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Cours Electronique de puissance 2017/2018

Licence Commande Automatique : S5

Cours Electronique de Puissance


Ce cours est à usage strictement didactique

Bibliographie :

Les convertisseurs de l’Electronique de Puissance, Guy SEGUIER,

Les quatre volumes

Enseignant : Kifouche Rezki

Département Automatisation et Electrification

FHC, UMBB

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Cours Electronique de puissance 2017/2018

I. Les composants d’Electronique de puissance


I.1 La Diode :

I.1.1 Présentation :

Les diodes sont réalisées par la juxtaposition de deux types de semi-conducteurs sur la
structure d'un cristal de silicium extrêmement pur (figure 2.1). En injectant d'un côté du cristal
des atomes accepteurs d'électrons et de l'autre des atomes donneurs d'électrons, on réalise une
jonction semi-conductrice possédant d'une part des porteurs de charge positifs (semi-
conducteur de type p) et d'autre part des porteurs de charge négatifs (semi-conducteur de type
n).

Fig.I.1 La jonction semi-conductrice

A l’équilibre, on peut modéliser ce phénomène par une source de tension dite de seuil. Dans
la pratique, sa valeur est de l’ordre de 0,7V pour des semi-conducteurs basés sur le silicium.
Pour d’autres éléments ou d’autres technologies cette valeur oscille entre 0,4 et 2V environ. Si
la jonction est polarisée de manière à renforcer la barrière de potentiel, la non conduction de
l’ensemble est accentuée. Dans l’autre sens, la barrière est écrasée au delà de 0,7V et la
conduction devient possible.

I.1.2 Le symbole de la Diode :

Le symbole de la diode est comme représenté sur la figure suivante :

Anode (A) Cathode (K)

ID

UD
Fig.I.2 Le symbole de Diode 2
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I.1.3 Fonctionnement de la Diode :

La diode est donc un élément semi-conducteur qui laisse facilement circuler le courant dans
un sens (polarisation directe) et le bloque complètement ou presque en polarisation inverse.

I.1.4 Caractéristique d'une diode :

La diode en polarisation inverse ne laisse circuler qu'un très faible courant que l'on admet nul.
Si la tension négative devient trop grande, le champ électrique devient si fort qu'il peut
arracher des électrons du cristal semi-conducteur et causer par effet d'avalanche le claquage
de la jonction et sa destruction. Les tensions de claquage des diodes redresseuses s'élèvent à
plusieurs centaines de volts.
En polarisation directe, le courant croît exponentiellement avec la tension.

R + Vd -
La figure, ci-contre fig.I.3, illustre la polarisation
directe de la diode. Pour la polarisation inverse,
+ il suffit d'inverser la tension appliquée.
-

Fig.I.3 La polarisation directe de la diode

La figure ci-dessous, représente la caractéristique réelle de la diode.

Id

Polarisation inverse
Polarisation direct
La diode ne conduit pas
La diode conduit

Vd
Courant inverse
Tension inverse
presque nul Tension de seuil
de claquage
Vj ≈ 0,7 V

Fig.I.4 Caractéristiques de la Diode

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La diode est un composant non linéaire qui donne une tension faible si la barrière de potentiel
n’est pas dépassée mais qui augmente très fortement dès qu’on la dépasse.

 La tension de seuil : C’est la tension Vj à partir de laquelle le courant augmente


brusquement. Elle correspond à la barrière de potentiel. Elle vaut plus ou mois 0.7 V
pour une diode en silicium.
 Résistance de la diode : Au-delà de la tension de seuil, Vj, le courant est limité par la
résistance des régions p et n. Cette résistance est dite aussi la résistance série :

𝑅𝑠é𝑟𝑖𝑒 = 𝑟𝑑 = 𝑅𝑛 + 𝑅𝑝

Sa valeur dépend de la taille et du dopage des différentes régions.

