BSM 200 GB 120 DN2

IGBT Power Module

• Half-bridge
• Including fast free-wheeling diodes
• Package with insulated metal base plate

Type VCE IC Package Ordering Code

BSM 200 GB 120 DN2 1200V 290A HALF-BRIDGE 2 C67070-A2300-A70

Maximum Ratings
Parameter Symbol Values Unit
Collector-emitter voltage VCE 1200 V
Collector-gate voltage VCGR
RGE = 20 kΩ 1200
Gate-emitter voltage VGE ± 20
DC collector current IC A
TC = 25 °C 290
TC = 80 °C 200
Pulsed collector current, tp = 1 ms ICpuls
TC = 25 °C 580
TC = 80 °C 400
Power dissipation per IGBT Ptot W
TC = 25 °C 1400
Chip temperature Tj + 150 °C
Storage temperature Tstg -40 ... + 125

Thermal resistance, chip case RthJC ≤ 0.09 K/W

Diode thermal resistance, chip case RthJCD ≤ 0.18
Insulation test voltage, t = 1min. Vis 2500 Vac
Creepage distance - 20 mm
Clearance - 11
DIN humidity category, DIN 40 040 - F sec
IEC climatic category, DIN IEC 68-1 - 40 / 125 / 56

1 Oct-21-1997
BSM 200 GB 120 DN2

Electrical Characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified

Parameter Symbol Values Unit
min. typ. max.

Static Characteristics
Gate threshold voltage VGE(th) V
VGE = VCE, IC = 8 mA 4.5 5.5 6.5
Collector-emitter saturation voltage VCE(sat)
VGE = 15 V, IC = 200 A, Tj = 25 °C - 2.5 3
VGE = 15 V, IC = 200 A, Tj = 125 °C - 3.1 3.7
Zero gate voltage collector current ICES mA
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tj = 25 °C - 3 4
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tj = 125 °C - 12 -
Gate-emitter leakage current IGES nA
VGE = 20 V, VCE = 0 V - - 400

AC Characteristics
Transconductance gfs S
VCE = 20 V, IC = 200 A 108 - -
Input capacitance Ciss nF
VCE = 25 V, VGE = 0 V, f = 1 MHz - 13 -
Output capacitance Coss
VCE = 25 V, VGE = 0 V, f = 1 MHz - 2 -
Reverse transfer capacitance Crss
VCE = 25 V, VGE = 0 V, f = 1 MHz - 1 -

2 Oct-21-1997
BSM 200 GB 120 DN2

Electrical Characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified

Parameter Symbol Values Unit
min. typ. max.

Switching Characteristics, Inductive Load at Tj = 125 °C

Turn-on delay time td(on) ns
VCC = 600 V, VGE = 15 V, IC = 200 A
RGon = 4.7 Ω - 110 220
Rise time tr
VCC = 600 V, VGE = 15 V, IC = 200 A
RGon = 4.7 Ω - 80 160
Turn-off delay time td(off)
VCC = 600 V, VGE = -15 V, IC = 200 A
RGoff = 4.7 Ω - 550 800
Fall time tf
VCC = 600 V, VGE = -15 V, IC = 200 A
RGoff = 4.7 Ω - 80 120

Free-Wheel Diode
Diode forward voltage VF V
IF = 200 A, VGE = 0 V, Tj = 25 °C - 2 2.5
IF = 200 A, VGE = 0 V, Tj = 125 °C - 1.8 -
Reverse recovery time trr µs
IF = 200 A, VR = -600 V, VGE = 0 V
diF/dt = -2000 A/µs, Tj = 125 °C - 0.5 -
Reverse recovery charge Qrr µC
IF = 200 A, VR = -600 V, VGE = 0 V
diF/dt = -2000 A/µs
Tj = 25 °C - 12 -
Tj = 125 °C - 36 -

3 Oct-21-1997
BSM 200 GB 120 DN2

Power dissipation Safe operating area

Ptot = ƒ(TC) IC = ƒ(VCE)
parameter: Tj ≤ 150 °C parameter: D = 0, TC = 25°C , Tj ≤ 150 °C

10 3
1500
t = 49.0µs
p
W
1300 A 100 µs
Ptot 1200 IC
1100
10 2
1000
900
800
1 ms
700
600
500 10 1

400
10 ms
300
200
100
0 10 0 DC 3
0 1 2
0 20 40 60 80 100 120 °C 160 10 10 10 10 V
TC VCE

Collector current Transient thermal impedance IGBT

IC = ƒ(TC) Zth JC = ƒ(tp)
parameter: VGE ≥ 15 V , Tj ≤ 150 °C parameter: D = tp / T

