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LEEA 3ème A, C. TELLIER, F. CHOLLET 14.09.

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Chapitre 1 : Les semi-conducteurs


1. Introduction: conducteurs et semi-conducteurs
1.1 Les conducteurs:
~ conductivité qui décroît avec la température T (augmentation des collisions)
~ densité élevée de porteurs libres (de charge), exemple: métaux du groupe I

1.2 Les semi-conducteurs intrinsèques (parfaits):


~ isolants à 0 K et faiblement conducteurs à 300 K ⇒ Si, Ge éléments du groupe IV
~ conductivité qui augmente avec la température T (augmentation du nombre de
(tétravalent – 4 liens covalent)
porteurs
• libres)
⇒ cristal cubique face centrée
Création d'un trou Electron libre 2 réseaux cfc décalés de ¼ de maille

2. Introduction: structure de bande des semi-conducteurs intrinsèques


2.1 Le modèle de bande
W : énergie des électrons
W : énergie des électrons

Niveaux d'énergie pour un


seul atome Æ niveaux
discrets
Apparition de bande d’énergie avec une certaine
N atomes : couplage entre densité d’état autorisé (les niveaux sont tellement
niveaux d’énergie proches que l’on considère les bandes comme
Ædédoublement des continues)
niveaux autorisés en N La largeur de la bande interdite (densité d’état
sous niveau nulle) WG est appelée ‘Gap’
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2.2 Les phénomènes de génération-recombinaison


Création (génération) et destruction (recombinaison)
de paire électron/trou lors du passage d’un électron de
la BV à la BC ou réciproquement.
L’électron peut passer dans la bande de conduction si
son énergie augmente, par exemple par agitation
thermique ou par absorption de photon.
- A une température T, l’énergie thermique moyenne
est donnée par 3/2kBT avec kB=1.38 10-23 J/K
A 0K (-273.15°C) : kBT= 0 J, A 300K (27°C) : kBT=
4.14 10-21 J = 0.026 eV
- Energie E=hν=hc/λ d’un photon de longueur d’onde
λ : E(en eV) ~ 1,24/λ(en µm). On doit avoir E > WG

3. Semi-conducteurs extrinsèques et semi-conducteurs composés


3.1 Principe du dopage Manque un électron :
• création d'un trou dans la BV

1 atome du groupe V Æ 1 atome du groupe III Æ


1 électron de plus dans la BC 1 trou de plus dans la BV

Atomes du groupe V : As, Bi, P Atomes du groupe III : B, Al, In


sont des atomes donneurs sont des atomes accepteurs
↓ ↓
ND donneurs à T= 300K Æ NA accepteurs à T= 300K Æ
ND électrons dans la BC NA trous dans la BV

3.2 Les semi-conducteurs composés

Principe: à 300 K la couche électronique externe est saturée (8


électrons) : composés III-V (AsGa, lnSb, …) et composés II-VI
(CdS, ZnS, CdSe, ZnSe, ....)

Un bon composé pour l’électronique rapide aura :


- une mobilité importante pour obtenir des dispositifs rapides
- un bande interdite suffisamment grande pour que la concentration
intrinsèque de porteur à température ambiante ne soit pas trop forte
et que le dopage puisse créer des matériaux n et p (un trop fort
dopage fait baisser la mobilité)

Les composés n’ayant pas ces propriétés sont intéressants pour


l‘optoélectroniques pour obtenir des détecteurs ou des sources à
différentes longueur d’onde (semiconducteur direct). On crée alors
des alliages ternaires (GaAsP) ou quaternaires (InGaAsP) pour
changer continument WG.
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Propriétés du Silicium, du Germanium et de l'Arséniure de Gallium:

Paramètre Ge Si GaAs
Largeur de la BI (gap) WG (eV) 0,66 1,12 1,42
Densité intrinsèque ni (cm-3) 2,4 1013 1,45 1010 1,79 106
Densité d’états utiles dans la BC pour les
1 1019 2,7 1019 0,04 1019
électrons NC (cm-3)
Densité d’états utiles dans la BV pour les
0,5 1019 1,1 1019 1,3 1019
trous PV (cm-3)
résistivité intrinsèque ρi =l/σi (Ω cm) 47 65 103 38 107
Mobilité électron µn (cm2/Vs) 3900 1500 8500
Mobilité trou µp (cm2/Vs) 1900 450 400
Constante diélectrique relative εr 16 11,9 13,1

4. Densités n d'électrons, p de trous et position du niveau de Fermi


4.1 Densité d'états d'énergie disponibles pour les électrons et les trous, Fonction de
Fermi

Densité d’électron dans une bande d’énergie dW (W : énergie des électrons).
dn = Z(W) F(W) dW
Z(W) : densité d'états disponibles sur niveau W de la BC
F(W) : probabilité d’occupation des états disponibles
Même type d'équations pour les trous de la BV
La fonction de Fermi-Dirac F(W)
Les électrons sont de fermions et donc la probabilité pour un
électron d'occuper un niveau W est donnée par:
1
F (W ) = (eq. 1)
1 + exp({W − W F } / k Β T )
• Electron dans la BC quand WV<WF<WC (= semicon non dégénéré):
(quand W-WF >> kB T) F(W) ≈ exp(-{W-WF}/kBT)]
• Trous dans la BV quand WV<WF<WC :
(quand W-WF >> kB T) F*(W)=1-F(W) ≈ exp({W-WF}/kBT)