 Le courant continu direct maximal : La diode peut être détruite au delà d’un certain
courant trop important. C’est pourquoi les constructeurs indiquent une limite de bon
fonctionnement de la diode sans altération.
 Le claquage : La tension de claquage d’une diode est la tension maximale inverse
qu’on peut lui appliquer. Si la tension de claquage est atteinte, un grand nombre de
porteurs prioritaires apparaissent dans la zone désertée et la diode conduit fortement.
C’est un phénomène en avalanche.
La tension de claquage d’une diode dépend de son dopage.

I.1.5 Les modèles de la diode :

a. La première approximation : La Diode idéale :

La diode idéale est considérée comme un interrupteur.

 Si Vd >0 => la diode conduit


Donc, la diode se ramène à un interrupteur fermé

 Si Vd<0 => la diode ne conduit pas.


Donc, la diode se ramène à un interrupteur ouvert
Id

En polarisation inverse

En polarisation directe Vd

Fig.I.5 Modèle et caractéristiques d’une diode idéale

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b. La deuxième approximation : Diode avec seuil :

On a pas de courant pour les tensions inférieures à la tension de seuil, Vj, A cette valeur, la
diode conduit et la tension reste constante quelle que soit le courant qui la traverse.

Id

En polarisation inverse

En polarisation directe
Vj
Vd

Fig.I.6 Modèle et caractéristiques d’une diode avec seuil

c. La troisième approximation : Diode avec seuil et résistance :

Au-delà de la tension de seuil Vj, la diode conduit et sa résistance interne "rd", en série,
provoque une chute de tension Vd variable à ses bornes. Avec :

𝑉𝑑 = 𝑉𝑗 + 𝑟𝑑. 𝐼𝑑

Rd
Id

En polarisation inverse
Rd

En polarisation directe
Vj
Vd

Fig.I.7 Modèle et caractéristiques d’une diode avec seuil et resistance

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I.2 Le Thyristor (SCR) :

I.2.1 Présentation du Thyristor SCR :

Le thyristor SCR, (Silicon Controlled Rectifier) est un composant qui permet de commander des
puissances relativement importantes avec peu de pertes car ils ne fonctionnent qu’en
commutation. Ce sont plus spécifiquement des composants de l’électronique de puissance,
mais on les trouve aussi en électronique de faible puissance pour quelques applications
spécifiques.

Le thyristor est apparu en 1957. Le mot a été formé à partir de thyratron (triode à gaz qui
jouait autrefois un rôle analogue) et de transistor. C’est un redresseur commandé au silicium
comme l’indique son appellation anglo-saxonne SCR (Silicon controlled rectifier).

I.2.2 Constitution

Anode (A) Cathode (k)

Gâchette (G)

Fig.1.8 Constitution de principe d’un thyristor

Le thyristor est formé d’un matériau semi-conducteur sur lequel on a créé trois jonctions : il y
a ainsi deux zones N et deux zones P (comme pour la figure ci-dessus). Trois bornes sont
accessibles : l’anode (A), la cathode (K) et la gâchette (G).

I.2.3 Symbole du Thyristor :

On représente le thyristor par son symbole normalisé (figure 1.9)

Fig.1.9 Symbole d’une diode

I.2.4 Principe de fonctionnement du Thyristor :

Le thyristor se comporte comme une diode dont on commande la mise en conduction. Le


symbole du thyristor ressemble d’ailleurs beaucoup à celui d’une diode. On y retrouve
l’anode (A) et la cathode (K), mais une troisième borne apparaît, la gâchette (G). C’est elle
qui permet la commande du composant.

Le blocage se fait comme celui d’une diode, il n’est pas commandé par la gâchette.

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I.2.5 Fonctionnement d’un thyristor


I.2.5.1 Etats bloqué du thyristor
L’une au moins des jonctions PN du thyristor est bloquée :
Sous tension inverse : la tension anode cathode notée VAK est négative : la jonction anode JA
et la jonction cathode JK sont polarisées en inverse et donc bloquées le courant de fuite a une
intensité très faible en raison des différences de dopage entre les couches. C’est la jonction
d’anode qui supporte la plus grande partie de la tension inverse.

