Matériaux en électromagnétisme

Matériaux absorbants radar

par Alain PRIOU
Professeur des universités
Directeur du Groupe d’électromagnétisme appliqué
Directeur de l’IUT de Ville-d’Avray

1. Généralités................................................................................................. AF 3 372 - 2
2. Matériaux absorbants plans.................................................................. — 3
2.1 Matériaux résonnants ................................................................................. — 3
2.1.1 Écran de Salisbury électrique ............................................................ — 3
2.1.2 Écran de Salisbury magnétique ........................................................ — 6
2.1.3 Écran de Dällenbach........................................................................... — 7
2.1.4 Écran comportant des circuits analogiques
et/ou des surfaces sélectives en fréquence ...................................... — 8
2.2 Matériaux à large bande ............................................................................. — 9
2.2.1 Couches inhomogènes....................................................................... — 9
2.2.2 Pyramides............................................................................................ — 10
2.2.3 Matériaux magnétiques ..................................................................... — 11
2.2.4 Structures absorbantes hybrides ...................................................... — 12
2.2.5 Structures absorbantes chirales........................................................ — 12
2.2.6 Structures absorbantes à très large bande ...................................... — 13
2.3 Applications des matériaux absorbants .................................................... — 13
Pour en savoir plus .......................................................................................... Doc AF 3 374

es matériaux absorbants ont été créés en 1940 à la fois aux États-Unis et

L en Allemagne. Ils portent souvent le nom de RAM (radar absorbing mate-
rials).
Le RAM optimal idéal ressemblerait à une peinture efficace pour toutes les
polarisations sur une grande bande de fréquences et une grande plage d’inci-
dences. Malheureusement, un tel matériau n’existe pas et la probabilité d’en voir
apparaître un prototype est assez faible.
Pratiquement, le type d’absorbant le plus efficace dans une situation donnée
est fortement dépendant de plusieurs paramètres (fréquence du radar, forme de
l’onde émise, largeur de bande, forme de la cible, etc.).
Les exigences et les propriétés des absorbants sont déterminées par les consi-
dérations suivantes :
— fréquence de fonctionnement : l’absorbant est réalisé pour une absorption
résonnante (à une seule fréquence ou pour de multiples fréquences discrètes)
ou pour une application large bande ;
— milieu composite ou monolithique : l’absorbant est constitué par un maté-
riau monolithique ou par une série de milieux discrets ;
— gamme d’absorption : fonction des pertes de transmission à travers les
absorbants ;
— tenues en puissance : gouvernées par les gammes de dissipation thermi-
que des matériaux absorbants ;
— considérations géométriques : épaisseur et surface nécessaires pour arri-
ver aux niveaux d’absorption requis ;

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— stabilité mécanique : fonction du vieillissement des matériaux, en tenant

compte de la dégénération physique et thermique due à une exposition continue
au rayonnement électromagnétique ;
— facilité de fabrication : faisabilité de mouler ou de former un absorbant sur
une forme et une taille données ;
— considérations de poids : poids faible pour les applications aéroportées et
aéronautiques (3 à 4 kg/m2 est une valeur maximale) ;
— enfin, le dernier point est le coût de réalisation, de vente et d’installation du
produit qui doit être le plus réduit possible ; pour exemple, nous évoquons la
grande chambre anéchoïque de Boeing à Seattle qui permet de mesurer un
Boeing 747, en entier, dont le coût hors matériel électronique dépasse 100 MF.
Le but de ce fascicule est de permettre au lecteur d’acquérir ou de préciser des
connaissances sur les matériaux absorbants.
Nous allons examiner les divers types d’écrans plans à faible bande, les struc-
tures multicouches à très large bande, les écrans analogiques et les écrans sélec-
tifs en fréquence. Nous intégrons les concepts d’écran à base de milieux chiraux
et terminons ce fascicule en donnant un exemple de structure absorbante à très
large bande constituée par un nid d’abeille.
L’article « Matériaux en électromagnétisme » fait l’objet de plusieurs
fascicules :
AF 3 370 Introduction
AF 3 371 Modélisation des matériaux composites
AF 3 372 Matériaux absorbants radar
AF 3 373 Caractérisation des matériaux composites
Les sujets ne sont pas indépendants les uns des autres. Le lecteur devra assez
souvent se reporter aux autres fascicules.

