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NOTES DE COURS

ELECTRONIQUE
DE
COMMANDE

Dr Koutoua Simon KASSI, PhD, M.Sc., Ing.


Enseignant-Chercheur INPHB/DFR-GEE
kassi.simon@yahoo.fr

Dr Koutoua Simon KASSI, PhD INPHB-DFR/GEE


1
Table des matières
INTRODUCTION GENERALE................................................................................................ 5
Chapitre 1 : LES RESISTANCES ET LES CONDENSATEURS .............................................. 6
1.1-LES RESISTANCES ..................................................................................................... 7
1.2-LES CONDENSATEURS ............................................................................................. 9
Chapitre 2 : LES COMPOSANTS A SEMI-CONDUCTEUR .................................................. 12
2.1-LA DIODE À JONCTION .......................................................................................... 13
2.2-LA DIODE ZENER ..................................................................................................... 17
2.3-LE TRANSISTOR BIPOLAIRE ................................................................................ 21
2.4-LE TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP À JONCTION (JFET) ....................... 28
2.5-LE TRANSISTOR UNIJONCTION (UJT)............................................................... 32
Chapitre 3 : LES COMPOSANTS OPTO-ELECTRONIQUES ............................................... 37
3.1-INTRODUCTION........................................................................................................ 38
3.2-LES PHOTODIODES ................................................................................................. 38
3.3-LES PHOTOTRANSISTORS .................................................................................... 39
3.4-LES DIODES ELECTROLUMINESCENTES (LED)............................................. 40
3.5-OPTOCOUPLEURS OU PHOTOCOUPLEURS .................................................... 41
Chapitre 4 : LES ALIMENTATIONS STABILISEES ............................................................. 44
4.1-GENERALITES ........................................................................................................... 45
4.2-ALIMENTATIONS LINEAIRES .............................................................................. 45

Liste des figures


Figure 1: Technologies des résistances. ..................................................................................... 7
Figure 2: Symbole de la résistance ............................................................................................. 7
Figure 3: Principe de lecture de la valeur d’une résistance. ....................................................... 8
Figure 4: Symbole de la résistance ............................................................................................. 9
Figure 5: Images de différents types de condensateurs .............................................................. 9
Figure 6: Symboles des condensateurs-a) non polarisé b) polarisé............................................ 9
Figure 7: Montage dérivateur ou générateur de pics. ............................................................... 10
Figure 8: Filtrage de la tension redressée. ................................................................................ 11
Figure.9: Symbole de la diode à jonction. ................................................................................ 13
Figure 10: Caractéristique réelle de la diode. ........................................................................... 13
Figure 11: Caractéristique idéale de la diode. .......................................................................... 13
Figure 12: Diode de redressement. ........................................................................................... 14
Figure 13: Diode de commutation 1N4148. ............................................................................. 14
Figure 14 : Association en série des diodes. ............................................................................ 14
Figure.15 : Association en parallèle des diodes. ...................................................................... 15
Figure 16: Utilisation de la diode-Tension de référence. ......................................................... 15
Figure 17: Utilisation de la diode-Redressement. .................................................................... 15
Figure 18: Graphes de la tension d’entrée et de sortie du montage redresseur. ....................... 16
Figure 19: Schéma de la porte OU. .......................................................................................... 16
Figure 20: Schéma porte ET..................................................................................................... 17
Figure 21: Différents symboles de la diode zener. ................................................................... 18

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2
Figure 22: Caractéristique réelle de la diode zener. ................................................................. 18
Figure 23: Caractéristique idéale de la diode zener. ................................................................ 18
Figure 24: Diode zener. ............................................................................................................ 19
Figure 25 : Association en série des diodes zener. ................................................................... 19
Figure 26 : Association en parallèle des diodes zener.............................................................. 19
Figure 27 : Montage écrêtage symétrique. ............................................................................... 20
Figure 28 : Graphes-montage écrêtage symétrique. ................................................................. 21
Figure 29 : Symboles du transistor bipolaire. .......................................................................... 21
Figure 30 : Transistor bipolaire type NPN. ............................................................................. 22
Figure 31 : Montage à émetteur commun. .............................................................................. 22
Figure 32 : Réseau de courbes IC=f(VCE). ................................................................................ 23
Figure 33 : Transistor Darlington. ............................................................................................ 24
Figure 34: Transistor 2N2222 et 2N2222A.............................................................................. 25
Figure 35 : Commande d’un relais. .......................................................................................... 26
Figure 36 : Stabilisateur de tension (montage ballast). ............................................................ 26
Figure 37 : Inverseur logique. .................................................................................................. 26
Figure 38 : Symboles du transistor JFET. ................................................................................ 28
Figure 39 : Transistor JFET de type N (2N3819). ................................................................... 29
Figure 40 : Caractéristiques de sortie et de transfert du transistor JFET. ................................ 29
Figure 41: Générateur de courant constant avec le transistor JFET. ....................................... 30
Figure 42 : Résistance variable avec transistor JFET. ............................................................. 31
Figure 43 : Multiplexage des signaux avec le transistor JFET. ............................................... 31
Figure 44 : Schéma équivalent et symbole du transistor UJT. ................................................. 32
Figure 45 : Exemples de transistor UJT. .................................................................................. 32
Figure 46 : Caractéristique de commande d’un transistor UJT. ............................................... 33
Figure 47 : Oscillateur simple .................................................................................................. 34
Figure 48: Symbole de la photodiode. ..................................................................................... 38
Figure 49: La photodiode S3883. ............................................................................................. 38
Figure 50 : Montage pratique utilisant une photodiode. .......................................................... 39
Figure 51: Symbole du phototransistor. ................................................................................... 39
Figure 52: Le phototransistor PNA1401L. ............................................................................... 40
Figure 53: Symbole et forme de la LED. ................................................................................. 40
Figure 54: LED alimentée par une source continue. ................................................................ 41
Figure 55: LED alimentée par une source alternative. ............................................................. 41
Figure 56: Symbole du photocoupleur. .................................................................................... 42
Figure 57: Photocoupleur PC817. ............................................................................................ 42
Figure 58: Détecteur de passage par zéro de la tension du secteur 220V-50Hz (a)-Schéma (b)-
Graphes. .................................................................................................................................... 43
Figure 59: schéma synoptique d’une alimentation stabilisée. .................................................. 45
Figure 60: Transformateur et redresseur. ................................................................................. 45
Figure 61: Ponts redresseurs moulés. ....................................................................................... 46
Figure 62: Transformateur. ...................................................................................................... 46
Figure 63: Tension redressée à la sortie du pont. ..................................................................... 46
Figure 64: Montage avec condensateur de filtrage. ................................................................. 46
Figure 65: tension redressée et filtrée ...................................................................................... 47
Figure 66: Régulation par diode zener. .................................................................................... 47
Figure 67: Régulation par transistor ballast. ............................................................................ 48
Figure 68: Symbole d’un régulateur intégré. ........................................................................... 48
Figure 69: Boitiers de régulateurs intégrés. ............................................................................. 49

