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CHAPITRE IV

Composants Optoélectroniques en
Télécommunication Optique

Partie I: EMETTEURS DE LUMIERE

Pr. TEMMAR
INTTIC
2018-2019
IV.1 Introduction :

• Dans ce chapitre, nous traiterons les émetteurs de lumière les plus utilisés dans les liaisons par
fibre optique, à savoir les diodes électroluminescentes (LED) et les lasers à semiconducteur.

• Le choix des matériaux semi-conducteurs, a été porté, depuis le début des télécommunications
par fibres, pour la réalisation des émetteurs de lumière, à cause de leurs dimensions petites et
compatibles avec celles du cœur des fibres.
• Nous verrons par la suite, en plus de cet avantage d’offrir des composants de petites dimensions,
la technologie de ses matériaux semi-conducteur à base de GaAs et d’InP a permis de s’adapter
aux fenêtres optiques (0,85µm ; 1,3µm ; 1,55µm).
IV.2 Principe général de l’émission de lumière
a) Transition radiative :
•L’émission de lumière dans un semiconducteur est basée sur le phénomène des transitions
radiatives.
•La transition radiative est obtenue par la transition électronique qui assure le passage d’un électron
d’un niveau W2 à un niveau W1 inférieur au premier en émettant de l’énergie lumineuse hν sous
formes de photons, avec :
hν = W2-W1 = Wconduction - Wvalence = Eg

h.c
Eg =
•h= 6,6 10-34j.s: constante de Planck
λ
•c=3 108 m.s-1: vitesse de la lumière dans le vide

λg(µm)≈1,24/Eg(eV)

•Cette relation est importante, elle permet de choisir le matériau (Eg) pour émettre la
longueur d’onde voulue,
Wc

Eg lumière

Wv
b) Transition directe et indirecte :
•Les transitions radiatives sont caractérisées des transitions
directes ou indirectes.
•La transition directe signifie le passage de l’électron d’un
niveau à autre sans qu’il y ait modification de sa quantité de
mouvement ;
• cette transition est observée dans les semiconducteurs à bande
interdite directe où l’électron passe directement de la bande de
conduction à la bande de valence
•Exemples matériaux : (GaAs, InP, GaSb, InAs ; AlGaAs…).
Ces transitions directes → sont très probables pour
émission de lumière.

•La transition indirecte signifie le passage par un autre niveau


intermédiaire et dans ce cas il y a modification de la quantité de
mouvement (vibration, phonon).
•Ces types de transitions sont observés dans les semiconducteurs
à bande interdite indirecte
•Exemples de matériaux : (Ge, Si, GaP, AlP,..).
•Ces transitions indirectes → sont peu probables pour émission
de lumière.
c) Emission spontanée :
• La transition des électrons du niveau énergétique supérieur E2 au
niveau E1, et sans excitation lumineuse extérieure, crée un processus
d’émission de lumière appelée émission spontanée.
• Quand un grand nombre d’atomes ou de molécules est présent
initialement dans l’état supérieur, les phases des ondes rayonnées par
les différents atomes ou molécules sont tout à fait indépendants et
n’ont pas de relations avec d’autres; l’intensité lumineuse totale
rayonnée décroît exponentiellement dans le temps.
• L’exemple simple de l’émission spontanée est celui de la lumière
émise par une lampe électrique.

d) Emission stimulée :
• Lorsque les atomes du niveau supérieur sont excités par
des photons d’une lumière extérieure de fréquence f0,
alors il y a transition radiative de lumière avec la même
fréquence d’excitation f0
• Ce processus est appelé émission stimulée et c’est la
base du fonctionnement de la diode laser
IV.3 DIODE ELECTROMUNINESCENTE (LED ou DEL) :
IV.3 DIODE ELECTROMUNINESCENTE (LED ou DEL) :

a-Structure:
C’est le composant le plus simple, qui réalise directement l’émission de photons par
recombinaison des porteurs dans une hétérojonction polarisée en direct.
Dans une hétérojonction, la couche active très mince (moins d’un micron) est entourée
de couches de confinement
b-Caractéristiques d’une LED (DEL)
Id

Jonction en
b1) Paramètres électriques : Caractéristique courant – tension Id (Vd) direct

