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AMPLIFICATEUR CHARGE PAR MIROIR DE COURANT

1. On donne le schéma de principe en figure 1, dans lequel le transistor est centré. En


négligeant dans cette première question, l’effet de la résistance interne du transistor rce,
v
calculer le gain en tension A = s en fonction de VCC1 et de UT.
ve

+ VCC1
R

T1

ve vs

Figure 1

2. Dans les circuits intégrés, on cherche, pour plusieurs raisons, à avoir un gain en tension par
étage de quelques milliers. Calculer, d’après la question précédente, la valeur de VCC1
nécessaire pour obtenir une amplification de 2000, le montage travaillant à la température
ambiante de 25°C.

3. Dans le but de diminuer cette tension jugée excessive, on va remplacer la résistance R par
une charge dynamique (ou charge active), constituée par le transistor de sortie d’un miroir
de courant (figure 2).
I
Calculer le rapport 0 en fonction des paramètres des transistors. Les deux transistors sont
Iref
au silicium et identiques.

VBE

T2 T3

Io
Iref C3
R1

Figure 2

1
© Ph. ROUX 2005 http://rouxphi3.perso.cegetel.net
VCC 2
4. Montrer que Iref est à peu près égal à . Calculer alors la sensibilité S du courant Io aux
R1
variations de VCC2, c’est à dire le rapport du pourcentage de variation de Io au pourcentage de
variation de VCC2 qui l’a provoquée, soit :
∆Io
Io ∆Io VCC 2
S= =
∆VCC 2 ∆VCC 2 Io
VCC 2
5. Dessiner le schéma équivalent du miroir aux petites variations, et déterminer en utilisant la
méthode de l’ohmmètre, la résistance interne ro équivalente au dipôle vu entre le collecteur
de T3 et la masse. Faire l’application numérique avec : tension de Early VA = 50 V, Iref = 0,6
mA et β = 100.

6 . On branche maintenant le miroir en charge de T1 (figure 3). T1 est parfaitement


complémentaire de T2 et T3. Donner le schéma équivalent global aux petites variations, en
remplaçant le miroir (partie encadrée) par le dipôle équivalent déterminé à la 5ème question.

+ VCC2

T2 T3

Io
Iref

R1 vs
ve

Figure 3
v
7. Déterminer littéralement le nouveau gain A = s .
ve

8. L’écrire en fonction de VA et UT, et faire l’application numérique.

9. La sensibilité S étant jugée excessive, et le gain étant limité par la valeur trop faible de la
résistance de sortie ro, on imagine un miroir amélioré, conforme au schéma de la figure 4, où
les transistors T2 et T3 sont les mêmes que les précédents.

+ VCC2
Iref VBE2 R2
Io

T2
T3
Iref Io
R1 C3

Figure 4
En négligeant les courants de base, écrire l’expression de Iref en fonction de VBE2.
En déduire l’expression de Io en fonction de Iref, Ut, R2 et ISBC (le courant de saturation de la
jonction de collecteur).

10. On donne R2 = 1 kΩ, UT = 25 mV et ISBC = 10-14 A. Tracer le graphe du courant Io en


fonction de Iref pour Iref compris entre 0 et 2 mA.

11. On donne VCC2 = 15 V. Calculer la nouvelle valeur de R1 nécessaire pour avoir Io = 0,6 mA.
Donner la valeur de R1 normalisée à 10% la plus proche.

12. A partir de l’expression de la 9ème question, calculer la valeur de la sensibilité S pour ce


nouveau miroir. Faire l’A.N.

13. Donner le schéma équivalent complet de ce miroir, aux petites variations.

14. On va chercher la résistance ro du dipôle équivalent à ce nouveau miroir. R1 et rce2 ayant une
valeur assez grande pour être négligées, écrire les deux équations aux nœuds régissant le
montage.

15. Calculer la nouvelle valeur de ro.

16. En donner une expression approchée, compte tenu des valeurs numériques habituelles des
paramètres : β = 100. Faire l’A .N.

17. Trouver alors la nouvelle expression du gain de l’amplificateur. Faire l’A.N.


CORRECTION

1. Schéma aux variations du montage :

ve rbe gm.vbe R vs
vbe

vs I
= −gm R avec la transconductance : gm = C .
ve UT
VCC1
Si le transistor est centré sur sa droite de charge, alors : IC =
2R
vs V
= − CC1
ve 2UT
On rappelle que : UT = 25 mV à 25°C.

