Vous êtes sur la page 1sur 7

it'lodule : Physique et technologie des composants Elément: Physique du solide et

électroniques et optoélectroniques des composants électroniques à SC

Travaux pratiques

Caractérisation d'une diode à jonction,


d'un transistor bipolaire type NpN,
et d'un transistor à effet de champ à ionction canal N
1) Caractérisation d'une diode à jonction :

1.1J

a Repérer la diode D, sur la maquette de référence MCM3,


a Vérifier, à l'aide d'un multimètre, ]'état de la diode D, à vide,
aJ Caractéristique instantanée directe :

a Insérer ies pontets Jz,Ja,Js etls de façon à réaliser 1e circuit suivant:

*Vcc

La paire (+Vcc,-Vcc) désigne l'alimentation stabilisée qui délivre une tension continue réglable.
mA est un milliampèremètre et 7 est un voltmètre magnétoélectrique, branché directement aux
bornes de D, [à ne pas brancher entre les points 3 et 4 de la carte !).
o En se référant aux caractéristiques données sur le datasheet, calculer la résistance
minimale R1*;,rdu résistor Rrqui asslrre, à la limite, la protection de la diode. Vérifier que Ia
résistance proposée sur la maquette convrent,
o |ustifier le branchement du voltmètre et du milliampèremètre,
. Augmenter progressivement la tension d'alintentation (potentiomètre de la section.S5 du
bloc alimentation), et mesurer ia tension aux bornes de D, pour les valeurs de 1 [ce dernier étant
le courant lu sur le milliampèremètrel indiquées dans le tableau suivant :

I (mA\ 0,3 0,5 0,7 1 2,5 5 7,5 10


V (V)

o Reporter ces valeurs sur le papier millimétrique joint. 0n choisira les échelles suivantes
r en abscisse : 0,1V par 2 carreaux ;
:

r en ordonnée : L mA par 2 carreaux.


o A partir de la courbe obtenue, déduire :

. la tension de seuil 75 ;
' la résistance dynamique ro = (LV /41) autour d'un point de fonctionnement, qui
sera choisi dans la partie linéaire de la caractéristique directe,
o Tracer, sur le même papier, la caractéristique directe linéarisée [ou segmentée) de la diode.
Donner le modèle [ou le schéma électrique) équivalent à la diode idéalisée, Donner une condition
sur 7 pour pouvoir substituer la diode à ce modèle.

Université Mohammed V de Rabat - ENSET - Dép, de génie électrique


ACHOUR 1ère année FI-GE
Module : Physique et technologie des composants Elément : Physique du solide et
V
électroniques et optoélectroniques des composants électroniques à SC

o Reporter les valeurs relevées sur le papier semi-iogarithmique joint. En déduire :

. la tension thermodynamique [ ;
. le courant de saturation 15.
L'axe logarithmique est celui du courant /, et l'axe des ordonnées est linéaire avec Llne échelle de
0,1,V par 2 carreaux.
b) Caractéristique instantanée inverse :
o Déconnecter les pontets précédents de la carte, Insérer les pontets Jr,Ja, Js, Jo et
l'ampèremètre aux bornes de J, afin de réaliser le circuit suivant :

_a11.
_ L,LK

D1

-Vcc

o fustifier le branchement du voltmètre et du microampèremètre.


o Pour chaque tension /, relever l'intensité du courant assocré :

V (V) 5 10 15 20
I (vA)
a Tracer, sur 1e papier millimétrique précédent, la caractéristlque inverse de Dr.
c)
a Insérer les pontets Js,Jz,Je,Jg etJ+ de façon à réaliser le circuit suivant:

(.)
O"
o
(.)
24v
alter a
o
-.]
.-.,]
._l
U
ül
o

o Relier la masse de l'oscilloscope à la cathode de Dr, la voie X de façon à visualiser ia


tension aux extrémités de la diode et la voie Y de façon à visualiser la tension aux bornes de Rr.
o Invertir la voie Y de l'oscilloscope [menu CHZ - Invert sur "0N") et sélectionner le mode
XY fmenu Horz - Time base sur "X-Y").
o Relever puis justifier la caractéristique courant-tension obtenue.
Université Mohammed V de Rabat - ENSET - Dép. de génie électrique
ACHOUR 1ère année FI-GE
Module : Physique et technologie des composants Elément : Physique du solide et
- électroniques et optoélectroniques des composants électroniques à SC

