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I.

composants passifs Le coefficient en température définie la


1.1 Résistances sensibilité de la résistance par rapport à la
Les résistances sont les éléments les plus température. Une résistance dont la valeur ne
utilisés en électronique. varie pas en fonction de la température aura un
Leur fonction est de s'opposer au passage du coefficient de température nul. Le coefficient
courant, la loi d'ohm de température est exprimé en °𝐶 −1, est défini
donne la relation entre la tension, la résistance
par l’expression suivant : 𝑹 = 𝑹𝟎 . (𝟏 + 𝛼. 𝑻)
et le courant.
𝑈 = 𝑅. 𝐼 L'unité de mesure des résistances est avec : R = la valeur de la résistance en Ω,
l'Ohm (Ω). 𝑹𝟎 =la valeur de la résistance à 0°C en Ω, 𝛼
I R =le coefficient en température en °𝐶 −1 et T=la
température en °C
U
La résistance d’un corps dépend de sa Schéma équivalent : Il
𝝆𝒍 n’existe pas de
résistivité et de ses dimensions. 𝑹 = 𝑺 avec
R la résistance en ohm [Ω], l longueur en technologies qui permettent de réaliser une
mètre [m], S section en mètre carré [m2], résistance parfaite. Le modèle équivalent d’une
ρ résistivité en ohm-mètre [Ω.m] résistance réelle établi avec des composants
parfaits est le suivant. Les éléments L et C sont
Une résistance est caractérisée par :
de faibles valeurs (provoque résonance pour
Résistance nominale: C’est la valeur 𝑅𝑛 pour
des fréquences très élevées hors du domaine
laquelle le composant a été conçu, cette valeur
d’utilisation de la Resistance).
est inscrite soit en claire (chiffre) soit selon le
code des couleurs sur le corps de la résistance
Tolérance: C’est la valeur maximale de l’écart 1.2 Condensateurs
𝑅−𝑅 Définition de la capacité :
relatif | 𝑅 𝑛| entre la valeur réelle R de la
𝑛 Deux corps conducteurs, séparés par un
Resistance et sa valeur 𝑅𝑛 , elle dépend de la isolant, constituent un condensateur. Donc,
nature de la Resistance et sa technologie de tout conducteur isolé possède une capacité par
fabrication. rapport aux autres conducteurs et par rapport à
Puissance nominale (Pn): C’est la puissance la masse. La valeur de cette capacité pour un
que peut dissiper la résistance en régime condensateur plan est :
continu dans l’air (conditions normales de 𝜀𝑟 𝜀0 𝑆
𝐶= 𝑒
avec S Surface des conducteurs
température et de pression). Il ne faut jamais
traversés par le champ [m2].
dépasser 50% de Pn pour les résistances de
e : Épaisseur du diélectrique qui sépare les
précision et 70% de Pn pour les résistances
deux conducteurs [m]
d’usage courant. ( ¼ et ½ W pour les
résistances non bobinées) r : Constante diélectrique ou permittivité
De la valeur nominale et la puissance relative du diélectrique par rapport au vide
nominale, on peut déterminer la tension (vide = 1)
maximale aux bornes de R Relations entre courant et tension dans un
𝑉 = √𝑃𝑛 𝑅𝑛 avec V tension en volt [V], Pn condensateur
puissance en watt [W] et R résistance en ohm i(t) C
[Ω]
Le courant maximal circulant dans une U
𝑃 𝟏 𝒅𝑼
résistance R et de paissance Pn est 𝐼 = √𝑅𝑛 𝑼 = ∫ 𝒊(𝒕)𝒅𝒕 𝒆𝒕 𝒊(𝒕) = 𝒄
𝑛 𝒄 𝒅𝒕
1.2.1 Caractéristiques d’un condensateur :
Un condensateur est caractérisé par :

