POLARIZACIONES DC DE TRANSISTORES BJT

1. POLARIZACIÓN BASE

Malla Base:
−𝑉𝐵𝐵 + 𝑉𝑅𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 = 0
Malla Colector:
−𝑉𝐶𝐶 + 𝑉𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 = 0
Paso 1: De la malla base se despeja IC suponiendo que el transistor esta
en región activa. Es decir, se usa 𝐼𝐶 = 𝛽 ∗ 𝐼𝐵 𝐼𝐶 = 𝛼 ∗ 𝐼𝐸
−𝑉𝐵𝐵 + 𝑉𝑅𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 = 0
−𝑉𝐵𝐵 + 𝐼𝐵 ∗ 𝑅𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 = 0
𝐼𝐶
−𝑉𝐵𝐵 + ( ) ∗ 𝑅𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 = 0
𝛽
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐶(𝑎𝑐𝑡) = 𝛽 ∗ ( )
𝑅𝐵
Paso 2: De la malla colector se despeja IC suponiendo que el transistor
está saturado. Es decir, se usa 𝑉𝐶𝐸 = 0
−𝑉𝐶𝐶 + 𝑉𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 = 0
−𝑉𝐶𝐶 + 𝐼𝐶 ∗ 𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 = 0
𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐶(𝑠𝑎𝑡) =
𝑅𝐶
Paso 3: Entre 𝐼𝐶(𝑎𝑐𝑡) e 𝐼𝐶(𝑠𝑎𝑡) se elige la menor de las dos. Si la menor
es 𝐼𝐶(𝑎𝑐𝑡) el transistor está en región activa, y si la menor es 𝐼𝐶(𝑠𝑎𝑡) el
transistor está saturado.

Resumen Realizado por Jeison Marín Alfonso – jmarin133@unab.edu.co

 Si el transistor está saturado:
𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐶 = 𝐼𝐶(𝑠𝑎𝑡) =
𝑅𝐶
𝑉𝐶𝐸 = 0
Ojo, si el transistor está saturado, las formulas
𝐼𝐶 = 𝛽 ∗ 𝐼𝐵 𝐼𝐶 = 𝛼 ∗ 𝐼𝐸 NO SIRVEN.
Si el transistor está saturado, éste se comporta como un interruptor.
Eso significa que si VBB es mayor a 0,7, el transistor en su malla colector
es como un corto circuito, y si VBB=0, el transistor en su malla colector es
como un circuito abierto.
Si el transistor está en región activa:
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 𝑉𝐵𝐵 − 0,7
𝐼𝐶 = 𝐼𝐶(𝑎𝑐𝑡) = 𝛽 ∗ ( )=𝛽∗( )
𝑅𝐵 𝑅𝐵
Corrientes:
𝐼𝐶 𝐼𝐶 𝛽
𝐼𝐵 = 𝐼𝐸 = 𝛼=
𝛽 𝛼 𝛽+1
Caídas de Voltaje
𝑉𝑅𝐵 = 𝐼𝐵 ∗ 𝑅𝐵 𝑉𝑅𝐶 = 𝐼𝐶 ∗ 𝑅𝐶
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝑅𝐸 𝑉𝐵𝐸 = 0,7 𝑉𝐶𝐵 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐵
Voltajes de Nodo
𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝑅𝐶 𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐸 𝑉𝐸 = 0
𝑉𝐵 = 𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝑅𝐵 𝑉𝐵 = 𝑉𝐵𝐸
𝑉𝐶𝐵 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐵 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸 𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐸

Si el transistor esta en región activa, VCE es diferente de cero y el

transistor puede operar como un amplificador. La polarización base es la
que más depende de beta, y se usa mejor como interruptor.

