Vous êtes sur la page 1sur 2

UNIVERSITE ABOUBAKR BELKAID – TLEMCEN

Faculté de Technologie
Département de GEE (Génie Electrique et Electronique)
Matière : TP NS443 (ELN Fondamentale 2)
Niveau : L2ELN_S4
Année Univ. : 2019/2020
Enseignant : Mr Djamal Lachachi
Contact : d_lachachi@yahoo.fr

TP3 : Application du transistor : Montage en émetteur commun.

I / BUT DE LA MANIPULATION:
Déterminer les gains en tension, en courant et en puissance.
Déterminer le déphasage entre les tensions d’entrée et de sortie.
Déterminer les résistances d’entrées et de sorties.
Etudier le comportement fréquentiel de ce montage.

II/ MONTAGE:
Réaliser le montage ci-contre sous le logiciel ISIS de Proteus :
Avec les valeurs des composants suivants :

R1
C2

C1 + -
= 12 v
- + T

Ve +
ee R2
-

R1= 47KΩ ; R2=5,6KΩ ; RC = 10KΩ ; RE = 1KΩ ; C1= C2 = 47µF ; CE = 470 µF


T = BD137

III/ MANIPULATION :
1. Une fois le montage réalisé sous ISIS, éteindre le GBF (Ve = 0) et alimenter le montage par la
tension continue de +12V et mesurer à l’aide d’un voltmètre les tensions statiques VCE ; VBE ; et
VCM (M étant la masse). En déduire les coordonnées (les valeurs) du point de fonctionnement de
ce montage. Remettre alors un fichier appelé (NOM_prénom_TP3NS443.DSN) permettant de
vérifier les résultats obtenus.
2. Pour une fréquence de f = 1KHz, régler la tension d’entrée entre 40 mVcàc et 100mVcàc de telle
manière à obtenir une tension de sortie non distordue (non déformée) ;

1
Mesurer alors la valeur de Vs
3. Visualiser Ve et Vs sur le même diagramme avec 2 couleurs différentes.
4. Relever alors le déphasage de Vs par rapport à Ve ;
Expliquer votre méthode de mesure ;
et Justifier la valeur trouvée.
5. A l’aide d’un potentiomètre (résistance variable) RL = 100KΩ que vous placerez à la sortie
(comme une charge). Faire varier cette charge de telle manière à obtenir une tension de sortie
égale à la moitié de la tension Vs (obtenue au point 2).
6. Déterminer alors la valeur de cette résistance variable. (préciser la méthode de mesure)
7. Enlever la capacité CE : représenter Ve et Vs sur le même diagramme et mesurer de nouveau le
gain VS / Ve. Justifier le résultat obtenu.
8. Remettre CE à sa place. En faisant varier la fréquence de 100 Hz à 2 MHz. Tracer un tableau de
valeurs et le remplir :
F(Hz) 100 500 1K 5K 10K 50K 100K 500K 800K 1M 2M
Ve
Vs
Av

9. Relever la réponse fréquentielle pratique de l’amplificateur : le gain Av = fct (f).


Interpréter vos résultats: faire des commentaires sur la courbe obtenue.

IV/ QUESTIONS :
Déterminer le gain en tension Av
Déterminer le gain en tension Ai
En déduire le gain en puissance Ap
Calculer la résistance d’entrée du circuit
En déduire la résistance d’entrée du Transistor.
Déterminer la résistance de sortie du Transistor.

N.B 1: Me remettre les comptes-rendus manquants (TP1 et TP2) individuellement : Chaque étudiant
remettra un fichier word nommé :
(NOM_prénom TP1NS443) : pour ceux qui n’ont pas rendus le TP1 (à remettre avant le Dim.05/04/2020)
(NOM_prénom TP2NS443) : pour le TP2 (à remettre avant le Jeu.09/04/2020)

N.B 2: Tous les comptes rendus doivent être remis individuellement : Chaque étudiant remettra un fichier
word nommé (NOM_prénom TP3NS443). A remettre avant le: Jeu.16/04/2020).

BON COURAGE
Mr LACHACHI Djamal