Sous tension directe : la tension Anode-Cathode est positive VAK > 0 donc
 le courant de gâchette est nul ou très faible
 le thyristor n’est pas amorcé au préalable
La jonction JK est polarisée en inverse et bloquée

I.2.5.2 Amorçage du thyristor :


a. Caractéristiques directes d’un thyristor (SCR) :
L’amorçage d’un thyristor est obtenu par différents phénomènes physiques, dans tous les cas
l’amorçage rend le thyristor conducteur de l’anode vers la cathode (IAK > 0). La tension VAK
est alors faible de l’ordre de quelques dixièmes de volts.
La caractéristique de conduction est représentée en trait épais sur la figure ci-dessous, I est
l’intensité du courant positive entre A et K, IM est la valeur minimale de I qui maintien l’état
de conduction du thyristor d’où le nom de ‘courant de maintien’ ou ‘hypostatique’ qui est
donné par le constructeur.
IL est la valeur minimale de l’intensité I qui assure l’avalanche de la jonction, IL est appelé
courant d’accrochage (IL > IM avec pour ordre de grandeur 10ˉ³xIn, avec In comme courant
nominal du thyristor).

I (A)

R1 + Vd -

R2
+ IL
- IM

VB0 VAK (volt)


Fig.I.10-a Thyristor avec son circuit d’allumage à
bouton poussoir
Fig.I.10-b Caractéristiques directes d’un thyristor

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b. Les différents modes d’amorçages d’un thyristor (SCR) :

 Dans un amorçage par tension : le courant de gâchette a une intensité Ig nulle. Si la


tension VAK dépasse une certaine valeur VBO toujours élevée il y a amorçage et
conduction du thyristor.
 Amorçage par élévation de température se produit à Ig=0 pour une valeur élevée de
VAK, mais inférieure à VBO c’est une brusque élévation de température qui risque de
provoquer l’amorçage.
 L’amorçage par une variation rapide de la tension : Soit dVAK/dt élevée à l’intensité
Ig=0. L’ordre de grandeur de dVAK/dt est alors de 100 à 300V/μs. Une croissance très
rapide de la tension VAK, soit dVAK/dt positif amorce le thyristor. Ceci s’explique par
le fait que la jonction de commande à l’état bloqué se comporte comme un
condensateur, d’où la naissance du courant d’intensité I=C dVAK/dt. L’intensité I
devient supérieure à IL ce qui provoque l’amorçage.
 L’amorçage par courant de gâchette : En appliquant un courant adéquat entrant dans la
gâchette, le thyristor devient passant, seulement, il faut que le thyristor soit polarisé en
direct comme une diode. Une fois le thyristor amorcé, il est inutile de maintenir la
présence du courant de gâchette. C’est la raison pour laquelle, la plupart du temps, la
commande se fait par une impulsion de courant. Cette dernière doit néanmoins
respecter certaines conditions : minimum de hauteur, minimum de durée.

I.2.5.2 Blocage d’un Thyristor (SCR) :

Pour qu’un thyristor se bloque, il faut que l’intensité du courant d’anode iA devienne
inférieure à une intensité minimale appelée intensité de maintien ou hypostatique notée IH
(Holding current) pendant un temps minimum. Deux solutions sont possibles :

 Soit par extinction naturelle, c’est-à-dire par passage à zéro du courant d’anode (cas
des courants alternatifs),
 Soit par extinction forcée, c’est-à-dire par application d’une tension inverse (UAK < 0)
qui entraîne l’annulation du courant d’anode IA.

L’extinction naturelle est peu perturbatrice à l’ouverture du circuit.

R3 +
R1 + Vd - - C Bt_o

R1 + Vd -
G
R2
G
Vs R2
Bt_f
+ Bt_f
-

Fig.I.11-a Thyristor avec extinction naturelle Fig.I.11-b Thyristor avec un circuit d’allumage
(bt_f) et d’extinction (Bt_o)
(Cas d’une tension d’alimentation alternative)

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I.2.6 Caractéristiques Courant/tension du thyristor :

La figure ci-dessous résume l’ensemble des caractéristiques d’un thyristor, on retrouve la


tension directe de claquage UB0. Celle-ci, même avec l’absence de courant de gâchette
provoque le claquage du thyristor. On retrouve, aussi la tension d’avalanche inverse UBR,
celle-ci, provoque la destruction du composant.

