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MEMÓRIAS

Dorival Da Silva Junior – Juliodsj@gmail.com

Fabio Garcia De Souza - Fabio164123@gmail.com

RESUMO: Este trabalho irá mostrar o método de funcionamento das memórias

RAM estatístico, dinâmica, EPROM, E²PROM,Flash. Além de mostrar a
montagem, dados e funcionamento dos CI’s destas memórias.

Palavras-chave: Memória, Funcionamento, CI’s.

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2. RAM ESTÁTICA E RAM DINÂMICA

Algumas memórias RAM necessitam que os seus dados sejam

freqüentemente refrescados (atualizados), podendo então ser designadas por
DRAM (Dynamic RAM) ou RAM Dinâmica. Por oposição, aquelas que não
necessitam de refrescamento são normalmente designadas por SRAM (Static
RAM) ou RAM Estática. Essa diferenciação também é feita devido a forma
como os dados binários são armazenados em seu interior.

• RAM estáticas (SRAM): a célula básica de armazenamento da informação

binária é um flip-flop, que armazena 1 bit; ele permanece nesse estado ate ser
explicitamente alterado.
• RAM dinâmicas (DRAM): a célula básica de armazenamento da informação
binária é um capacitor que armazena 1 bit; ele precisa ser periodicamente
recarregado (refresh) para permanecer em 1, caso armazene um bit ativo.

As RAM estáticas são mais rápidas e simples de construir que as dinâmicas,

pois não precisam de circuitos auxiliares para percorrer toda a memória e efetuar
o refresh dos capacitores carregados (bits ativos). Todavia as RAM dinâmicas
são bem mais baratas e muito mais compactas, além de consumirem menos
energia. Desta forma, as memórias RAM estáticas são empregadas em sistemas
precisando de pouca memória mas com alta velocidade, como micro
controladores, processamento de sinais em tempo real, memórias de cache e de
vídeo, etc. As RAM dinâmicas são normalmente empregadas quando se tenta
otimizar o volume de memória e o baixo consumo, como no caso da memória
principal dos computadores pessoais.

3. EPROM
Uma EPROM (sigla do inglês "erasable programmable read-only memory",
significando "memória programável apagável somente de leitura") é um tipo
de chip de memória de computador que mantém seus dados quando a energia é
desligada. Em outras palavras, é não-volátil. Uma EPROM é programada por um
dispositivo eletrônico que dá voltagens maiores do que os usados normalmente
em circuitos elétricos. Uma vez programado, uma EPROM pode ser apagada
apenas por exposição a uma forte luz ultravioleta. EPROMs são facilmente
reconhecíveis pela janela transparente no topo do pacote, pela qual o chip
de silício pode ser visto, e que admite luz ultravioleta durante o apagamento.
Esta janela transparente é feita de cristal para permitir a passagem da luz
ultravioleta, pois o vidro comum bloqueia grande parte do UV. O corpo de uma
EPROM é feito em Cerâmica, pois o Epoxy comumente usado em outros chips
não seria apropriado para garantir a fixação da janela de cristal. O processo de
apagamento dura de 10 a 30 minutos.

Este microcontrolador 8749 armazena seu programa em um EPROM.

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Uma EPROM programada mantém seus dados por aproximadamente dez a