Resumen Realizado por Jeison Marín Alfonso – jmarin133@unab.edu.co

 2. POLARIZACIÓN EMISOR

Malla Base:
−𝑉𝐵𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝑉𝑅𝐸 = 0
Malla Colector:
−𝑉𝐶𝐶 + 𝑉𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 + 𝑉𝑅𝐸 = 0
Paso 1: De la malla base se despeja IC suponiendo que el transistor esta
en región activa. Es decir, se usa 𝐼𝐶 = 𝛽 ∗ 𝐼𝐵 𝐼𝐶 = 𝛼 ∗ 𝐼𝐸
−𝑉𝐵𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝑉𝑅𝐸 = 0
−𝑉𝐵𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝐼𝐸 ∗ 𝑅𝐸 = 0
𝐼𝐶
−𝑉𝐵𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + ( ) ∗ 𝑅𝐸 = 0
𝛼
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐶(𝑎𝑐𝑡) = 𝛼 ∗ ( )
𝑅𝐸
Paso 2: De la malla colector se despeja IC suponiendo que el transistor
está saturado. Es decir, se usa 𝑉𝐶𝐸 = 0
−𝑉𝐶𝐶 + 𝑉𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 + 𝑉𝑅𝐸 = 0
−𝑉𝐶𝐶 + 𝐼𝐶 ∗ 𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 + 𝐼𝐸 ∗ 𝑅𝐸 = 0
𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐶(𝑠𝑎𝑡) =
𝑅𝐶 + 𝑅𝐸
Paso 3: Entre 𝐼𝐶(𝑎𝑐𝑡) e 𝐼𝐶(𝑠𝑎𝑡) se elige la menor de las dos. Si la menor
es 𝐼𝐶(𝑎𝑐𝑡) el transistor está en región activa, y si la menor es 𝐼𝐶(𝑠𝑎𝑡) el
transistor está saturado.

Resumen Realizado por Jeison Marín Alfonso – jmarin133@unab.edu.co

 Si el transistor está saturado:
𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐶 = 𝐼𝐶(𝑠𝑎𝑡) =
𝑅𝐶 + 𝑅𝐸
𝑉𝐶𝐸 = 0
Ojo, si el transistor está saturado, las formulas
𝐼𝐶 = 𝛽 ∗ 𝐼𝐵 𝐼𝐶 = 𝛼 ∗ 𝐼𝐸 NO SIRVEN.
Si el transistor está en región activa:
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 𝑉𝐵𝐵 − 0.7
𝐼𝐶 = 𝐼𝐶(𝑎𝑐𝑡) = 𝛼 ∗ ( )=𝛼∗( )
𝑅𝐸 𝑅𝐸
Corrientes:
𝐼𝐶 𝐼𝐶 𝛽
𝐼𝐵 = 𝐼𝐸 = 𝛼=
𝛽 𝛼 𝛽+1
Caídas de Voltaje
𝑉𝑅𝐶 = 𝐼𝐶 ∗ 𝑅𝐶 𝑉𝑅𝐸 = 𝐼𝐸 ∗ 𝑅𝐸
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝑅𝐶 − 𝑉𝑅𝐸 𝑉𝐵𝐸 = 0,7 𝑉𝐶𝐵 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐵
Voltajes de Nodo
𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝑅𝐶 𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐸 + 𝑉𝑅𝐸
𝑉𝐸 = 𝑉𝑅𝐸 𝑉𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝑅𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 𝑉𝐸 = 𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸
𝑉𝐵 = 𝑉𝐵𝐵 𝑉𝐵 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝑉𝑅𝐸
𝑉𝐶𝐵 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐵
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸
𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐸

La polarización emisor es la que MENOS depende de beta, y se usa como

amplificador.

Resumen Realizado por Jeison Marín Alfonso – jmarin133@unab.edu.co

 3. POLARIZACIÓN POR RETROALIMENTACIÓN DE EMISOR

Malla Base:
−𝑉𝐵𝐵 + 𝑉𝑅𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝑉𝑅𝐸 = 0
Malla Colector:
−𝑉𝐶𝐶 + 𝑉𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 + 𝑉𝑅𝐸 = 0
Paso 1: De la malla base se despeja IC suponiendo que el transistor esta
en región activa. Es decir, se usa 𝐼𝐶 = 𝛽 ∗ 𝐼𝐵 𝐼𝐶 = 𝛼 ∗ 𝐼𝐸
−𝑉𝐵𝐵 + 𝑉𝑅𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝑉𝑅𝐸 = 0
−𝑉𝐵𝐵 + 𝐼𝐵 ∗ 𝑅𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝐼𝐸 ∗ 𝑅𝐸 = 0
𝐼𝐶 𝐼𝐶
−𝑉𝐵𝐵 + ( ) ∗ 𝑅𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + ( ) ∗ 𝑅𝐸 = 0
𝛽 𝛼
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐶(𝑎𝑐𝑡) =
𝑅𝐵 𝑅𝐸
+
𝛽 𝛼
Paso 2: De la malla colector se despeja IC suponiendo que el transistor
está saturado. Es decir, se usa 𝑉𝐶𝐸 = 0
−𝑉𝐶𝐶 + 𝑉𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 + 𝑉𝑅𝐸 = 0
−𝑉𝐶𝐶 + 𝐼𝐶 ∗ 𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 + 𝐼𝐸 ∗ 𝑅𝐸 = 0
𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐶(𝑠𝑎𝑡) =
𝑅𝐶 + 𝑅𝐸
Paso 3: Entre 𝐼𝐶(𝑎𝑐𝑡) e 𝐼𝐶(𝑠𝑎𝑡) se elige la menor de las dos. Si la menor
es 𝐼𝐶(𝑎𝑐𝑡) el transistor está en región activa, y si la menor es 𝐼𝐶(𝑠𝑎𝑡) el
transistor está saturado.

