Explorer les Livres électroniques
Catégories
Explorer les Livres audio
Catégories
Explorer les Magazines
Catégories
Explorer les Documents
Catégories
POPULAIRE
Thème
IGBT
Réalisés par: NIVEAU D’ETUDE :
-FASSEKH BOUTAYNA MASTER 1
-LAIB SAID ELECTROTECHNIQUUE
-SAYED
-MLAILKIA LOKMAN
IGBT :
Le mot IGBT signifie Insulated Gate Bipolar Transistor.
En figure 1, il vous est montré les dimensions réelles d'un IGBT que vous
pouvez comparer au MOSFET, et de transistors de moyenne et basse
puissance.
fig.1
fig.3
Les IGBT trouvent de très vastes domaines d'application dans les branches
les plus diverses de l'électronique et de l'industrie.
fig.4
Si nous appliquons sur l'entrée un signal sinusoïdal d'une amplitude
de 0,5 V, il est possible d'obtenir sur le collecteur un courant
d'environ 4 à 10 A.
Par comparaison, un transistor de puissance (voir graph. 5) doit
nécessairement être piloté en courant, et pour obtenir sur le collecteur
une variation de courant de 3 à 5 A, il faut appliquer sur la base un
courant de 40 à 80 mA.
fig.5
fig.6
fig.7
Une autre caractéristique des IGBT est leur très basse résistance
interne Emetteur/Collecteur en condition de saturation.
Comparons la valeur de la résistance interne des IGBT par rapport
aux MOSPOWER et aux transistors de puissance :
16 x 3 = 48 W pour le transistor
fig.8
fig.9
Conclusion :
Comme nous l'avons décrit auparavant, le boîtier de l'IGBT peut
supporter une température élevée puisque ce composant n'est pas
sujet à l'effet d'avalanche. Par contre, il faudra tout de même lui
assurer un refroidissement correct à l'aide d'un radiateur, cela va sans
dire. Comme pour les autres semi-conducteurs, la température de
jonction interne ne devra pas dépasser 150°. Pour pouvoir dissiper
rapidement la chaleur dégagée, il faudra tout d'abord s'assurer de la
parfaite planéité de la surface du radiateur employé. Ainsi, lors du
perçage du trou dans le radiateur, veillez à ce que le boîtier du
transistor plaque bien contre le support. A cette fin, il est conseillé de
fraiser légèrement les bords du trou de façon à éviter ce problème
(voir fig. 10 et 11). Dans le cas contraire, il y a danger de destruction
rapide du composant.
Entre le boîtier de l'IGBT et la surface du radiateur il faut appliquer
un mica isolant. On prendra soin d'apposer un peu de pâte thermo-
conductrice au silicone au recto et au verso de ce mica de façon à
favoriser les échanges thermiques. Pour le serrage ne pas utiliser de
vis en plastique, car celles-ci présentent un défaut majeur : leur
dilatation à la chaleur. Il vaut mieux effectuer la fixation à l'aide d'une
vis métallique de 3 mm. Lors des manipulations, bien se souvenir que
la Gate de l'IGBT présente une haute impédance et que ce composant
est très sensible aux variations électrostatiques et aux champs
électriques divers.