TRANSISTOR BTJ: SEÑALES

FUERTES
GUIA DE EJERCITACION

Objetivos de la unidad
 Polarizar correctamente el transistor BJT

 Diferenciar la recta de carga estática y la recta de carga dinámica

 Comprender la máxima excursión simétrica

 Saber calcular la corriente de colector necesaria para lograr MES

 Saber cuándo se requiere disipador y su calculo

 Operar sobre el circuito equivalente térmico para el cálculo del disipador

 Entender la condición de apantallamiento y su importancia

 Saber calcular el rendimiento de un amplificador Clase A

 Comprender las diferencias entre las distintas polarizaciones. Ventajas-Desventajas

 Relacionar la tensión de ruptura con el valor de la fuente de alimentación

EETN°4 I BRIGADA AEREA

PROFESOR: EZEQUIEL BOTTIGLIERI
embottiglieri@gmail.com
 Aplicaciones de la electrónica Analógica II
Departamento de Electrónica
Profesor: Ezequiel Bottiglieri

Ejercicio 1
Para los circuitos siguientes, analizando la malla de entrada y salida obtener:
a. La fórmula de cálculo de 𝐼𝐵𝑄 , 𝐼𝐶𝑄 𝑉𝐶𝐸𝑄
b. En los circuitos que apantallan el HFE, es decir aquellos que estabilizan el punto Q con
respecto a las variaciones de dicho parámetro, obtener la condición de diseño o
apantallamiento para mantener el Q estable
c. Indiciar la ventaja del circuito 2 respecto del 1 y el 3 respecto del 2
d. Graficar la recta de carga estática RCE

Ejercicio 2
Diseñar un circuito de polarización para obtener una 𝐼𝐶𝑄 = 4𝑚𝐴 y , 𝑉𝐶𝐸𝑄 = 6𝑉. Verificar el punto Q
obtenido con resistores de valores comerciales. Justificar, si es posible para el circuito de la figura
mantener |∆𝐼𝐶 | < 5%.

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Profesor: Ezequiel Bottiglieri

Ejercicio 3
Para el circuito de la figura calcular las resistencias de polarización necesarias para obtener 𝐼𝐶𝑄 =
8𝑚𝐴 y , 𝑉𝐶𝐸𝑄 = 7𝑉. Verificar el punto Q adoptando resistencias comerciales.

Ejercicio 4
Para el circuito de 4R se desea una 𝐼𝐶𝑄 = 5𝑚𝐴. Determinar los valores de R1 y R2. Verificar el
punto de trabajo con los valores comerciales de los resistores. Trazar RCE, indicando el punto de
trabajo. Utilizar el método de diseño con apantallamiento del HFE. Explicar lo que ocurre si
aumento al doble el valor de R2. Justificar.

Ejercicio 5
Demostrar como D1 compensa parcialmente a la polarización por variaciones de VBE en el
circuito de la figura

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Ejercicio 6: Para el siguiente circuito mostrado a continuación se pide hallar el punto estatico de
trabajo como asi también graficar su recta de carga estatica

Ejercicio 7
Dado el siguiente circuito se pide:
a. Punto Q
b. Recta de carga estática y dinámica
c. Calcular apantallamiento, Vomax,PdT
d. Verificar tensión de ruptura
e. Calcular Ps y Pcc
f. Rendimiento

Ejercicio 8
Dado el siguiente circuito, se pide determinar lo mismo que lo solicitado en el ejercicio 1

Ejercicio 9
Representar la RCE, IC=f(VCE) , para los valores: RC=3K9; RC=2K7 ; RC=6K8. Realizar las 3
rectas sobre el mismo gráfico. Sacar conclusiones.

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Ejercicio 10
Hallar el punto de reposo para la máxima excursión simétrica de la señal así como también los
valores de R1 y R2. Considerar 𝑉𝐶𝐸𝑆𝐴𝑇 = 0𝑉 𝑦 𝐻𝐹𝐸 = 50

Ejercicio 11
Hallar R1 y R2 de modo tal que la ICQ no varíe más del 10% al variar el HFE entre 20 y 60. Se
sabe que ICQ=8mA.

Ejercicio 12
Hallar la expresión de la corriente de colector

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Ejercicio 13
Un transistor de 50W (cuya curva de reducción de potencia se presenta en la figura a
continuación) debe disipar 6W en un circuito determinado. La temperatura ambiente es de 85°C.

a. Hallar 𝜃𝐶𝐴 de modo que el transistor no sobrecaliente

b. Hallar Tc en estas condiciones
c. Si se dispusiera de un radiador infinito de calor, ¿Qué potencia podría disipar este
transistor?

Ejercicio 14
Un transistor de potencia de silicio tiene las siguientes características térmicas:

𝑃𝐶𝑀𝐴𝑋 = 200𝑊
𝑇𝑗𝑀𝐴𝑋 = 175°𝐶
𝜃𝐽𝐶 = 0.7 °𝐶⁄𝑊

Hallar la potencia que podría disipar el transistor si la capsula podría mantenerse a temperatura
ambiente (25°C).

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Ejercicio 15
El transistor del problema anterior se monta directamente sobre un radiadior de calor de aluminio
plano. Este montaje da como resultado un valor de 𝜃𝐶𝐴 = 2 °𝐶⁄𝑊 . Hallar la disipación máxima
admitida

Ejercicio 16
Un transistor de silicio de elevada potencia puede disipar 150W mientras la temperatura de la
capsula sea menor a 45°C. Por encima de esta temperatura, la potencia de colector decrece
linealmente. La temperatura máxima de unión es de 120°C. El amplificador debe ser capaz de
trabajar a temperaturas ambiente muy elevadas, de hasta 80°C. Determinar la potencia máxima
que este transistor puede disipar y la resistencia térmica necesaria del disipador para evitar que la
temperatura de la unión supere su valor maximo admitido.

Ejercicio 17
Un transistor de silicio de elevada potencia puede disipar 150W mientras la temperatura de la
capsula sea menor a 45°C. Por encima de esta temperatura, la potencia de colector decrece
linealmente. La temperatura máxima de unión es de 120°C. El amplificador debe ser capaz de
trabajar a temperaturas ambiente muy elevadas, de hasta 80°C. Determinar la potencia máxima
que este transistor puede disipar y la resistencia térmica necesaria del disipador para evitar que la
temperatura de la unión supere su valor maximo admitido.

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Ejercicio 18
En una etapa emisor común se tienen tres resistores diferentes para polarizar la base del
transistor. Se pide calcular para cada valor de R1, la Vo de corte y la Vo de saturación. Luego
graficar RCE y RCD y las máximas excursiones de la tensión sin deformación, como asi también
la de la corriente de colector.

Ejercicio 19
En un circuito emisor común, calcular la polarización de base para obtener MES de la tensión de
salida. Verificar la ICQ obtenida con valores de resistores comerciales adoptadas de manera tal
que presente como maximo una dispersión del 10% con respecto a la 𝐼𝐶𝑄𝑀𝐸𝑆 . Graficar RCE, RCD
y las máximas excursiones de tensión y corriente.

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Ejercicio 20
Para una etapa emisor común, con los siguientes datos, verificar si se necesita disipador y
calcularlo. Calcular el rendimiento de conversión de señal.

Ejercicio 21
Para una etapa emisor común se pide calcular:
a. La polarización de base para lograr MES
b. La potencia que debe y puede disipar el transistor
c. La resistencia térmica del disipador
d. El rendimiento de conversión