INFORME ELECTRONICA

POLARIZACIÓN DE TRANSISTORES BJT

Daniel Mauricio Acosta Rosero 218160005

Brayan Aldair Chamorro Tonguino 218160090
Jhoan Sebastian Martinez Ordoñez 218160213

Figura 1. Transistor npn. Tomado de

RESUMEN: En el laboratorio realizamos la http://www.electronics-
práctica de polarización de transistores usando un tutorials.ws/transistor/tran_2.html
modelo 2N3904 (NPN) para determinar la
ganancia que hay en corriente de emisor común,
así mismo identificamos sus curvas de nivel y
hallamos las caída de voltaje en las diferentes
resistencias que manejamos en nuestro montaje.

PALABRAS CLAVE:
Transistor, Diodo, resistencia, polaridad.

1 INTRODUCCIÓN

1.1 Marco teórico Figura 2. Transistor pnp. Tomado de

El transistor es un dispositivo semiconductor
de tres capas. El material constituyendo cada capa
definirá el tipo de transistor. Existe el transistor
npn (Figura 1), que consta de dos capas de material
tipo n y una de material tipo p. El otro tipo de
transistor es el pnp (Figura 2), que consta de dos
capas de material tipo p y una tipo n. La capa de
emisor suele ser muy dopada, la base ligeramente,
y el colector solo un poco. Las capas externas del
transistor son más gruesas que la capa encontrada
en la mitad de estas. La capa del centro (la base),
tendrá un menor dopado que las capas externas.
Esto para reducir la conductividad, aumentándose
la resistencia del material conformando la base, al
limitar el número de portadores libres.
http://www.electronics-
tutorials.ws/transistor/tran_3.html
Los dispositivos semiconductores de tres
terminales como el transistor son empleados en
múltiples aplicaciones como amplificadores de
señales para el diseño de lógica digital y circuitos
de memoria. El transistor maneja como principio el
uso de voltaje entre dos de sus terminales para
controlar la corriente presente en la tercera
terminal. Por lo que se puede usar para generar una
fuente controlada, lo cual es lo básico para el
diseño de un amplificador (electrónica análoga).
En otro caso la señal controlada puede emplearse
para que la corriente en el tercer terminal
incremente desde cero hasta un valor inmenso, des
esta manera el dispositivo actuaría como un switch
(electrónica digital), lo cual es básico para los
circuitos digitales.
 Experimento 1: Polarizaci´on fija
estabilizaci´on de polarizaci´on mejorada
y 1. DATOS SUMINISTRADOS
A continuación se exponen los datos
suministrados para el diseño de
nuestro laboratorio.

V CC =10V
RC =500Ω
V BE =0.7V
para la zona activa
Q DC =0.5
para la zona de corte
Para diseñar, analizar y ponerle creatividad a la Q DC =0.98
implementación de circuitos con óptimos para la zona de saturacion
resultados, pocos elementos y costos razonables,
Q DC =0.05
debemos:

En primer lugar se establece un sistema de 2. CALCULOS

ecuaciones, planteándolas por nodos y mallas visto
previamente. Las funciones que se generan en este
ZONA ACTIVA
caso, serán:
β=272

Para nuestro punto de trabajo ya

especificado anteriormente, el cual es la
zona activa es de 0.5
V CE
Q DC =
V CC
Para la malla de entrada: V CE =Q DC∗V CC
0.5∗10=5 V =V CE
V CC −I B R B −V BE−I E R E =0
Analizando nuestro circuito, deducimos
que:

Malla de salida:
V CC −I C RC −V CE−I E R E =0

Donde la el transistor nos ofrece una

relación para la zona activa entre la
entrada y la salida previamente
estudiada y comprobada q será:
V CC −V RC −V CE −V E
I C =β I B ⟺ I E =(β +1) I B
Sabiendo que V E=0 , tendremos que
V RC =V CC −V CE I C =10mA

V RC =10−5=5=V RC V RC =5v

Cociendo la ley Ohm, sabemos que I B=36.76µA

V=I*R, donde en dicha resistencia d
colector tendremos, R B=253 KΩ

V RC
V RC =I C + R C ⟺ I C =
RC
ZONA CORTE
5v
I C= β=282
500Ω

I C =10mA Para nuestro punto de trabajo ya

especificado anteriormente, el cual es la
Tomando la ecuación planteada por el zona corte es de 0.98
V CE
transistor, digo que: Q DC =
V CC
IC V CE =Q DC∗V CC
I C =β I B ⟺ I B= 0.98∗10=9.8V =V CE
β