Resumen Realizado por Jeison Marín Alfonso – jmarin133@unab.edu.co

 Si el transistor está saturado:
𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐶 = 𝐼𝐶(𝑠𝑎𝑡) =
𝑅𝐶 + 𝑅𝐸
𝑉𝐶𝐸 = 0
Ojo, si el transistor está saturado, las formulas
𝐼𝐶 = 𝛽 ∗ 𝐼𝐵 𝐼𝐶 = 𝛼 ∗ 𝐼𝐸 NO SIRVEN.
Si el transistor está en región activa:
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 𝑉𝐵𝐵 − 0.7
𝐼𝐶 = 𝐼𝐶(𝑎𝑐𝑡) = =
𝑅𝐵 𝑅𝐸 𝑅𝐵 𝑅𝐸
+ +
𝛽 𝛼 𝛽 𝛼
Corrientes:
𝐼𝐶 𝐼𝐶 𝛽
𝐼𝐵 = 𝐼𝐸 = 𝛼=
𝛽 𝛼 𝛽+1
Caídas de Voltaje
𝑉𝑅𝐶 = 𝐼𝐶 ∗ 𝑅𝐶 𝑉𝑅𝐸 = 𝐼𝐸 ∗ 𝑅𝐸 𝑉𝑅𝐵 = 𝐼𝐵 ∗ 𝑅𝐵
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝑅𝐶 − 𝑉𝑅𝐸 𝑉𝐵𝐸 = 0,7 𝑉𝐶𝐵 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐵
Voltajes de Nodo
𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝑅𝐶 𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐸 + 𝑉𝑅𝐸
𝑉𝐸 = 𝑉𝑅𝐸 𝑉𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝑅𝐸 − 𝑉𝐶𝐸
𝑉𝐸 = 𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝑅𝐵 − 𝑉𝐵𝐸
𝑉𝐵 = 𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝑅𝐵 𝑉𝐵 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝑉𝑅𝐸
𝑉𝐶𝐵 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐵
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸
𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐸

Resumen Realizado por Jeison Marín Alfonso – jmarin133@unab.edu.co

 CRITERIO PARA DESPRECIAR RB:
CRITERIO FUERTE
𝑅𝐵 < 0.01 ∗ 𝛽 ∗ 𝑅𝐸
CRITERIO SUAVE
𝑅𝐵 < 0.1 ∗ 𝛽 ∗ 𝑅𝐸

SI se dice que se puede despreciar RB con alguno de los criterios, entonces

la polarización por retroalimentación de emisor se convierte en
polarización de emisor.

Resumen Realizado por Jeison Marín Alfonso – jmarin133@unab.edu.co

 4. POLARIZACIÓN POR DIVISOR DE VOLTAJE

Equivalente de
Thevenin en la base

𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝑅2
𝑉𝐵𝐵 = 𝑉𝑇𝐻 = 𝑅𝑇𝐻 = 𝑅1//𝑅2
𝑅1 + 𝑅2

Por lo tanto el circuito se analiza igual que la polarización por

retroalimentación de emisor, y si se usa criterio para despreciar RB se
convierte en polarización emisor.

Resumen Realizado por Jeison Marín Alfonso – jmarin133@unab.edu.co

 5. POLARIZACIÓN DE EMISOR CON DOBLE FUENTE

Malla Base:
𝑉𝑅𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝑉𝑅𝐸 − 𝑉𝐸𝐸 = 0
Malla Colector:
−𝑉𝐶𝐶 + 𝑉𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 + 𝑉𝑅𝐸 − 𝑉𝐸𝐸 = 0
Paso 1: De la malla base se despeja IC suponiendo que el transistor esta
en región activa. Es decir, se usa 𝐼𝐶 = 𝛽 ∗ 𝐼𝐵 𝐼𝐶 = 𝛼 ∗ 𝐼𝐸
𝑉𝑅𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝑉𝑅𝐸 − 𝑉𝐸𝐸 = 0
𝐼𝐵 ∗ 𝑅𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝐼𝐸 ∗ 𝑅𝐸 − 𝑉𝐸𝐸 = 0
𝐼𝐶 𝐼𝐶
( ) ∗ 𝑅𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + ( ) ∗ 𝑅𝐸 − 𝑉𝐸𝐸 = 0
𝛽 𝛼
𝑉𝐸𝐸 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐶(𝑎𝑐𝑡) =
𝑅𝐵 𝑅𝐸
+
𝛽 𝛼

