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1. Objetivos:
- Hallar las características de transistores BJT, JFET y MOS mediante las hojas de
especificaciones.
- Analizar las características de transistores BJT, JFET y MOS mediante el
polímetro.
- Calcular la curva punto a punto de los transistores BJT, JFET y MOS.
2. Material:
Instrumental:
2 fuentes de tensión DC
Generador de señal
Osciloscopio
Polímetro
Entrenador
Componentes:
3. Desarrollo de la Práctica:
1a- Mediante el polímetro las características que a priori podemos obtener son: deducción del tipo
de transistor (NPN o PNP en los BJT y tipo de canal en el JFET y MOS), configuración de cada
patilla y β (hFE).
Para ello, encontrar cuál es la situación de los diodos y su polaridad. Una vez conocida la
correspondencia de cada patilla, colocar adecuadamente en el polímetro para medir β en el caso
de un BJT. De esta forma se puede deducir si se trata de un PNP, de un NPN si son BJTs o para el
caso del JFET y del MOS si se trata de un canal N o de un canal P y cuál es la puerta (G). Se
utilizarán en este apartado los transistores BC547B, BC557B, BC639, BC640, BF256B y BS170.
Para obtener las curvas características (IC vs. VCE para distintas IB) de un transistor BJT se
debe realizar un montaje como el de la figura 1.
Donde T1= BC547B; Vref= 15V; Rb1= 4.7KΩ ; Rb2 = 5MΩ ; Rc1= 100Ω y Rc2 = 10KΩ . Se
requiere ajustar Rb2 de tal manera que IB alcance los 25uA. A continuación se varía Rc2 de forma
de VCE sea 0V, 0.5V, 1V y 1.5 V midiendo en los distintos casos la corriente IC.
3a- Obtener las lecturas de VCE, IB, e IC empleando el polímetro y el osciloscopio repitiendo el
proceso para IB igual a 50uA, 75uA y 125uA.
3b- ¿Con esta configuración estará alguna vez el transistor en la región de saturación?.
3c- ¿Y en corte?.
3d- ¿Por qué?.
Para obtener las curvas características de un transistor JFET, que representan ID frente a VDS para
diferentes valores de VGS, se debe realizar un montaje como el de la figura 2.
Donde T1= BF256B; Vref1= 15V; Vref2= 15V; P1= 1MΩ ; P2 = 10kΩ y R1= 100Ω . Para sacar
las curvas características se debe ajustar P1 de modo que VGS = 0V. A continuación se varía P2 de
forma que VDS sea 0V, 0.5V, 1V y 1.5V midiendo para cada caso ID. Para ello se empleará el
polímetro y el osciloscopio y se repetirá el proceso para cuando VGS valga –0.5V, -1V y así
sucesivamente hasta llegar a corte.
4a- Obtener las curvas características del transistor.
4b- ¿En qué región nos interesa que esté el transistor para amplificar?.
4c- Si P1 = 1KΩ , ¿cómo cambiaría el funcionamiento del montaje?.
Conociendo a priori las características del transistor MOS que se desea analizar, construya un
circuito que permita obtener las curvas características del transistor BS170 y obténgalas (I D vs.
VDS para 3 VGS distintas y ID vs. VGS para 3 VDS distintas). Para ello dispone de los componentes y
el instrumental empleado en los apartados anteriores.
5a- Detallar el esquema circuital de montaje empleado para caracterizar el transistor MOS y
proporcionar las gráficas obtenidas.
5b- ¿Cuál es la tensión umbral de este transistor MOS?
5c- ¿En qué región nos interesa polarizar el transistor para que trabaje en una etapa de
amplificación?