-V claqua Vd
Elle comparable à celle d’une diode classique et donne : Résistance ge IS
interne, seuil de conduction Vo (pratiquement égale à Eg/e=1,24/λ Jonction en
inverse

Iinv

b2) Paramètres optiques: Caractéristique puissance optique –courant P (Id)

•En théorie, c’est une droite, en pratique la courbe dévie de la


droite idéale à cause de l’échauffement.
•Pas de courant de seuil, la lumière est émise dès que le courant
passe.
•Une diode standard :
• Emission typique à 3mW pour un courant de 100mA
• Rendement de l’ordre de 0,3mW/mA
Courant max de fonctionnement conseillé : 100 à 200mA
b3) Spectre d’une DEL
• Le spectre d’une DEL est continu et relativement large, de
l’ordre de 40 à 100 nm à mi-hauteur. La lumière émise est
incohérente. Car il est basé sur l’émission spontanée

b4) Diagramme de rayonnement

• Le diagramme d’émission est Lambertien, c'est-à-dire que la


puissance rayonnée dans une direction θ vaut P=Po cos θ
• Ce type d’émission n’est pas adapté à l’injection dans une
fibre monomode dont le profil d’intensité est gaussien
• Les DEL sont donc plutôt utilisées pour des liaisons par
fibres multimodes
• Pour améliorer l’injection dans une fibre monomode où on
utilise des lentilles

Exemple de réalisation d’une DEL


b- 5) Inconvénients de la LED :
• Le temps de réponse est assez élevé, ce qui limite la bande passante
des signaux transmis à moins de 100mHz
• Le spectre optique relativement large limite leur utilisation en
longues distances du fait la forte dispersion chromatique des fibres
monomodes en particulier à 1,55µm

b-6) Avantages de la LED :


• Faible coût
• Excellente fiabilité
• Faible bruit
c) Applications des LED

L’affichage et l’éclairage dans le visible


• Dans le domaine d’affichage, les LED émettant dans les principales couleurs du
spectre visible
• Notamment le rouge, le vert et le bleu sont utilisées dans les systèmes RVB
permettant de réaliser des grands écrans lumineux pouvant afficher des images de
télévision.
• Elles sont aussi utilisées dans les feux tricolores et aussi les feux de signalisation
pour les automobiles

La transmission d’information dans le visible et le proche infrarouge


• Dans le domaine de transmission, les LED sont utilisées dans les télécommandes en espace libre
émettant dans le proche infrarouge autour de 900nm en GaAs ou AlGaAs.

• Et aussi pour réaliser des liaisons entre périphériques informatiques d’une portée de quelques
mètres.
• Pour les transmissions sur fibre optique, les LED sont utilisées dans les liaisons de courtes
distances dans les réseaux locaux de type ethernet jusqu’à 100Mbit/s sous la norme FDDI
(Fiber Data Distributed Interface)
IV.4 Diode LASER à semiconducteur
IV.4 Diode LASER à semiconducteur

4.1 Introduction :
Le mot LASER est l’abréviation de Light Amplification by Stimulated Emission of
Radiation (amplification par une émission stimulée de rayonnement)
Le laser est une source produisant une émission intense de lumière monochromatique
et cohérente, dont la longueur d’onde va, selon les types, du domaine de l’ultra violet
lointain au domaine de l’infra rouge.
Tous les types de laser (y compris les diodes laser) comportent les deux éléments
suivants :

• Un milieu amplificateur pour la lumière (amplification par émission


stimulée).
• Une contre-réaction optique qui consiste à réinjecter une partie de la lumière
dans l’amplificateur : un laser s’apparente donc à un oscillateur. La contre-
réaction optique est souvent obtenue en plaçant le milieu amplificateur dans une
cavité optique (cavité de Fabry-Perot).
4.2 Principe de fonctionnement du laser :
a-Mécanisme d’amplification du laser :
L’amplification optique est basée sur le phénomène d’émission
E2
stimulée, dans le quel la génération d’un photon par transition
entre deux niveaux est provoquée par l’arrivée d’un photon
incident dans le matériau émetteur à l’état excité.
Le photon crée, ayant mêmes fréquence, direction, phase et
E1
polarisation que le photon incident, induit une lumière qui va être
amplifiée au cours de sa propagation dans le milieu selon la loi:
P(z)= Po exp (g.z)
g : le coefficient de gain (en cm-1)

La condition nécessaire à l’émission stimulée est l’inversion de population


entre les deux niveaux voisins entre les quels se produisent les recombinaisons
radiatives.
Dans le cas des semiconducteurs, la bande de conduction doit être plus peuplée
que la bande de valence.
b-Mécanisme d’oscillation du laser :

Comme dans le cas d’un oscillateur à transistor,


ampli
l’oscillation entretenue est obtenue lorsqu’au circuit
amplificateur on ajoute une réaction générant la fréquence
réaction
d’oscillation.