Resumen Realizado por Jeison Marín Alfonso – jmarin133@unab.edu.co

 Paso 2: De la malla colector se despeja IC suponiendo que el transistor
está saturado. Es decir, se usa 𝑉𝐶𝐸 = 0
−𝑉𝐶𝐶 + 𝑉𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 + 𝑉𝑅𝐸 − 𝑉𝐸𝐸 = 0
−𝑉𝐶𝐶 + 𝐼𝐶 ∗ 𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 + 𝐼𝐸 ∗ 𝑅𝐸 − 𝑉𝐸𝐸 = 0
𝑉𝐶𝐶 + 𝑉𝐸𝐸
𝐼𝐶(𝑠𝑎𝑡) =
𝑅𝐶 + 𝑅𝐸
Paso 3: Entre 𝐼𝐶(𝑎𝑐𝑡) e 𝐼𝐶(𝑠𝑎𝑡) se elige la menor de las dos. Si la menor
es 𝐼𝐶(𝑎𝑐𝑡) el transistor está en región activa, y si la menor es 𝐼𝐶(𝑠𝑎𝑡) el
transistor está saturado.
Si el transistor está saturado:
𝑉𝐶𝐶 + 𝑉𝐸𝐸
𝐼𝐶 = 𝐼𝐶(𝑠𝑎𝑡) =
𝑅𝐶 + 𝑅𝐸
𝑉𝐶𝐸 = 0
Ojo, si el transistor está saturado, las formulas
𝐼𝐶 = 𝛽 ∗ 𝐼𝐵 𝐼𝐶 = 𝛼 ∗ 𝐼𝐸 NO SIRVEN.
Si el transistor está en región activa:
𝑉𝐸𝐸 − 𝑉𝐵𝐸 𝑉𝐸𝐸 − 0.7
𝐼𝐶 = 𝐼𝐶(𝑎𝑐𝑡) = =
𝑅𝐵 𝑅𝐸 𝑅𝐵 𝑅𝐸
+ +
𝛽 𝛼 𝛽 𝛼
Corrientes:
𝐼𝐶 𝐼𝐶 𝛽
𝐼𝐵 = 𝐼𝐸 = 𝛼=
𝛽 𝛼 𝛽+1
Caídas de Voltaje
𝑉𝑅𝐶 = 𝐼𝐶 ∗ 𝑅𝐶 𝑉𝑅𝐸 = 𝐼𝐸 ∗ 𝑅𝐸 𝑉𝑅𝐵 = 𝐼𝐵 ∗ 𝑅𝐵
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝑅𝐶 − 𝑉𝑅𝐸 + 𝑉𝐸𝐸 𝑉𝐵𝐸 = 0,7 𝑉𝐶𝐵 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐵

Resumen Realizado por Jeison Marín Alfonso – jmarin133@unab.edu.co

 Voltajes de Nodo
𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝑅𝐶 𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐸 + 𝑉𝑅𝐸 − 𝑉𝐸𝐸
𝑉𝐸 = 𝑉𝑅𝐸 − 𝑉𝐸𝐸 𝑉𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝑅𝐸 − 𝑉𝐶𝐸
𝑉𝐸 = −𝑉𝑅𝐵 − 𝑉𝐵𝐸
𝑉𝐵 = −𝑉𝑅𝐵 𝑉𝐵 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝑉𝑅𝐸 − 𝑉𝐸𝐸
𝑉𝐶𝐵 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐵
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸
𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐸
En esta polarización, también se puede usar el criterio mencionado para
despreciar RB.

TALLER EN CLASE

1. Halle el punto de operación del transistor

con beta=150, sin usar criterio para
despreciar RB. Luego halle todas las
corrientes, caídas de voltaje y voltajes de
nodo.
2. Vuelva a hacer el punto 1 pero usando
criterio para despreciar RB.
3. Compare los resultados. ¿Son parecidos o
diferentes?

Resumen Realizado por Jeison Marín Alfonso – jmarin133@unab.edu.co