1.2.1.1 La capacité nominale 𝑪𝒏 : c’est la 1.3 Bobines


valeur de la capacité pour laquelle elle a été
conçue, cette valeur est marquée sur le corps Une inductance est constituée d’un fil
du condensateur (marquage direct ou codé). électrique bobiné dans l’air ou sur un support,
cette bobine à propriétés magnétique est
1.2.1.2 La tension maximale d’utilisation : appelée inductance, solénoïde ou bobine de
elle s'exprime en volts continus. Elle self induction.
correspond à la tension nominale, c'est à dire la
tension que peut supporter le condensateur en La représentation symbolique dans la figure
permanence à ses bornes. au dessus de ce ci-dessous. Le fonctionnement de cet élément
valeur il y a risque de détérioration du est basé sur le phénomène d’induction
diélectrique (phénomène de claquage) En électromagnétique : les
pratique l’amplitude de la tension crête en variations du courant dans la
alternatif à appliquer est de 40٪ de la tension bobine créent une tension aux
maximale en continu. bornes de l’élément :
1.2.1.3 La tolérance : elle correspond à l’écart 𝒅𝒊(𝒕)
relatif entre valeur réelle de la capacité et sa 𝑼(𝒕) = 𝑳
𝒅𝒕
𝐶−𝐶𝑛 La tension aux bornes de la bobine à tout
valeur nominale | 𝐶𝑛
|
instant, proportionnelle à la dérivée de
1.2.1.4 Courant de fuite : un condensateur
l’intensité du courant qui la traverse :
chargé, laissé longtemps déconnecté finit par
être décharger; c'est comme s'il y avait une L est l’inductance de la bobine. Elle se mesure
résistance de très forte valeur entre les deux en Henry (symbole : H).
bornes du condensateur. La relation précédente suppose que le
La puissance reçue par un condensateur est : coefficient de proportionnalité (ou inductance)
𝒅𝑼(𝒕) 𝒅 𝑪𝑼𝟐 (𝒕)
𝒑(𝒕) = 𝑼(𝒕). 𝒊(𝒕) = 𝑪. 𝑼(𝒕)
𝒅𝒕
=
𝒅𝒕
[
𝟐
] est constant quelque soit l’intensité du courant
L’énergie emmagasinée est : 𝜉(𝑡) = 𝟐 𝑪𝑼𝟐 (𝒕)
𝟏 (bobine idéale). En fait, ce n’est pas le cas en
pratique sauf si la bobine n’a pas de noyau
1.2.2 Schéma équivalent : Comme pour les (bobine à l’air). Dans le cas des bobines avec
résistances, le mode de fabrication et la noyau en fer, il apparaît un phénomène de
présence inévitable des fils de connexions saturation magnétique lorsque l’intensité du
entraînent l'apparition d'une composante courant est élevée. L’inductance d’une bobine
inductive, appelée inductivité propre L. La dépend donc de l’intensité du courant.
résistance Rs représente les résistances des
En régime constant ou statique (permanent,
connexions, la résistance Rd la valeur
indépendant du temps) une bobine idéale se
équivalente due aux pertes dans le diélectrique
comporte comme un simple fils
et C la valeur de la capacité admise idéale.
Puissance reçue est :

La puissance instantanée reçue par une bobine


idéale est :
𝒅𝒊(𝒕) 𝒅 𝑳𝒊𝟐 (𝒕) Caractéristique de la diode
𝒑(𝒕) = 𝑼(𝒕). 𝒊(𝒕) = 𝑳. 𝒊(𝒕) = [ ]
𝒅𝒕 𝒅𝒕 𝟐
La bobine accumule donc de l’énergie lorsque La caractéristique 𝑖𝑑 = 𝑓(𝑣𝑑 ) d'une diode est
le courant i augmente, et peut la restituer si donnée par la relation suivante :
𝑒𝑣𝑑
celui-ci diminue : la bobine est un élément de 𝑖𝑑 = 𝑖𝑠 (𝑒 𝐾𝑇 − 1)
stockage d’énergie. avec k=
1
𝜉(𝑡) = 2 𝐿𝑖 2 (𝑡) 1.38 10 −23
J, K constante de Boltzman et e =
Modèle électrique d'une bibine réelle 1.6 10−19 coulomb, T temperature en Kelvin
, Is courant de saturation