vinte anos e pode ser lida ilimitadas vezes. A janela de apagamento tem que ser
mantida coberta para evitar apagamento acidental pela luz do Sol. Antigos chips
de BIOS de PC eram freqüentemente EPROMs, e a janela de apagamento era
freqüentemente coberta com um adesivo contendo o nome do produtor da BIOS,
a revisão da BIOS, e um aviso de copyright.
Alguns microcontroladores, freqüentemente aqueles de antes da era
da memória flash, usam EPROM interna para armazenar seus programas. Isto é
útil para desenvolvimentos, pois usar dispositivos programáveis apenas uma vez
seria terrivelmente difícil para depurar. Tais microcontroladores possuem corpo
em cerâmica e janela de cristal para apagamento, como o exemplo ao lado.
A EPROM foi inventada pelo engenheiro Dov Frohman.
Para se programar uma EPROM, é necessário utilizar um equipamento
conhecido como Programador. O Gravador tipo Willem, o BeeProg da
Macsym ou o Epromer da USTR são exemplos desse tipo de equipamento.
Também é possível se recorrer a empresas especializadas.
Existem EPROMs em vários tamanhos ambos físicos e de capacidade de
armazenamento:
Tamanho - Tamanho - Tamanho Último endereço
Tipo de EPROM
bits bytes (hex) (hex)
2716, 27C16 16 kbit 2KBytes 800 007FF
2732, 27C32 32 kbit 4KBytes 1000 00FFF
2764, 27C64 64 kbit 8KBytes 2000 01FFF
27128, 27C128 128 kbit 16KBytes 4000 03FFF
27256, 27C256 256 kbit 32KBytes 8000 07FFF
27512, 27C512 512 kbit 64KBytes 10000 0FFFF
27C010, 27C100 1Mbit 128KBytes 20000 1FFFF
27C020 2 Mbit 256 kbytes 40000 3FFFF
27C040 4 Mbit 512 kbyte 80000 7FFFF
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4. EEPROM
EPROM ou Electrical Erasable Programmable Read Only Memory, e
também referido como EEPROM. Como o nome sugere, uma EEPROM pode ser
apagada e programada com pulsos elétricos. É eletricamente escrito e
eletricamente apagado, o EEPROM pode ser programada e rapidamente apagado
no circuito para a reprogramação sem removê-los da placa de circuito.
A nova EEPROM não dispõem de dados nele e geralmente têm que
programar com um programador antes que possa ser utilizado. As informações
armazenadas neste tipo de memória podem ser mantidas por muitos anos sem
uma fonte de alimentação constante.
Qual é a função de EEPROM?
EEPROMs são usados para armazenar informações do usuário
programáveis, tais como: -
VCR informações de programação
CD informações de programação
Satélite digital receptor de controle de dados
As informações do usuário em vários produtos de consumo
EEPROM no monitor executa duas funções:
Quando um monitor é ligado ele copia todos os dados ou informações a
partir da EEPROM para o microprocessador. Por exemplo, a EEPROM deixará o
microprocessador saber as freqüências em que o monitor vai funcionar.
A EEPROM é usada para armazenar as configurações atuais do monitor. As
configurações do monitor não serão apagadas mesmo quando o monitor está
desligado. Sempre que uma alteração é feita nas configurações do monitor,
acontecem varias atualizações no microprocessador e se modifica a configuração
na EEPROM. Quando o monitor é ligado novamente, as configurações
armazenadas são usadas para configurar o monitor para a operação.
Quais são os sintomas de o MONITOR ou dados TVs EEPROM estiverem
corrompidos ou danificados?
Não há tensão alta (sem display).
Freqüências de execução horizontais ou verticais.
Não é possível salvar configuração atual.
Algumas funções de controle como o som, brilho e contraste de controle não
funcionam.
On Screen Display (OSD) não funciona ou o OSD tem um display
danificado.
Alta tensão desligada (EEPROM define a forma de freqüência horizontal
muito baixa ou o dobro da freqüência da linha, talvez, levando à falha do
transistor de saída horizontal (HOT)).
O que é um programador de EEPROM ou copiador?
EEPROM falha raramente, apenas perdem ou têm sua memória (de dados)
,pode ser corrompido devido a alta tensão e descarga estática de um monitor.
Depois de reprogramado eles são tão bons quanto novos. Como mencionado
anteriormente, novas EEPROMs estão em branco e precisam de informações ou
de dados que serão carregados para que a funções. O trabalho de copiar os dados