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Figure 70: Régulateurs à tension positive et à tension négative. ............................................. 49
Figure 71: Alimentation symétrique ........................................................................................ 50
Figure 72: Exemple d’alimentation stabilisée. ......................................................................... 50

Liste des tableaux


Tableau 1 : Code des couleurs des résistances. .......................................................................... 8
Tableau 2: Code des couleurs de l’anneau de tolérance. ............................................................ 8
Tableau 3: Exemples de diodes. ............................................................................................... 14
Tableau 4 : Table de vérité analogique-Porte OU. ................................................................... 16
Tableau 5 : Table de vérité logique-Porte OU. ........................................................................ 16
Tableau 6 : Table de vérité analogique-Porte ET. .................................................................... 17
Tableau 7 : Table de vérité logique-Porte ET. ......................................................................... 17
Tableau 8 : Exemples de diodes zener. .................................................................................... 19
Tableau 9 : Seuil de conduction VLED en fonction de la couleur. ............................................ 40

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4
INTRODUCTION GENERALE

L’électronique de commande est l’étude de l’ensemble des circuits et


systèmes réalisant une ou plusieurs fonctions pour la commande des
convertisseurs d’énergies (redresseurs, hacheurs, gradateurs, onduleurs,
cycloconvertisseurs, alimentations à découpage, etc.) :
• Circuits d’amorçage des thyristors.
• Circuits de commande de base des transistors de puissance.
• Boucles de régulation des alimentations à découpage.
• Etc.
L’étude, la conception et la réalisation pratique de ces circuits
nécessitent la connaissance d’un certain nombre de composants classiques
de l’électronique fondamentale ou générale.

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Chapitre 1 : LES RESISTANCES ET LES
CONDENSATEURS

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1.1-LES RESISTANCES
Les résistances se présentent en deux modèles différents :
-Les résistances fixes.
-Les résistances variables (résistances ajustables, potentiomètres).

1.1.1-Les résistances fixes


De façon générale on distingue 03 technologies de résistances :
-Les résistances de faible puissance en dessous de 1 watt sont généralement des
résistances à couche de carbone sur un support de céramique (figure 1a).
-Pour les résistances de puissances fortes, la technique du fil résistant enroulé sur
un corps en céramique (résistance bobinée) est souvent utilisée (figure 1b).
-Pour les résistances de très fortes puissances, on peut utiliser une technologie dite
des « résistances liquides » consistant à faire passer le courant à travers une
solution aqueuse contenant des ions cuivre.

(a)

(b)
Figure 1: Technologies des résistances.

Pour la réalisation des circuits de commande, ce sont les résistances à couche qui
sont utilisées. On les désigne par la lettre R et elles sont représentées par l’un des
symboles suivants :

ou R

Figure 2: Symbole de la résistance

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Une résistance est caractérisée par :
-Sa valeur exprimée en ohm (Ω)
-Sa puissance en watt (W)
-Sa tolérance (précision) en %
Les résistances fixes se présentent sous diverses tailles selon la puissance dissipée.
Les valeurs de ces résistances sont normalisées et sont exprimées à l’aide d’un
code de couleurs dont le décodage est donné dans le tableau 1 ci-dessous.

Tableau 1 : Code des couleurs des résistances.


Noir Marron Rouge Orange Jaune Vert Bleu Violet Gris Blanc
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

Les valeurs sont marquées sous forme d’anneaux de couleurs permettant de


déterminer les caractéristiques selon un code. L’anneau de tolérance (situé à
l’extrême droite) est défini par les couleurs suivantes (Tableau 2) :

Tableau 2: Code des couleurs de l’anneau de tolérance.