R : Résistance qui est une fonction de la


résistance des connexions et des spires de la
bobine.
C : Capacité parallèle qui représente le
couplage capacitif entre les spires.
L : Inductance propre qui dépend de la
technologie de fabrication.
Les bobines et les condensateurs sont utilisés
dans: 𝑉𝐷 0.68
𝑖𝐷 = 40𝑚𝐴 𝑒𝑡 𝑉𝐷 = 0.68𝑉 ⇒ 𝑟𝐷 = = =
𝑖𝐷 40.10−3
 les circuits de filtrage analogique 17Ω
𝑉𝐷 0.6
(circuit R, L, C) à 𝑖𝐷 = 20𝑚𝐴 𝑒𝑡 𝑉𝐷 = 0.6𝑉 ⇒ 𝑟𝐷 = = =
𝑖𝐷 20.10−3
 amplificateur sélectifs récepteurs radio 30Ω
 circuits de modulations analogiques
 oscillateurs haute fréquence (Hartley, On a une résistance variable dépend du point
colpitts...). de fonctionnement
2. composants actifs Δ𝑉𝐷 1 Δ𝑖𝐷
𝑟𝐷 = = 𝑎𝑣𝑒𝑐 𝑡𝑎𝑔(𝛼) =
Δ𝑖𝐷 𝑡𝑔(𝛼) Δ𝑉𝐷
Se sont des composants électroniques à base de 𝑒𝑣𝑑
𝑑[𝑖𝑠 (𝑒 𝐾𝑇 −1)] 𝑒𝑣𝑑
jonctions PN, tels que diodes, transistors, Δ𝑖𝐷 𝑑(𝑖𝐷 ) 𝑒
Δ𝑉𝐷
= 𝑑(𝑉𝐷 )
= 𝑑(𝑉𝐷 )
= 𝐾𝑇 𝑖𝑠 𝑒 𝐾𝑇 =
triac…
𝑒 𝑒 𝑘𝑇
[𝑖 + 𝑖𝑠 ] = [𝑖𝐷 ] avec =
𝐾𝑇 𝐷 𝐾𝑇 𝑒
Diodes: La diode est une jonction PN, 26𝑚𝑉 𝑝𝑜𝑢𝑡 𝑇 = 25 0𝐶
considère comme un dipôle à semi-conducteur 𝑉𝑇 26𝑚𝑉
𝑟𝐷 = 𝑖𝐷
= 𝑖𝐷
es la résistance dynamique
Ses 2 bornes sont repérées anode « A » et
cathode « K ». pour chaque valeur de 𝑖𝐷 . En polarisation
inverse à 𝑖𝐷 = −1𝑢𝐴 𝑒𝑡 𝑉𝐷 = −10𝑉 ⇒ 𝑟𝐷 =
A K 𝑉𝐷 10
P N
= =
𝑖𝐷 1.10−6
Anode Cathode
105 Ω ( tres grande resistance 𝑟𝐷≃∞ ), dans ce
cas la tension ne doit pas dépasser une tension
A K limite donnée par le constructeur ( claquage
par effet avalanche)
ID D
A K
Modèle électrique d'une diode:
VAK = VD
Diode idéale (rd=0, v0=0) : Dans des circuits où Zener, en fonction du type de la diode choisie,
les tensions sont élevées (plusieurs dizaines de peut varier de 2.4v à 270V.
volts) En polarisation directe la diode Zener est
équivalente à une diode simple
ID
En polarisation en inverse (deux cas) :
D

0 VD

Diode (rd=0, v0≠0): Dans des circuits où les


tensions sont faibles (inferieur à 12 volts)

ID
D V0

0 V0 VD

Diode réel (rd≠0, v0≠0) : (calcul exact dans des


circuits de faibles courant et tension)