. Mesurer la tension de seuil 75 et ia résistance dynamique ra. Comparer à la méthode


manuelle [paragraphes a et b). Conclure.
0n choisira judicieusement ies calibres des deux voies de façon à améliorer la précision des
mesures. Les sondes seront positionnées sur l'atténuationl,/1,0.
1.2) Relevé de la caractéristique courant-tension de Ia diode à jonction au Germanrum Dr.
o Ouvrir les pontets Ja etJs et fermer les pontets Jrc etJn.
. Refaire l'étude précédente puis comparer les grandeurs mesurées.
1,3) Remarque : Quoique le principe de fonctionnement d'une diode à jonction n'est pas
identique à celui d'une diode électroluminescente ILEDJ, cette dernière présente une tension de
seuil nettement supérieure à celle des diodes examinées précédemment.

2) Caractérisation d'un transistor bipolaire type NPN :


2,1) ldentification du tlzpe :

+ . Repérer les transistors I, et I, sur la carte de référence MCM4,


. Sachant que ces deux transistors sont prévus pour fonctionner en mode actif normal,
vérifier et justifier, à l'aide d'un multimètre, le ÿpe de chacun.
2.2J Mesure des gains en courant statlques a et É et relevé du transfert en courant :
. Vérifier, à l'aide d'un multimètre, l'état du transistor I, à vide.
. Régler l'aiimentation ajustableV6ç à12V.lnsérer les pontets Jz,Je etJo et brancher les
ampèremètres comme c'est indiqué sur Ia figure suivante :

12V

. Relever les courants de collecteur 1r associés aux courants de base 1B du tableau


suivant, 0n aura Ie soin de fixer, à chaque fois, ia tension VcE à 1,01/ (afin d'améliorer ia précision
de mesure, débrancher le voltmètre lors de Ia mesure de 16).

1" (u,4) 10 30 50 7A 90
I" (mA)

o Tracer, sur le papier millimétrique joint, la courbe de transfert en courant donnant 16 en


fonction de 1s. Déduire le gain statique B, défini dans la zone linéaire de ce transfert, Ce gain est
aussi noté h7, (h comme hybride, / comme forward ou direct et e désigne la configuration
émetteur commun du transistorJ.

Université lvlohammed V de Rabat - ENSET - Dép, de génie électrique


ACHOUR 1ère année FI-GE
Module : Physique et technologie des composants Elément : Physique du solide et
électroniques et optoélectroniques des composants électroniques à SC

o Modifier le circuit précédent en débranchant l'ampèremètre de la base de ?"r, Insérer/r,


déconnecter Ju et brancher l'ampèremètre entre les points 5 et 6 de façon à pouvoir mesuràr le
courant d'émetteur 1r.
. Régier le potentiomètre Rr, de sorte à avoir Iç égal à 25 mA.
o Mesurer le courant 1s associé. En déduire le gain en courant en configuration base
commune n,
. Expliquer pourquoi a est légèrement inférieur à l'unité.
2.3) Relevé du réseau des caractéristiques de sortie du transistor : c'est l'ensemble des
caractéristiques donnant 16 en fonction de VcE à IB paramètre (constantJ.
o Revenir au circuit permettant la mesure du gain p. Brancher un voltmètre entre les points
7 etB afin de pouvoir mesurer la tension [ou différence de potentiel - "d,dp")vç8.
o Déconnecter J2 pour mettre la base en l'air [1s = 0,4). Relever, dans ces conditions,les
courants de collecteur associés aux tensions I/6s proposées dans le tableau suivant. 0n choisira ici
un calibre de 10 et on procèdera à une extrapolation pour les tensions supérieures à ce calibre,

V", (V) 1,5 2


a
J 4 5 6 I 10 15 20
I" (rA)

o Refaire les mesures de 16 lorsqu'on choisit le calibre 30. conclure.