Argent Or Rouge Marron
±10% ±5% ±2% ±1%

Le principe de la lecture est indiqué sur la figure 3 pour les résistances marquées
de quatre anneaux.

Figure 3: Principe de lecture de la valeur d’une résistance.

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Exemple : Rouge – Rouge – Rouge – Or

2 2 × 102 ±5% ; 2200 Ω ±5%


1.1.2-Les résistances variables

On distingue les résistances ajustables (de petites tailles avec une


puissance ≤100mW) et les potentiomètres. Le symbole est donné sur la figure 4.

A B
A B ou R

C C
Figure 4: Symbole de la résistance

La borne C est reliée à un curseur dont le déplacement à gauche ou à droite permet la


variation de la résistance entre les extrémités AC et BC.

1.2-LES CONDENSATEURS
1.2.1-Présentation
Il existe de nombreux types de condensateurs qui se différencient
essentiellement par la nature de leur diélectrique (élément qui sépare les plaques).
Parmi les plus courants, on peut citer les condensateurs à film plastique ou mylar,
les céramiques, les électrochimiques et les tantales. Ils sont présentés sur la figure
5.

Mica, céramique, électrochimique, tantale


Figure 5: Images de différents types de condensateurs

• Symbole

a) b)
Figure 6: Symboles des condensateurs-a) non polarisé b) polarisé

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• Caractéristiques
-Valeur en µF(microFarad), nF(nanoFarad) et pF(picoFarad).
-Tension de service en Volt.
-Tolérance en %.
• Choix
-Les céramiques s’emploient pour des fréquences élevées et leur valeur est faible
(0,1 pF à 1nF, jusqu’à 1µF dans des cas particuliers).
-Les plastiques sont les plus utilisés sous diverses appellations (polyester, mylar,
…). Les valeurs vont de 1nF à 4,7 µF. Au-delà de 1 µF leur taille est importante
à cause des tensions de service élevées (250V, 400V, etc.).
-Les électrochimiques sont polarisés. Les valeurs vont de 1 µF à 6800 µF. Ils sont
utilisés pour le filtrage de tension.
-Les tantales, également polarisés ont des valeurs de 0,1 µF à 220 µF avec de
faible tension de service.

1.2.2-Utilisations
• Montage dérivateur ou montage générateur de pics
Le condensateur est utilisé pour exploiter le front montant et le front
descendant d’un signal carré afin de générer des pics à la sortie du montage.

Figure 7: Montage dérivateur ou générateur de pics.

L’analyse du fonctionnement est donnée comme suit :


-[0; T/2]: À t=0, Ue(t) = E, u(t) = 0V et Us(t) = Ue(t) = E. Le condensateur C se
charge à travers la résistance R jusqu’à la valeur E. Pendant que le condensateur

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se charge, u(t) augmente et i diminue ; Us(t) =R.i(t) décroît jusqu’à s’annuler.
Us(t) s’annule au même instant où u(t) atteint la valeur E.
-[T/2; T]: À t= T/2, Ue(t) = 0, Us(t) =- u(t) = -E. Le condensateur se décharge
négativement à travers R et Us(t) croit de –E à 0.

• Filtrage de tension
Le condensateur est utilisé pour filtrer la tension à la sortie du pont redresseur.

Figure 8: Filtrage de la tension redressée.

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Chapitre 2 : LES COMPOSANTS A SEMI-
CONDUCTEUR

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2.1-LA DIODE À JONCTION
2.1.1-Définition

Les diodes à jonction sont soit au silicium ou soit au germanium.


• symbole

Figure.9: Symbole de la diode à jonction.

• Caractéristique réelle
iD

IDmax

VRRM
vD
Vs

Figure 10: Caractéristique réelle de la diode.

VRRM : Tension inverse de pointe répétitive (valeur maximale instantanée de la tension inverse).
VS : Tension de seuil (Vs= 0,7 V → Silicium, Vs= 0,3 V→ Germanium).
IDmax: Courant direct moyen maximal, c'est le maximum admissible pour la valeur moyenne du
courant direct.

• Caractéristique idéale
iD

IDmax

VRRM
vD
Figure 11: Caractéristique idéale de la diode.

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Selon les applications on distingue :
• Les diodes de redressement
• Les diodes de commutation

2.1.2-Exemples
Tableau 3: Exemples de diodes.
Diodes IDmax VRRM Utilisations
1N4148 450 mA 100 V Commutation
1N914 225 mA 100V Commutation
1N4004 1A 400 V Redressement
1N4007 1A 1000 V Redressement

Figure 12: Diode de redressement.

Figure 13: Diode de commutation 1N4148.

2.1.3-Association des diodes


• Série
= + +
Vs1 Vs2 Vs3

Figure 14 : Association en série des diodes.

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• Parallèle
I/3

I I/3 I

I/3

Figure.15 : Association en parallèle des diodes.

Cette association peut présenter un risque car tout le courant peut traverser la
diode dont la tension de seuil est la plus faible.

2.1.4-Utilisations

• Tension de référence
I

R
+
U
D1 Vs1
-
D2 Vs2
Vref
Dn Vsn

Figure 16: Utilisation de la diode-Tension de référence.

