Wuolah-Free-5 - MOSFET

Ron4
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3716
5 - MOSFET.pdf
ELECTRONICA: MEMORIA 5: MOSFET
4º Técnicas Experimentales I
Grado en Física
Facultad de Física
Universidad de Sevilla
Reservados todos los derechos. No se permite la explotación económica ni la transformación de esta obra. Queda permitida la impresión en su
totalidad.
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PRÁCTICA 5:
El transistor MOS: Caracterización, modelado y

simulación
Reservados todos los derechos. No se permite la explotación económica ni la transformación de esta obra. Queda permitida la impresión en su totalidad.
Alejandro Víctor Rejón Mata
Alonso Rojo Curto

Práctica 5. El transistor MOS: Caracterización, modelado y simulación
Índice:
1. Resumen y objetivos ……………………………………………...…………… 3
2. Base teórica…………………………………………………………………….. 3
3. Metodología experimental……………………………………………………. 4
3.1 Materiales ………………………………………………………………..4
3.2 Montaje …………………………………………………………………..4
4. Caracterización del dispositivo ………………………………………………5
4.1 Medidas de ID vs VGS …………………………………………………5
4.1.1 Adquisición de datos ………………………………………… 9
4.2 Medidas de ID vs VDS con VGS como parámetro ……………….10
4.2.1 Adquisición de datos………………………………………… 13
4.3 Verificación del efecto sustrato ……………………………………...13
4.3.1 Adquisición de datos …………………………………………16
5. Obtención de los parámetros del modelo ……………………………….…16
5.1 Obtención de UO, VTO y THETA ………………………………………17
5.2 Obtención de GAMMA, PHI y KAPPA en óhmica y saturación …..18
6. Prueba del modelo en simulación …………………………………………..19
7. Referencias……………………………………………………………………..20
ANEXO: Scripts de MATLAB ………………………………………………………21
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1. Resumen y objetivos:
Vamos a estudiar el comportamiento de un transistor MOSFET. Para observar las

características de las distintas regiones de operación, representaremos la intensidad de
drenador en función de las diferentes tensiones de interés del dispositivo. A
continuación pretendemos ajustar un modelo matemático a esas medidas, y por último
queremos utilizar dicho modelo en simulación para comprobar su bondad.
2. Base teórica
Un MOSFET es un transistor de cuatro terminales:
Figura 1. Esquema de un transistor MOSFET
Donde S (fuente, source), D (drenador, drain), G (puerta, gate) y B (sustrato, body).

A diferencia de otros dispositivos, los terminales S y D son intercambiables.
Lo realizado en esta práctica se basa en las propiedades detalladas en el archivo

MOSFET_intro.pdf, cuya dirección web se referencia en el apartado 7. Cuando
merezca la pena una descripción más detallada de alguna cuestión se citará la página
pertinente.
Sin embargo, deberíamos al menos partir con la idea, no estrictamente cierta, de que
un MOSFET es a grandes rasgos controlado por dos tensiones: VGS (tensión de puerta)
y VDS (tensión del drenador).
VGS dictamina el grado de inversión del canal, la capacidad que tiene éste de
transportar corriente. Para que el transistor esté “ON” y detectemos una corriente
apreciable en el drenador, VGS debe ser suficientemente grande como para que se
produzca la inversión, y según su valor concreto diremos que trabajamos en inversión
débil (donde el mecanismo responsable de que exista una pequeña corriente en el
drenador es el de difusión de portadores), fuerte (donde el mecanismo dominante es el
de arrastre por campo eléctrico) o moderada (mezcla de las anteriores).
Por su parte, VDS para un VGS dado aumenta la intensidad en el drenador al hacer
éste más atractivo para los electrones. Aún así, se distinguen claramente dos regiones en
función de VDS: Cuando es menor que un cierto valor VDS’, el transistor se comporta
como un resistor (no lineal) y decimos que operamos en la región óhmica. Cuando VDS
> VDS’, la intensidad se mantiene aproximadamente constante con VDS y el

comportamiento del dispositivo recuerda al de una fuente no ideal de corriente. En este

caso, estamos en la región de operación de saturación.
3. Metodología experimental
3.1 Materiales
· Tarjeta de adquisición myDAQ
· Software: LabView, Matlab
· Transistores MOS de la familia CMOS 4000 (MC14007UB)
· Amplificador operacional 741 (LM741CM), resistores, cables.
Figura 2. Esquema del transistor utilizado. Los terminales de interés corresponden a: 3 – G, 4 – D (S), 5 – S (D),
y 7- B.
3.2 Montaje
A lo largo de la práctica mediremos la intensidad de drenador del transistor. Para

