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Blaise Pascal ELECTRONIQUE DE PUISSANCE


____ Chapitre 1 :
LES COMPOSANTS DE PUISSANCE
1. LES DIODES
1.1 Structure et symbole
Le matériau de base des semi-conducteurs est le silicium (autrefois le germanium) qui a
la particularité de posséder 4 électrons périphériques qui participent à des liaisons très
stables conférant au cristal pur l’état d’un isolant. Ce cristal peut être dopé d’éléments
possédant 5 électrons périphériques pour obtenir un cristal N ou d’éléments possédant 3
électrons périphériques pour obtenir un cristal P.

La diode est formée par la juxtaposition d’un semi-conducteur de type P (« trous » libres)
et d’un semi-conducteur de type N (électrons libres). La jonction se situe au niveau de la
séparation des deux cristaux.

1.2 Principe de fonctionnement

- Au repos

Au voisinage de la séparation, quelques électrons libres de la zone N vont trouver


place dans des trous de la zone P. Le phénomène s’arrête car les charges amenées
créent un champ électrique qui repousse les électrons. La jonction se comporte comme
un condensateur chargé.
- En conduction
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La borne + d’un générateur est connectée au cristal P. Le cristal N retourne à la borne


– du générateur par l’intermédiaire d’une résistance. Le champ électrique ainsi formé
favorise le transfert des électrons de la zone N à la zone P.

- En blocage

Le générateur est connecté en sens inverse. Le champ électrique ainsi formé renforce
le champ électrique à l’état de repos. Les électrons et les trous sont repoussés dans
leurs zones respectives.
NB : Il existe différents type de diodes suivant les applications. Citons les diodes de
redressement, les diodes pour signaux, les diodes Zéner, Schockley, Tunnel, Gunn,
Varicap, Shottky, LED, etc.

1.3 Caractéristique statique et schémas équivalents

1.4 Présentation
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1.5 Fiche technique

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1.6 Données principales

En examinant la fiche technique ci-dessus, on peut voir que les données du constructeur
sont:

- la valeur maximale du courant moyen en direct IF(Av) ;


- la valeur max. des pointes de courant de courte durée IFSM ;
- la même valeur pour des pointes répétées IFRM ;
- la tension maximale en inverse:
- en permanence VR,
- par pointes VRSM,
- par pointes répétées VRRM.

Les deux données les plus importantes sont VR et IF(Av).

1.7 Test de fonctionnalité

La plupart des multimètres numériques possèdent une fonction « diode » qui permet de
tester rapidement le fonctionnement. Dans le sens passant, le multimètre indique la
tension directe de la diode pour un courant faible (0,3V pour le germanium et 0,7V pour
le silicium). En sens bloquant, le multimètre indique l’infini comme pour une résistance
de très grande valeur.

Si on ne dispose pas de cette fonction diode, on peut aussi utiliser le multimètre en


ohmmètre. Il suffit de vérifier que la jonction laisse passer le courant en sens direct et
bloque le courant en sens inverse. En appliquant la borne + sur l’anode et la borne – sur
la cathode, on doit mesurer une résistance moyenne. En sens inverse, la résistance doit
être infinie.

1.8 Association des diodes

Lorsqu’une diode est incapable de soutenir le courant direct qu’on veut lui imposer, il est
possible de faire une mise en parallèle de deux ou de plusieurs diodes. En pratique, cela
risque cependant de créer un problème de par la dispersion des caractéristiques d’un
échantillon de diodes d’un même type. Comme on peut le voir ci-dessous, les
caractéristiques des diodes en sens passant peuvent différer quelque peu. C’est que les
résistances dynamiques ne sont pas toujours rigoureusement identiques. Pour une même
tension appliquée, la diode qui a la caractéristique la plus verticale va conduire
davantage. Son échauffement aura pour effet de réduire sa tension directe et d’encore
augmenter sa conduction. Il y aura donc claquage par emballement thermique.

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La solution à ce problème consiste à placer en série avec les diodes des résistances de
faible valeur. Elles auront pour effet d’équilibrer les courants dans les différentes diodes.
En effet, si une diode conduit plus que les autres, la tension qui apparaît aux bornes de la
résistance en série va réduire automatiquement la tension directe de cette diode et donc
réduire son courant direct. Ces résistances doivent être bien calculées pour éviter qu’elles
ne dissipent trop d’énergie.