1. Généralités De la même manière, la densité de puissance au niveau de

l’antenne de réception produite par le rerayonnement de la cible est
égale à :
Pt Gt σ
- ( W/m 2 )
---------------------
( 4π ) 2 r 4
RADAR signifie « radio detection and ranging ». Le radar fut
introduit en 1940, il fut développé pour la détection de cibles à L’antenne de réception a un gain Gr et une aire effective Ac :
distance et pour remplacer la détection visuelle. Les ondes radio
présentent moins d’atténuation que les ondes lumineuses à travers Gr λ2
l’atmosphère, ce qui permet une détection longue portée. Le radar A c = --------------- ( m 2 ) (1)
4π
utilise la vitesse de la lumière, quantité connue, pour déterminer la
distance de la cible, le pointage et la résolution angulaire de avec λ longueur d’onde.
l’antenne pour positionner la cible dans l’espace.
La puissance reçue par le récepteur dans l’hypothèse où les gains
d’antenne d’émission et de réception sont égaux à G est :
■ Nous établissons l’équation du radar. On suppose qu’un émet-
teur a une puissance Pt en watts que délivre une antenne direction- Pt G 2 λ2 σ
nelle. A la distance r de l’antenne, la densité de puissance est la - (W)
P r = --------------------------- (2)
( 4π ) 3 r 4
puissance transmise divisée par l’aire de la sphère où cette puis-
sance s’est répartie. L’antenne directionnelle est caractérisée par un ● La relation (2) représente la forme la plus simple de l’équation
gain d’antenne Gt(θ, φ ) où θ et φ définissent les angles principaux du du radar, qui va permettre d’expliquer pourquoi on va chercher à
faisceau principal de l’antenne. réduire la SER de la cible.
La densité de puissance à une distance r de l’antenne est définie Si on considère une puissance minimale de réception Pmin au
par la relation : niveau du récepteur, associée au rapport signal à bruit du récepteur,
la détection maximale de puissance est fournie par la relation :
Pt Gt
-------------- ( W/m 2 ) 1⁄4
4π r 2  Pt G 2 σ λ 2 
r max =  ------------------------------
- (3)
 ( 4π ) 3 P min 
La cible est représentée par sa surface équivalente radar (SER, σ )
dont nous donnerons une définition théorique [relation (4)]. En A partir de cette relation (3) on peut voir que la distance varie en
première approximation, on peut voir la cible comme une antenne σ 1/4. Ce qui signifie que si, à Pt et G donnés, on réduit la SER dans
qui va rerayonner la puissance reçue. le rapport :