Fig.I.12 Caractéristiques Courant/tension du thyristor

I.2.7 Grandeurs caractéristiques des thyristors :

Les principaux critères de choix d’un thyristor sont tout d’abord ses limites absolues,
principalement la tension maximale à l’état bloqué et le courant maximal à l’état passant. Le
courant de gâchette minimal pour assurer l’amorçage à coup sûr est aussi à considérer.

Les thyristors sont, donc, caractérisés par certaines grandeurs qui déterminent leur
d'utilisation, les plus importantes sont :

I1: Courant efficace maximum pendant la conduction;


Icr : Courant de crête admissible pendant un cycle seulement;
E2 : tension inverse de crête;
EP : Tension inverse de crête sur la gâchette;
EG : Tension positive sur la gâchette pour amorcer la conduction;
IG : Courant de gâchette correspondant à la tension EG;
IM : Courant de maintien (Hypostatique)
IL : Courant d’accrochage
TJ : Température maximale de la jonction (à l'intérieur même du thyristor);

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I.3 Le Thyristor (GTO) :

Le thyristor GTO (Gate Turn Off), ou tout simplement le GTO, est un SCR blocable. Il constitue,
donc, une amélioration du thyristor classique. Le GTO a la propriété de pouvoir être bloqué à
l'aide d’un courant de gâchette, contrairement aux thyristors classiques. Il est, alors, un
interrupteur électronique unidirectionnel à ouverture et fermeture commandées.

I.3.1 Le symbole du Thyristor GTO :

On représente le thyristor GTO par son symbole normalisé (figure 1.9), on constate qu’au
niveau de la gâchette, on a une possibilité de faire passer un courant dans les deux sens.

Fig.1.13 Symbole d’une GTO

I.3.2 Principe de fonctionnement :

I.3.2.1 L’état passant (ON) :

Le thyristor GTO s'amorce par un courant de gâchette, avec une tension de gâchette positive,
(VgK>0) comme un thyristor SCR ordinaire, s’il est polarisé positivement. Le courant de
gâchette peut être de quelques ampères. Une fois la conduction amorcée, elle se maintient.

I.3.2.1 L’état bloqué (OFF) :

Le thyristor GTO reste bloqué s’il est polarisé en inverse, qu’il y ait ou pas de courant de
gâchette.

Comme le GTO est caractérisé, aussi par sa fermeture qui est commandée, donc, son mode de
blocage spécifique consiste à détourner la quasi totalité du courant d'anode dans la gâchette.
En pratique, on applique donc une tension négative sur la gâchette (Vgk<0) pour injecter un
courant négatif dans la gâchette, autrement dit, c’est une façon de détourner le courant Anode
Cathode. Le temps d’application de la tension négative doit avoir une durée minimale pour
assurer un blocage fiable.

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I.4 Le Triac :

Le triac (TRIode Alternative Current semiconductor) est un interrupteur électronique


bidirectionnel à fermeture commandée, le courant passe dans les deux sens. Quand à sa
fermeture elle est naturelle. Il est équivalent à deux thyristors montés tète-bèche commandés
par une même gâchette. Le TRIAC est plus particulièrement conçu pour fonctionner sur un
réseau alternatif.

I.4.1 Le symbole du Triac :

On représente le triac par son symbole normalisé


(fig.1.14). Les deux triangles représentent les
deux thyristors qui constituent le triac, ce qui
signifie aussi que le courant peut passer dans les
deux sens. Les deux thyristors partagent une
même gâchette.