registrar su valor en el trazador de características virtual (programado en LabView),
colocamos una sonda de intensidad conectada como indica la Fig.1
Figura 3.Circuito de estudio
4
Donde hemos de recordar polarizar el AO entre -15V (pata 4) y +15V (pata 7).
También ha de tenerse en cuenta que la resistencia de sensado deberá ajustarse a
menudo: La única medida directa que hacemos es la del voltaje a la salida del AO, y con
este valor y el de la resistencia de sensado se puede calcular la intensidad que circula
por el drenador. Si esta resistencia es demasiado grande, la tarjeta de adquisición puede
saturarse durante el barrido en tensión, y entonces el cálculo de Id dará un valor
erróneo. Tampoco queremos que sea demasiado pequeña, tal que la intensidad apenas
varíe. Así pues, para cada medida que realicemos nos interesará que la resistencia de
sensado sea tal que nos permita ver el mayor intervalo posible de intensidades, pero sin
saturar la tarjeta.
4. Caracterización del dispositivo

4.1 Medidas de ID vs VGS
Realizamos un barrido de VGS entre 0 y 5V con pasos de 50mV, manteniendo VDS
a un valor constante de 50mV.
RESISTENCIA DE SENSADO: 10 KΩ
1. Representamos la intensidad de drenador frente a la tensión VGS
Figura 4. Trazador virtual. A la izquierda se muestra la característica ID-VGS, y a la derecha vemos la tensión a la
salida del AO. Los parámetros de medida se aprecian arriba a la izquierda.
2. Obtenga un valor aproximado para la tensión umbral (VT). Para valores VGS >
VT+100mV, ¿cuál es la región de operación del MOS-FET?
La característica es aproximadamente lineal con pendiente diferente de cero a partir

de una cierta tensión. La tensión umbral VT se obtiene extrapolando esta recta hasta
cortar el eje de abcisas. Con ayuda de los cursores podemos marcar dos puntos (a,b) y
(c,d) de la recta. Entonces, el punto donde Id=0 es VT= (bc-ad)/(b-d).

VT = 2.14 V
Para valores VGS > VT+100mV (inversión fuerte), estamos entrando en la llamada
región de operación óhmica.
3. En dicha región ¿cómo se espera que sea la relación ID-VGS? ¿qué efecto puede
causar la pérdida de linealidad en dicha relación?
Una vez estamos en inversión fuerte, la forma analítica de ID depende de VDS1:
que en la región óhmica depende linealmente de VGS, como esperábamos. Debemos
tener en cuenta que esto no significa que la característica deba ser lineal, ya que puede
que varíen el resto de parámetros. Veámoslo teniendo en cuenta que como VDS es
pequeña en nuestro caso, podemos aproximar por
𝐼𝐷 = 𝛽(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 )𝑉𝐷𝑆
En esta expresión, al ser VT y VDS constantes2, lo único que puede provocar una
pérdida de linealidad es el parámetro 𝛽 3
𝜀𝑜𝑥 𝑊
𝛽=𝜇
𝑡𝑜𝑥 𝐿
que lo haría a través de la movilidad 𝜇, ya que de nuevo el resto de parámetros que

aparecen son constantes. La degradación de la movilidad con VGS puede variar
notablemente de un dispositivo a otro, como veremos en la siguiente figura al comparar
dispositivos de diferentes fabricantes. Este efecto puede incluirse en los modelos
mediante la siguiente expresión, donde θ es un coeficiente empírico:
4. Reemplazamos ahora el 14007 por otro de un fabricante distinto y repetimos la

medida, superponiendo las gráficas.
1
Ver MOSFET_intro.pdf, página 16.
2
Realmente VT también puede variar según la tensión aplicada al sustrato VSB, como veremos en el
apartado 4.3, pero en este caso dicha tensión es constante (y nula).
3
Parámetros del dieléctrico entre puerta y sustrato (óxido de puerta): Permitividad del dióxido de silicio
𝜀𝑜𝑥 = 3.453 · 10−13 𝐹/𝑐𝑚 y espesor 𝑡𝑜𝑥 = 7 · 10−7 𝑐𝑚. W y L son las dimensiones del transistor.