De même lorsqu’une diode ne peut supporter la tension inverse qu’on veut lui appliquer,
on peut effectuer une mise en série de deux ou de plusieurs diodes mais il faut veiller à
bien répartir les tensions aux bornes de chacune des diodes. En effet, dans un échantillon
de diodes identiques, la résistance inverse équivalente peut différer quelque peu. Il faut
donc imposer la répartition de la tension inverse totale en installant un pont diviseur en
parallèle sur les diodes:

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2. TRANSISTORS BIPOLAIRES (BJT)


2.1 Structure et symboles

Ce sont les transistors les plus anciens. Ils sont encore très utilisés, surtout pour les puis-
sances relativement élevées. La figure ci-dessous donne le symbole des deux types de
transistors, NPN et PNP. Ces composants comprennent 3 bornes: l’émetteur, le collecteur
et la base, et sont constitués de semi-conducteurs N et P.

En l’absence de courant dans la base, chaque transistor se comporte comme deux diodes
en opposition. On peut en déduire qu’il ne peut passer de courant entre émetteur et
collecteur.

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Par contre, si l’on fait passer du courant entre base et émetteur, on constate qu’un courant
beaucoup plus important peut passer entre collecteur et émetteur: une jonction a été en
quelque sorte détruite. Le rapport entre les deux courants peut être de 10 à 100. On peut
le comparer à un robinet qui laisse passer plus ou moins d’électrons.

2.2 Principe de fonctionnement


Lorsqu’on fait évoluer les paramètres VCE, IC, IB et VBE, on peut relever un ensemble
de caractéristiques rassemblées sur un diagramme à 4 quadrants :

Le premier quadrant montre les différents courants de collecteur obtenus pour différentes
valeurs du courant de base. Le second quadrant montre le rapport constant qui existe
entre le courant de collecteur et le courant de base. Ce rapport est le gain en courant du
transistor et se note β. Le troisième quadrant montre la relation entre IB et VBE : on
retrouve la caractéristique d’une diode en sens passant.

2.3 Droite de charge statique


Lorsqu’on impose une relation directe entre les paramètres d’entrée (VBE,IB) et les
paramètres de sortie (VCE,IC) à l’aide du montage suivant :

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On obtient ce qu’on appelle une droite de charge statique dont l’équation est obtenue
comme suit :

VCE = VCC – RC * IC ICsat = VCC/RC VCEblocage = VCC

Lorsque le courant de base est maximum, le transistor est en saturation : il laisse passer le
courant comme le ferait un interrupteur fermé. Seule la résistance de collecteur limite le
courant. Lorsque le courant de base est nul, le transistor est bloqué : il se comporte
comme un interrupteur ouvert. La tension à ses bornes équivaut la tension d’alimentation.

Pour un courant de base moyen, il est possible d’amener le transistor à un point de repos
à mis chemin entre la saturation et le blocage (point A). Ce point de repos permet
d’amplifier un signal sinusoïdal injecté dans la base via un condensateur de couplage
(amplificateur Classe A).

2.4 Présentation

La figure ci-dessous montre quelques types de boîtiers renfermant un ou plusieurs


transistors. Avant de brancher un transistor, il faut, à l’aide des indications du
constructeur, bien repérer les 3 bornes: émetteur, collecteur et base. En général, un petit
ergot ou un plat permet ce repérage.

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2.5 Fiche technique

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2.6 Données principales

D’après la fiche technique ci-dessus, les données essentielles sont:


‰ la tension collecteur-émetteur maximale VCEO,
‰ le courant de collecteur maximum IC,
‰ la puissance dissipée maximale PD,
‰ le gain en courant hFE. Ce gain peut diminuer fortement en saturation.

NB: lorsqu’on donne deux valeurs limites du gain, la valeur théorique la plus probable est
la moyenne géométrique des deux autres.

L’utilisation d’un transistor de puissance ne peut se faire que par la connaissance de son
aire de sécurité qui est définie dans le quadrant IC = f(VCE). Elle délimite la zone à
l’intérieur de laquelle le transistor peut fonctionner sans subir de dégradations. Elle est
délimitée par quatre courbes:

(1)
Ic maximum admissible.

(2)
hyperbole de puissance
maximale.

(3)
tension de claquage
collecteur-émetteur.