Fig.1.14 Symbole d’un Triac

I.4.2 Constitution d’un Triac :

Un TRIAC peut être représenté de façon simplifiée


par un schéma électrique équivalent composé de
deux Thyristors S.C.R. connectés tête-bêche, l’un
avec une gâchette de cathode et l’autre avec une
gâchette d’anode. En réalité, les TRIAC possèdent
une structure un peu plus complexe qui améliore
leurs performances

Fig.1.15 Constitution d’un Triac

I.4.3 Caractéristique tension/courant d’un Triac :

Le triac étant constitué deux thyristors montés en tête-bêche, ces caractéristiques sont donc
liées à celles des thyristors.

Le montage en tête-bêche permet d’avoir à chaque fois un des thyristors polarisé


positivement, pour chaque alternance de la tension alternative. Ce qui permet de reproduire la
caractéristiques du thyristor SCR polarité en direct pour les deux alternances, positive et
négative, de la tension UA1A2.

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Fig.I.16 Caractéristiques Courant/tension du triac

I.4.3.1 Polarisation directe (UA2A1>0 et IA>0). La caractéristique du TRIAC est semblable à


celle d’un S.C.R. (S.C.R.2 du schéma simplifié) polarisé en direct.

I.4.3.2 Polarisation inverse (uA2A1 < 0 et iA < 0). La caractéristique du TRIAC est
semblable à celle d’un S.C.R. (S.C.R.1 du schéma simplifié) polarisé en direct.

I.4.4 Amorçage d’un TRIAC

Pour qu’un TRIAC s’amorce, il faut à la fois :

 Que le courant de gâchette IG soit supérieur en valeur absolue au courant de gâchette


d’amorçage, noté IGT (Gate Trigger Current),
 que le courant d’anode IA atteigne en valeur absolue une intensité minimale appelée
courant d’accrochage notée IL (Latching current) avant la disparition du courant de
gâchette,
 Que la tension UA2A1 soit positive ou négative.

I.4.5 Blocage d’un TRIAC

Conçu pour fonctionner en courant alternatif, le blocage d’un TRIAC s’effectue par
suppression du courant des anodes (extinction naturelle). Précisément, pour qu’un TRIAC se
bloque, il faut que l’intensité du courant iA devienne inférieure en valeur absolue à une
intensité minimale appelée intensité de maintien ou hypostatique notée IH (Holding current).

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I.5 Transistors bipolaires

On retrouve deux types de transistors bipolaires de puissance, les transistors NPN et les
transistors PNP. Le transistor est un composant commandé à l’ouverture et à la fermeture. Il
n’est pas réversible en courant, ne laissant passer que des courants de collecteur Ic positifs. Il
n’est pas réversible en tension.

I.5.1 Le symbole du transistor :

Il existe deux types de transistors bipolaires : le NPN et le PNP. On adopte les sens positifs
des courants et des tensions indiqués (Fig.1.17). La flèche figurant sur l’émetteur (E) indique
le sens passant des jonctions base-émetteur (BE). En conduction directe, les courants sont
positifs pour le NPN et négatifs pour le PNP.

Fig.1.17-a symbole d’un transistor NPN Fig.1.17-b symbole d’un transistor PNP

I.5.2 Constitution des transistors :

Le transistor bipolaire est un composant à semi-conducteur constitué de trois zones, dopées


positivement (P) ou négativement (N), disposées dans l’ordre soit : N, P et N, ou P, N et P.

 NPN
C P N P E

B
 PNP
C N P N E

B
Fig.1.18 Constitution des transistors (NPN et PNP)

La zone du milieu, mince, constitue la base. Les deux extrémités, aux géométries et aux
dopages différents, constituent l’émetteur et le collecteur. Les trois zones ainsi dopées
forment deux jonctions : la jonction base-émetteur (BE) dite jonction de commande, et la
jonction base-collecteur (BC).

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I.5.3 Principe de fonctionnement des transistors :

Transistor bloqué : On obtient l’état bloqué du transistor en annulant le courant IB dit signal
de commande, ce qui induit un courant de collecteur nul et une tension VCE égale à celle de la
source. L’équivalent d’un commutateur ouvert.