ID
rd En polarisation en inverse (deux cas) :
D V0
a) V < Vz → diode Zener est bloquée
0 V0 VD iz = 0 ( interuupteur ouvert)
b) V < Vz → diode passante iz ≠ 0 diode
Critères de choix d'une diode zener est équivalente à une source de
1N4007 (diode de redressement) tension Vz exploitée dans la
𝐼𝐷0 = 1𝐴 : Courant direct maximal généralement stabilisation de tension.
𝑉𝑅𝑚𝑎𝑥 = 1000𝑉 : Tension inverse max
𝐼𝑅𝑚𝑎𝑥 (100°C) = 50 µA : Courant inverse max La diode zener est caractérisée par :
𝑉𝐹𝑚𝑎𝑥 = 1.1 V : tension directe maximale sa tension zener Vz ainsi que sa puissance
Courant de pointe répétitif :𝐼𝐹𝐴𝑀 = 25𝐴 maximale Pz = Vz Izmax , dans la pratique la
1N4148 (Diode de commutation) zone de stabilisation est telle que Izmin ≤ Iz ≤
𝑉𝑅𝑚𝑎𝑥 =75V : Tension inverse max Izmax
Izmax avec Izmin = 10
𝐼𝑅𝑚𝑎𝑥 / Vr =20 = 25 nA à 25 °C : Courant
Exemple BZX 55C 5V6
inverse max = 50 µA à 150 °C
𝐶𝑚𝑎𝑥 = 4 𝑝𝐹
𝑇𝑟𝑟𝑚𝑎𝑥 = 4𝑛𝑠
Varicap
𝐼𝑓 = 75𝑚𝐴, 𝐼𝐹𝐴𝑀 = 450𝑚𝐴
Diode Zener: La diode Zener est une diode
pour laquelle on a utilisé des semi-conducteurs
N et P très fortement dopés ce qui a comme
effet de la faire fonctionner sous une
polarisation inverse(avec courant important
sans claquage par effet avalanche) sous une
tension constante appelée tension Zener (
tension donnée par le constructeur), la tension
Transistor: Le transistor NPN est constitué par l’hyperbole de dissipation maximale Ic= P max/

: Une couche N fortement dopée constituant VCE) ;


l’émetteur. Une couche P très mince et
faiblement dopée constituant la base. • Une
couche N faiblement dopée constituant le
collecteur. Deux fonctions principales sont
assurées par un transistor: l'amplification et la
commutation.

**Caractéristiques de transfert en courant, i C =


f(i B ) paramétrée par v CE , traduit le fait que
les courants i B et iC sont proportionnels
**le point de fonctionnement de l'entrée est
Transistor NPN l'intersection entre la caractéristique de l'entrée
IB = f(vBE ) avec la droite de charge d'entrée.
(VBE0, IB0)
**le point de fonctionnement de la sortie est
Vcc
Ic l'intersection entre la caractéristique de l'entrée
Rc IC = f(vCE ) avec la droite de charge de sortie.
(Plusieurs point) le point convenable (VCE0, Ic0)
IB
VCE est déterminé par la fonction de transfert (IB0,
RB Ic0)
VB VBE II
I ** de la caractéristique de sortie On distingue
trois zones
De la maille (I) 𝑉𝐵 = 𝑅𝐵 𝐼𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + la zone où IB=0 ( VBE≤0) le transistor est
bloqué quelque soit VCE
de la maille (II) 𝑉𝐶𝐶 = 𝑅𝑐 𝐼𝑐 + 𝑉𝐶𝐸 et 𝐼𝑐 = 𝛽𝐼𝐵
+ la zone où (VCE ≤ VCEsat) Ic augmente avec
𝑉𝐶𝐶 𝑉𝐶𝐸 VCE linéairement, la zone de saturation ( zone
la droite de charge 𝐼𝑐 = 𝑅𝑐
++
𝑅𝑐
Ohmique=résistive)
Caractéristiques d’entrée, iB = f(vBE ) paramétrée
par v CE , c'est une caractéristique d’une diode en
+au delà de la tension VCEsat le courant IC reste
direct. La tension v BE est donc une tension de presque constant en fonction de la variation de
VCE, et IC=βIB, c'est la zone d'amplification.
seuil (≈0,7V) ;
**Caractéristiques de sortie, i C = f(v CE ) Critère de choix d'un transistor:
paramétrée par i B , pour différentes valeurs de Le transistor pourra fonctionner sans
i B , i C et v CE sont liés proportionnellement destruction à l'intérieur d'un domaine
dans la limite de la puissance maximale du d'utilisation bien déterminé.
composant (P max = VCE.Ic= cte, d’où Ce domaine sera limité par trois paramètres :
*le courant collecteur maximal 𝐼𝐶𝑀𝑎𝑥 . Le On distingue deux types de transistors à effet
dépassement n'est pas immédiatement de champ :
destructif, mais le gain en courant β va chuter - JFET canal N et JFET canal P
fortement, ce qui rend le transistor peu Rem. : La mobilité des trous étant plus faible
intéressant dans cette zone. que la mobilité des électrons, la résistance du
*la tension de claquage 𝑉𝐶𝐸𝑀𝐴𝑋 : au delà de canal est plus élevée et donc le courant IDSS est
cette tension, le courant de collecteur croît très moins important pour une valeur de VGSoff.
rapidement s'il n'est pas limité à l'extérieur du C’est pourquoi les canals P sont très peu
transistor. utilisés.