10 0
300
A K/W
260
10 -1
IC 240 ZthJC
220
200
10 -2
180
160
140 D = 0.50
10 -3
120 0.20
0.10
100
0.05
80
10 -4 0.02
60 single pulse
0.01
40
20
0 10 -5
-5 -4 -3 -2 -1 0
0 20 40 60 80 100 120 °C 160 10 10 10 10 10 s 10
TC tp

4 Oct-21-1997
BSM 200 GB 120 DN2

Typ. output characteristics Typ. output characteristics

IC = f (VCE) IC = f (VCE)
parameter: tp = 80 µs, Tj = 25 °C parameter: tp = 80 µs, Tj = 125 °C

400 400

A A
17V 17V
15V 15V
IC 13V IC 13V
300 11V 300 11V
9V 9V
7V 7V
250 250

200 200

150 150

100 100

50 50

0 0
0 1 2 3 V 5 0 1 2 3 V 5
VCE VCE

Typ. transfer characteristics

IC = f (VGE)
parameter: tp = 80 µs, VCE = 20 V

400

IC
300

250

200

150

100

50

0
0 2 4 6 8 10 V 14
VGE

5 Oct-21-1997
BSM 200 GB 120 DN2

Typ. gate charge Typ. capacitances

VGE = ƒ(QGate) C = f (VCE)
parameter: IC puls = 200 A parameter: VGE = 0 V, f = 1 MHz

20 10 2

V
nF
VGE 16
C

14 600 V 800 V Ciss

10 1

12

10

Coss
8
10 0
6 Crss

0 10 -1
0 200 400 600 800 1000 nC 1400 0 5 10 15 20 25 30 V 40
QGate VCE

Reverse biased safe operating area Short circuit safe operating area
ICpuls = f(VCE) , Tj = 150°C ICsc = f(VCE) , Tj = 150°C
parameter: VGE = 15 V parameter: VGE = ± 15 V, tSC ≤ 10 µs, L < 25 nH

2.5 12

ICpuls/IC ICsc/IC

8
1.5

1.0

0.5
2

0.0 0
0 200 400 600 800 1000 1200 V 1600 0 200 400 600 800 1000 1200 V 1600
VCE VCE

6 Oct-21-1997
BSM 200 GB 120 DN2

Typ. switching time Typ. switching time

I = f (IC) , inductive load , Tj = 125°C t = f (RG) , inductive load , Tj = 125°C
par.: VCE = 600 V, VGE = ± 15 V, RG = 4.7 Ω par.: VCE = 600 V, VGE = ± 15 V, IC = 200 A

10 4 10 4

ns ns
tdoff
t t

10 3 10 3

tdoff
tdon
tr

tdon
10 2 tr 10 2
tf
tf

10 1 10 1
0 100 200 300 A 500 0 10 20 30 40 Ω 60
IC RG

Typ. switching losses Typ. switching losses

E = f (IC) , inductive load , Tj = 125°C E = f (RG) , inductive load , Tj = 125°C
par.: VCE = 600 V, VGE = ± 15 V, RG = 4.7 Ω par.: VCE = 600V, VGE = ± 15 V, IC = 200 A

100 100
Eon
mWs Eon mWs

E 80 E 80

70 70

60 60

50 Eoff 50
Eoff
40 40

30 30

20 20

10 10

0 0
0 100 200 300 A 500 0 10 20 30 40 Ω 60
IC RG

7 Oct-21-1997
BSM 200 GB 120 DN2

Forward characteristics of fast recovery Transient thermal impedance Diode

reverse diode IF = f(VF) Zth JC = ƒ(tp)
parameter: Tj parameter: D = tp / T

10 0
400

K/W
A

IF ZthJC
300 10 -1

250

Tj=125°C Tj=25°C
200 10 -2
D = 0.50
0.20
150
0.10
0.05
100 10 -3
0.02
single pulse 0.01
50

0 10 -4
-5 -4 -3 -2 -1 0
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 V 3.0 10 10 10 10 10 s 10
VF tp

8 Oct-21-1997
BSM 200 GB 120 DN2

Circuit Diagram

Package Outlines
Dimensions in mm
Weight: 420 g

9 Oct-21-1997
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules BSM200GB120DN2
Anhang C-Serie
Appendix C-series

Gehäuse spezifische Werte

Housing specific values typ.
Modulinduktivität
LsCE 20 nH
stray inductance module

Gehäusemaße C-Serie
Package outline C-series

Appendix_C-Serie_BSM200GB120DN2.xls
Appendix C-series 2001-09-20
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