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— σ /16, on réduit la distance par deux ;
— σ /104, on réduit la distance d’un rapport 10.
Sans entrer dans trop de détails, la détection dans le clutter
(« fouillis ») et les multitrajets conduit à des relations plus
complexes entre r et σ.
● Une définition théorique de la SER est fournie par les relations :
E r2  réfléchie par la cible. Cela implique que la cible doit être un peu
σ = lim r ≈ ∞ -------
- 
E 2i 
 (4)
H r2  gente pour connaître son propre écho pour cette onde particulière et
ou : σ = lim r ≈ ∞ --------  pouvoir agir rapidement en générant sa propre forme d’onde. Le
H 2i  système doit ajuster et rayonner une impulsion d’amplitude et de
où Er , Ei, Hr et H i sont respectivement les amplitudes des champs
électriques et magnétiques au niveau du récepteur et des champs
incidents sur la cible.
Quantitativement, la SER d’un objet mesure sa « taille » vue par
une onde radar à une certaine fréquence et pour une polarisation
donnée. La SER est donnée en mètres carrés et est souvent
exprimée en décibels par rapport à 1 m2 par la relation :
σ (dB m2) = 10 lg [σ (m2)]
Pour tenir compte de la dépendance de la SER en fonction de la
polarisation, on doit considérer les relations entre les champs
transmis et reçus en terme de polarisations verticale (dénotée V) et
horizontale (H). Les champs électromagnétiques (EH et EV transmis
et reçus peuvent s’exprimer par les relations :
E Hr a HH a VH E Ht
=
E Vr a HV a VV E Vt
Les quantités aij sont complexes et indépendantes de la distance.
La matrice « A » définit la matrice de diffraction de la cible en
polarisation linéaire verticale et horizontale. Une matrice analogue
peut être définie pour des polarisations circulaires.
Dans le cas d’un radar monostatique, on a :
a HV = a VH.
On est amené, dans ce cas, à considérer une matrice de SER de
diffraction égale à :
σ 11 σ 12
σ =
σ 21 σ 22
Chaque σij est proportionnel au carré de aij [27] et [28].
■ On a vu l’importance de la notion de SER pour la détection des
cibles. Il y a quatre techniques pour réduire la SER.
● Jouer sur les formes (les surfaces, les bords et les arêtes). On
essaie ainsi de renvoyer les ondes diffractées dans des directions
différentes des directions d’observation des radars. Des codes de
calcul permettent de déduire les formes les plus appropriées en
fonction des dimensions de l’objet et des fréquences.
● Utiliser des matériaux absorbants. On réduit ainsi l’énergie
réfléchie par les objets grâce à des techniques d’adsorption de
l’énergie. Les paragraphes suivants vont détailler les principes de
réalisation des absorbants.
● Annulation passive. Le concept de base est d’introduire un
signal parasite dont l’amplitude et la phase peuvent être ajustées
pour annuler le signal émis par un radar. Une des formes de cette
passivation consiste à employer des impédances localisées spécia-
lement bien placées sur la cible. Il est très difficile de définir un trai-
tement d’annulation passive pour toutes formes de cibles et pour
divers signaux émis. Parfois les éléments qui s’avèrent utiles pour
une polarisation et une fréquence augmentent considérablement la
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SER de l’objet quand on change la fréquence et l’angle d’observa-
tion.
Cette technique est pratiquement abandonnée et ne sera donc
pas évoquée.
● Annulation active. La cible doit émettre un rayonnement en
coïncidence temporelle avec l’impulsion arrivant sur la cible. La
phase et l’amplitude de ce rayonnement doivent annuler l’onde
« intelligente » pour détecter l’onde incidente, sa forme, sa fré-
quence, sa polarisation et l’angle d’attaque. La cible doit être intelli-
phase adaptées en un temps propice.
Les difficultés de cette technique apparaissent avec l’augmenta-
tion de la fréquence, car les centres de diffraction ne sont plus direc-
tement corrélés avec les petits changements d’aspect de la cible et
les diagrammes de diffraction deviennent plus complexes.
L’utilisation de cette technique d’annulation active se situe dans le
domaine des basses fréquences où l’emploi des absorbants et les
possibilités de jouer sur les formes deviennent plus difficiles et où
les diagrammes de diffraction deviennent plus complexes.
2. Matériaux absorbants
plans
Deux catégories existent : l’une appelée absorbant résonnant et
l’autre large bande. La séparation entre des deux catégories n’est
pas formelle car les matériaux résonnants peuvent aussi fonc-
tionner sur des bandes de fréquences très grandes par association
entre eux.
La différence fondamentale entre ces deux types réside essentiel-
lement dans l’application des conditions conduisant à diminuer la
réflectivité :
— pour les matériaux résonnants, la réduction des coefficients de
réflexion pour les polarisations horizontale et verticale est obtenue
pour une fréquence ou pour des fréquences discrètes ;
— pour les matériaux à large bande, les conditions doivent être
valables pour toute une gamme de fréquences.
2.1 Matériaux résonnants
L’un des plus vieux et des plus simples écrans absorbants est
connu sous le nom d’écran de Salisbury.
2.1.1 Écran de Salisbury électrique
L’absorbant consiste en une couche fine de matériau à pertes,
d’épaisseur τ (milieu 1, figure 1), séparé par une couche sans perte
(milieu 2) d’épaisseur < (espaceur) et terminé par une paroi métal-
lique (milieu 3) de conductivité σ = 1/ρ infinie (ρ étant la résistivité
qui tend vers zéro). Le schéma équivalent de l’écran est donné sur la
figure 1b.
■ Selon les expressions de la réflectivité d’une couche donnée
(cf. [AF 3 371] § 3.3), le coefficient de réflexion de l’ensemble est
donné par la relation :
Z( 1 ) – Z0
R = ---------------------- (5)
Z( 1 ) + Z0
AF 3 372 − 3
,,,
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,
Rappel. Sur les définitions et écritures de ε (et µ). En toute
(1) (2) (3) rigueur, on a, pour la permittivité et la perméabilité, les formes
générales

,,
ε = ε0 εr et µ = µ0 µ r
θ1 θ2 ρ→0
θ1 (ou σ → `) εr et µ r étant les valeurs relatives et ε0 et µ0 celles du vide.
● La forme la plus courante pour la permittivité est :