Figura 5. Comparación de transstores de diferentes fabricantes. Se observa que tanto μ como VT son parámetros de
construcción.
En este otro dispositivo se observa una tensión umbral VT menor (1.1V comparado
con los 2.14V obtenidos para el primer dispositivo), y una fuerte degradación de la
movilidad, lo que modifica la pendiente. Seguimos diciendo que el transistor opera en
óhmica, pero como vemos, es una relación fuertemente no lineal.
5. Volviendo al dispositivo original, aumentamos el valor de VDS a 5V. Una vez que el
MOS conduce una intensidad apreciable, ¿en qué región se encuentra el transistor?
Figura 6. VDS= 5V, barrido en VGS. Resistencia de sensado de 1kΩ

Una vez circula una corriente apreciable por el drenador, estamos en inversión fuerte,
pero en este caso, habiendo aumentado VDS, ¿estamos en la región óhmica o en la de
saturación? Viendo la ecuación descrita en la cuestión 4.1.3, tenemos que saber cual es
el valor de VDS’, 4
donde, como 𝛼 es un parámetro de valor comprendido entre 1 y 2 y VT ≈ 2V , vemos
que VDS’ no puede ser mayor de 3V. Al estar trabajando con VDS= 5V, podemos
asegurar que nos encontramos en la región de saturación del MOSFET. Efectivamente,
observamos una relación aproximadamente parabólica con VGS, como indica el modelo
𝛽
𝐼𝐷 = (𝑉 − 𝑉𝑇 )2 (1 + 𝜆𝑉𝐷𝑆 )
2𝛼 𝐺𝑆
Donde a la hora de hacer esta afirmación tenemos en cuenta que ya hemos
comprobado que en este transistor 𝛽 es aproximadamente constante en todo el rango de
voltajes. Si no lo fuera, veríamos una desviación respecto de este comportamiento
parabólico.
6. Seleccione un barrido de VGS entre 0 y una tensión algo superior a la tensión

umbral. Utilice VDS=100mV, conmute el eje Y a escala logarítmica y seleccione 100
muestreos por medida (“#samples/measure). ¿Qué región de operación representa la
parte recta de la curva?¿Por qué se pierde la línea recta para valores fuera del rango?
¿Qué intensidad podemos estar viendo para valores muy bajos de VGS?
Figura 7. VDS= 100mV, barrido en VGS hasta VT+200mV en escala logarítmica. Los límites de la inversión débil se
muestran bajo la gráfica de la izquierda, en los cursores .
4
Ver MOSFET_intro.pdf, páginas 16 y 17
8
Ahora tenemos una representación logarítmica, luego la región donde observamos

una relación lineal corresponde a Id ~ exp(VGS), que es un comportamiento
característico de las regiones dominadas por difusión de portadores5. Por tanto, esa zona
es la de inversión débil. Para valores superiores (a VGS = 1.3V en nuestro caso) nos
encontramos en inversión moderada, donde contribuyen corrientes de difusión y de
arrastre a un nivel comparable. Si seguimos aumentando VGS nos encontraremos en
inversión fuerte, que en nuestro caso corresponde al límite de la gráfica y más allá. En el
extremo contrario, por debajo de VGS = 1.05 V aproximadamente, la inversión es tan
débil que la corriente que domina es una parásita: aquella que circula por el drenador
por su unión con el sustrato, llamada corriente de fuga.
4.1.1 Adquisición de datos
Concluyendo esta sección, vamos a guardar una serie de datos para su posterior
análisis en el apartado 5. A continuación se adjunta una tabla indicando los parámetros
de cada barrido realizado y el nombre con el que guardamos el fichero de datos.
VGS (V) VDS (V) Rsensado(Ω) Nombre fichero

(VGSmin ; VGSmax;
step)
(VT+0,1 ; 5 ; 0,05) 0,01 100k id_vs_vgs_if.txt
(VT+0,1 ; 5 ; 0,05) 5 1k id_vs_vgs_if_sat.txt
(0 ; VT+0,2 ; 0,05) 0,01 100k id_vs_vgs_id.txt
Tabla 1. Adquisición de datos 1
Figura 8. Gráfica correspondiente al archivo “id_vs_vgs_if.txt”
5
Ver MOSFET_intro.pdf, página 14.

4.2 Medidas de ID vs VDS con VGS como parámetro
Ahora realizaremos medidas variando VDS. Configuramos primero un barrido de