𝑉𝑟𝑒𝑓 = ∑𝑛𝑖=1 𝑉𝑠𝑖 = 𝑉𝑠1 + 𝑉𝑠2 + ⋯ + 𝑉𝑠𝑛 = 𝑛𝑉𝑠 (1)

• Redressement
D

Ve R Vs

Figure 17: Utilisation de la diode-Redressement.

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Vs

Ve

0 T/2 T

Figure 18: Graphes de la tension d’entrée et de sortie du montage redresseur.

• Portes logiques

✓ Porte OU
D1
V1

D2
V2

R Vs

Figure 19: Schéma de la porte OU.

Tableau 4 : Table de vérité analogique-Porte OU.


V1(v) V2(v) Vs(v)
0 0 0
0 +Vcc +Vcc
+Vcc 0 +Vcc
+Vcc +Vcc +Vcc

Tableau 5 : Table de vérité logique-Porte OU.

V1 V2 Vs
0 0 0
0 1 1
1 0 1
1 1 1

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✓ Porte ET
+Vcc

R
D1
V1

D2
V2 Vs

Figure 20: Schéma porte ET.

Tableau 6 : Table de vérité analogique-Porte ET.


V1(v) V2(v) Vs(v)
0 0 0
0 +Vcc 0
+Vcc 0 0
+Vcc +Vcc +Vcc

Tableau 7 : Table de vérité logique-Porte ET.


V1 V2 Vs
0 0 0
0 1 0
1 0 0
1 1 1

2.1.5-Choix
Les principales caractéristiques à considérer sont : VRRM ; IDmax

2.2-LA DIODE ZENER

2.2.1-Définition
C’est une diode qui présente deux tensions de seuils.
-En direct Vs = 0,6 à 0,7 V
-En inverse Vz = tension d’avalanche ou tension Zener.

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• Symbole

VZ VZ VZ
IZ A IZ A IZ A
K K K IZ A K
; ; ;

Figure 21: Différents symboles de la diode zener.

Elle est principalement utilisée pour bénéficier de la tension Vz.

• Caractéristique réelle
iD

IDmax

VZ
Vs vD

IZmax

Figure 22: Caractéristique réelle de la diode zener.

• Caractéristique idéale
iD

IDmax

VZ
vD

IZmax

Figure 23: Caractéristique idéale de la diode zener.

Une diode zener est caractérisée par sa tension de zener (Vz) et sa puissance
maximale (Pz) : Izmax = Pz/Vz
Exemples de valeurs de tension zener courantes normalisées : 2,7V; 3,3V; 4,7V;
5,1V; 5,6V; 6,2V; 9,1V, etc.
Exemples de puissances courantes : 0,4W ; 0,5W; 1W; 1,3W, etc.

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2.2.2-Exemples
Tableau 8 : Exemples de diodes zener.
Diodes Iz VZ
1N4728A 76 mA 3,3 V
1N4735A 41 mA 6,2 V

1N4728A

Figure 24: Diode zener.


2.2.3-Association des diodes zener
• Série

Figure 25 : Association en série des diodes zener.

Très utile si on cherche à obtenir une tension constante quel que soit le courant
qui passe.

• Parallèle

Figure 26 : Association en parallèle des diodes zener.

Le courant I est divisé dans chaque branche. Le montage présente l’avantage


d’utiliser 4 diodes zener ayant un Iz<I mais >I/4. Toutefois ce type de montage
comporte un risque. En effet les diodes zener ne sont pas parfaites. Une diode peut

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laisser passer plus de courant qu’une autre. De ce fait elle chauffera plus que les
autres et risque de se détruire rapidement.

2.2.4-Utilisations
• Ecrêtage Symétrique

R
VZ1 VD1
Ve DZ1

Vs
DZ2
VZ2 VD2

Figure 27 : Montage écrêtage symétrique.

Analyse

• 0 ≤θ ≤ π : alternance positive
DZ1 polarisée en inverse (Diode zener) et DZ2 polarisée en direct. (Diode à
jonction)

𝑉𝑆 = 𝑉𝑍1 + 𝑉𝐷2 = +𝑉𝑠𝑚𝑎𝑥 (2)

• π ≤ θ ≤2π : alternance négative


DZ2 polarisée en inverse (Diode zener) et DZ1 polarisée en direct. (Diode à
jonction)

𝑉𝑆 = −𝑉𝑍2 − 𝑉𝐷1 = −𝑉𝑠𝑚𝑎𝑥 (3)

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Graphes

+Vemax
+Vsmax

0 π 2π Θ(rad)
-Vsmax

-Vemax
Figure 28 : Graphes-montage écrêtage symétrique.
2.2.3-Choix
Les principales caractéristiques à considérer sont : VZ ; PZ et IZmax
2.3-LE TRANSISTOR BIPOLAIRE

2.3.1-Présentation
Les transistors bipolaires sont composés d’un couple de jonctions formé par
des couches de semi-conducteurs au "Si" ou au "Ge" de type N et de type P. On
distingue le transistor NPN et PNP.

Figure 29 : Symboles du transistor bipolaire.

Le transistor NPN est le plus utilisé.

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21
𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶 (4)

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝑉𝐶𝐵 (5)

Figure 30 : Transistor bipolaire type NPN.

2.3.2-Régime de fonctionnement

C’est le montage à émetteur commun qui est utilisé.


+Vcc
IC
RC

RB C
IB B
IE VCE
Ve VBE E

Figure 31 : Montage à émetteur commun.