em um EEPROM é feito por um programador ou um copiador. Programadores
vêm em todas as formas e tamanhos. Você pode copiar esses dispositivos para a
substituição ou reparo somente. Você não pode copiar-los para revenda sem uma
carta de aprovação do fornecedor que os produziu. Há um grande número de
empresas que vendem o programador de EEPROM.
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5. Memória flash
Memória flash é uma memória de computador do tipo EEPROM vista
anteriormente (Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory),
desenvolvida na década de 1980 pela Toshiba, cujos chips são semelhantes ao
da Memória RAM, permitindo que múltiplos endereços sejam apagados ou
escritos numa só operação. Em termos leigos, trata-se de um chip re-escrevível
que, ao contrário de uma memória RAM convencional, preserva o seu conteúdo
sem a necessidade de fonte de alimentação. Esta memória é comumente usada
em cartões de memória, flash drives USB(pen drives), MP3 Players, dispositivos
como os iPods com suporte a vídeo, PDAs, armazenamento interno de câmeras
digitais e celulares.
Memória flash é do tipo não volátil o que significa que não precisa de
energia para manter as informações armazenadas no chip. Além disso, a
memória flash oferece um tempo de acesso (embora não tão rápido como a
memória volátil DRAM utilizadas para a memória principal em PCs) e melhor
resistência do que discos rígidos. Estas características explicam a popularidade
de memória flash em dispositivos portáteis. Outra característica da memória
flash é que quando embalado em um "cartão de memória" são extremamente
duráveis, sendo capaz de resistir a uma pressão intensa, variações extremas de
temperatura, e até mesmo imersão em água.
Uma limitação é que a memória flash tem um número finito de modificações
(escrita/exclusão). Porém este efeito é parcialmente compensado por alguns
chip firmware ou drivers de arquivos de sistema de forma dinâmica e escreve
contando o remapeamento dos blocos, a fim de difundir as operações escritas
entre os setores.
História
Memória flash (ambos os tipos, NOR e NAND), foi inventada pelo Dr.Fujio
Masuoka enquanto trabalhava para a Toshiba em 1980. De acordo com
a Toshiba, o nome "flash" foi sugerido por um colega do Dr. Masuoka, Sr. Shoji
Ariizumi, pois o processo de apagamento do conteúdo da memória se
assemelhava ao flash de uma câmera fotográfica. O Dr. Masuoka apresentou a
invenção ao IEEE 1984 International Electron Devices Meeting
(IEDM) realizada em San Francisco, Califórnia. A Intel viu o enorme potencial
da invenção e introduziu o primeiro chip flash comercial do tipo NOR em 1988.
O flash baseado em NOR leva muito tempo para gravar e apagar, porém fornece
completamente o endereço e o barramento de dados, permitindo o acesso
aleatório a qualquer posição da memória. Isso o torna um substituto adequado
para o antigos chips ROM(Ready-only memory), que são utilizados para
armazenar o código do programa que raramente precisa ser atualizado, como a
BIOS ou a firmware do set-top boxes de um computador. Sua resistência é de
10.000 a 1.000.000 de ciclos de limpeza. O NOR baseado em flash foi a base do
início da mídia removível baseada em flash, o compactflash veio a ser baseado
nele, embora mais tarde os cartões tenham deixado de custar caro igual aos flash
baseado em NAND.
Vantagens
As maiores vantagens desse tipo de memória é sua ocupação mínima de
espaço, seu baixo consumo de energia, sua alta resistência, sua durabilidade e
segurança, contando com recursos como ECC (Error Correcting Code), que
permite detectar erros na transmissão de dados. A tecnologia faz uso
de semicondutores (solid state), sendo assim, não tem peças móveis, evitando
problemas de causa mecânica.
Também vem começando a ser chamado de disco sólido pelo grande futuro
que tem pela frente, já que além de ser muito mais resistente que os discos
rígidos atuais, apresenta menor consumo de energia elétrica, latências e peso
muito mais baixos. Chega a utilizar apenas 5% dos recursos normalmente
empregados na alimentação de discos rígidos.