VDS entre 0 y 5V en pasos de 50mV, asegurándonos de estar trabajando en inversión
fuerte (VGS = 4V). Ajustamos también la resistencia de sensado para que el AO no se
sature pero la tensión a la salida varíe ampliamente (un par de voltios en la gráfica de la
derecha)
RESISTENCIA DE SENSADO: 1kΩ
Figura 9. Barrido en VDS, con VGS = 4V.
1. ¿Qué regiones de operación son visibles si VGS=4V?
Como se explica en la cuestión 4.1.3, el MOSFET tiene dos regiones de operación

dependiendo de VDS. Si VDS < VDS’ estamos en la región óhmica, y por encima de
ese valor, en la de saturación. En la gráfica, efectivamente, observamos dos regiones
bastante diferenciadas, con un comportamiento aproximadamente lineal para valores
bajos de VDS y con una intensidad aproximadamente constante para valores grandes6.
2. Utilice el cursor para localizar la tensión VDS’ aproximada. ¿Dicho valor

cambia con VGS o permanece constante?
Mediante los cursores, acotamos el valor de VDS’ entre 1.3 y 1.6 V, luego diremos
que VDS’ = 1.45V. Para comprobar si este valor depende de VGS, realizamos un nuevo
barrido de este parámetro, que se muestra en la siguiente figura:
6
Ver MOSFET_intro.pdf, páginas 9-13
10

Figura10. ID frente a VDS para VGS creciente de abajo a arriba.
Vemos que VDS’, es decir, el punto que diferencia las regiones óhmica y de
saturación, crece con VGS. Esto se debe a que el aumento de VGS aumenta a su vez la
inversión, ensanchando el canal. Como VDS’ corresponde al valor para el cual la
concentración de portadores en el canal empieza a sufrir una situación de
estrangulamiento 7, es lógico que si se ensancha el canal hará falta un valor mayor de
VDS para dar lugar a esa situación.
3. ¿Cómo se comporta el dispositivo para VDS<VDS’? ¿Y para VDS>VDS’?

4. Observe que la intensidad para VDS>VDS’ no permanece constante (puede usar el
zoom de la gráfica). ¿Por qué?
Para VDS < VDS’ nos encontramos en la región óhmica del MOSFET. Como esto
ocurre para valores pequeños de VDS, recordemos que podemos realizar la
aproximación
𝐼𝐷 = 𝛽(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 )𝑉𝐷𝑆
Que se corresponde a lo que observamos en la gráfica. El MOSFET, entonces, se

comporta como una resistencia controlada por la tensión VGS:
𝑅 = [𝛽(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 )]−1
En cambio, si VDS > VDS’ estamos en la región de saturación, donde el dispositivo

se comporta como una fuente de intensidad ya que aproximadamente
7
Ver MOSFET_intro.pdf, figura 10, página 13
11

𝛽
𝐼𝐷 = (𝑉 − 𝑉𝑇 )2
2𝛼 𝐺𝑆
que es una expresión donde no aparece dependencia con VDS. Aún así, como vemos en
la gráfica, la intensidad no es rigurosamente constante, sino que crece con VDS. Esto se
debe al efecto de modulación de la longitud del canal: Una vez se produce el
estrangulamiento (a VDS’), seguir aumentando VDS acorta la longitud efectiva del
canal, ya que este estrangulamiento va afectando a una zona mayor. Como cualquier
resistor, una disminución de la longitud implica una reducción de la resistencia
equivalente, luego la intensidad aumentará. Este efecto se puede incluir en el modelo de
la siguiente manera:
𝛽
𝐼𝐷 = (𝑉 − 𝑉𝑇 )2 (1 + 𝜆𝑉𝐷𝑆 )
2𝛼 𝐺𝑆
donde
siendo 𝑁𝐵 el dopado y 𝑐0 un parámetro de ajuste.
5. Hacemos un nuevo barrido para VDS = 1mV a 0.5V en pasos de 10mV y VGS = 1.6
a 2.2V en pasos de 200mV. Configuramos el eje Y en escala logarítmica.
Figura 11. ID (escala logarítmica) frente a VDS para VGS creciente de abajo a arriba.
12
En este caso VGS es muy pequeño (de hecho, para el valor más bajo de VGS se
aprecia un ruido que indica que la inversión es tan débil que los efectos de fuga se
vuelven apreciables). Como vemos en la gráfica y en concordancia con lo expuesto en
la cuestión anterior, esto provoca que VDS’ también sea muy pequeño, y el dispositivo
opera en saturación en seguida.
6. Observe que para los primeros valores de VGS, las curvas de intensidad están
equiespaciadas. ¿Por qué? (Tenga en cuenta que el eje Y es logarítmico).
En inversión débil, donde 8,
Las gráficas para diferentes valores de VGS son proporcionales a 𝑒 𝑉𝐺𝑆 /𝑛𝑢𝑇 =
𝑒 𝑉𝐺𝑆 𝑞/𝑛𝑘𝑇 . En una escala logarítmica, entonces, las gráficas son proporcionales a VGS.
Como este valor varía a pasos fijos, las gráficas se distancian también a pasos fijos. Sin
embargo, este efecto deja de observarse en inversión moderada y fuerte, ya que las
ecuaciones para inversión fuerte tienen una dependencia cuadrática con VGS, no
exponencial. En nuestro caso no se observa la equidistancia entre gráficas ya que en la
tercera (VGS= 1.4V) ya nos encontramos en inversión moderada (no podemos
comparar distancias en inversión débil). En cualquier caso, en clase, el profesor
proyectó sus resultados con un paso de VGS más pequeño donde sí pudimos observar
este efecto.
Como hicimos en el apartado 4.1.1, realizamos un último barrido con la intención de