RB : Résistance de base.
Rc : Résistance de charge
IB : Courant de base ou courant de commande
IC : Courant du collecteur ou de charge.
Pour différentes valeurs du courant IB, on obtient le réseau de courbes (Ic = f (VCE))
donné sur la figure

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22
IC

+VCC/RC Droite de charge

B5 IB4 > IB3


ICsat
B4 IB3 > IB2

B3 IB2 > IB1

B2 IB1 > IB0

ICB0 B1 IB0

0
VCE
VCEsat VCEmax +VCC

Figure 32 : Réseau de courbes IC=f(VCE).

La droite de charge est représentée par l’équation (6).


𝑽𝑪𝑪 −𝑽𝑪𝑬
𝑰𝑪 = (6)
𝑹𝑪

On distingue deux zones de fonctionnement qui sont le fonctionnement linéaire


et le fonctionnement en commutation. Le fonctionnement en commutation est
caractérisé par l’état bloqué et par l’état saturé du transistor.
• Etat bloqué
Point de fonctionnement en B1 : Lorsque Ve≤VBE ; IB≈ 0 → IC = ICBO (courant de
fuite) (7)
Si ICBO = 0 → VCE = +Vcc (8)
• Etat Saturé
Le point de fonctionnement est en B5, il n’y a plus de proportionnalité entre I B et
IC.

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23
IC = ICsat → VCE = VCEsat (9)
La condition de saturation du transistor est donnée par :

𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡
𝐼𝐵 > (10)
𝛽𝑚𝑖𝑛

Avec βmin : gain minimal en courant du transistor.


2.3.3-Transistor Darlington
C
Ic
IC1
IB
B IE1 IC2
IB2
IE

Figure 33 : Transistor Darlington.

C’est une association de deux transistors de même type NPN ou PNP. Selon le
schéma de la figure 33, les deux transistors se comportent comme un transistor
unique avec un gain (β=β1*β2).
IC = β*IB → IC = β1*β2*IB
IC= IC1 + IC2 avec IC1 = β1*IB, IC2 = β2*IB2

• Démontrons que IC = β1*β2*IB


IE1 = IB2 = IB + IC1
= IB +β1* IB
→IB2= IB (1 +β1)
→ IC2 = β2* IB(1 +β1)
→ IC = IC1 + IC2 = β1* IB + β2* IB(1 +β1)
= β1* IB + β2* IB + β2* IB*β1
= IB (β1 +β2 +β2β1)
On écrit que β1 + β2<< β1* β2 donc Ic = IBβ1*β2

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24
• Exemple:

β1 = 200 et β2 = 200
β1*β2 = 200 x200 = 40.000
β1+β2 = 200 +200 = 400 alors β1*β2 >> β1 +β2
2.3.4-Choix du Transistor
Les paramètres essentiels pour le choix du transistor sont :
- Pmax : puissance admissible en (W).
- VCEmax : tension max entre l’émetteur et le collecteur (V).
- Icmax : Intensité crête du courant dans le collecteur (A).
- β : le gain en courant du transistor.

Figure 34: Transistor 2N2222 et 2N2222A

2.3.5-Utilisations

Il existe de nombreuses applications du transistor. Voyons-en quelques-


unes.

• Commande de relais

La saturation du transistor entraîne l’excitation de la bobine, il s’ensuit


une action sur ses contacts : ouverture des contacts NC et fermeture des
contacts NO (figure 35).

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25
Figure 35 : Commande d’un relais.

• Stabilisateur de tension (montage ballast)

Pour augmenter le courant de sortie d’un circuit de stabilisation en


tension avec une diode Zener on utilise le montage de la figure 36.

Figure 36 : Stabilisateur de tension (montage ballast).

Vs = Vz – VBE
Is = Ic + IB = IE ≈ Ic

• Inverseur logique
+Vcc
IC

RC
RB
IB
IE
VS
Ve VBE

Figure 37 : Inverseur logique.

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26
V V V V
e s e s
+V
cc 0V 1 0
0V +Vcc 0 1

Ve Vs Ve Vs
1
• Transformation sinus / carré
+Vcc
IC

RC
RB
IB
IE Q
Ve VS

+Vemax Ve

t
0 T/2 T

-Vemax
Vs

+Vcc

• 0 à T/2 ; Ve > 0 ↔ Q saturé ↔ VS =0


• T/2 à T ; Ve < 0 ↔ Q bloqué ↔ Vs = +VCC

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27
• Source de courant constant
+VCC

Vz
IE
Dz

RE
VD D VEB E
B
IB Q
C
I
Charge

L’objectif visé est que le courant I doit être constant, on utilise un transistor
PNP lorsque la charge a un potentiel relié à la masse. La loi de maille dans le
circuit comportant DZ, RE, D et la jonction émetteur-base(E-B) donne :
VEB + REIE – VZ – VD = 0; Q et D sont de même type (Silicium ou Germanium)
↔ VD = VEB → REIE – VZ = 0 → IE = Vz/RE = IB + I ≈ I.
I =Vz / RE = cste
2.4-LE TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP À JONCTION (JFET)
2.4.1-Présentation
Contrairement aux transistors bipolaires, les JFET fonctionnent avec une
commande en tension. Il existe deux types de JFET: JFET à canal N et à
canal P.
• Symbole et exemple
D D
G
G

VGS S S
Canal N
Canal P
G : Grille ; D : Drain ; S : Source
Figure 38 : Symboles du transistor JFET.