Le même raisonnement peut être appliqué au laser


oscillateur. Pour produire l’effet de réaction, la lumière doit
être réfléchie par des miroirs

L’exemple classique d’oscillateur est le résonateur de Fabry-Pérot, ou cavité, dans le quel la


lumière est réfléchie successivement et confinée entre les miroirs réfléchissants parallèles.
Les du cristal semiconducteurdeux miroirs du laser semiconducteur sont des surfaces du cristal
naturel résultant du clivage
4.3- STRUCTURE DES LASERS
La cavité électromagnétique du laser est limitée dans ses trois dimensions, ce qui
permet de définir trois familles de modes : longitudinal
vertical
• Les modes longitudinaux qui sont liés à la longueur de la cavité
• Les modes transversaux liés à la largeur du ruban
• Les modes verticaux liés à l’épaisseur de la couche active transversal
4.4-Principales familles de lasers

1- Lasers multimodes (lasers Fabry Pérot)

Ces lasers sont appelés aussi les lasers Fabry Pérot à cause de la présence seulement de la cavité
de Fabry Pérot, et elles ont un guidage de la lumière latéral , on distingue deux types:

Diodes lasers par guidage par le gain (GLD)

On dit qu’il a « guidage optique par le gain » car seules les ondes qui rencontrent un
gain suffisant pour compenser les pertes de propagation peuvent osciller dans la cavité
Diodes laser par guidage par l’indice (ILD)
Ces lasers sont obtenus par la création d’un guide intégré (raban enterré limité
latéralement par des matériaux d’indice plus faible).

• Remarque :
Les structures de ces lasers est de type BH (Buried Heterostructure) ou BRS (Buried
Ridge Structure).
Ces lasers multimodes sont utilisés dans les lecteurs optiques ou dans les transmissions
optiques à moyen débit et à courte distance (réseaux FTTH/GPON)
2- Lasers monomodes : de type DFB et DBR
Pourquoi la réalisation de ces diodes Lasers ??
• L’attention portée sur le multiplexage en longueur d’onde a imposé le développement de lasers
émettant sur un seul mode longitudinal.
• D’autre part, à la longueur d’onde 1,55µm si l’atténuation faible standard permet d’augmenter les
distances entre répéteurs, leur dispersion chromatique importante exige l’utilisation de sources de
largeur de spectre inférieure à 10-10m.
Exigence de base : Ajout d’un résonateur sélectif
• Une émission sur une seule longueur d’onde, c’est à dire sur un seul mode longitudinal, ne peut se
faire qu’avec un résonateur sélectif obtenu en introduisant dans la cavité un filtre optique
sélectionnant une seule longueur d’onde, le réseau de Bragg.
• Dans le domaine de l’optique, ce réseau de diffraction est un outil de filtrage efficace. C’est pour
cette raison qu’une telle structure a été intégrée aux lasers semiconducteurs pour les contraindre à
fournir une seule longueur d’onde.
• Ces diodes ont aussi un guidage de lumière latéral
A- LASERS DFB (Distrbuted FeedBack, contre-réaction distribuée):

Guidage par le gain


Pour ces lasers, le réseau de Bragg se trouve au niveau de la zone active.
• Si le réseau est directement dans la zone active, on obtient un guidage par le gain

Guidage par l’indice


Si maintenant le réseau est au dessous ou au dessus de la zone active, on a un guidage
par l’indice et c’est le plus fréquent.
B-LASERS DBR (Distributed Bragg Reflector):
Pour ces lasers, le réseau de Bragg, se trouve dans le prolongement de la zone
active, fonctionnant comme un réflecteur externe

•Condition de Bragg: Elle permet le Choix ou sélection du mode ou longueur d’onde