4.2 Densité de porteurs (trous et électrons)


~ pour un semi-conducteur intrinsèque on a n = ni = pi = p
~ pour un semi-conducteur extrinsèque la loi d'action de masse
· (eq. 2)
reste valable mais les porteurs différents de ceux apportés par le
dopant sont très minoritaires (p<<n ou n<<p)
~ à l’équilibre thermodynamique (pas de courant), le matériau est
électriquement neutre : n+ni+ND = p + pi + NA

Paire électrons/trous
Atome accepteur ionisé
Atome donneur ionisé
Trou
Semiconducteur intrinsèque Semiconducteur extrinsèque
(non dopé) (dopé p et n) Electron
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4.3 Position du niveau de Fermi (voir TD 1)
Pour tout semi-conducteur non dégénéré à l’équilibre on montre que:
n = NC exp(-{WC - WF}/ kBT) et p = PV exp({WV - WF} / kBT ) (eq. 3)
avec NC la densité d’états utiles pour les électrons dans la bande de conduction et PV la densité d’états utiles
des trous dans la bande de valence

Îon montre alors que :


~ pour un semi-conducteur intrinsèque: WFi = (WC+WV)/2 (WFi est au centre de la B.I.)
~ pour un semi-conducteur extrinsèque type N: WFn = Wc - kBT ln(NC / ND)
~ pour un semi-conducteur extrinsèque type P : WFp = WV + kBT ln(PV / NA)

Intrinsèque

5. Transport dans les semi-conducteurs


Dans un semi-conducteur l’accroissement des charges libres peut avoir trois origines : le phénomène de
génération-recombinaison (négligé), l’arrivée de charge due à un champ électrique ou à la diffusion.

5.1 Effet d’un champ électrique et courant de dérive


exemple: courant des électrons dans la BC
Expression de la densité de courant de dérive Jd
~ un électron contribue de -e.vd à la densité de courant
~ densité de courant : vecteur
- norme = |charge| traversant l'unité de surface pendant l'unité de temps
- sens : pour les électrons voir figure

~ densité de courant de dérive pour les électrons Jdn :


Jdn = -e.n.vdn or la vitesse de dérive des électrons dans un champ électrique est proportionnelle à celui-ci
(vdn = -µnE) soit Jdn = e.n.μn.E

~ on montre de même que la densité de courant de dérive dû aux trous Jdp s'écrit:
Jdp = +e.p.vdp soit Jdp = e.p.μp.E

~ densité totale de courant de dérive :


Jd = (e.n.μn + e.p.μp) E (eq. 4)

5.2 Conductivité
On a donc Jd =σ E, avec σ la conductivité du semi-conducteur donnée par :
σ = e.n.μn + e.p.μp (eq.5)
semi-conducteur intrinsèque: n = p = ni et conductivité intrinsèque σi = e.ni.(μn+μp)
semi-conducteur dopé n+ : p << pi et n ≈ ND donc σn = e.ND.µn
semi-conducteur dopé p+ : n<<ni et p ≈ NA donc σp = e.NA.µp

On remarque que la loi donnant la conductivité est en fait l’équivalent microscopique de la loi d’Ohm, U=RI,
il suffit d’intégrer la loi Jd =σ E sur un barreau homogène de longueur l et de section A.
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5.3 Effet d'un gradient de concentration et courant de diffusion
exemple: courant dû aux électrons de la BC

Eclairement

Energie hv

Origine du courant de diffusion

Dans un gradient de concentration le mouvement des porteurs s'effectue des régions à haute concentration
vers les régions à basse concentration

Expression de la densité de courant de diffusion


Æ Le flux d'électrons traversant la surface en x=L est
φn= - Dn.[dn/dx] où Dn est la constante de diffusion (prend des valeurs positives)
donc la densité de courant de diffusion s'écrit: Jdif,n = e.Dn.[dn/dx] .ex où ex est le vecteur unitaire porté par l'axe x.
Æ Le flux de trous traversant la surface en x=L est
φp = - Dp.[dp/dx]
donc la densité de courant de diffusion s'écrit: Jdif,p = -e.Dp.[dp/dx] .ex où ex est le vecteur unitaire porté par l'axe x.

5.4 Expressions des densités totales de courant


~ La densité totale de courant d'électrons due aux actions simultanées d'un champ électrique et d'un gradient de
concentration s'écrit:
Jn(x) = Jdn + Jdifn = e.n(x).µn Ex + e.Dn.[dn/dx] (eq.7)
~ Similairement, le courant de trous est tel que:
Jp(x) = Jdp + Jdifp = e.p(x). µp Ex - e.Dp.(dp/dx] (eq.8)

5.4 Relations d'Einstein


Dans un semi-conducteur à l'équilibre thermodynamique les densités totales de courant sont nulles.
e.n(x).µn Ex + e.Dn.[dn/dx] = 0
Or si on a un gradient de concentration on observe simultanément diffusion de porteur due au gradient de
concentration et dérive des porteurs dans le champ interne Eint qui provient du potentiel interne Vint(=WC/-e).
On a en fait : Eint = -[dVint(x)/dx] = 1/e [dWC(x)/dx] = 1/e [dWC(x)/dn] [dn/dx]
En utilisant les résultats de 4.3 on peut alors établir les relations d'Einstein qui lient les constantes de diffusion aux
mobilités :
Dn / µn = Dp / µp = kB T / e (eq.10)