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DIODOS: FUNCIONAMIENTO Y
APLICACIONES
M.Sc. Wendy Navarro
wendyn@uninorte.edu.co
 DIODO IDEAL

Símbolo del diodo Características i-v

Polarización Inversa Polarización Directa

Figure 3.1 The ideal diode: (a) diode circuit symbol; (b) i–v characteristic; (c)
2
equivalent circuit in the reverse direction; (d) equivalent circuit in the forward direction.
DIODO IDEAL

Polarización Directa

Polarización Inversa

Resistencia limitadora
 Curvas Características de
4
Transferencia Diodo Ideal
Circuito Abierto Corto circuito
Figure 3.3 (a) Rectifier circuit. (b) Input waveform. (c) Equivalent circuit when vI  0. (d) Equivalent circuit
when vI 0. (e) Output waveform.
 ANÁLISIS DE CIRCUITOS CON
DIODOS IDEALES
6

5kΩ

5kΩ 5kΩ
 ANÁLISIS DE CIRCUITOS CON
DIODOS IDEALES
7
 ANÁLISIS DE CIRCUITOS CON
DIODOS IDEALES
8
 ANÁLISIS DE CIRCUITOS CON
DIODOS IDEALES
9
 DIODOS REALES
10

Son semiconductores (generalmente de Silicio y Germanio)

divididos en dos zonas, una se dopa con impurezas de tipo P y la
otra de tipo N.

La zona P tiene un exceso de huecos, y se obtiene introduciendo

átomos del grupo III (trivalentes) en la red cristalina (por
ejemplo, boro, galio).

La zona N dispone de 5 electrones en exceso en capa de

valencia, procedentes de átomos del grupo V (fósforo, arsénico).

Portadores mayoritarios
- P: Huecos
- N: Electrones
 DIODOS REALES
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Banda de conducción -

Par electrón-hueco Recombinación

Efectos Térmicos

- - -
Banda de Valencia

Ánodo Cátodo

El efecto es que los electrones y los huecos cercanos a la unión de las dos
zonas la cruzan y se instalan en la zona contraria (zona de recombinación):

• Electrones de la zona N pasan a la zona P.

• Huecos de la zona P pasan a la zona N.

Corriente de Electrones: Banda de conducción

Corriente de Hueco: Banda de valencia (los electrones pasan de hueco en hueco por
efecto de la tensión)
 DIODOS REALES
Corriente de difusión: Ocupación de huecos
por electrones. Se ionizan los átomos

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Recombinación Aumenta Barrera

Corriente de Corriente de saturación
difusión Depende de la temp.

Corriente de fuga: 0A

Polarizar un diodo PN en directa es aplicar tensión positiva a la zona P y

negativa a la zona N. Un diodo PN conduce en directa porque se inunda de
cargas móviles la zona de recombinación.

La tensión aplicada se emplea en:

• Vencer la barrera de potencial (forma exponencial)
• Mover los portadores de carga.
DIODOS DE UNIÓN PN
 DIODOS REALES
14
 I I
Solo tensión
Ideal de codo
Ge = 0.3 V
Si = 0.7 V
V V
I I
Curva real
Tensión de codo y (simuladores,
Resistencia directa análisis
gráfico)

V V

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 Ge: mejor en conducción
Si: mejor en bloqueo
i [mA]
1

Ge Si

V [Volt.]

0
-0.25 0.25 0.5
Figure 3.16 The constant-voltage-drop model of the diode forward characteristics and its equivalent-circuit
representation.
 Pequeña señal

 VKDTq 
I D  I S   e  1
 

Voltaje de ruptura

Voltaje de conducción

Figure 3.8 The diode i–v relationship with some scales expanded and others compressed in order to reveal details.
En polarización directa
 VD

ID  IS e nVT 
 
 
n = 1: Diodos de Silicio
n = 2: Diodos de Germanio Conducción completa

(Depende de Temp.)

