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Electrónica Digital I
Tecnologías de los circuitos integrados
digitales: familias lógicas
Susana Borromeo López
Ingeniería de Telecomunicación
Contenido
1. Introducción
2. Familias lógicas
3. Características reales de las familias lógicas
3.1.Tensiones de alimentación.
3.2. Niveles lógicos.
3.2. Inmunidad al ruido y margen de ruido.
3.3. Respuesta temporal y retardos de propagación.
3.4. Interconexiones: fan-out y fan-in.
3.5. Potencia consumida y temperatura de trabajo.
3.6 Tipos de salidas
4. Familia CMOS
5. Familia TTL
6. Compatibilidad CMOS-TTL
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Introducción
Circuito integrado (CI)
Aquel en que todos sus componentes e interconexiones están fabricados sobre un
soporte físico semiconductor, formando un único bloque de pequeño tamaño (CHIP).
1er CI (6 transistores)
1958. Kilby
1er µP (2300 trts.) Intel Pentium 4
1971 (40·106 trts.)
2000
Introducción
Ley de Moore
La complejidad de los CI, el nº de transistores, se duplica cada 18 meses. Formulada
por Gordon Moore en 1965 (Electronics Magazine)
Año Transistores
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Introducción: Tipos de encapsulados
Inserción
Montaje superficial
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Introducción: Escalas de integración
Nivel de integración Nº de Nº de Fecha aproximada
transistores puertas
SSI ( Short Scale of Integration) 10 a 100 1 a 10 1960
2. Familias Lógicas
Familia lógica : Conjunto de bloques estándar fabricados con la misma tecnología, de
forma que presentan propiedades electrónicas similares y compatibles entre si.
Basadas en transistores bipolares:
TTL (Transistor-Transistor Logic)
¾ Baja potencia (L)
¾ Rápida (F)
¾ Shottky TTL (S, LS, ALS, AS)
ECL (Emitter Coupled Logic): 10K, 100K, E-Lite
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Nomenclatura
74 FAM 00
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Características reales de las familias lógicas
Tensión de alimentación:
Las familias bipolares suelen estar diseñadas para una tensión de
alimentación de +5V
La familia CMOS admite un rango más amplio de tensiones de
alimentación por eso sus niveles lógicos suelen darse referidos a una VDD
genérica
Niveles lógicos: Es lo que una familia de dispositivos considerará como
tensión mínima para asumir nivel alto (VHmin) o máxima para nivel bajo (VLmax).
Se definen para la entrada y la salida independientemente:
¾ Valores lógicos a las entradas: interpretados como un ‘0’ lógico ó un
‘1’ lógico
¾ Valores lógicos a las salidas: tensiones que se obtiene a la salida
según un valor lógico
Los niveles lógicos de entrada y salida caracterizan a una familia, y suelen
ser comunes para todas las subfamilias dentro de ella.
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Características reales de las familias lógicas
Corrientes de entrada y salida
El dispositivo tiene una capacidad limitada de proporcionar corriente debido al
estado interno de sus transistores. Se definen IOHmax e IOLmax , por debajo de
las cuales los niveles lógicos están garantizados.
Los niveles lógicos de salida VOH y VOL dependen de la corriente que reciba o
entregue el dispositivo: Corriente alta (entrante o saliente) por el terminal de
salida rebaja la VOH y aumenta la VOL.
Las puertas deben consumir una cierta corriente de entrada para mantener el
estado ALTO o BAJO: IIH e IIL.
La puerta CMOS, por su arquitectura, necesita muy poca corriente (µA)
Las puertas TTL, ECL pueden consumir una cantidad significativa (mA).
Para trabajar fiablemente habrá que analizar la carga que es controlada por
una puerta:
Si es otra puerta (CMOS, TTL...) habrá que revisar sus IIH e IIL.
Si es una resistencia, LED, etc, habrá que estimar su consumo.
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Características reales de las familias lógicas
V in
tf tiempo de caída
tr tiempo de subida
tp tiempo de propagación
50%
t
t t
pHL pLH
V out
90%
50%
10% t
tf tr
Efecto de la temperatura:
Los efectos de temperatura son importantes en semiconductores, en
particular, donde exista una unión pn.
A veces los fabricantes especifican tres rangos de calidad:
¾ Militar: -55ºC a 125ºC
¾ Industrial: -40ºC a 85ºC
¾ Comercial: 0ºC a 70ºC
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Entradas/Salidas especiales
a) Entradas con resistencias pull-up o pull-down
b) Entrada tipo Schimitt-Trigger
c) Salidas a drenador abierto (CMOS) o colector abierto (TTL)
d) Salidas triestado
¾ Una entrada adicional de habilitación (“enable”).