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28
Canal N ; IDSS = 2 à 20mA ; VGS = -0,5 à -7,5V ; PDmax=350 mW.
Figure 39 : Transistor JFET de type N (2N3819).

• Régime de fonctionnement
Les caractéristiques de sortie (IDS = f (VDS)) à VGS = cste comprennent trois
zones :
- Zone linéaire (1):IDS varie linéairement avec VDS
- Zone de saturation ou de pincement (2): IDS reste pratiquement
constant quand VDS varie
- Zone de claquage (3): Zone à éviter
IDS

VGS = 0V
IDSmax
VGS = -2V
IDS4
VGS = -4V
IDS3
VGS =-7V
IDS2
VGS = -8V
IDS1
VP
VDS
VGS
-6 0 (-VP+0.9)
1) 2) 3)
Limite de pincement
Figure 40 : Caractéristiques de sortie et de transfert du transistor JFET.

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29
Avec :
1) : Zone ohmique (zone linéaire)
2) : Zone saturation
3) : Zone de claquage

La tension VGS a pour valeur maximale 0V et pour valeur minimale VP définie


comme étant la tension de Pitch. VP = VGSoff : Valeur maximale négative de la
tension du transistor considéré (VGSmin : + petite valeur de VGS). Pour la plupart
des JFET, on a : -8v ≤ VP ≤ -2v. La caractéristique de transfert IDS = f (VGS) à VDS
= cste est donnée par l’équation :

𝑉𝐺𝑆 2
𝐼𝐷𝑆 = 𝐼𝐷𝑆𝑚𝑎𝑥 (1 − ) (11)
𝑉𝑃

Cette caractéristique a une forme parabolique.


VGS = VP ↔ IDS = 0
VGS = 0V ↔ IDS = IDSmax

2.4.2-Applications

• Générateur de courant constant


Sur les caractéristiques de IDS = f (VDS), IDS est constant pour VDS > (-VP + 0.9V)
quel que soit VGS. Pour VGS = 0V, le JFET est parcouru par un constant IDSmax.

Figure 41: Générateur de courant constant avec le transistor JFET.

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30
• Résistance variable
La variation de IDS = f (VDS) est linéaire entre 0 et –Vp+0.9v. La pente de la
variation linéaire correspond à une résistance dont la valeur est liée à VGS.
1/ RDS1 = (IDS1–0)/(-VP +0.9-0) = IDS1/(-Vp+0.9) ↔ RDS1 = (-Vp+0.9)/IDS1
1/ RDS2 = (IDS2-0)/(- VP +0.9-0) = IDS2/(-Vp+0.9) ↔ RDS2 = (-Vp+0.9)/IDS2
1/ RDS3 = (IDS3–0)/(- VP +0.9-0) = IDS3/(-Vp+0.9) ↔ RDS3 = (-Vp+0.9)/IDS3
1/ RDS4 = (IDS4–0)/(- VP +0.9-0) = IDS4/(-Vp+0.9) ↔ RDS4 = (-Vp+0.9)/IDS4
1/ RDS5 = (IDS5–0)/(- VP +0.9-0)= IDS5/(-Vp+0.9) ↔ RDS5 = (-Vp+0.9)/IDS5

Figure 42 : Résistance variable avec transistor JFET.

Selon les JFET, pour VGS = 0, la résistance RDS est comprise entre 5Ω à 200Ω ;
Lorsque VGS s’approche de VP alors RDS tend vers 100MΩ.
• Multiplexage des signaux

Figure 43 : Multiplexage des signaux avec le transistor JFET.

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31
Ve1 et Ve2 sont transmises en sortie en fonction de Vcom1 et de Vcom2 qui sont
commandées alternativement. C’est le principe des oscilloscopes bicourbes.

2.5-LE TRANSISTOR UNIJONCTION (UJT)

2.5.1-Présentation

Le transistor UJT ou diode à double base est constitué par un barreau de silicium
de type N de grande résistance (5 à 20kΩ) dans lequel on inséré par alliage un
semi-conducteur de type P pour former une jonction PN. Aux deux extrémités du
barreau on a les points B1 et B2 qui désignent:
B1 : base 1 et B2: base 2
L’électrode de type P appelée « émetteur» est plus proche de la base 2.

Figure 44 : Schéma équivalent et symbole du transistor UJT.

Figure 45 : Exemples de transistor UJT.

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32
2.5.2-Régime de fonctionnement
𝑅𝐵1
𝑉𝐴 = ( ) 𝑉𝐵2𝐵1 = 𝜂𝑉𝐵2𝐵1 (12)
𝑅𝐵1 +𝑅𝐵2

η: rapport intrinsèque, il varie dans l’intervalle [0,45 ; 0,8].

- Caractéristique de commande (VE = f (IE))

VE
Pic
VP

Vallée

VV

IP IV IE

Figure 46 : Caractéristique de commande d’un transistor UJT.

Lorsque VE (tension de commande) est inférieure à VP (tension de Pic) la jonction


de l’émetteur (E) reste bloquée. Un très faible courant circule entre B2 et B1.
Lorsque VE atteint VP, la jonction (E) devient conductrice, sa résistance diminue
et un courant IE important apparaît. Ce courant existera tant que la tension VE
restera supérieure à Vv (tension de vallée). Pendant cette dernière phase le courant
IB circulant entre B2 et B1 augmente.

