esquematiza en la
figura 4.
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Fig. 4. Transistor en configuración de emisor común.
Fig. 5. Curvas características de un transistor BJT de silicio en
configuración de emisor común.
En esta configuración, como en las demás, se cumple con la ley
de Kirchhoff de corrientes, como si el transistor fuera un so- lo
nodo. También se tienen dos tipos de características que
determinan la operación del BJT, la curva correspondiente al
diodo base-emisor, que es la entrada, en la cual se ve el
comportamiento de la corriente de base (IB), del orden de los
micro amperes, respecto a la diferencia de potencial entre base
y emisor (VBE). En éstas se puede apreciar que la corriente de
base tiene un comportamiento como el que corresponde a la
corriente en un diodo polarizado directamente, aun- que ésta se
ve modificada por el voltaje que existe en la salida, voltaje
colector-emisor (VCE).
Las curvas de salida de configuración emisor común, se
muestran en la figura 5. En el eje vertical se tienen los valores
para la corriente de colector (IC) en miliamperes, mientras que
en el eje horizontal se grafica el voltaje entre colector y emisor
(VCE), en volts. En éstas también se distinguen tres regiones de
trabajo para el dispositivo: región de saturación, comprendida
entre un voltaje 0 < VCE < VCEsat; donde VCEsat es el voltaje
entre colector y emisor que hace entrar en saturación al
dispositivo. Debajo de la curva correspondiente a una IB = 0 µA
se localiza la región de corte. A la derecha del voltaje VCEsat y
arriba de la curva IB = 0 µA se ubica la región activa para esta
configuración, donde se observa la parte más lineal de las
curvas características.
C. Configuración en colector común
La última de las tres posibles configuraciones para un transistor
bipolar de unión (BJT) es aquélla en que el colector pasa a ser
la terminal que se pone en contacto hacia el punto común o
tierra. Se le llama configuración colector-común y se muestra
en la figura 6, donde se identifican los sentidos de corrientes y
polaridades de voltajes para un dispositivo tipo npn. Esta
configuración se usa con propósitos de acoplamiento de
impedancias entre dos etapas de algún sistema electrónico,
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debido a que ésta se caracteriza por tener una alta impedancia a [2] M. Suazo Guerrero, «Laboratorios de Física UNAH,»
la entrada y una baja impedancia a la salida, lo contrario de las 2015. [En línea]. Available:
configuraciones vistas anteriormente. Para efectos de diseño de https://fisicarjrr.files.wordpress.com/2015/01/pautas-
este tipo de acopladores pueden emplearse las mismas curvas para-la-elaboracion-de-informes-de-laboratorio.pdf.
características de la configuración emisor común con muy [Último acceso: 26 5 2018].
buenos resultados. Un curso de electrónica básica no contempla [3] J. R. Villaseñor Gómez, Circuitos Eléctricos y Eletrónicos,
el estudio de este tipo de circuitos, que es en los que México : PEARSON EDUCACIÓN , 2011.
generalmente se usa esta configuración. Alguna información
relacionada con el tema podrá consultarse en textos de
electrónica avanzada o de especialidad.

Fig. 6. Curvas características de salida de un BJT

IV. MATERIALES Y EQUIPO

1.- NI ELVIS II
2.- Transistor 2N2222
3.- Resistencia de 22 k
4.- Potenciómetro
5.- Resistencia de 470 

V. PROCEDIMIENTO

A. Tablas
B. Ecuaciones

VI. ANÁLISIS DE RESULTADOS

VII. CONCLUSIONES

1.- Es importante determinar primero que tipo de transistor se

esta usando durante la práctica el cual podría ser pnp o npn, así
como también identificar cual es la terminal del colector y cual
es la terminal del emisor para luego proceder a conectar el
dispositivo en cualquiera de las 3 configuraciones posibles que
posee el transistor y con ello determinar las ganancias o las
curvas características según sea necesario. [Ángel]

2.-

VIII. REFERENCIAS

[1] «IEEE Author Center,» 2017. [En línea]. Available:

http://ieeeauthorcenter.ieee.org/create-your-ieee-
article/use-authoring-tools-and-ieee-article-
templates/ieee-article-templates/templates-for-
transactions/. [Último acceso: 26 5 2018].

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