Transistor saturé : Dans ce cas, le courant IB est tel que le transistor impose une tension VCE
nulle tandis que le courant IC atteint une valeur limite dite de saturation, ICsat. L’équivalent
d’un commutateur fermé.

I.5.4 Caractéristiques électriques du transistor NPN

I.5.4.1 Montage émetteur - commun

Ce montage nécessite deux


sources de tension :
RC
 EB : pour polariser la
jonction base-émetteur IC
 EC : Pour polariser la RB EC
jonction Collecteur- IB VCE
Emetteur
EB
IE

Fig.1.19 Montage transistor NPN émetteur commun

I.5.4.2 Tension et courants :

Le transistor possédant trois bornes, il faut définir trois courants et trois tensions : En
fonctionnement normal, le courant entre dans le transistor NPN par la base et le collecteur et
sort par l’émetteur.

Avec la convention de signe choisie ci-dessus, les courants sont donc positifs. La tension vCE
est normalement positive.

I.5.4.2.1 Relation entre courants :

Selon la loi des nœuds : IE = IB +IC

Le transistor est conçu pour être commandé par la jonction B-E :

• si le courant de base est nul, la jonction B-E est bloquée et on dit que le transistor
est bloqué.

• S'il y a un courant de base (dans le sens direct : IB > 0), le transistor est dit passant.

Le courant de base est donc un courant de commande.

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I.5.4.2.2 Transistor bloqué

La jonction B-E est bloquée : IC=0


• IB= 0 et VBE < VJ (avec VJ ≈ 0,6 à 0,8 V)
IB=0
• Le transistor est bloqué et tous les courants
sont nuls : IB = IC = IE = 0 (en négligeant les
VBE<0,6V
courants de fuite) IE=0
I.5.4.2.3 Transistor passant

La jonction B-E est passante dans le sens direct :


IC>0
• IB > 0 et VBE= VJ (avec VJ ≈ 0,6 V à 0,8 V)

Le transistor est passant et il y a un courant de collecteur IB>0


IC et un courant d’émetteur IE :
VBE=0,6V
• IC > 0 et IE > 0. IE>0

Il existe alors deux régimes de fonctionnement.

a- Fonctionnement en régime linéaire

Le courant de collecteur est proportionnel au courant de base :

IC = β IB

β est le coefficient d’amplification en courant (de quelques dizaines à quelques centaines).

• β >>1 donc IC >> IB IC=β.iB


D’autre part :
IB>0
VCE>VCEsat
• IE = IB + IC

• IE ≈ IC (car IB ≈ 0) VBE=0,6V
IE=(β+1).iB

b- Fonctionnement en régime de saturation :

Au dessus d’une certaine valeur du courant de base (IB sat), le courant de collecteur ‘’sature’’:

• IB > IB sat : IC = IC sat


𝐼𝑐 𝑠𝑎𝑡
• 𝐼𝑏 𝑠𝑎𝑡 =
𝛽

• La tension VCE est alors très proche de zéro :VCE sat ≈ 0,2 V.

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iC

R Saturation
iCsat
C

Régime
linéaire
IC
R EC
IB VCE
B

EB
IE

iBsat iB
Fig.1.20 Caractéristiques d’un transistor NPN (régime linéaire et Saturation)

I.5.5 Le transistor PNP :

Pour l’étude du transistor NPN, on suit la même logique. L’unique différence réside dans le
fait que le sens des courants et le signe des tensions sont inversés :

RC
IC

IB IC
VCE RB EC
IB
VBE=0,6V VCE
IE VBE=0,6V
EB
IE

Fig.1.21 Polarisation d’un transistor PNP

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I.6 Transistor MOS

La structure Métal-Oxide-Semi-conducteur, que l’on nome plus communément MOS est basé
sur la commande par une polarisation sur une électrode isolée. Et il constitue une variante de
transistor.