2. Pour un gain de 2000, il faut choisir VCC1 = 100 V !

VBE
3. Les transistors ont la même tension VBE et obéissent à la loi : IC = ISBC exp( ) . Les
UT
transistors intégrés sont aussi identiques et possèdent donc le même courant ISBC.
Ce miroir de courant à transistors PNP est classique, aussi on trouvera facilement :

1
Io = Iref
2
1+
β

Si le gain en courant β est suffisamment grand alors : Io ≈ Iref

VCC 2 − VBE VCC 2


4. Iref = ≈ dans la mesure où : VBE << VCC2.
R1 R1
V
Le miroir de courant est tel que : Io ≈ CC 2
R1
dV
dIref = dIo = CC 2
R1
On en déduit : S = 1. La sensibilité de Io aux variations de VCC2 est importante.

5. Schéma équivalent du miroir aux petites variations.


B2 B3 C2 C3

i
vbe2 +
Req rce3 u
vbe3 -
gm2 .vbe2 gm2 .vbe3
E2 E3
Req = rbe2//r be3//rce2 //R 1

Selon la méthode de l’ohmmètre, la résistance ro est égale au rapport de u/i.


v b e 2 = v be 3 = −Req gm 2v be 2 . Cette équation a pour solution : v b e 2 = v be 3 = 0
Dans ces conditions : ro = rce3.
V
ro ≈ A = 83kΩ
Io

6. Nouveau schéma équivalent :

ve rbe1 rce1 ro vs
gm1 .ve
E2 E3

7.
vs
A= = −gm1 ( rce1 // ro )
ve

Io VA V
8. Gain en tension : A=− ( ) = − A = −1000
UT 2 I o 2UT

Ce gain en tension est proportionnel à la tension de Early des transistors.

VBE 2
9. Pour le transistor T2 : Iref = ISBC exp( ) avec : VBE 2 = −R2 Io .
UT
U I
On en déduit : Io = T ln( ref )
R2 ISBC
10. Graphe de Io en fonction de Iref :

0.7

0.68

0.65

0.63

Io (mA) 0.6

0.58

0.55

0.53

0.5
0 0.25 0.5 0.75 1 1.25 1.5 1.75 2
Iref (mA)

VCC 2 − 2.VBE
11. On obtient Iref = 0,265 mA. R1 = soit : R1n = 56kΩ.
Iref

VCC 2 U V
12. Sachant que : Iref ≈ , on peut écrire : Io = T ln( CC 2 )
R1 R2 R1ISBC
dIo UT
=
dVCC 2 R2VCC 2
UT
La sensibilité s’exprime alors : S = = 4, 2.10−2
R2 Io

Le montage est maintenant assez peu sensible aux variations de VCC2.

13. Schéma équivalent avec R1 et rce2 négligés. Utilisation de la méthode de l’ohmmètre pour
déterminer la résistance de sortie.

rce3
vbe3 B2
C2
C3
B3 E3 i
rbe3 i
+
gm2 .vbe2 vbe2 Req gm3 .vbe3 u
-

E2
Req = rbe2 //R2

u − v be 2 v be 2
14. Nœud C2 : i − gm 3vbe 3 − = 0 (1) Nœud E3 : i − gm 2vbe 2 − =0 (2)
rce 3 Req
15. La tension vbe3 s’exprime selon : v be 3 = −rbe 3 .gm 2 .v be 2

u − v be 2
(1) -> i + gm 3 gm 2vbe 2 − =0
rce 3
i
(2) -> v be 2 =
1
gm 2 +
Req
 1 
 gm 2 gm 3 rbe 3 + 
u  rce 3 
Conduisant à : ro = = rce 3 1 +
i  gm 2 +
1 
 Req 

16. Dans l’expression précédente on remarquera que : gm 3v be 3 = β le gain en courant.


rbe2 = 9,4kΩ
gm2 = 10,6 mS
Req = 904Ω

u
On peut alors écrire approximativement : ro = = rce 3 [1 + β ] = 8, 4 MΩ
i

17. Nouveau gain en tension : A = −gm ( rce1 // ro ) ≈ −gm rce1 = −2000