Com tantas vantagens, a tendência futura é que os fabricantes de

computadores tendem a substituir os discos rígidos por unidades flash. O que
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poderá ser expandida para os desktop nos próximos 5 anos, pois a

sua fabricação ainda é de alto custo para as empresas.

5.1. Flash Nand e Nor

Existem dois tipos de memórias flash, a NAND e a NOR.

5.1.1. Flash Nor

A memória flash NOR (Not OR) permite acessar os dados da memória de
maneira aleatória, mas com baixa velocidade. Foi a primeira a se popularizar,
chegando ao mercado em 1988, seus chips possuem uma interface de endereços
semelhante à da RAM, sendo utilizado para armazenar o BIOS das placas-mãe e
também firmwares de vários dispositivos, que antes eram armazenados
em memória ROM ou EPROM. Alguns dos problemas nesse tipo de memória
devem-se ao seu alto custo, e ao seu alto tempo de gravação nas células. Mas
embora esses problemas existam, ela é largamente utilizada até hoje em
celulares, palmtops e firmware. Chegaram a ser empregadas na fabricação das
memórias PCMCIA e CompactFlash, mas com a introdução do tipo NAND,
desapareceram deste ramo.

5.1.2. Flash Nand

A memória flash NAND (Not AND) trabalha em alta velocidade, faz acesso
sequencial às células de memória e trata-as em conjunto, isto é, em blocos de
células, em vez de acessá-las de maneira individual. Essa arquitetura foi
introduzida pela Toshiba em 1989. Cada bloco consiste em um determinado
número de páginas. As páginas são tipicamente 512, 2048 ou 4096 bytes em
tamanho. A página é associada a alguns bytes (tipicamente 12-16 bytes).
Atualmente são os tipos de memória mais usados em dispositivos portáteis.
Tamanhos típicos dos blocos
32 páginas de 512 bytes para cada tamanho de um bloco de 16 kB
64 páginas de 2048 bytes para cada tamanho de um bloco de 128 kB
64 páginas de 4096 bytes para cada tamanho de um bloco de 256 kB
128 páginas de 4096 bytes para cada tamanho de um bloco de 512 kB
Embora a programação seja realizada em uma página base,a exclusão dos dados
só pode ser executada em um bloco base. Outra limitação do flash NAND é que
um bloco de dados só pode ser escrito sequencialmente. Número de Operações
(NOPs) é o número de vezes que os setores podem ser programados. A maior
parte dos dispositivos NAND saem da fábrica com alguns blocos defeituosos,
que normalmente são identificados e classificados de acordo com uma
determinada marcação de bloco defeituoso. Ao permitir que alguns blocos
defeituosos saiam os fabricantes alcançam mais rendimentos do que seria
possível, caso todos os blocos fossem bons. Isto reduz significativamente os
custos da Memória flash NAND e diminui ligeiramente a capacidade de
armazenamento das partes.
Principais diferenças entre NOR e NAND
As conexões das células individuais de memória são diferentes.
A densidade de armazenamento chips é atualmente mais elevado em memórias
NAND.
O custo da NOR é muito mais elevado.
A NOR permite acessos aleatórios, enquanto a NAND permite apenas acesso
sequencial à memória.
A leitura é muito mais rápida na NOR.
Sistema de arquivos flash
O conceito básico dos sistemas de arquivos flash é o seguinte: quando os dados
armazenados vão ser atualizados, o sistema de arquivos faz uma cópia deles para
um novo bloco de memória, remapeia os ponteiros de arquivo e depois apaga o
antigo bloco quando tiver tempo. Na prática, esse sistema de arquivos é utilizado
em dispositivos com memória flash embutida que não possuem controladores.
Os cartões de memória e drives USB flash são incorporados de controladores e
devem desempenhar correção de erros, então o uso de um ou outro sistema de
arquivos flash pode não acrescentar nenhum benefício, então os dispositivos
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flash removíveis utilizam o sistema de arquivos FAT universal, permitindo assim

a compatibilidade com câmeras, computadores, PDAs e outros dispositivos
portáteis com slots para cartões de memória.
Padronização
Um grupo chamado Open Nand Flash Interface Working Group(ONFI)
desenvolveu uma interface padronizada para os chips NAND flash, tornando
possível a interoperabilidade entre dispositivos NAND de diferentes
fornecedores. A versão 1.0 da especificação ONFI foi liberada em Dezembro de
2006, com as seguintes especificações:
interface física normalizada(pinout) para NAND flash em TSOP-48, LGA-52 e
BGA-63.
um comando padrão estabelecido para ler, escrever e apagar dados nos chips
NAND.
mecanismo de auto-identificação, comparável ao Serial Presence
detection(características dos SDRAM)
O grupo tem apoio dos principais fabricantes de memória NAND - tais como
a Intel, Micron Technology e Sony - e dos principais fabricantes de dispositivos
que integram chips NAND. Alguns fornecedores, incluindo
Intel, Dell e Microsoft, formaram um grupo para proporcionar um padrão de
software e hardware programando interfaces para subsistemas de memória não-
volátil, incluindo a flash cache, dispositivo ligado ao PCI Express.

5.2. Taxas de transferência

Geralmente é anunciada somente a velocidade máxima de leitura, pois os cartões
de memória NAND são mais rápidos lendo do que escrevendo dados. O tempo
de acesso influencia no desempenho, mas não tem tanta importância comparando
com o disco rígido. Às vezes denotado em MB/s(megabytes por segundo), ou em
número de “X” como 60x, 100x ou 150x. O “X” se refere à velocidade com que
uma única unidade de CD entregaria os dados, 1x é o mesmo que
150 kilobytes por segundo. Por exemplo, um cartão de memória 100x vai a 150
KiB x 100 = 15000 KiB por segundo = 14,65 MiB por segundo (A velocidade
exata depende da definição de Megabyte que o comerciante opta por utilizar).

5.3. Substituto para discos rígidos

Uma extensão óbvia da memória flash seria um substituto para os discos rígidos,
já que ela não possui as limitações mecânicas e latência dos mesmos. A ideia de
um drive de estado sólido, ou SSD, torna-se atraente se considerarmos
velocidade, ruído, consumo de energia e confiabilidade. Porém, ainda existem
algumas desvantagens que devem ser consideradas. Por exemplo, o custo por
gigabyte de memória flash ainda é maior do que dos discos rígidos. Algumas
técnicas estão sendo utilizadas na tentativa de combinar as vantagens das duas
tecnologias, usando a flash como uma cache de alta velocidade para arquivos do
disco que são muito referenciados mas pouco modificados, tais como aplicativos
e arquivos executáveis do sistema operacional.
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Bibliografia
Sistemas Digitais
Edgar Macari Junior
Leandro Freitas
http://www.compute-rs.com/pt/conselho-
38009.htm
http://pt.wikipedia.org/wiki/EPROM
http://pt.wikipedia.org/wiki/Memória_flas
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