guardar los datos en un archivo de texto. Utilizamos los parámetros de la tabla, donde la
resistencia de sensado se ha ajustado adecuadamente.

(Vmin ; Vmax;
step)
4 (0 ; 5 ; 0,05) 1k id_vs_vds.txt
Tabla 2. Adquisición de datos 2.
4.3 Verificación del efecto sustrato
Ahora estamos interesados en comparar una característica para dos valores diferentes
de la tensión de sustrato VSB. Para ello, primero realizamos un barrido de VGS de 0 a
5V en pasos de 50mV para VDS= 100mV. En este caso, (ver figura 3) el sustrato está
conectado a tierra. Activamos las opciones “keep” y “recall” para superponer la
siguiente medida que hagamos.
8
Ver MOSFET_intro.pdf, página 18
13

A continuación, construimos una fuente de tensión, donde conectaremos el sustrato

para repetir la medida. La fuente se construye con ayuda de un potenciómetro de 1kΩ y
una resistencia nominal del 10kΩ. La resistencia se conecta al terminal 7 del MOSFET
(sustrato) y al -15V de la tarjeta de adquisición, y el potenciómetro se conecta entre
tierra y el sustrato (lo cual comprobamos con el multímetro). Una vez montada y
conectada la fuente, ajustamos el potenciómetro para que la tensión a la salida del
amplificador operacional sea de -200mV referida a tierra. Entonces repetimos el
barrido, superponiendo la gráfica a la anterior.
Figura 12. Barrido para el sustrato a tierra (rojo) y a la fuente de tensión (blanco).
1. Observe que la “tensión de encendido” se ha desplazado hacia la derecha. Mida con

los cursores las dos tensiones umbrales. ¿Qué hace que sean tan diferentes?
Como ya hicimos en la primera sección de la práctica, calculamos la tensión umbral

en cada caso con ayuda de los cursores: Dados dos puntos (a,b) y (c,d) de la recta, VT=
(bc-ad)/(b-d). Obtenemos
- Sustrato a tierra: VT = 2.14 V

- Sustrato a fuente de tensión: VT = 2.43 V
La tensión de encendido o umbral se ha desplazado, pero notemos que a al superar

dicha tensión las gráficas se comportan de modo idéntico en ambos casos. El hecho de
someter el sustrato a un cierto voltaje (VSB) simplemente ha retrasado la inversión,
como si trabajásemos con un valor menor de VGS. Esto es lo que se conoce como
efecto sustrato. 9
9
Ver MOSFET_intro.pdf, páginas 9 (descripción cualitativa del efecto sustrato) y 16 (expresión para VT).
14

donde VTO es la tensión umbral para VSB=0V, ϕB es el potencial en la superficie del

sustrato en inversión fuerte, y γ se conoce como coeficiente de efecto sustrato.
2. Prepare un barrido de VGS en la región subumbral (los límites pueden variar

dependiendo del dispositivo, pero un punto de partida adecuado sería de 1V a 3.5V).
Ponga el eje Y en escala logarítmica. Realice el barrido para los casos anteriores y
anote el valor aproximado del límite superior de inversión débil. La diferencia debería
coincidir con el “shift” de VT.¿Por qué?
Todos los límites de inversión (VL, VM, VH) y la tensión umbral extrapolada (VT)
son desplazados por el efecto sustrato. Comprobémoslo para el caso de VM, el límite
entre inversión débil y moderada, que en una representación logarítmica correspondería
al punto donde termina la recta (recordemos que en inversión débil, la corriente tiene un
comportamiento exponencial)
Figura 13. Desplazamiento del límite entre inversión débil y moderada por el efecto sustrato. La curva roja es sin
dicho efecto, y la blanca con un cierto VSB.
En concordancia con lo expuesto, observamos que la tensión que marca el límite de

la inversión débil, VM, se desplaza tanto como VT:
VM (VSB=0) = 0.85 V; VM (VSB=200mV) = 1.05V
Siendo esta diferencia de 0.3V.
15

De nuevo, para un posterior análisis, realizamos un último barrido con los

parámetros de la tabla.