(4)
zone de limitation par second
claquage.

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Le second claquage est assez particulier. C’est un phénomène destructif qui apparaît
quand l’énergie absorbée par le transistor dépasse une valeur critique. Il est en fait dû à
l’accumulation de charges électriques au sein du transistor suite à l’importance du champ
électrique qui lui est imposé (VCE élevée). L’apparition du second claquage est
caractérisée par une brusque décroissance de la tension collecteur-émetteur et par
l’apparition d’une faible résistance dynamique. On doit distinguer le second claquage en
polarisation directe et en polarisation inverse. Il est important de prévenir ce genre de
claquage. Nous y reviendrons dans le volet consacré aux protections.

Les puissances réalisables avec cette technologie sont encore faibles aujourd’hui: de
l’ordre de quelques kilowatts avec des tensions moteur ne dépassant guère 300V. De plus,
le claquage peut se produire de façon inexpliquée malgré le surdimensionnement du
transistor et les précautions prises. On réservera le transistor bipolaire aux applications
basses puissances et si possible basses tensions.

2.7 Transistor Darlington

Il existe un transistor particulier qui permet des applications intéressantes en électronique


de puissance, c’est le transistor Darlington. Il est composé de deux transistors raccordés
comme suit :

Le courant de collecteur du premier transistor sert de courant de base pour le second. On


bénéficie ainsi d’un gain en courant global qui vaut le produit des gains des deux
transistors. Le TIP122 est un transistor Darlington qui présente un gain en courant de
1000 et qui convient très bien pour la commande des petits moteurs DC. Un extrait de sa
fiche technique est repris ci-dessous.

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2.8 Test de fonctionnalité

Si on prend l’exemple d’une structure NPN, il suffit de vérifier à l’aide d’un multimètre
utilisé en ohmmètre si on est bien en présence de deux jonctions PN entre base-émetteur
et entre base-collecteur : des résistances moyennes RBE et RBC en appliquant la borne +
sur la base et des résistances infinies REB et RCB en appliquant la borne – sur la base.
D’autre part, entre collecteur et émetteur, la résistance doit être infinie quelle que soit la
polarité du multimètre.

NB : certains multimètres possèdent la fonction testeur de transistors. Il suffit alors de le


brocher sur l’appareil qui en plus d’effectuer le test, donne le gain en courant du
transistor.

2.9 Mise en parallèle des transistors bipolaires

Pour une bonne répartition des courants, la mise en parallèle des transistors nécessite
l’utilisation de résistances d’émetteur :

Ces résistances doivent être telles que la chute de tension à leurs bornes soit au moins
égale à VBE. Comme dans le cas des diodes, la régulation de courant se fait de façon
automatique.

2.10 Protection

On ne dispose pas, pour le moment d’organes de coupure (fusibles ou disjoncteurs)


suffisamment rapides pour protéger efficacement les transistors. La protection ne peut
être qu’électronique.
Si la charge du transistor est inductive, il se produit au moment du blocage une
surtension qui peut croiser la zone de second claquage et entraîner la destruction du
transistor. Il est donc nécessaire de prendre des précautions pour absorber l’énergie
génératrice de surtensions.

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On peut pour cela:
‰ Utiliser une diode placée en antiparallèle sur la charge (diode de roue libre) ;
‰ Utiliser une VDR en parallèle sur le transistor dont la tension de réaction est située
entre la tension de service et la tension de claquage ;
‰ Utiliser un réseau RC en parallèle sur la charge.

En ce qui concerne le courant maximum, il faut chercher à réduire le courant de base


dès que le courant atteint une limite qu’on s’est fixée.

3. TRANSISTOR IGBT
L’IGBT est un transistor dont la conduction est amorcée et désamorcée en appliquant
une tension appropriée sur la gâchette (la base). Comme dans un transistor
conventionnel, les trois bornes sont nommées collecteur C, émetteur E et base B. Les
caractéristiques dans l'état passant et l'état bloqué sont montrées à la figure ci-dessous.
Les valeurs limites de la tension ECE et du courant IC dans le collecteur sont aussi
indiquées.

Les IGBT peuvent supporter des


courants IC bien supérieurs aux
courants ID des MOSFET qui vont
être vus ci-après. Par conséquent,
ils peuvent commander des
puissances plus importantes.