*la puissance maxi que peut supporter le


transistor, et qui va être représentée par une
hyperbole sur le graphique, car on a la
𝑃𝑇𝑀𝐴𝑋
relation : 𝑃𝑇𝑀𝐴𝑋 = 𝑉𝐶𝐸 𝐼𝐶 → 𝐼𝐶 = 𝑉𝐶𝐸

Source commune :
L’utilisation la plus commune étant le montage
en source commune, le TEC peut être
considéré comme un quadripôle dont les
grandeur d’entrée sont IG et VGS et les grandeur
de sorties sont ID et VDS.

Un transistor bipolaire est caractérisé par


𝐼𝐶𝑚𝑎𝑥 et 𝑉𝐶𝐸𝑚𝑎𝑥 et 𝑃𝑇𝑚𝑎𝑥
𝐼𝐶 < 𝐼𝐶𝑚𝑎𝑥 et 𝑉𝐶𝐸 < 𝑉𝐶𝐸𝑚𝑎𝑥 pour un transistor
en commutation
𝑃𝑇 = 𝑉𝐶𝐸 𝐼𝐶 < 𝑃𝑇𝑚𝑎𝑥 en cas d’amplificateur
On distingue les JFET avec un canal de type N,
et ceux avec un canal de type P. C’est un
Transistor à effet de champ à jonction composant actif comportant trois bornes : le
drain (D), la grille (G), la source (C).
C’est un composant actif comportant trois
Donc il se comporte comme une source de
bornes : le drain (D), la grille (G), la source
courant commandée en tension.
(C).
C’est une source de courant commandée en
tension. Caractéristique de transfert ID = f(VGS), avec
Il peut également servir d’interrupteur VGS < 0 et VP < 0 donnée par la relation
𝑉𝐺𝑆 2
commandé en tension (en commutation). suivante 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − 𝑉 )
𝐺𝑆𝑂𝐹𝐹
Le transistor à effet de champ à jonction peut Caractéristique de sortie ID = f(VDS)VGS <0,
aussi se comporter comme une résistance avec VDS > 0
variable RDS commandée en tension par VGS. Si VGS < VGSoff le canal drain source est
bloqué
Si VGSoff < VGS < 0, le canal drain source est Prenons Vcc = +/- 15 volts et Ao = 200 000Vs =
conducteur. Ao. e ; e =75 μV