Cette sélection de mode est définie par la condition de Bragg exprimée par la relation suivante :

2 nsc Λ = m λB

•Λ : pas du réseau gravé,


•nsc : indice de réfraction du semicondcteur
•λB : longueur d’onde de Bragg,
•m : ordre du réseau (nombre entier)
4.5 LES CARACTERISTIQUES DES DIODES LASERS à semiconducteur
1 --Caractéristiques électriques : I=f(V)

La caractéristique courant-tension I(V) d’une diode laser polarisée en direct est similaire à celle
d’une diode classique.
Elle permet de donner :
Une résistance dynamique Rd (typiquement de l’ordre de 3 à 5 Ω.
Une tension de seuil dépendant du matériau semiconducteur (variant de 1 à 1,5V)
2 - Caractéristiques optiques : Poptique =f(I))
• La caractéristique puissance optique en fonction du courant
électrique injecté P(I) montre que lorsqu’un fiable courant est
lui est appliqué, une diode laser émet de la même manière
qu’une LED par émission spontanée.

• Pour obtenir une émission stimulée (effet laser), il faut


dépasser un certain seuil de courant Is nécessaire à créer
l’inversion de population qui consiste à faire passer
suffisamment d’électrons dans la bande de conduction

En régime laser, la caractéristique est quasiment droite, et à fort


courant, la courbe s’éloigne de la droite à cause de l’échauffement
• Les valeurs typiques de ce seuil sont de1 à 20-25mA
• La puissance émise est de l’ordre de 15 à 25mW pour typiquement
100mA
•Lorsque on varie le courant de Imin à Imax (∆I), la puissance varie de
Pmin à Pmax (∆P) : Cette modulation du courant permet de
transmettre un signal en télécommunications optiques
3 -Caractéristiques spectrales (Spectre optique): Poptique (λ)

Ces lasers se caractérisent par l’étroitesse de longueur d’onde qu’ils émettent. Le


spectre émis se compose de plusieurs raies centrées autour de la longueur d’onde
principale.
La longueur d’onde centrale λc est donnée par la composition du matériau qui émet
à 1,3 ou 1,55 µm
L’espacement des raies appelé Intervalle Spectrale Libre (ISL) dépend de la
longueur L de la cavité Fabry-Pérot, de l’indice n de la couche active, et de la
longueur d’onde centrale λ..
Cet espacement est exprimé par δλ selon la relation suivante :

λ2
δλ = L : longueur du guide
2nL n : indice de réfraction matériau

L’ISL est de l’ordre du nanomètre


Exp : pour Une diode Laser en matériau en GaInAsP (λc =1,3µm,
L=300µm, nsc=3,5) on obtient δλ=0,8nm

Nombre de modes :
M= ∆λ/ δλ
a) Exemples de Relevés de Spectre optique
a-1 Des Lasers multimodes Fabry Pérot (FP):
La cavité résonnante Fabry Pérot donne un spectre en forme de
peigne ; on observe un pic chaque fois qu’il est possible de
mettre un nombre entier de demi-longueur d’onde dans la
cavité.
La longueur d’onde centrale est donnée par le matériau de
la couche active.
Seules les longueurs d’onde du peigne situées autour de cette
longueur d’onde centrale sont amplifiées par le matériau sur une
plage typique de 30nm

a-2 LASERS monomodes DFB


Seule la longueur d’onde de Bragg est réfléchie et amplifiée dans le laser.
Et on obtient ainsi un spectre mono longueur d’onde ou monomode
Les Lasers DFB ont des largeurs de raie typique de l’ordre de pico mètre, pm)
4 -Influence de la température
Les performances des lasers dépendent énormément de la température :
Le seuil Is varie avec la température selon la loi d’activation
suivante :
Is=Is0 exp (T/T0)
Iso : courant de seuil caractéristique
T0: température caractéristique

Ce courant de seuil augmente avec la température, il passe


typiquement de 15 mA à 20°C à 23mA à 50 °C

La longueur d’onde d’émission augmente avec la


température
Valeur typique de la variation de λ :
0,1nm/°C pour les Lasers DFB
0,015nm/°C pour les lasers à cavité externe
5 -Diagramme de rayonnement

La tache lumineuse à la sortie du laser est appelée champ proche.


