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Átomo

Electrones (-)

Nucleo
(Neutrones y Protones (+))

dNucleo = 10-12 cm
delectrones = 10-8 cm.

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• Los electrones se acomodan en capas, número máximo de
electrones por capa
2n2 (n=número de capa)

k
L Estabilidad Atómica.- Cuando la última
capa de electrones está completa.

Núcleo

Última capa casi completa: Acepta electrones (-)


Última capa casi vacía: Cede electrones (+)

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• Cuando un átomo pierde o gana un electrón se dice que se ioniza

• Cuando la última capa de electrones está completa se dice que el


elemento es INERTE.

He (Helio) 2 electrones
Ne (Neón) 10 electrones
Ar (Argón) 18 electrones
Kr (Kripton) 36 electrones
Xe (Xenon) 54 electrones
Rn (Radon) 86 electrones

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 El cobre es un buen conductor. La razón es
evidente si se tiene en cuenta su estructura
atómica. La cual se muestra en la fig 2.1

El núcleo del átomo tiene 29


protones.

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1. El núcleo positivo atrae a los electrones de
los orbitales. La razón por la que estos
electrones no se caen hacia el núcleo es la
fuerza centrífuga (hacia afuera) creada por
su movimiento circular. Esta fuerza
centrífuga es exactamente igual a la
atracción ejercida por el núcleo, por lo que
el orbital es estable.

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En electrónica, lo único que importa es el orbital
de valencia. Este orbital controla las
propiedades eléctricas del átomo.

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Dependiendo de la conductividad eléctrica o del
valor de resistividad de los materiales, pueden
ser clasificados como:
o Conductores. Por lo general son metales y los
niveles de resistividad oscilan en 10-7 a 10-8 Ωm.
Ejemplos de estos materiales son el aluminio,
latón, cobre y acero.
o Semiconductores. Los niveles de resistividad de
estos materiales oscilan en 10-3 a 3 x 103 Ωm.
Ejemplos de estos materiales son el germanio y
el silicio.
o Aislantes. Tienen niveles de resistividad del
orden de 104 a 1014 Ωm. Ejemplos de aislantes
son el vidrio, la mica, el pvc y el caucho.

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• El prefijo semi suele aplicarse a un rango de
niveles situado a la mitad entre dos limites
• El término conductor se aplica a cualquier
material que soporte un flujo generoso de
carga, cuando una fuente de voltaje de
magnitud limitada se aplica a través de sus
terminales
• Un aislante es un material que ofrece un nivel
muy bajo de conductividad bajo la presión de
una fuente de voltaje aplicada

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• Los semiconductores son materiales del
grupo IV de la tabla periódica
• Se caracterizan por tener cuatro electrones en
la ultima capa (valencia)
• Tienen propiedades eléctricas que están
definidas entre las propiedades de los
materiales conductores y los aislantes
• Los elementos semiconductores mas
importantes en la industria electrónica son el
silicio y el germanio

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• Para poder comprender el funcionamiento del
diodo semiconductor, requerimos
conocimientos de fisica de semiconductores
– Un atomo consiste en un nucleo que tiene carga
positiva
– Los electrones que representan la carga negativa se
mueven alrededor del nucleo en trayectorias
elipticas
– Los electrones estan distribuidos en capas
electronicas
– Los electrones de la capa mas externa se conocen
como electrones de valencia

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• Cuando elementos muy puros, como el silicio o
el germanio, se enfrian desde el estado liquido,
los atomos se agrupan en patrones ordenados
conocidos como cristales
• Los electrones de valencia determinan la forma
caracteristica del cristal resultante
• Los atomos de silicio y germanio tienen 4
electrones de valencia, de tal manera que la
estructura cristalina esta formada por atomos
agrupados entre si y que comparten sus 4
electrones de valencia con el fin de completar su
ultima capa electronica
• Los atomos estan unidos por enlaces covalentes
que mantienen unida la red cristalina

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• Debido a lo complejo que puede ser
dibujar una malla cristalina, se
representa generalmente en dos
dimensiones.
• Los electrones de las capas
interiores se omiten ya que no
tienen ninguna influencia en la unión