10mA
I B= Analizando nuestro circuito, deducimos
272
que:
I B=36.76µA

Retomando la ecuación planteada por la

malla de entrada, digo que:

V CC −I B R B −V BE=0
V CC −I B R B −V BE−I E R E =0

Despejando R B, tenemos
V CC −V RC −V CE −V E
V CC−V BE
R B=
IB Sabiendo que V E=0 , tendremos que
10 −0.7 v
R B= v V RC =V CC −V CE
36.76µA
R B=253 KΩ V RC =10−9.8=0.2 v =V RC

Resumiendo tenemos que: Cociendo la ley Ohm, sabemos que

V=I*R, donde en dicha resistencia d
V CE =5V colector tendremos,
 V RC
V RC =I C + R C ⟺ I C =
RC
ZONA SATURACION
0.2v
I C= β=280
500Ω
Para nuestro punto de trabajo ya
I C =400 µA
especificado anteriormente, el cual es la
zona de saturación es de 0.05
Tomando la ecuación planteada por el V CE
transistor, digo que: Q DC =
V CC
IC V CE =Q DC∗V CC
I C =β I B ⟺ I B= 0.05∗10=0.5V =V CE
β

40µA
I B= Analizando nuestro circuito, deducimos
282
que:
I B=1.41µA

Retomando la ecuación planteada por la

malla de entrada, digo que:

V CC −I B R B −V BE=0
V CC −I B R B −V BE−I E R E =0

Despejando R B, tenemos
V CC −V RC −V CE −V E
V CC−V BE
R B=
IB Sabiendo que V E=0 , tendremos que
10 −0.7 v
R B= v V RC =V CC −V CE
1.41µA
R B=6.6 MΩ
V RC =10−0.5=9.5=V RC

Resumiendo tenemos que: Cociendo la ley Ohm, sabemos que

V=I*R, donde en dicha resistencia d
V CE =9.8V colector tendremos,
I C =400 µA V RC
V RC =I C + R C ⟺ I C =
RC
V RC =0.2
9. 5v
I B=1.41µA I C=
500Ω
R B=6.6 MΩ
I C =19mA
 Tomando la ecuación planteada por el
transistor, digo que:

IC
I C =β I B ⟺ I B=
β

19mA
I B=
280

I B=67.85µA

Retomando la ecuación planteada por la R1 = 10 K  , R2 = 2 K  , RE = 220  , Rc = 1 K  , Vcc = 12 V

malla de entrada, digo que: Las mediciones tomadas fueron:
R1=9.74k
V CC −I B R B −V BE=0 Rc=0.968k
V CC −I B R B −V BE−I E R E =0 R2=2.003K
RE=217.4
Diodo 2N3904
Despejando R B, tenemos Vcc=12.01V
VRC=5.56 VIC=5,74mA
V CC−V BE VRE= 1.251VIE=5.7mA
R B=
IB VCE=5.13 V
10 −0.7 v VR1=9.98 V
R B= v VBE=0.716 V
67.85µA
VR2=1.972 V
R B=137 KΩ Diodo 2N3906
Vcc=-12.01 V
Resumiendo tenemos que: VCE=-5.01V
VR1=-10.03V
V CE =0.5V VBE=-0.702 V
VR2=1.972 V
I C =19mA VRC==-5.71VIC=5.89mA
VRE=-1.288VIE=5.92mA
V RC =9.5 v En conclusión:

I B=67.85µA Los resultados obtenidos siguieron un

margen esperado con pequeñas
R B=137 KΩ variaciones en su magnitud

Se encuentra una relación muy clara entre

Experimento 2: Polarización por divisor
IC Y IB con la beta medida lo cual indica
de voltaje
resultados satisfactorios

Los resultados son congruentes con la

teoría
Un recomendación a tomar en cuenta es
siempre no tomar en cuenta las primeras
variaciones que muestra las resistencias y
verificar que diodo se está utilizando.

Bibliografía

http://www.monografias.com/trabajos97/polar
izacion-del-transistor-bjt/polarizacion-del-
transistor-bjt.shtml#ixzz4IuA4a5Kz
.-Electrónica: teoría de circuitos y dispositivos
electrónicos- boylestaD
.-WWW.CIRCUITOS ELECTRICOS BJT.COM