(Vmin ;
Vmax; step)
4 (0; 5; 50m) 1k id_vs_vds_vsb_200.txt
Tabla 3. Adquisición de datos 3.
Figura 14. Representación de los datos guardados en “id_vs_vds_vsb_200.txt”
5. Obtención de los parámetros del modelo
Nuestra intención es ahora trabajar con el llamado “modelo de nivel 3”, y comprobar
si es adecuado para describir nuestro dispositivo, utilizando los ficheros de adquisición
de datos que hemos ido recopilando a lo largo de la práctica. Hemos de decir, no
obstante, que al realizar la práctica a lo largo de dos sesiones y no poder asegurar haber
trabajado con el mismo dispositivo en ambas, hemos repetido las tomas de datos
utilizando otro transistor diferente y por tanto no se deben tener en cuenta las gráficas
anteriores para comparar la bondad de nuestros resultados.
Por último, hemos de tener en cuenta que el modelo tiene un uso restringido a
transistores operando en inversión fuerte, por lo que deberemos asegurarnos de trabajar
en dicho régimen.
16
5.1 Obtención de UO, VTO y THETA
Vamos a obtener primero los valores de movilidad de portadores, la tensión umbral

extrapolada sin efecto sustrato y el coeficiente de degradación de la movilidad, que,
como hemos visto en la cuestión 4.1.3, aparecen relacionadas de la siguiente manera
cuando operamos en inversión fuerte y en la región óhmica para un VDS pequeño:
Cargamos en MATLAB los datos correspondientes al archivo “id_vs_vgs_if.txt”, de

la sección 4.1.1, y utilizamos la herramienta CFTOOL. En ella ajustamos los datos a la
ecuación anterior, donde dejamos como únicos parámetros los tres que queremos
obtener:
id= UO/(1+THETA*(vgs-VT)) *3.4530e-008*100*(vgs-VT)*10e-3
donde W/L = 100, Cox’= 𝜀𝑜𝑥 /𝑡𝑜𝑥 = 3.4530·10-8 F/cm2 y VDS= 10mV. El script utilizado
se incluye como anexo.
Obtenemos:
𝝁𝟎 = 628.1 𝑐𝑚2 𝑉 −1 𝑠 −1 ; 𝑽𝑻𝟎 = 2.025 𝑉; 𝜽 = 0.0107 𝑉 −1
Figura 15. Datos correspondientes a “id_vs_vgs_if.txt” y el ajuste del modelo.
17

5.2 Obtención de GAMMA, PHI y KAPPA en óhmica y saturación
A continuación vamos a modificar la expresión utilizada anteriormente para incluir

una descripción en la región de saturación además de en óhmica (siempre en inversión
fuerte). En el apartado 4.3.1, guardamos en el archivo “id_vs_vds_vsb_200.txt” unos
datos donde barríamos VDS lo suficiente como para ver ambas regiones de operación,
manteniéndonos en inversión fuerte, luego usaremos esos datos para el ajuste.
El modelo describe la siguiente formulación para ID:
Donde se definen
𝜇0 𝜀𝑜𝑥 𝑊
𝛽=
1 + 𝜃(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇0 ) 𝑡𝑜𝑥 𝐿
𝑮𝑨𝑴𝑴𝑨
𝑓𝑏 =
4√𝑷𝑯𝑰 + 𝑉𝑆𝐵
𝑉𝐷𝐸 = min(𝑉𝐷𝑆 , 𝑉𝐷𝑆𝐴𝑇 )
𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇
𝑉𝐷𝑆𝐴𝑇 =
1 + 𝑓𝑏
𝑉𝑇 = 𝑉𝑇0 + 𝑮𝑨𝑴𝑴𝑨 · (√𝑷𝑯𝑰 + 𝑉𝑆𝐵 − √𝑷𝑯𝑰)
Esta expresión mantiene constante ID una vez entramos en la región de saturación

(por, por tanto hay que corregir los puntos de dicha región, asignando a cada ID el valor
𝐼𝐷
𝐼𝐷 → Δ𝐿
1−𝐿
𝑒𝑓𝑓
Donde Leff es la longitud del transistor, y
2𝜀
Δ𝐿 = √𝑞𝑁 𝑠𝑖 √𝑲𝑨𝑷𝑷𝑨 · (𝑉𝐷𝑆 − 𝑉𝐷𝑆𝐴𝑇 )
𝑠𝑢𝑏
En esta ocasión, como hay varias ecuaciones involucradas, no podemos usar