Propriétés et limites approx. des IGBT

Comparés aux GTO, les BJT, MOSFET et IGBT peuvent initier et interrompre la
circulation du courant d'anode avec une plus grande rapidité. Cela permet à ces semi-
conducteurs de fonctionner à des fréquences beaucoup plus élevées. Il en résulte une
diminution de la grosseur, du poids et du coût des appareils utilisant ces valves. Les
fréquences maximales typiques sont indiquées dans les différentes fiches techniques.

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4. TRANSISTORS MOSFET
4.1 Principe de fonctionnement

Le transistor MOSFET (Metal Oxyd Semiconductor Field Effect Transistor) est un composant
très important en électronique de puissance. L’énergie nécessaire pour assurer la commande est
particulièrement faible et contrairement aux thyristors, la conduction s’arrête dès qu’on cesse
d’agir sur la commande. On appelle amplification en puissance le rapport entre la puissance de
sortie et la puissance d’entrée.

Le transistor MOS est formé de semi-conducteurs de type N et de type P comme le montre la


figure ci-dessous. Les bornes d’entrée et de sortie appelées respectivement Drain et Source sont
reliées aux semi-conducteurs de type N. La commande est effectuée par la Grille ou porte (gate
en anglais) isolée électriquement du reste du transistor. Cet isolant est constitué d’oxyde de
silicium.

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Si on applique à la grille une tension nulle ou négative, on remarque que le semi-conducteur
comporte deux jonctions « diode» suivant le schéma ci-dessous. Aucun courant ne peut passer
entre la source et le drain. Le transistor est bloqué.

Si on applique à la grille un potentiel positif, l’électrode de grille, l’isolant et le canal vont se


comporter comme un condensateur chargé : des charges négatives ou électrons vont
s’accumuler du côté P, formant ainsi « canal » N qui permettra le passage d’un courant entre la
source et le drain. Ce courant sera d’autant plus important que le potentiel de la porte sera lui-
même élevé.

La tension de grille minimale qui provoque la création d’un canal de conduction s’appelle la
tension de seuil et se note VGS(th), « th » étant le diminutif de threshold (seuil en anglais).
Cette tension varie de 1 à 5V. En deçà de cette valeur, aucune conduction n’est possible.

NB : Il existe d’autres types de transistors MOS utilisés pour le traitement de signaux faibles,
mais nous ne pouvons ici les détailler tous.

4.2 Présentation

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4.3 Fiche technique

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4.4 Données principales pour la mise en œuvre

D’après la fiche technique ci-dessus, on peut découvrir le symbole, la forme du boîtier, les
valeurs maximales, les caractéristiques électriques à 25°C et enfin les caractéristiques de la
diode de roue libre incorporée.

Les valeurs essentielles à retenir sont les suivantes:

IDmax: Courant de drain maximum


VDSmax : tension drain-source maximale
VGS(th) : tension grille-source de seuil
td(on) : délai de réaction pour une commutation à l’état passant
tr : temps de montée (rise time) du courant de drain
td(off) : délai de réaction pour une commutation à l’état bloquant
tf: temps de descente (fall time) du courant de drain

On peut aussi découvrir l’aire de sécurité, la caractéristique de transconductance (qui donne les
valeur de ID en fonction de la valeur de VGS appliquée), la caractéristique de drain et enfin le
schéma permettant la mesure des temps de réaction.

Lorsqu’on souhaite utiliser le transistor en commutation, il faut d’abord vérifier s’il supportera
bien le courant maximum qu’on veut lui imposer ainsi que la tension maximale à l’état de
blocage. Ensuite, il faut déterminer la tension de grille qui va permettre d’assurer la saturation.
Pour cela, il suffit de tracer la droite de charge sur le graphique reprenant les caractéristiques de
drain et de lire la tension VGS donnant le moins de tension VDS. Il faudra aussi vérifier la
puissance que l’élément peut dissiper.

NB: Il est préférable de toujours utiliser un pont diviseur pour envoyer l’impulsion de
commande. La résistance du bas permet une liaison galvanique de la grille avec la masse et la
résistance du haut protège la grille en cas de court-circuit.

4.5 Protection

Les TEC de puissance sont spécialement conçus pour la commande des moteurs. En plus d’une
bonne tenue aux pointes de courant et une vitesse de réaction appréciable, ils ne nécessitent pas
de circuits de blocage. De plus, ils sont équipés d’une diode de roue libre incorporée dans le
boîtier et dont il faut quand même vérifier les limites de fonctionnement.