. Insérer, à nouveau, le pontet/, pour polariser la base du transistor.
o Refaire les mesures précédentes et ce pour les valeurs du courant de base Is suivantes :

I* (uA) 20 40 50 70 90
o Prendre le papier millimétrique joint en mode paysage et partager le en deux parties.
o Rassembler et reporter les différentes mesures de /5, sur la partie droite. Veiller à choisir
des échelles adéquates de façon à occuper toute cette partie,
o Déduire, point par point, le transfert en courant du transistor à Vcs = L0 V = cte, sur la
partie gauche du papier. Déduire le gain en courant B,
o Considérer la caractéristique de sortie correspondant à Ia = 50 p.A. En déduire la
résistance de sortie équivalente r* dù transistor, déflnie par Ie rapport dynamique A,uçs/A,iç à
ts = Ia - 50 LL4, autour d'un point de fonctionnement statique que l'on choisira sur la
caractéristique considérée.
o Peut-on supposer que le transistor, vu de la sortie, est une source de courant parfaite ?
Justifier.
. Comment évolue rce en fonction du paramètre 1, ? Conclure,
o En agissant sur le potentiomètre Rrr, faire varier 16 dans le sens croissant puis noter la
première valeur de ce dernier [appelée Isrot) pour laquelle Ie courant de collecteur 16 devient
constant [ce courant particulier s'appelle Icrot).0n dit que le transistor est juste saturé.
o Calculer le rapport l6so1f Isror. Comparer le au gain en courant B.
o Revenir au réseau des caractéristiques de sortie tracé précédemment et préciser y les trois
régions fondamentales du transistor : blocage,linéaire et saturation.
2.4) Caractéristique d'entrée du transistor :

o Donner et justifier l'allure de la caractéristique d'entrée du transistor donnant 1s en


fonction deVBs.
o Pourquoi appelle-t-on le transistor bipolaire un composant actif non iinéaire ? Quel est
l'effet d'un tel comportement sur les signaux ?
' uonner l'ordre de grandeur de la résistance d'entrée dynamique équivalente du transistor.
La résistance dynamique r4 d'une jonction PN, polarisée en directe, s'écrit i 16
= Vr / I (l: statique),
université Mohammed v.iîiii:.r;-tisEr - Dép, de génie électrique
ACHoUR 4
Module : Physique et technologie des composants Elément : Physique du solide et
électroniques et optoélectroniques des composants éiectroniques à SC

3) Caractérisation d'un TEC à jonction canal N :


3.1) Relevé de ia caractéristique de transfert d'un TEC : c'est la courbe donnant le courant de
sortie 1, en fonction de la tension d'entrée Vcs.ll s'agit d'un transfert puisqu'on exprime une
grandeur de sortie en fonction d'une grandeur d'entrée.
Ces deux grandeurs sont liées par ia relation :

Io=loss*(1-Vrr/Vr)'
et le TEC est appelé composant quadratique non linéaire.
Remarque : pour un bon fonctionnement du TEC à jonction canal N, la tension d'entrée 26, ne
peut être que négative ou nulle.
o justifier la double appellation donnée au TEC à jonction.
o Insérer les pontets JEo, Jsz et/16 puis brancher le voltmètre et I'ampèremètre pour réaliser
le circuit de la figure suivante:

+1.2V

Rre

Rÿ

-1.2V

o Fixer Vcc à L0 7. En agissant sur le potentiomètreRru, faire varier Ia tension 265 depuis zéro,
par valeurs décroissantes, Reler,'er la première l.aieur de 70,
[notée V, (p comme pin-ement)) pour
laquelle Ie courant 1, s'annule. Quel est alors l'état électrique du transistor ?
o Mesurer les courants 1p correspondant aux tensions proposées dans le tableau suivant :

