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Laboratorio de Componentes Electrónicos: Práctica 5ª “Caracterización de transistores”

PRÁCTICA 5ª: CARACTERIZACIÓN DE


TRANSISTORES.

1. Objetivos:

- Hallar las características de transistores BJT, JFET y MOS mediante las hojas de
especificaciones.
- Analizar las características de transistores BJT, JFET y MOS mediante el
polímetro.
- Calcular la curva punto a punto de los transistores BJT, JFET y MOS.

2. Material:

Instrumental:
2 fuentes de tensión DC
Generador de señal
Osciloscopio
Polímetro
Entrenador

Componentes:

Transistores BJT: BC547B, BC557B, BC639, BC640


Transistor JFET: BF 256B
Transistor MOS: BS170
Resistencias: 100Ω , 1KΩ , 4.7kΩ
Potenciómetros: 10 KΩ , 5MΩ

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3. Desarrollo de la Práctica:

1. Características del transistor mediante polímetro

1a- Mediante el polímetro las características que a priori podemos obtener son: deducción del tipo
de transistor (NPN o PNP en los BJT y tipo de canal en el JFET y MOS), configuración de cada
patilla y β (hFE).

Para ello, encontrar cuál es la situación de los diodos y su polaridad. Una vez conocida la
correspondencia de cada patilla, colocar adecuadamente en el polímetro para medir β en el caso
de un BJT. De esta forma se puede deducir si se trata de un PNP, de un NPN si son BJTs o para el
caso del JFET y del MOS si se trata de un canal N o de un canal P y cuál es la puerta (G). Se
utilizarán en este apartado los transistores BC547B, BC557B, BC639, BC640, BF256B y BS170.

2. Características del transistor mediante hojas de especificaciones

Utilizando los catálogos genéricos de componentes analizar los siguientes parámetros.


2a- Para los BJT BC547B, BC557B, BC639 y BC640; tipo de transistor, configuración de cada
patilla, potencia máxima, VCE máxima, IC máxima, β (hFE) y frecuencia de corte.
2b- Para el JFET BF256B; tipo de transistor, configuración de cada patilla, potencia máxima, VDS
máxima, VP, IDSS y gm .
2c- Para el MOS BS170; tipo de transistor, configuración de cada patilla, potencia máxima y VDS
máxima.

3. Gráfica de comportamiento de un transistor BJT.

Para obtener las curvas características (IC vs. VCE para distintas IB) de un transistor BJT se
debe realizar un montaje como el de la figura 1.

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Figura 1. Circuito de polarización del transistor BJT tipo NPN.

Donde T1= BC547B; Vref= 15V; Rb1= 4.7KΩ ; Rb2 = 5MΩ ; Rc1= 100Ω y Rc2 = 10KΩ . Se
requiere ajustar Rb2 de tal manera que IB alcance los 25uA. A continuación se varía Rc2 de forma
de VCE sea 0V, 0.5V, 1V y 1.5 V midiendo en los distintos casos la corriente IC.
3a- Obtener las lecturas de VCE, IB, e IC empleando el polímetro y el osciloscopio repitiendo el
proceso para IB igual a 50uA, 75uA y 125uA.
3b- ¿Con esta configuración estará alguna vez el transistor en la región de saturación?.
3c- ¿Y en corte?.
3d- ¿Por qué?.

4. Gráfica de comportamiento de un transistor JFET

Para obtener las curvas características de un transistor JFET, que representan ID frente a VDS para
diferentes valores de VGS, se debe realizar un montaje como el de la figura 2.

Figura 2. Circuito de polarización del transistor JFET tipo Canal N.

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Donde T1= BF256B; Vref1= 15V; Vref2= 15V; P1= 1MΩ ; P2 = 10kΩ y R1= 100Ω . Para sacar
las curvas características se debe ajustar P1 de modo que VGS = 0V. A continuación se varía P2 de
forma que VDS sea 0V, 0.5V, 1V y 1.5V midiendo para cada caso ID. Para ello se empleará el
polímetro y el osciloscopio y se repetirá el proceso para cuando VGS valga –0.5V, -1V y así
sucesivamente hasta llegar a corte.
4a- Obtener las curvas características del transistor.
4b- ¿En qué región nos interesa que esté el transistor para amplificar?.
4c- Si P1 = 1KΩ , ¿cómo cambiaría el funcionamiento del montaje?.

5. Gráfica de comportamiento de un transistor MOS

Conociendo a priori las características del transistor MOS que se desea analizar, construya un
circuito que permita obtener las curvas características del transistor BS170 y obténgalas (I D vs.
VDS para 3 VGS distintas y ID vs. VGS para 3 VDS distintas). Para ello dispone de los componentes y
el instrumental empleado en los apartados anteriores.

5a- Detallar el esquema circuital de montaje empleado para caracterizar el transistor MOS y
proporcionar las gráficas obtenidas.
5b- ¿Cuál es la tensión umbral de este transistor MOS?
5c- ¿En qué región nos interesa polarizar el transistor para que trabaje en una etapa de
amplificación?

Nota: tener en cuenta que el fabricante de la información mostrada en la figura 3 sobre el


transistor.

Figura 3. Identificación de terminales del transistor BS170.

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