Pour la protection contre les surtensions, on installera une VDR ou un réseau RC.

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5. THYRISTORS
5.1 Généralités

Le thyristor constitue un élément de choix pour l’électronique de puissance aussi bien


en commutation pour la variation de vitesse des moteurs que pour la gradation de lumière. Dans
ce dernier cas, on lui préfère cependant le triac qui en est la variante bidirectionnelle. Le
thyristor se comporte comme une diode qui reste normalement bloquée dans les deux sens mais
qu’on peut rendre passante à un moment bien précis. Cela se fait en envoyant une impulsion sur
une électrode de commande appelée gâchette. On peut ainsi soit bloquer certaines alternances
ou une partie de chaque alternance (ce qui est plus souvent le cas). Il n’y a donc plus qu’une
partie de l’alternance qui est disponible:

Pour information, le mot


« Thyristor » provient de la
contraction entre les termes
« Thyratron », ancien tube à
vide, et « Transistor ».

5.2 Structure, symbole, schéma équivalent.

JA : jonction d’anode

JC : jonction de
commande

JK : jonction de
cathode

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5.3 Explication de l’amorçage

L’amorçage du thyristor peut s’expliquer par la théorie des deux transistors imbriqués.
Au départ de la structure de base du thyristor, on imagine une découpe des deux couches
intermédiaires et une séparation de deux nouvelles structures comme ci-dessous:

Comme on peut le voir, on obtient deux transistors bipolaires PNP et NPN raccordés entre eux
de la façon suivante:

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Les deux transistors sont et restent bloqués tant qu’il n’existe aucun courant de base. La
conduction d’un transistor dépend de la conduction de l’autre. Voyons à présent l’effet d’un
courant de gâchette qui revient à envoyer un courant de base dans le transistor T2. A ce
moment T2 va permettre la conduction de T1. Ce dernier à son tour va entretenir la conduction
de T2 même après la disparition du courant de gâchette. Les deux transistors entretiennent
mutuellement leur conduction. Il y a eu amorçage.

5.4 Caractéristique statique d’anode

C’est la caractéristique qui donne l’évolution du courant principal vis à vis de la tension
d’anode. Le courant de gâchette étant le paramètre constant:

On distingue les points particuliers suivants:

‰ Point de retournement (B) : point où la tension atteint une valeur maximale juste avant le
phénomène d’avalanche et ce, dans des conditions de gâchette bien spécifiées.

‰ Tension de retournement (VBO) et courant de retournement (IBO).

‰ Courant hypostatique de maintien (IH) ou Holding Current. Après la conduction, IH


représente le courant principal minimum en deçà duquel le thyristor décroche pour
redevenir bloquant.

IH I nominal
1 mA 1A Mesures effectuées à 25°C, gâchette
100 mA 200 à 300 A déconnectée.

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Remarques:
- La présence d’un courant de gâchette réduit la tension de retournement.
- Pour un courant de gâchette suffisant, l’état passant apparaît sans retard, le thyristor est alors
l’équivalent d’une diode.

5.5 Caractéristique de gâchette

C’est la caractéristique tension-courant de la jonction de gâchette. De par la géométrie du


thyristor et ses conditions de fabrication, cette caractéristique présente une grande dispersion
pour un même type de thyristor. C’est pour cette raison que le constructeur donne deux
caractéristiques limites en plus de la caractéristique typique:

Comme on le voit, il existe plusieurs zones qui donnent différentes qualités d’amorçage:

‰ Zone 1 : Aucun amorçage.


‰ Zone 2 : Amorçage incertain.
‰ Zone 3 : Amorçage certain.

Cette dernière zone est limitée par l’hyperbole de puissance qu’on ne peut en aucun cas
dépasser.

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On peut définir :

‰ VGT et GI: tension et courant de gâchette au-dessus desquels l’amorçage peut être considéré
comme certain.
‰ VGD et IGD: tension et courant de gâchette en dessous desquels il n’y a aucun amorçage.

Il faut donc concevoir un système d’amorçage capable de fournir à la fois une tension
supérieure à VGT et un courant supérieur à IGT tout en ne dépassant pas l’hyperbole de
puissance.

