Vous êtes sur la page 1sur 13

Département : génie électrique

Filière : génie électrique et contrôle des systèmes industriels

Compte rendu du TP :1,2


Élément de module : physiques des composants d’électronique.

Réalisé par :
Encadré par :

Année universitaire : 2017-2018


Partie I : Diode a jonction
1.2-Etude théorique :

Le courant dans une diode soumise à une tension Vd est :

𝑉𝑑∗𝑞
𝐼𝑑 = 𝐼𝑠𝑠(exp ( ) − 1)
𝐾𝑏∗𝑇

- On doit modéliser la diode car dans les calculs théoriques il permet de faire un bon
dimensionnement.
-Recherche bibliographique :
1.3 – Manipulation :
1.3.1- Caractéristique de la diode en régime continu :
- montage :

Table de mesure :

Ve(v) 0 1 2 3 4 5,1 6 7 8 9 10 11 12 15
𝐈𝐃 (mA) 0 0,5 1,25 2,28 3,39 4,43 5,63 6,36 7,33 8,26 9,31 10,29 10,37 14,36
𝐕𝐃 (V) 0 0,54 0,58 0,6 0,62 0,64 0,65 0,65 0,66 0,66 0,665 0,665 0,667 0,7

Conditions:

0,25 < Vd < 0,7


Id < 25mA

Ces deux conditions nous donnent le courant maximal et la tension maximale aux bornes de
la diode qu’il ne faut pas dépassé.
- la représentation graphique de Id=f(Vd):

Id en fonction de Vd
16
14
12
Id ( en mA)

10
8
6
4
2
0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
Vd (en V)

On voit clairement que la représentation au-dessus n’est pas une droite (entre 0,6v jusqu’à 0,7v)

D’où la difficulté de trouver la valeur exacte de la tension de seuil et la résistance série de circuit.
Donc on va les approcher :

0,6 < 𝑉𝑜 < 0,7


0,65 − 0,66
{𝑅𝑑 ≅ ∗ 103
5,63 − 7,33
𝑅𝑑 ≅ 6Ω
1.3.2-Fonctionnement de la diode en régime variable :
- Montage :
Les signaux de sortie et d’entree pour C1=100nF visulalistion à laide de l’oscilloscope.

∆𝑉𝑅 = 𝑉𝑚𝑎𝑥 − 𝑉𝑚𝑖𝑛 = 5𝑉 → C1 n’a pas d’influence sur la tension redressée.

Pour C1 = 100𝜇𝐹 →∆𝑉𝑅 = 0,1𝑉

Partie 2 : Diode de Zener :


- montage :
- table de mesure :
Ve(V) 0 1 2 3 4 5 7 8 11 14 15
Id(mA) 1 1 1 2 3 4 5 6 9 12 13
Vz(v) 0,1 1 1,4 1,6 1,7 1,8 1,9 2 2,1 2,2 2,2

- la représentation graphique de Id=f(Vd):

Iz=f(Vz)
14

12

10

0
0 0.5 1 1.5 2 2.5

- montage :

- Tableau de mesure :
Ve(v) 2 4 6 8 10
∆𝑉𝑅(v) 0,2 0,3 0,4 1 2

On voit que ∆𝑉𝑅 augmente avec Ve.


TP 2 : transistor
Manipulation :
Caractéristique d’entrée IB = f(VBE) :
On a régler la tension Vdd = 5v, on a varie Vm de 0 à 20v, On a obtenue les résultats
suivants :
Vm 0 0,2 0,4 0,6 0,7 0,8 1 2 3 4 6
V BE 0 0,2 0,4 0,6 0,701 0,702 0,704 0,706 0,708 0,71 0,72
IB 0 0 0 0 1E-05 2E-05 4E-05 0,0001 0,0002 0,0003 0,0005

8 10 12 14 16 18 20
0,73 0,74 0,75 0,75 0,76 0,76 0,76
0,0007 0,001 0,0012 0,0014 0,0016 0,0018 0,002

On a obtenu la coube suivant :

0.0025

0.002

0.0015

0.001

0.0005

0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8

Le composant à la quel on peut comparer la jonction Base-Emetteur : La Diode


Caractéristique d’entrée Ic = f(IB) :
On a régler la tension VM = 0v ainsi que Vdd jusqu’à ce que la tension VCE = 3v, On a obtenue les resultats
suivant :

Vm 0 0,2 0,4 0,8 1 2 4 6


Ic 0 0 0 0,29 0,29 0,294 0,299 0,3
Ib 0 0 0 0,21 0,33 1,3 3,24 5,34
On a obtenue la caracteristique suivant :
0.35

0.3

0.25

0.2

0.15

0.1

0.05

0
-1 0 1 2 3 4 5 6
-0.05

D’apres les valeurs du tableau la valeur de β trouver 250.