V"" (V\ 0 -0,5 - 1,5 -2


-1. -2,5 -3 -3,5 -+ -4,5
In (mA)

o Rassembler les résultats et tracer le transfert sur le papier millimétrique joint. Déduire la
quantité Ip55.
o Que représente la pente du transfert pour une tension 255 donnée ?
o Comparer les valeurs de 1p5, et de Vo avec celles des autres binômes, Conclure.
Peut-on parler de saturation comme pour le cas des transistors bipolaires ?
3.2; ,-,,, mr^ ! .
:

o Fixer vç5 à zéro et relever la tension vps et le courant de drain Ip pour différentes valeurs
croissantes de 7rr :

Université Mohammed V de Rabar - ENSET - Dép, de génie électrique


ACHOUR Lère année FI-GE
I

Module : Physique et technologie des composants Elément : Physique du solide et


électroniques et optoélectroniques des composants électroniques à SC

o Refaire les mêmes manipulations pour Vcs = -L V, -2 V et -3 V .

o Rassembler les mesures obtenues et tracer, sur le papier millimétrique joint, le réseau des
caractéristiques de sortie donnant /p en fonction de VDS àVGS paramètre,
. Considérer la caractéristique de sortie correspondant à Vcs = *2 V. En déduire la
résistance de sortie équivalente p du transistor, définie par le rapport Lvrtf L,io = ud.s/td àucs :
Vcs = -2 V , autour d'un point de fonctionnement statique que l'on choisira sur la caractéristique
considérée.
o Comparer p à la résistance équivalente ræ d'un transistor bipolaire.
o Peut-on supposer que le TEC à jonction, vu de la sortie, est une source de courant quasi-
parfaite ? Justifier,
o Préciser, sur le papier millimétrique, les zones de fonctionnement suivantes : résistive,
amplificatrice et bloquée.
o Proposer alors trois fonctionnements fondamentaux d'un TEC à jonction.

Consignes

. Veuillez protéger l'aiguille de l'appareil de mesure [voltmètre / ampèremètre). Pour cela,


choisissez le calibre le plus grand avant d'effectuer la série de mesures.
. Améliorer la précisron des mesures en :

. ajustant le zéro de l'appareil [référence),


r se plaçant juste au-dessus de l'aiguille lors des relevés,
. choisissant un calibre de sorte à ce que I'aiguille occupe la partie droite du cadran,
. gardant le même calibre pour une série de mesures donnée,

'..'' ---'_ --._-

Université Mohammed V de Rabat - ENSET - Dép. de génie électrique


ACHOUR 1ère année FI-GE
Module : Physique et technologie des composants Elément: Physique du solide et
I
électroniques et optoélectroniques des composants électroniques à SC

Remarques

o Une introduction ou une partie du cours ne fait pas partie d'un compte-rendu, Ce dernier
doit, plutôt, comporter un objectif, un cahier des charges, le matériel utilisé, des résultats (on les
préfère regroupés dans une courbe et non dans un tableau), des interprétations, des conclusions
et des comparaisons avec la théorie. 0n y introduit des formuies, des hypothèses du cours pour
justifier les réponses aux questions ou pour argumenter les mesures obtenues.
r Les grandeurs mesurées sont souvent différentes des grandeurs calculées, Dans ce cas, il
faut passer au calcul de la précision, définie par ie rapport :

(valeur mesurée - ualeur caLculée)/ualeur calculée


Si ce rapport dépasse (est inférieur à) 1-0%, on refuse (accepte) la valeur mesurée.
Rappelons que 10% est ia précision la moins sévère à considérer. Au-delà, ce ne sont plus des
mesures respectées.
o N'utilisez pas Excel pour tracer des courbes. Ce dernier effectue une interpolation linéalre
pour relier 2 points consécutifs d'un tableau de mesure, Il faut toujours chercher à lisser les
courbes [on peut parfois ignorer certains points qui sont obtenus suite à une erreur de lecture,
etc .,,J. De plus, il serait préférable de tracer les courbes au laboratoire pour s'assurer de leur
validité.
o Essayez de réduire au maximum le nombre d'appareils et ceci dans le but d'améliorer la
précision des mesures. Prenez l'habitude de préciser les calibres et les bases de temps choisis.

Université Mohammed V de Rabat - ENSET - Dép. de génie électrique


ACHOUR 1ère année FI-GE