¾ Tres posibles valores de salida: H, L, y Z (alta impedancia)
¾ Objetivo: permitir múltiples conexiones a una misma línea (buses, etc)
4. Familia CMOS
Un transistor del tipo que sea, puede adoptar DOS funciones generales:
Fuente de corriente controlada por corriente o tensión (amplificación,
Electrónica Analógica). El transistor trabaja en zona activa.
Interruptor controlado por tensión: idóneo para Electrónica Digital. El
transistor trabaja en zona de corte (circuito abierto), o zona óhmica (FETs) o
saturación (BJTs) (cortocicuito).
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Familia CMOS
Tipos de transistores MOS:
Transistor de canal p:
Transistor de canal n:
Familia CMOS
Inversor en tecnología CMOS:
I
Vin Q2 Q1 Vout Vin, Vin
L off on H Vout
H on off L
Vout
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Familia CMOS
NAND en tecnología CMOS
Familia CMOS
NAND de 3 entradas en tecnología CMOS
VDD
(a) (b)
A B C Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Z
B Q3
(c) A
B Z
C Q5 C
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Familia CMOS
NOR en tecnología CMOS
VDD
(a)
A Q2 (b) A B Q1 Q2 Q3 Q4 Z
L L off on off on H
L H off on on off L
B Q4 H L on off off on L
H H on off on off L
Z
Q1 Q3 A
(c) Z
B
Familia CMOS
Parámetros característicos de las familias CMOS
a) Tensión de alimentación.
¾ Típicamente 3÷15V
¾ Serie 74HC: 2÷6V
b) Niveles lógicos
¾ VIL = 0 ÷1/3VDD
¾ VIH = 2/3VDD ÷ VDD
¾ VOL = 0 V
¾ VOH = VDD
¾ Inmunidad: 1/3 VDD
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Familia CMOS
Parámetros característicos de las familias CMOS
c) Corrientes de entrada y salida
¾ Corrientes de entrada: II= 10pA (serie 4000) hasta 100nA (74HC)
¾ Corrientes de salida: IO= 0,1mA (serie 4000) hasta 9mA (serie 74HC)
d) Fan-out: típicamente muy alto, pero limitado en la práctica por la
capacidad de la puerta. De 8 a 50.
e) Consumos
¾ Estático: debido a la corriente de fugas (IQ) y a las cargas (IL). BAJO
¾ Dinámico: debido a la carga y descarga de los condensadores
parásitos y a la corriente por los canales en las conmutaciones
¾ Consumo de corriente: se demandan grandes picos, lo que genera
caídas de tensión y ruidos, exigiendo la colocación de
condensadores de desacoplo.
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Tecnología CMOS
Manipulación de integrados CMOS:
Debido a que las entradas CMOS son de muy alta impedancia y presentan
efectos capacitivos grandes, pueden acumular carga estática que produzca
chispazos internos (perforación de las uniones). Antes de tocar los pines de
un CMOS, tocar un objeto metálico que se supoga a masa.
Los dispositivos CMOS actuales llevan circuitos protectores contra este
efecto, pero no los inmuniza por completo.
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5. Familia TTL
Basado en transistores BIPOLARES
Si A=B= 5V:
T1 : corte
T2 : saturación
T4 : saturación ⇒ S = 0V
T3 : corte
Si A=B= 0V:
T1 : saturación
T2 : corte
T4 : corte
T3 : saturación ⇒ S = 5V
Puerta NAND
Familia TTL
Parámetros característicos de las familias TTL
a) Tensión de alimentación.
¾ Típicamente 5V ±5%
b) Niveles lógicos
¾ VIL = 0 ÷ 0,8 V
¾ VIH = 2V ÷ 5V
¾ VOL = 0 ÷ 0,4 V
¾ VOH = 2V ÷ 5V
¾ Inmunidad: 0,4V
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Familia TTL
Parámetros característicos de las familias TTL
c) Corrientes de entrada y salida
¾ Corrientes de entrada: IIL= 1,6 mA. IIH= 10 µA
¾ Corrientes de salida: IOL= 16 mA. IOH= 500 µA
d) Fan-out: 10
e) Consumos
¾ Estático: ALTO y dependiente del valor lógico de la salida
¾ Dinámico: Menor dependencia con la frecuencia que en el caso de
CMOS.
f) Retardos: menos dependientes de la carga que en al caso CMOS, pero en
general mayores.
tp,HL = 5ns tp, LH = 10 ns
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6. Compatibilidad TTL-CMOS
¾ Niveles de tensión E/S: VOHmin > VIHmin; VOLmax>VILmax TTL CMOS
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