Sa largeur est 2ω// et sa hauteur 2 ω⊥ dans les plans parallèle et perpendiculaire au plan de la
couche active

. La répartition de l’intensité en fonction de x et y est quasi gaussienne.


Ce spot elliptique en champ proche donne en champ lointain une ouverture
angulaire elliptique telle que :

λ λ
ω // = ω⊥ =
πtgθ // πtgθ ⊥
4-6 Autres lasers :
1 Lasers de type VCSEL (Vertical Cavity Surface Emitting Laser)

•Les VCSEL sont des laser à cavité verticale qui émettent de la lumière cohérente par la surface ,
c’est-à-dire ils ont un guidage vertical. Ils sont réalisés et testés par plaques.
•Ils sont entrain de supplanter les DEL dans les réseaux locaux car ils offrent des débits plus
importants.
•Ils sont plus économiques que les laser à émission par la. tranche
•Les longueurs d’onde d’émission sont actuellement de 850 nm et 1300 nm. Des recherches sont
en cours pour obtenir 1550nm
•Intérêt des VCSEL :
Compatible avec une configuration en deux dimensions
Les faibles courants de seuil (3mA) autorisent des grandes densités de composants.
L’émission de lumière est normale à la surface, la géométrie proche de celle des détecteurs
simplifie l’alignement et le packaging.
Les faisceaux circulaires et peu divergents ne nécessitent pas d’optique adaptative pour l’injection
dans la fibre.
L’alignement avec la fibre est passif (sans alimenter les lasers) et le couplage avec la fibre est
efficace
Fiable sensibilité à la température
Haut débit (qlq Gbit/s) de transmission pour une fiable consommation, largeur spectrale typique de
0,1nm
potentiellement bas coût car les composants sont terminés et testés sur plaque
2 Laser à multiples électrodes et à multiples sections : Lasers accordables

Toujours pour l’évolution des systèmes WDM ou DWDM et actuellement UWDM, la


nécessité d’utiliser une source optique accordée en longueur d’onde a favorisé les recherches
sur les lasers à multiples électrodes et à multiples sections :
Section de gain : Partie de la diode laser : le courant I1 commande la puissance émise
Section de Bragg : Comporte le réseau de Bragg qui sélectionne la longueur d’onde
réfléchie d’où DRB). Cette longueur d’onde est commandée par le courant I2, par l’effet
électro-optique.
Section de Phase : La commande de courant I3, en faisant varier l’indice du guide, réalise
l’accord de phase entre la lumière réfléchie par le réseau et celle par l’autre face clivée
4-7 COMPARAISON ENTRE DIFFERENTS LASERS
Par la réponse spectrale

Par les valeurs typiques des paramètres :

Laser à guidage par le Laser à guidage par Laser DFB


gain l’indice

Puissance optique 10mW qlq mW >40mW

Diagramme d’émission Elliptique et Elliptique et Elliptique et

dissymétrique symétrique symétrique


Largeur de spectre 5 à 10nm Quelques nm <<0.1nm

Seuil de courant >100mA 10 à 30 mA 10 à 30 mA

Temps de montée <1ns <1ns <0.1ns

Bruit Fort (bruit de Faible Faible


répartition de modes)

Coût Assez faible Elevé (coût de la tête Elevé (coût de la tête


optique) optique

Applications Capteurs, lecture de Transmissions à Transmissions longues


disques optiques longues distances sur distances sur fibre
fibre monomode monomode
Comparaison entre Diode LED et diode laser
4-8 Couplage laser-fibre

Pour injecter le signal du laser dans la fibre, il est nécessaire d’adapter leurs spots respectifs si
on ne veut pas perdre trop de puissance
Pour obtenir un rendement maximum, il faut que les deux spots soient identiques et
parfaitement alignés.
Le couplage optique entre un laser et une fibre nécessite des systèmes d’alignement très précis
Ce couplage est évalué par un coefficient de couplage ou le rendement de couplage η qui
dépend des 4 situations suivantes :
•Largeurs différentes (celle du laser et celle de la fibre)
•Défocalisation
•Décalage
•Désalignement

4-7 Module Laser en boîtier


• Les diodes laser utilisées dans les transmissions par fibres optiques sont associées à d’autres
composants dans des boîtiers électroniques (boîtier butterfly).