Caractéristique d’entrée Ic = f(VcE) :
En à jouer sur l’alimantation VDD, On a fait varier VCE, On a maintenir le courant IB = 1mA pour le 1er tableau et
0.5mA pour le 2éme Tableau, On a trouver les resultats suivant :

Vdd 0 0,2 0,4 0,8 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10


Ic 0 0,0002 0,0005 0,0009 0,001 0,002 0,003 0,004 0,005 0,006 0,007 0,0078 0,0089 0,0099
Vce 0 0,007 0,009 0,011 0,013 0,018 0,024 0,03 0,036 0,042 0,047 0,052 0,06 0,071

Ic 0 0,0003 0,0004 0,0009 0,0011 0,0019 0,003 0,004 0,005 0,006 0,0069 0,0079 0,0089 0,0099
Vce 0 0,008 0,009 0,013 0,015 0,024 0,034 0,043 0,052 0,061 0,069 0,077 0,085 0,093

D’apres les resultats suivants on a tracer la caractéristique suivant :


0.1
0.09
0.08
0.07
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
0
0 0.002 0.004 0.006 0.008 0.01 0.012

Etude Théorique :
Les types de transistor à effet de champ :
Un transistor à effet de champ (FET pour Field Effect Transistor) est un dispositif
semiconducteur de la famille des transistors. Sa particularité est d'utiliser un champ
électrique pour contrôler la forme et donc la conductivité d'un « canal » dans un matériau
semiconducteur. Il concurrence le transistor bipolaire dans de nombreux domaines
d'applications, tels que l'électronique numérique.

• Vp (tension de pincement, pinch off)


• Expression du courant du drain ID

Manipulation :
Idss = 7.3mA, Pour mesurer Idss on fixe VGS = 0, est on fait varie Vdd jusqu’à la saturation.
VGSoff = -3.7V, Pour mesurer VGSoff on fixe Vdd = 5v, est on fait varie Vgs jusqu’à Id = 0.
-Pour VGS = 0v : On a trouver les valeurs suivant Ids = f(Vds) :

Vdd 0 0,2 0,4 0,8 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10


Vds 0 0,2 0,4 0,8 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Ids 0 0,0012 0,0018 0,0028 0,0035 0,0054 0,0064 0,007 0,0071 0,0071 0,0071 0,0073 0,0073 0,0074

On a tracer la caracteristique suivant :

0.008

0.007

0.006

0.005
Ids

0.004

0.003

0.002

0.001

0
0 2 4 6 8 10 12
Vds

VGS = -0.35v : On a trouver les valeurs suivant Ids = f(Vds) :

Vdd 0 0,2 0,8 1,4 2 4 6 8 10 12


Vds 0 0,2 0,8 1,4 2 4 6 8 10 12
Ids 0 0,0008 0,0026 0,004 0,0046 0,0057 0,006 0,0061 0,0062 0,0063

On a tracer la caracteristique suivant :


Ids
0.007

0.006

0.005

0.004

0.003

0.002

0.001

0
0 2 4 6 8 10 12 14
Pour VGS = -0.7v : On a

trouver les valeurs suivant Ids = f(Vds) :


Vdd 0 0,2 0,6 1 1,5 2 3 4 6 8 9 10
Vds 0 0,2 0,6 1 1,5 2 3 4 6 8 9 10
Ids 0 0,0008 0,0019 0,0026 0,0034 0,0039 0,0044 0,0046 0,0049 0,005 0,0051 0,0051

On a tracer la caracteristique suivant :

Ids
0.006

0.005

0.004

0.003

0.002

0.001

0
0 2 4 6 8 10 12

Vm -0,02 -0,4 -0,8 -1 -1,4 -1,8 -2 -3 -4 -5 -6 -7 -8 -9


Ids 0,0057 0,0055 0,0043 0,0039 0,0027 0,0019 0,0015 0,001 0 0 0 0 0 0
Rds 3,5088 72,202 185,61 256,41 518,52 947,37 1333,3 3000

Pour VDS = 5v : On a trouver les valeurs suivant IDS = f(VGS) :


On a tracer la caracteristique suivant :

0.006

0.005

0.004

0.003

Idss
0.002

0.001

0
-10 -8 -6 -4 -2 0
-0.001
Vgs

Pour obtenir RDS on utilise la loi d’ohm Vgs/Ids on obtenir les valeurs suivantes :
On a tracer la caracteristique suivant :

Rds 3,5088 72,202 185,61 256,41 518,52 947,37 1333,3 3000


Rds
10000
9000
8000
7000
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
-10 -9 -8 -7 -6 -5 -4 -3 -2 -1 0