- Expression de VE

VE = VA + VD = ηVB2B1 + 0.7 (13)


2.5.3-Utilisations

- Oscillateur simple
L’utilisation d’un réseau RC (résistance, condensateur) permet d’obtenir
un oscillateur avec le transistor.

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33
Figure 47 : Oscillateur simple

Le condensateur C se charge à travers la résistance R jusqu’à la tension


de pic VP, ce qui met le transistor en conduction. Celui-ci décharge C à
travers R1. Lorsque la tension d’émetteur VC tombe en dessous de la
tension VV, l’émetteur cesse de conduire et le transistor se bloque et le
cycle recommence. Les valeurs de R et de C déterminent la fréquence des
impulsions disponibles sur R1.

VC
Vp

Vv
t
0 T 2T 3T
VS

t
T

Zone 1 : Zone de charge de C

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Zone 2 : Zone de décharge de C
La période du signal de sortie Vs est donnée par l’expression suivante (équation
14):
1
𝑇 = 𝑅𝐶 ln ( ) (14)
1−𝜂

- Oscillateur en dents de scie


Pour produire des signaux en dents de scie on charge le condensateur C
avec une source de courant constant.

Le condensateur C est traversé par un courant constant I qui est égal à :


I = C (dVC/dt)
VC =∫(I/C)dt ⇒ VC= (I/C)*t + cte
VC a une évolution en dents de scie

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VC

VP

VV
t
T 2T
VS

t
T 2T

- VCO (Voltage Controlled Oxillator/ Oscillateur Commandé en


Tension)
Pour réaliser un VCO, la charge du condensateur se fait par une tension de
commande externe (Ve).

Remarque : Pour les applications courantes le transistor UJT le plus utilisé


est le 2N2646 qui a les caractéristiques principales suivantes :
0.56 ≤ η≤0.75 ; courant de Pic IP = 5µA; Ivmin = 4mA;VB2B1=35V ; Pdmax
=300mw.

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36
Chapitre 3 : LES COMPOSANTS OPTO-
ELECTRONIQUES

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37
3.1-INTRODUCTION
Les composants optoélectroniques sont des composants à semi-conducteur qui
émettent ou qui détectent la lumière :
- Les photodiodes, les phototransistors : Détection de la lumière.
- Les diodes électroluminescentes (DEL) ou Light Emetting Diode (LED):
Emission de la lumière.
3.2-LES PHOTODIODES

3.2.1-Présentation

Figure 48: Symbole de la photodiode.

C’est une diode qui fonctionne en inverse. Elle se laisse traverser par un
courant dans le sens cathode-anode, lorsqu’elle est éclairée par une source
lumineuse. L’intensité du courant inverse qui la traverse est proportionnelle à la
lumière reçue. La photodiode est utilisée dans les circuits de commande
automatiques par la lumière tels que : les télécommandes, les déclencheurs
optiques pour flash, etc.
La photodiode S3883 du fabricant HAMAMATSU est donnée à la figure 49.

Figure 49: La photodiode S3883.

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38
2.2.2- Montage pratique

Figure 50 : Montage pratique utilisant une photodiode.

Lorsque survient la lumière, la variation de la résistance de la photodiode crée un


signal positif qui est converti en pic par le réseau R2C et ensuite appliqué sur la
base du transistor Q. Le transistor monté en collecteur commun fournit sur son
émetteur (résistance R3) une impulsion dont la largeur dépend du temps de charge
de C.

3.3-LES PHOTOTRANSISTORS

C’est un transistor dont le courant de base est fourni par le rayonnement


lumineux reçu sur sa base. Son symbole est représenté sur la figure 51.

Figure 51: Symbole du phototransistor.

Le courant circulant entre collecteur et émetteur est proportionnel à


l’intensité lumineuse reçue. Le phototransistor est utilisé dans les circuits de
télécommandes. Il peut aussi être utilisé pour déclencher une alarme. La figure 52
présente le phototransistor PNA1401L du constructeur Panasonic.

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39
Figure 52: Le phototransistor PNA1401L.

3.4-LES DIODES ELECTROLUMINESCENTES (LED)

Ce sont des diodes qui émettent de la lumière lorsqu’elles sont polarisées


en direct. Elles se présentent sous diverses formes, tailles et couleurs. Le symbole,
ainsi que les formes sont donnés sur la figure 53.

Figure 53: Symbole et forme de la LED.

La cathode est repérée par la plus courte des électrodes pour le cas général ou par
un méplat pour les formes rondes. La LED est utilisée dans les appareils à
affichage numérique (multimètre, calculatrice, horloge, etc.) et comme un
indicateur lumineux (Vumètre).
Le seuil de conduction VLED dépend de la couleur, il est donné dans le
tableau 9.
Tableau 9 : Seuil de conduction VLED en fonction de la couleur.
Couleur Rouge Orange Jaune Vert
VLED(V) 1,5 2 2 2

Les LED doivent être protégées contre les tensions inverses trop importante
(limitées entre -5V et -3V) et les courants directs trop élevés (limités de 20mA à
50mA). Dans la pratique un courant de 10 mA donne une bonne luminosité pour
les LEDs standards. Et selon la source d’alimentation (~ ou -), on utilise l’un des
montages suivants :

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40
• Source de tension continue

Figure 54: LED alimentée par une source continue.