CFTOOL y debemos recurrir a un método más general, utilizando la función
“lsqnonlin” de MatLab. En el anexo se puede encontrar el script utilizado, así como los
valores del resto de parámetros. Los valores devueltos por la rutina de cálculo son:
𝜸 = 2.528099 𝑉 −1/2 ; 𝝓 = 0.526352 𝑉; 𝜿 = 2.713279 𝑉 −1
18

Figura 16. Figura 15. Datos correspondientes a “id_vs_vds_vsb_200.txt” y el ajuste del modelo.
6. Prueba del modelo en simulación
Comprobemos ahora la validez del ajuste que nos proporciona el modelo. Para ello
haremos uso de PSPICE y del esquemático de la Figura 17. Las fuentes de tensión V1,
V2 y V3 corresponden a VDS, VGB y VSB. Se ha llevado a cabo un análisis en
paramétrico de VSB a 0V y -200mV con un barrido en DC de VGS de 0 a 5V.
Figura 17. Esquemático utilizado para realizar el analisis en spice.
19

Figura 18. Comprobación de validez del ajuste a Pspice
Vemos como el comportamiento de las curvas correspondiente a VGS = 0 (lila) y a

5V(celeste) son idénticas en primera aproximación a las mostradas en la Figura 12, por
lo que podemos concluir que el ajuste realizado es bueno.
7. Referencias
- MOSFET_intro.pdf, https://ev5.us.es/bbcswebdav/pid-2029590-dt-content-rid-
6583152_1/xid-6583152_1
- CFTOOL_intro.pdf, introducción a las regresiones no lineales en MATLAB,
https://ev5.us.es/bbcswebdav/pid-2029582-dt-content-rid-6583143_1/xid-
6583143_1
20
ANEXO
A.1 - SCRIPT UTILIZADO EN EL APARTADO 5.1
% Nos ponemos en la carpeta donde esté el archivo id_vs_vgs_if.txt

clear
clc
% Cargamos los datos
p=load('id_vs_vgs_if.txt');
vgs=p(:,1);
id=p(:,2);
% Lanzamos CFTOOL para trabajar con él
cftool
A.2 - SCRIPT UTILIZADO EN EL APARTADO 5.2
A.2.1 - SCRIPT
clear
clc
% Nos ponemos en la carpeta donde esté id_vs_vds_vsb_200.txt
datos92=load('id_vs_vds_vsb_200.txt');
vds=datos92(:,1)';
idexp=datos92(:,2)';
%Definimos parametros GAMMA, PHI, KAPPA
par=[1.5 0.7 7];
parmax=[10 10 10];
parmin=[0 0.0 0.2];
opts=optimset; % Opciones por defecto
opts.TolFun=1e-12;
opts.TolX=1e-12;
% Invocamos el ajuste y los parámetros optimizados se nos devuelven en “p”
figure(1);
p=lsqnonlin(@(p) fun(p,idexp), par, parmin, parmax, opts);
% Resultados en pantalla
fprintf('Gamma = %f \n', p(1))
fprintf('Phi = %f \n', p(2))
fprintf('Kappa = %f \n', p(3))
A.2.1 – FUNCIÓN PARA LSQNONLIN
function [f]= fun(p,idexp)

% p es un vector donde se cargarán los parámetros a ajustar
GAMMA=p(1);
PHI=p(2);
KAPPA=p(3);
vds=0:0.05:5; % Es lo mismo que hay en los datos experimentales

vsb=200e-3;
21

vgs=4;
% PONER AQUÍ LOS DATOS OBJTENIDOS EN EL APARTADO ANTERIOR CON CFTOOL
theta= 0.0107;
uo= 628.1;
vto= 2.025;
% Cargamos todos los parámetros que aparecen en las ecuaciones con sus valores
W=500;
L=5; % W y L son las dimensiones del transistor en um
nsub=2.74e16; % Dopado del sustrato en cm^-3
tox=100e-7; % Espesor del óxido de puerta en cm
eox=3.453e-13; % en F/m
esi=1.03592e-12;
q=1.602e-19;
fb=GAMMA/(4*sqrt(PHI+vsb));
vt=vto+GAMMA*(sqrt(vsb+PHI)-sqrt(PHI));
ueff=uo/(1+theta*(vgs-vt));
beta=ueff*eox/tox*W/L;
vdsat=(vgs-vt)/(1+fb);
vde=min(vds,vdsat);
id=beta*(vgs-vt-(1+fb)/2.*vde).*vde; % La id que predice el modelo
% En saturación (VDS>VDSAT) hay que corregir los valores de id en la ecuación anterior

sat=find(vds>vdsat); % Localiza las posiciones en el vector vds que cumplen la condición
deltaL=sqrt(2*esi/(q*nsub))*sqrt(KAPPA*(vds(sat)-vdsat));
Leff=L*1e-4; % La Leff del modelo es la L de transistor expresada en cm
id(sat)=id(sat)./(1-deltaL/Leff); % Sustituye los valores necesarios en id
f=idexp-id;
% Representamos datos experimentales y "teóricos"

plot(vds, idexp', 'b', vds, id', 'r--')
legend('id vs vds experimental', 'ajuste del modelo')
xlabel('VDS (V)')
ylabel('ID (A)')
end
22