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• Si la estructura de la malla se encuentra en el cero
absoluto 0ok o -273oC, todos los átomos están en
reposo y los electrones de valencia están fuertemente
enlazados con los átomos vecinos por lo que no
existen portadores de carga libres y la conductividad
es cero (aislante perfecto)
• A altas temperaturas, la energía térmica generada
provoca que los átomos en la red cristalina, vibren
• Al presentarse suficiente energía cinética algunos
electrones de valencia rompen sus enlaces dentro de
la red convirtiéndose en electrones de conducción
• Estos electrones libres permiten el flujo de corriente
en un semiconductor

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• Los electrones de valencia no son los únicos mecanismos de
conducción en un semiconductor
• Cuando un electrón deja la red, crea una carga positiva dentro de
ella

• La ausencia provocada por el electrón libre se conoce como


hueco.
• Cuando existe un hueco, se tiene una carga positiva
• Estas cargas positivas contribuyen al proceso de conducción
debido a que si un electrón en la banda de valencia “salta” para
llenar un hueco vecino, neutraliza la carga positiva, pero crea un
nuevo hueco en un sitio distinto.
• Este efecto es equivalente a tener una carga positiva moviéndose
a la derecha o un hueco moviéndose a la derecha

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 La cantidad de electrones libres depende de
la temperatura y aumenta conforme aumenta
la temperatura. Por esto aumenta la
conductividad eléctrica o bien, la resistencia
eléctrica disminuye
 El numero de electrones libres disponible en
un material semiconductor se conoce como
concentración intrínseca (interna)

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 Cuando un campo eléctrico externo
es aplicado al material pueden
existir dos tipos de portadores de
carga, los electrones libres y los
huecos
 Los electrones libres pueden
moverse mas rápidamente en la red
que los huecos debido a que estos
se generan al romperse el enlace
covalente y los huecos se “mueven”
hasta que un electrón libre salta a
una nueva posición
 Los electrones y los huecos viajan
en direcciones opuestas, generando
un flujo de corriente de red en la
dirección del campo eléctrico

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 La tecnología en semiconductores
raramente utiliza materiales
semiconductores puros
 La conductividad de un material
semiconductor puro depende de la
temperatura y del material semiconductor
 Para poder controlar la cantidad de
portadores de carga en el material
semiconductor, éste se somete a un
proceso de dopaje
 El dopaje consiste en agregar impurezas o
átomos extraños a la malla cristalina del
material
 Las impurezas pueden ser de dos tipos: p y
n

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• El “dopaje” de semiconductores
puros con elementos de la quinta
columna de la tabla periódica
como antimonio, arsénico y
fosforo, producirán un electrón
libre para el transporte de carga

• Estas impurezas se conocen como donadoras, ya


que “donan” un electrón adicional a la malla
• Se conocen como impurezas tipo n y forman el
material con el mismo nombre
• Este tipo de materiales conduce corriente
principalmente por medio de electrones libres

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 El “dopaje” de semiconductores puros con
elementos del grupo III de la tabla periódica
como Boro, Aluminio, Galio o Indio,
producirán deficiencia de electrones ya que
los átomos de estos elementos tienen 3
electrones de valencia
 Existirá un hueco o ion negativo demás. Al
átomo que tiene este hueco se le conoce
como aceptor (receptor de electrones)
 Estas impurezas forman el semiconductor
tipo p
 Las cargas elementales positivas se
encargan del transporte de carga
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 En el material tipo n los portadores
mayoritarios son electrones y los portadores
minoritarios, los huecos
 En el material tipo p los portadores
mayoritarios son los huecos y los minoritarios,
los electrones
 Los semiconductores contaminados se conocen
como semiconductores extrinsecos
 La conductividad producida por el dopaje
controlado se denomina conductividad
extrínseca
 Los materiales tipo p y tipo n representan
los bloques de construcción básicos de los
dispositivos semiconductores

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• Una unión p-n es una pieza de material semiconductor
donde parte del material es tipo p y parte es tipo n
• En el momento en que son "unidos" los dos materiales, los
electrones y los huecos en la región de la unión se
combinan, dando por resultado una falta de portadores en
la región cercana a la unión
• A esta región de iones positivos y negativos descubiertos
se le llama región de agotamiento, debido al agotamiento
de portadores en esta región como resultado de la
recombinación de los mismos