• Source de tension alternative


ILED

0,45Veff − VLED
R2 =
ILED
Figure 55: LED alimentée par une source alternative.
• Choix
Les principales caractéristiques à considérer sont: tension inverse (VR) ; courant
direct maximal (IF) ; Puissance dissipée (PD)

3.5-OPTOCOUPLEURS OU PHOTOCOUPLEURS

3.5.1- Présentation
Ce sont des dispositifs constitués par la réunion dans un même boîtier d’une
photodiode ou d’un phototransistor avec une DEL/LED. C’est la LED qui émet la
lumière détectée par la photodiode (ou le phototransistor). Il existe plusieurs types
de photocoupleurs; le photocoupleur à transistor est le plus utilisé.

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41
Figure 56: Symbole du photocoupleur.

L’intérêt des optocoupleurs réside dans le fait qu’ils permettent la transmission de


signaux d’un système à un autre par liaison optique (sans liaison électrique).
L’isolement peut atteindre 3KV. La figure 57 présente l’optocoupleur du
constructeur Sharp PC817.

Figure 57: Photocoupleur PC817.

Les applications des optocoupleurs sont multiples :


-Interfaces logiques.
-Circuits de commande de thyristor et de triacs.
-Etc.
3.5.2-Utilisations

• Détecteur de passage à zéro de la tension du secteur (220V–50Hz


ou 110V-60Hz).

(a)

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42
Ve1

0 T/2 T

Ve
VCC Vs

0 T/2 T

(b)
Figure 58: Détecteur de passage par zéro de la tension du secteur 220V-50Hz (a)-Schéma (b)-
Graphes.

A chaque passage par zéro de Ve, on a: VS = +VCC.

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43
Chapitre 4 : LES ALIMENTATIONS
STABILISEES

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44
4.1-GENERALITES
Les alimentations stabilisées sont soient linéaires, soient à découpage. Les
alimentations linéaires sont les alimentations classiques. Elles sont caractérisées
par leur mauvais rendement et par le volume du transformateur qui augmente en
fonction du courant. L’alimentation à découpage est une application du hacheur.
Elle a un bon rendement. À puissances égales, l’alimentation à découpage est
beaucoup plus compacte. Le schéma synoptique d’une alimentation est donné à
la figure 59.

Charges
Réseau

Figure 59: schéma synoptique d’une alimentation stabilisée.

4.2-ALIMENTATIONS LINEAIRES
4.2.1-Alimentation simple ou alimentation asymétrique
• Transformateur et redresseur

Figure 60: Transformateur et redresseur.

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45
Figure 61: Ponts redresseurs moulés.

Figure 62: Transformateur.

La tension à l’entrée (Ve) du transformateur a une fréquence f = 50 Hz et une


période T = 1/ f = 1/50 = 20 ms, celle (Vs) à la sortie du pont redresseur a une
période de T/2=10 ms. La tension Vs est représentée sur la figure 63.

VS
Veff√2

t (ms)
0 10 20 30
Figure 63: Tension redressée à la sortie du pont.
• Tension moyenne : VSmoy = 2Vemax/𝜋 = 2√2Veff/𝜋
• Filtrage

Figure 64: Montage avec condensateur de filtrage.

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46
Figure 65: tension redressée et filtrée

La charge du condensateur C se fait à travers la résistance interne des deux diodes


passantes (D1 et D3 ou D2 et D4). Cette phase est très rapide car la résistance
interne (ou résistance dynamique) est très petite comparée à celle de la charge. La
décharge de C se fait dans la résistance de charge.

i = CdVC/dt → i = C.dVS/dt=C.∆VS/∆t, C = ∆t.i/∆VS avec i= IS.


Pour un bon filtrage, la valeur de C doit avoisiner 1000 µF. Il faut choisir
correctement la tension de service du condensateur. Si par exemple Vseff = 24V
alors prendre VC supérieure à 24√𝟐.
Is : Courant dans la charge.
∆Vs : Ondulation de la tension.
∆t : varie entre 7 et 10 ms.

• La régulation

▪ Régulation par diode zener

Figure 66: Régulation par diode zener.

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47
La diode zener peut faire la régulation pour un courant de l’ordre de quelques
dizaines de mA. Pour un courant plus élevé, il faut utiliser un régulateur avec
transistor ballast.

▪ régulateur à transistor ballast

Figure 67: Régulation par transistor ballast.

On peut encore augmenter le courant de sortie, en utilisant plusieurs transistors


montés en darlington.
▪ Régulateurs intégrés

Figure 68: Symbole d’un régulateur intégré.

Il existe des régulateurs de tension positive et des régulateurs de tension négative.


Certains sont à tension variable. Les régulateurs existent en plusieurs boitiers:
T092 ; T0220 ; T03.

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Figure 69: Boitiers de régulateurs intégrés.

Figure 70: Régulateurs à tension positive et à tension négative.

4.2.2-Alimentation symétrique

Ce type d’alimentation permet d’avoir deux tensions opposées à la sortie ( +VCC


et –VCC).

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Figure 71: Alimentation symétrique

Figure 72: Exemple d’alimentation stabilisée.

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