Wuolah-Free-5 - MOSFET

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El transistor MOS: Caracterización, modelado y

Alejandro Víctor Rejón Mata

Alonso Rojo Curto

Práctica 5. El transistor MOS: Caracterización, modelado y simulación

3.1 Materiales ………………………………………………………………..4

3.2 Montaje …………………………………………………………………..4

4.1 Medidas de ID vs VGS …………………………………………………5

4.1.1 Adquisición de datos ………………………………………… 9

4.2 Medidas de ID vs VDS con VGS como parámetro ……………….10

4.2.1 Adquisición de datos………………………………………… 13

4.3 Verificación del efecto sustrato ……………………………………...13

4.3.1 Adquisición de datos …………………………………………16

5. Obtención de los parámetros del modelo ……………………………….…16

5.1 Obtención de UO, VTO y THETA ………………………………………17

5.2 Obtención de GAMMA, PHI y KAPPA en óhmica y saturación …..18

6. Prueba del modelo en simulación …………………………………………..19

ANEXO: Scripts de MATLAB ………………………………………………………21

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Práctica 5. El transistor MOS: Caracterización, modelado y simulación

Vamos a estudiar el comportamiento de un transistor MOSFET. Para observar las

Un MOSFET es un transistor de cuatro terminales:

Donde S (fuente, source), D (drenador, drain), G (puerta, gate) y B (sustrato, body).

Lo realizado en esta práctica se basa en las propiedades detalladas en el archivo

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Práctica 5. El transistor MOS: Caracterización, modelado y simulación

comportamiento del dispositivo recuerda al de una fuente no ideal de corriente. En este

· Tarjeta de adquisición myDAQ

· Transistores MOS de la familia CMOS 4000 (MC14007UB)

· Amplificador operacional 741 (LM741CM), resistores, cables.

A lo largo de la práctica mediremos la intensidad de drenador del transistor. Para

Figura 3.Circuito de estudio

Práctica 5. El transistor MOS: Caracterización, modelado y simulación

4. Caracterización del dispositivo

1. Representamos la intensidad de drenador frente a la tensión VGS

La característica es aproximadamente lineal con pendiente diferente de cero a partir

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Práctica 5. El transistor MOS: Caracterización, modelado y simulación

Una vez estamos en inversión fuerte, la forma analítica de ID depende de VDS1:

que lo haría a través de la movilidad 𝜇, ya que de nuevo el resto de parámetros que

4. Reemplazamos ahora el 14007 por otro de un fabricante distinto y repetimos la

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Práctica 5. El transistor MOS: Caracterización, modelado y simulación

Figura 6. VDS= 5V, barrido en VGS. Resistencia de sensado de 1kΩ

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Práctica 5. El transistor MOS: Caracterización, modelado y simulación

6. Seleccione un barrido de VGS entre 0 y una tensión algo superior a la tensión

RESISTENCIA DE SENSADO: 100 KΩ

Práctica 5. El transistor MOS: Caracterización, modelado y simulación

Ahora tenemos una representación logarítmica, luego la región donde observamos

4.1.1 Adquisición de datos

VGS (V) VDS (V) Rsensado(Ω) Nombre fichero

Figura 8. Gráfica correspondiente al archivo “id_vs_vgs_if.txt”

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Práctica 5. El transistor MOS: Caracterización, modelado y simulación

4.2 Medidas de ID vs VDS con VGS como parámetro

Ahora realizaremos medidas variando VDS. Configuramos primero un barrido de

RESISTENCIA DE SENSADO: 1kΩ

1. ¿Qué regiones de operación son visibles si VGS=4V?

Como se explica en la cuestión 4.1.3, el MOSFET tiene dos regiones de operación

2. Utilice el cursor para localizar la tensión VDS’ aproximada. ¿Dicho valor

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Práctica 5. El transistor MOS: Caracterización, modelado y simulación

id= UO/(1+THETA(vgs-VT)) 3.4530e-008100(vgs-VT)*10e-3