VDS < V DSsat : JFET est équivalent à une résistance


→ Zone Ohmique

𝑅𝐷𝑆𝑂𝑁 𝑅𝐷𝑆𝑂𝑁 𝑉𝑃
𝑅𝐷𝑆 = = 𝑎𝑣𝑒𝑐 𝑅𝐷𝑆𝑂𝑁 =
𝑉 𝑉 2𝐼𝐷𝑆𝑆
1 − 𝐺𝑆 1 − 𝐺𝑆
𝑉𝐺𝑆𝑂𝐹𝐹 𝑉𝑃

VDS > V DSsat : JFET est équivalent à une source de Pour une réaction négative, le gain diminue
sensiblement, l’AOP peut être utilisé comme
tension commandée par tension (amplification) montage amplificateur inverseur, sommateur,
différentiateur, intégrateur ect…
Le gain, ici correspondant à une trans-
conductance, dépend du point de repos du FET Caractéristiques des AOP
: gm : transconductance (de 0,1 à 10 mA/V)
Bande passante : Les AOP compensés en
∆𝑰𝑫 𝑽𝑮𝑺 fréquence
𝒈𝒎 = = 𝒈𝒎𝟎 (𝟏 − ) 𝒂𝒗𝒆𝒄 𝒈𝒎𝟎
∆𝑽𝑮𝑺 𝑽𝒑 se
𝟐𝑰𝑫𝑺𝑺
= comportent
𝑽𝑷
comme des
filtres
par analogie au transistor bipolaire , Le
transistor pourra fonctionner sans destruction à passe-bas
l'intérieur d'un domaine d'utilisation bien déterminé. du premier ordre. Leur amplification maximale
Ce domaine sera limité par trois paramètres : est grande (104 à 105 typiquement) mais leur
bande passante à -3dB, faible (une dizaine de
*le courant drain maximal 𝐼𝐷𝑚𝑎𝑥 . (𝐼𝐷 < 𝐼𝐷𝑚𝑎𝑥 )
Hertz).
*la tension de claquage 𝑉𝐷𝑆𝑚𝑎𝑥 : au delà de cette Exemple : La bande passante d'un
tension, le courant de drain croît très rapidement s'il amplificateur, réalisé à partir d'un 081, évolue
n'est pas limité à l'extérieur du transistor.( 𝑉𝐷𝑆 < entre 300 kHz et 30kHz lorsque son coefficient
𝑉𝐷𝑆𝑚𝑎𝑥 )
d'amplification passe de 10 à 100.
*la puissance maximale que peut supporter le
transistor, et qui va être représentée par une Tension d’offset d’entrée
hyperbole sur le graphique, car on a la relation :
𝑃𝑇𝑚𝑎𝑥
𝑃𝑇𝑚𝑎𝑥 = 𝑉𝐷𝑆 𝐼𝐷 → 𝐼𝐷 = donc Tension d’offset ou de décalage d’entrée ed est
𝑉𝐷𝑆
la tension qui doit être appliquée à l’entrée
(PT<PTmax)
pour annuler la tension de sortie. La
compensation en boucle fermé est possible
Deux domaines d’utilisation du transistor JFET
pour des certains type d’AOP (μA741,
commutation et amplification
LF353…)
Amplificateur opérationnel (AOP)
ed
Un OAP est un amplificateur différentiel 0V
-
disponible sous forme de circuit intégré
+
Montage comparateur
Caractéristique de transfert Vs = f (e) Avec
𝑉𝑠 = 𝐴𝑜 𝑒 = 𝐴𝑜 . (𝑉𝑒 + − 𝑉𝑒 − ) =
+ −
{+𝑉𝑐𝑐 𝑠𝑖 𝑉𝑒 + > 𝑉𝑒 −
−𝑉𝑐𝑐 𝑠𝑖 𝑉𝑒 < 𝑉𝑒
slew rate : est un paramètre qui exprime la
vitesse de croissance de tension de sortie pour
un amplificateur opérationnel.

Cas d’un signal sinusoïdal :


dV
le Slew rate est donné par :Sr = s si le signal
dt
de sortie est sinusoïdal Vs = Vmax sin(ωt)
dV
alors Sr = dts = ωVmax cos(ωt) donc Sr est
maximal si Sr = ωVmax = 2πfVsat
Donc la fréquence limite de fonctionnement
pour un amplificateur opérationnel est f =
Sr
2πVsat
Cas d’un échelon

Si l'on applique à l'entrée d'un AOP un échelon


de tension, la tension de sortie diffère de la
tension d'entrée par son temps de montée. La
pente du signal de sortie dvs/dt s'appelle le
"Slew Rate" (SR) de l'AOP.