En polarización inversa

I D  I S
Figure 3.9 Illustrating the temperature dependence of the diode forward characteristic. At a constant current, the voltage
drop decreases by approximately 2 mV for every 1C increase in temperature.
EJERCICIOS
 Corriente máxima
I
Tensión inversa
Límite térmico,
máxima
sección del
conductor
Ruptura de la Unión
por avalancha

600 V/6000 A 1000 V /1 A

200 V /60 A
 id
Diodo Rectificador

IOmax

VR = 1000V Tensión inversa máxima

IOMAX (AV)= 1A Corriente directa máxima VR
VF = 1V Caída de Tensión directa
IR = 50 nA Corriente inversa iS Vd

Diodo de
Señal

NOTA:
obtener las hojas de características de
VR = 100V Tensión inversa máxima un diodo (p.e. 1N4007).
IOMAX (AV)= 150mA Corriente directa máxima
VF = 1V Caída de Tensión directa
IR = 25 nA Corriente inversa
 DIODO ZENER

Figure 3.22 Model for the zener diode.

DIODO ZENER

Tensión I
Zener La ruptura no es destructiva.
(VZ)
(Ruptura Zener).

En la zona Zener se comporta

como una fuente de tensión
V (Tensión Zener).

Aplicaciones en pequeñas
Límite máximo fuentes de tensión y
referencias.
Normalmente, límite de
potencia máxima
ALGUNOS DIODOS
Diodo de alta tensión
(Diodos en serie)

600 V/6000 A 1000 V /1 A

200 V /60 A
-Tensión de ruptura (PIV, BV)

- Factor de seguridad depende del

diseñador (2:1, 10:1).
- Pz = Vz . Iz < PD
- IZM = Corriente máxima
- Si no está  IZM = PD/VZ Typ
- La corriente zener debe trabajarse
muy próxima a la corriente de test.
CIRCUITOS RECTIFICADORES

-El diodo es útil como sistema de

seguridad. Si en un circuito la
polaridad cambia por error, gracias al
diodo la corriente no llegará a otros
componentes impidiendo que se
estropeen.
RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA
RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA
RECTIFICADOR EN PUENTE
RECTIFICADOR DE PICO
RECTIFICADOR DE PICO
CIRCUITOS LIMITADORES
DIODOS ESPECIALES
Diodo LED (LED diode) Light Emitter Diode
El semiconductor es un compuesto III-V (p.e. Ga As). Con la unión
PN polarizada directamente emiten fotones (luz) de una cierta
longitud de onda. (p.e. Luz roja)

A K
 Una corriente de fugas proporcional a la luz
Fotodiodos (Photodiode) incidente (siendo sensibles a una determinada
longitud de onda).

Siendo su aplicaciones principales:

Sensores de luz (fotómetros)
i Comunicaciones
V
0
COMENTARIO
iopt Los diodos normales presentan variaciones en la
corriente de fugas proporcionales a la Temperatura y
pueden ser usados como sensores térmicos

i
V
T1 0
T2>T1
 Cuando incide luz en una unión PN, la
característica del diodo se desplaza hacia el
Células solares (Solar Cell) 4º cuadrante.

i En este caso, el dispositivo puede usarse

como generador.

VCA V

Zona
uso
iCC

Paneles de células
solares
Diodo Schottky (Schottky diode)

Unión Metal-semiconductor N. Produciéndose el llamado

efecto schottky.

La zona N debe estar poco dopada.

Dispositivos muy rápidos (capacidades asociadas muy

bajas).

Corriente de fugas significativamente mayor.

Menores tensiones de ruptura.

Caídas directas mas bajas (tensión de codo  0.2 V).

Aplicaciones en Electrónica Digital y en Electrónica de

Potencia

El efecto Schottky fue predicho

teóricamente en 1938 por Walter H.
Schottky
Aplicaciones de los diodos

Detectores reflexión de
objeto

Detectores de barrera
Detectores reflexión de espejo
 Sensores de luz: Fotómetros
Sensor de lluvia en vehículos
Detectores de humo
Sensor de Color

LED

Objetivo Fotodetector

LED azul

LED verde LED

LED rojo Fotodiodo
1N4007 Diodo de Silicio
1N4148 Diodo de Silicio rápido (FAST)
OA91 Diodo de Germanio
HLMPD150 Diodo LED
BZX79C15 Diodo Zener
10MQ040N Diodo Schottky
OK60 Panel Solar
BB152 Diodo Varicap
MG1007-15 Diodo GUNN
AI201K Diodo Tunel
BPW21R Fotodiodo