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• Si conectamos las terminales de la unión p-n
para formar un circuito cerrado se
presentarían dos tipos de corriente
• La corriente de saturación inversa, debido a la
presencia del potencial de contacto y el
campo eléctrico asociado
• La corriente de difusión, generado por los
portadores de carga que tiene suficiente
energía térmica para atravesar la unión. Esta
corriente fluye en sentido opuesto a la
corriente de saturación inversa

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La Unión p-n en polarización
directa
• Se conecta una fuente de tensión a un cristal
semiconductor con una unión p-n de modo que
el polo negativo es conectado con el material
Tipo n y el polo positivo con el material Tipo p.
• Bajo la influencia del campo eléctrico producido,
los electrones libres en el material tipo n y los
huecos libres en el material tipo p viajan en
dirección de la región de agotamiento
• Penetran en la zona libre de portadores de carga
y la zona tiende a disminuir su anchura

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• Si la tensión exterior es lo suficientemente grande,
la zona de agotamiento se desintegra y la corriente
a través del semiconductor puede fluir
• Un incremento en el voltaje aplicado por encima de
lo requerido para reducir la región de agotamiento
(0.3V para el Ge y 0.7V para el Si) da como resultado
un rápido incremento en el flujo de corriente

Curva Característica
Polarización Directa

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La Unión p-n en polarización inversa
• El voltaje es aplicado a una unión p-n de tal manera
que el material tipo p se conecta al polo negativo y el
material tipo n al polo positivo
• El voltaje aplicado fluye en el mismo sentido que el
potencial de contacto y se opone al movimiento de
los huecos y electrones, provocando que la región de
agotamiento aumente
• En teoría no hay flujo de corriente, sin embargo
existen ciertos electrones en los enlaces covalentes
que adquieren suficiente energía térmica para
convertirse en portadores de carga libres

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 A este proceso se le conoce como generación
electrón-hueco por excitación térmica
 A los electrones en el material tipo p y a los huecos
en el material tipo n se les conoce como portadores
minoritarios y son atraídos por el voltaje aplicado
 Se produce un pequeño flujo de corriente (del orden
de uAmp)

Curva Característica
Polarización Inversa

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 El diodo semiconductor o simplemente diodo, es
un dispositivo de dos terminales que se forma con
sólo juntar los materiales tipo n y tipo p.
 La flecha en el símbolo indica la dirección de la
corriente cuando el dispositivo esta polarizado
directamente
 El voltaje a partir del cual la corriente empieza a
incrementarse en el diodo se conoce como voltaje
de umbral que es igual a la barrera de potencial

Ánodo

Cátodo

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Curva característica Diodos de unión

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 Despues de superarse la barrera de
potencial en un diodo, la unica oposicion
al paso de corriente que se presenta en el
dispositivo es la de los materiales tipo p y
n, conocida como resistencia interna
 La resistencia interna del diodo esta en
funcion del nivel de dopaje y del tamaño
de las regiones n y p y por lo general es
menor a 1Ω

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Diodo Ideal. Modelo del Circuito
 Se trata al diodo como un dispositivo de
encendido-apagado
 Un diodo ideal tiene corriente cero cuando opera
en dirección inversa y se dice que esta en corte
 Si se aplica una corriente positiva en sus
terminales aparece una caída de voltaje igual a
cero. El diodo se comporta como un cortocircuito
cuando se polariza directamente y se dice que
esta en conducción.

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 Calcular la corriente y el voltaje en la carga,
empleando la aproximacion del diodo ideal
del circuito siguiente

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Segunda aproximacion del diodo
• La aproximacion del diodo ideal por lo general se
utiliza cuando se quieren detectar fallas
• En caso de que se desee un mejor valor en
calculos de voltaje y corriente en la carga
utilizamos la segunda aproximacion del diodo

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 Usar la segunda aproximacion para calcular la
corriente y potencia para la carga en el
circuito

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 Calcular la corriente y el voltaje en la carga,
empleando la aproximacion del diodo ideal
del circuito siguiente

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