5.6 Caractéristiques dynamiques

Ces caractéristiques prédéterminent la vitesse de réaction du thyristor en fonction du temps.


Comme montré ci-dessous, on définit les temps à partir du moment où l’impulsion de gâchette
atteint 10% de se valeur finale:

On définit :

‰ td: temps de retard.


‰ tr : temps de croissance.
‰ tgt = td + tr. tgt porte le nom de temps d’amorçage par la gâchette.

Le temps de retard est voisin de 1 µsec, il diminue lorsqu’on augmente l’intensité du courant de
commande, il augmente aux basses tensions d’anode et dépend de la température. Le temps de
croissance varie de 1 à 6 µsec.

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On définit aussi le temps de blocage (tq). C’est le temps nécessaire pour que la jonction de
commande JC redevienne capable, après annulation du courant d’anode, de soutenir une tension
inverse élevée. Dans de bonnes conditions (courant direct nul), tq va de 5 à 60 µsec. Mais s’il
subsiste un courant direct plus petit que IH quand on inverse la tension, tq peut monter à 1
msec.

5.7 Présentation

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5.8 Fiche technique

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5.9 Données principales pour la mise en œuvre

D’après la fiche technique ci-dessus, il faut surtout considérer les valeurs suivantes :

IT(AV) max VDRM max IGT et VGT PG(AV) max

5.10 Test de fonctionnalité


En première approche, on peut vérifier à l’ohmmètre que rien ne passe entre anode et cathode ni dans un sens
ni dans l’autre. On peut aussi constater que la jonction gâchette-cathode est en bon état.

D’une manière plus technique, le montage ci-dessous utilise les principales caractéristiques du thyristor pour
en tester l’état, bon ou mauvais.

Une lampe, dont la résistance ne sera pas trop élevée, signalera la conduction du composant. Si sa résistance
était trop élevée, elle ne laisserait pas passer un courant supérieur au courant d’accrochage d’intensité IH, quel
que soit le thyristor testé.
Une lampe de 12 V/ 0,3 A, permettra même à des thyristors au courant d’accrochage un peu élevé de rester
passants une fois amorcés. De plus, comme la résistance du filament d’une lampe est beaucoup plus faible
quand il est froid qu’à sa température nominale, nous sommes assurés de dépasser largement l’intensité du
courant d’accrochage.

En fermant S1, ouvert au repos, le thyristor doit se débloquer et la lampe s’allumer. Le bouton poussoir une
fois relâché, la lampe reste allumée. Pour l’éteindre à nouveau, il faut court-circuiter le thyristor à l’aide de S2.
Le courant qui le traverse s’annule, le thyristor se désamorce donc et quand S2 est relâché, la lampe s’éteint.

Cela ne fonctionne bien sûr que si l’intensité du courant de gâchette est assez grande. La résistance de gâchette
doit donc être choisie en conséquence. Si nous supposons une chute de tension de 2 V entre gâchette et
cathode, une résistance de 180 Ω laissera passer un courant de 100 mA à l’activation de S1.

La plupart des thyristors sains se laisseront donc amorcer. Si nous avons à faire à un thyristor dont le courant
de gâchette est plus important, nous aurons toujours la ressource de diminuer la résistance. Attention toutefois,
si la résistance est trop petite, la puissance moyenne admissible, PGAV risque d’être dépassée.

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5.11 Techniques d’amorçage

Il existe différentes techniques d’amorçage pour les thyristors. De la plus simple à la plus
sophistiquée, on peut citer :

‰ Amorçage par résistance.


‰ Amorçage par résistance et condensateur.
‰ Amorçage par circuit déphaseur.
‰ Amorçage par éléments à circuits magnétiques.
‰ Amorçage par impulsion.
‰ Amorçage par train d’impulsions.

Les deux dernières sont les plus couramment utilisées en électronique de puissance pour la
commande des moteurs par thyristors. Elles seront largement abordées dans les applications.

6. THYRISTORS GTO
6.1. Structure et fonctionnement

Un gate turn-off SCR est, comme son nom l’indique, un thyristor blocable par la gâchette.
Une impulsion de courant positive débloque le composant, une impulsion négative le bloque.
On le voit sur le symbole ci-dessous, ce fonctionnement est symbolisé par une double
gâchette.

Voyons comment les choses se passent sur un schéma équivalent à transistors.