I.6.1 Symbole du transistor MOS :

S : Source, D : Drain, G : Grille (Gate), B : Substrat (Bulk). La flèche figurant sur le substrat
(B) des symboles IEEE indique le sens passant des jonctions substrat-source (BS) et
substratdrain (BD). Ces jonctions doivent être bloquées. Les symboles simplifiés ne
visualisant pas les substrats, on suppose que les jonctions BS et BD sont bloquées.

Fig.1.22 Symbole de transistors MOS

Les MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) ou TECMOS (transistor à
effet de champ Métal-Oxyde-Semi-conducteur) doivent leur nom à leur structure en sandwich
: un semi-conducteur, une couche d’oxyde (SiO2), une métallisation (aluminium, silicium
polycristallin) constituant la grille.

I.6.2 Principe de fonctionnement des transistors MOS :

Le transistor MOS est un composant totalement commandé : à la fermeture et à l’ouverture. Il


est rendu passant grâce à une tension VGS positive (de l’ordre de quelques volts). La grille est
isolée du reste du transistor, ce qui procure une impédance grille-source très élevée. La grille
n’absorbe donc aucun courant en régime permanent. La jonction drain-source est alors
assimilable à une résistance très faible (interrupteur fermée). On le bloque en annulant la
tension VGS.

 Transistor bloqué : L’absence de tension dans la grille fait que le courant dans le
drain devient nul, donc le MOS est l’équivalent d’un commutateur ouvert.

VGS=0 => ID=0

 Transistor saturé : Avec l’application du tension suffisante dans la grille, fera que le
courant dans le drain prend la valeur de saturation, la valeur max. de suite le transistor
MOS devient l’équivalent d’un commutateur fermé.

VGS >0 => ID >0

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I.7 Transistor IGBT :

L’IGBT est une autre variante, encore, du Transistor bipolaire. L’I.G.B.T. (Insulated Gate Bipolar
Transistor) en français : Transistor bipolaire à grille isolée est le mariage du bipolaire et du MOS.
Le transistor bipolaire assure une chute de tension à l’état passant (VCE) plus favorable que le
MOS. Par contre, c’est le MOS qui est plus avantageux en raison de sa commande en tension. Un
transistor hybride, commande MOS en tension et circuit de puissance bipolaire, permet de
meilleures performances.

I.7.1 Symbole de l’IGBT :

L’IGBT est constitué d’une Grille (Gate) ‘G’, d’un


Collecteur (Collector) ‘C’ et d’un Émetteur (Emitter)
‘E’.

Fig.1.23 Symbole de L’IGBT

I.7.2 Constitution de l’IGBT :

L’I.G.B.T. est une composition d’un transistor


bipolaire et d’un MOSFET.

I.7.3 Principe de fonctionnement des IGBT :

Si la tension UGE est supérieure à la tension de seuil du NMOS, le NMOS conduit, entraînant
la conduction du PNP par extraction de son courant de base. Si le NMOS est suffisamment
conducteur, le PNP se sature. Au contraire, si la tension UGE est inférieure à la tension de seuil
du NMOS, le NMOS est bloqué, entraînant le blocage du PNP. Le tout se comporte comme
un transistor NPN commandé par une tension (le courant de commande est quasi nul en
dehors des commutations).

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I.8 Tableau comparatif entre les composants :

Composant Commandabilité La tension de la Réversibilité en


source courant

Diode Non commandable Alternative Non réversible

Thyristor Commande à la Alternative Non réversible


fermeture par
impulsion positive

Thyristor GTO Commande à la : Alternative Non réversible


- fermeture par ou continu
impulsion positive
- l’ouverture par
impulsion négative

Triac Commande à la Alternative Réversible


fermeture par
impulsion positive
ou négative

Transistor bipolaire Commande à la : Continu Non réversible


- fermeture par
un courant positive
- l’ouverture par
annulation du
courant

Transistor MOS Commande à la : Continu Non réversible


- fermeture par une
tension positive
- l’ouverture par
annulation de tension

Transistor IGBT Commande à la : Continu Non réversible


- fermeture par une
tension positive
- l’ouverture par
annulation de tension

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