Le déblocage du GTO est celui du thyristor classique: une impulsion de courant d’intensité
IGT suffisante sur la base du NPN fait conduire celui-ci. La conduction du NPN entraîne celle
du PNP qui accentue celle du NPN, etc. Le thyristor est amorcé :

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Ses propriétés sont les mêmes, à savoir:


‰ Amorcé, le thyristor le reste même après l’annulation du courant de commande.
‰ le thyristor ne reste amorcé après la disparition du courant de commande que si l’intensité
IT du courant qu’il conduit est supérieure à cet instant-là à l’intensité IH du courant
d’accrochage.

Pour le blocage, on s’arrange pour qu’une tension de gâchette négative fasse descendre
l’intensité du courant de conduction IT en dessous du seuil de maintien IH du thyristor. Sur la
figure ci-dessous, le courant IT = I1 + I2 arrive directement sur la base de T1.

Si la résistance intérieure de sortie vers la gâchette est assez faible, le potentiel négatif
dérivera un courant d’intensité I2 = IG tel que le courant restant I1 sera inférieur au courant de
maintien IH. Le thyristor se bloquera.

Le courant de gâchette négatif IG de blocage sera donc d’intensité respectable.

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7. TRIACS
7.1 Généralités

On peut considérer le triac comme la variante bidirectionnelle du thyristor. On retrouve une


structure P1NIP2N2 d’un thyristor classique à laquelle on ajoute des couches N2 et N3. La
structure P2NIP1N4 constitue donc un second thyristor en parallèle inverse sur le thyristor
PIN1P2N2.

7.2 Caractéristique statique

On retrouve la même caractéristique que pour le thyristor dans les quadrants I et III:

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7.3 Amorçage

La figure ci-dessous montre de quelles manières les deux thyristors vont pouvoir s’amorcer:

‰ Amorçage de Th1 par impulsion positive.


Le thyristor Th1 s’amorce de façon tout à fait conventionnelle. C’est à dire que la jonction
de commande JC est l’objet d’une avalanche locale qui finit par s’étendre à toute la
jonction.

‰ Amorçage de Th2 par impulsion négative.


L’amorçage de Th2 est assez particulier puisque la gâchette n’est plus reliée à l’une des
couches formant la jonction de commande. Un courant de gâchette amène des trous dans
P2 qui vont être amenés dans N1 par l’action du champ électrique. Ces trous frappent J’C
qui voit son courant de fuite augmenter et permet ainsi la conduction.

7.4 Les 4 quadrants du triac

Comme on vient de le voir, il est logique d’amorcer Th1 par impulsion négative et d’amorcer
Th2 par impulsion négative, ce qui donne lieu aux amorçages dans les quadrants I et III.
Cependant, ce ne sont pas les seuls moyens d’amorcer un triac : il est possible d’amorcer Th1

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par impulsion négative (quadrant II) et d’amorcer Th2 par impulsion positive (quadrant IV).
Autant dire de suite que ces amorçages doivent être considérés comme mauvais et très mauvais.
Cependant, certains dispositifs sont amenés à travailler dans les quadrants I et IV. C’est le cas
d’un amorçage au départ de circuits digitaux. Cela peut fonctionner à condition de fournir VG
et IG en suffisance. Le constructeur donne pour les 4 quadrants les tension VGT et courant IGT
qu’il faut appliquer au minimum.

7.5 Présentation

Bien qu’il n’atteint pas des dimensions aussi imposantes, un triac se présente comme un
thyristor (boîtier TO220 ou modèles à vis et écrou).

7.6 Fiche technique

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7.7 Données principales pour la mise en œuvre

D’après la fiche technique ci-dessus, il faut en premier lieu examiner VDRM max et IT max.
Les conditions d’amorçage dans les 4 quadrants sont établies par la connaissance des tensions
VGT et courants IGT.

7.8 Techniques d’amorçage

Comme pour les thyristors, il existe toute une série de techniques qui permettent l’amorçage
d’un triac. Nous retiendrons principalement l’amorçage par circuit déphaseur qui nécessite
l’emploi d’un transformateur à point milieu et l’amorçage par diac qui est un composant
bidirectionnel à seuil. Le diac est en fait un triac sans gâchette mais qui présente un seuil
d’avalanche pour une tension relativement réduite. Il est mis en série avec la gâchette du triac.

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