ρ /τ Cp Lp ε = ε 0 ( ε r′ – i ε r′′ ) = ε 0 ε r′ ( 1 – i tan δ )
τ ,
avec ε r′ : constante diélectrique du milieu,
θ1 et θ2 respectivement Cp et Lp respectivement
ε r′′ : pertes diélectriques du milieu,
angle d'incidence et capacité et inductance équivalentes
angle de transmission tan δ : angle de pertes du milieu.
Par abus de langage et souci de rapidité, on confond εr et ε et,
a b plus généralement, ε r′ permittivité réelle ou constante diélec-
trique avec ε ’ : elle devient relative au vide.
Figure 1 – Écran de Salisbury De même, on confond ε r′′ permittivité imaginaire ou pertes
diélectriques avec ε ′′ : elle devient relative au vide.
● La même explication est valable pour la perméabilité µ.
où Z (1)est l’impédance d’entrée effective à l’interface entre
l’espace libre et les milieux 1, 2 et 3
On aura une réflexion nulle si :
et où Z 0 est l’impédance du vide.
Z (1) = Z 0.
On peut montrer, selon la théorie des lignes ou par le calcul matri-
ciel des structures multicouches ([AF 3 371] § 3.3), que Z (1) a pour On doit donc avoir :
valeur :
1
Z ( 2 ) – i Z 1 tan α 1 -------- = Z 0 (11)
Z ( 1 ) = ------------------------------------------
- (6) στ
Z 1 – i Z ( 2 ) tan α 2
La condition Z (2) très grand ( Z ( 2 ) ≈ ∞ ) peut être réalisée quand le
avec Z (2) impédance d’entrée effective à l’interface 1 et 2, milieu 2 est un milieu diélectrique sans perte et d’épaisseur
Z1 impédance du milieu 1 < = λ⁄4.
et
α 1 = k 1 τ cos θ 1  L’écran de Salisbury électrique se définit par :
 (7)
— R ≈ 0 , si l’on a :
α 2 = k 2 τ cos θ 2 

k1 et k2 étant les constantes de propagation dans les milieux 1 et 2. 1

-------- = Z 0
στ
■ Si on suppose que Z (2) >> Z 1, on obtient une formule approchée
pour Z (1) sous la forme : — < ≈ λ ⁄ 4 , dans un milieu de permittivité ε0 ; il s’agit d’une
lame quart-d’onde.
Z ( 1 ) ≈ i Z 1 ⁄ tan α 1 . (8)

Pour des épaisseurs de la première couche très faible (τ <<< λ), ■ La feuille résistive employée ou le matériau composite réalisé
α1 << 1 et la tangente est assimilable à son angle ; on a : pour la première couche doit avoir une conductivité parfaitement
k0 2 1⁄2 définie. Cette conductivité est obtenue en faisant des mélanges
α 1 = k 1 τ  1 –  -----  sin θ 21  (9) diélectrique-conducteur et en appliquant soit les lois du mélange,
k1 soit la GEM et/ou la théorie des agrégats présentées en [AF 3 371]
k 0 étant la constante de propagation dans le vide. (§ 2).
● La figure 2 montre la variation du coefficient de réflexion d’un
En incidence normale :
écran de Salisbury électrique en fonction de la fréquence (f0 étant la
tan α 1 ≈ k 1 τ fréquence de référence) pour plusieurs valeurs de ε 2′ = 1, 2, 4 et
µ 2′ = 1 , en incidence normale. On remarque que la bande de fonc-
où (cf. relation (8) et en [AF 3 371] § 1) : tionnement décroît quand on augmente la constante diélectrique
relative du milieu 2.
µ Pour un écran de Salisbury électrique adapté pour un fonctionne-
----
+ i Z1 ε i ment à incidence normale avec ε2 très grand, les coefficients de
Z ( 1 ) ≈ ------------------ ≈ i ---------------------- ≈ ---------- (10)
k1 τ ωτ µε ωτε réflexion en polarisation perpendiculaire R ⊥ et en polarisation
parallèle R // hors incidence normale sont approximativement
L’angle de pente ε 1′ ′ , dépendant de la conductivité du milieu 1, est donnés par les relations :
grand devant la constante diélectrique du milieu 1 ( ε 1′ ′ >> ε 1′ ) ,
alors :
1 – cos θ 1 
ε1 ≈ i σ ⁄ ω R // ≈ -------------------------- 
1 + cos θ 1 
et Z (1) devient :  (12)
cos θ 1 – 1 
1 et : R ⊥ ≈ -------------------------- 
Z ( 1 ) ≈ -------- 1 + cos θ 1 
στ

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1 uR'u , uR// u 1
Coefficient de réflexion uR u

µ'2 = 1
0,8

0,6

0,4 ε'2 = 1 ε'2 = 4 10–1

ε'2 = 2 ε'2 = 2 R//
ε'2 = 4 ε'2 = 1
0,2
R'
uRu = 0,1

0
0 0,4 0,8 1,2 1,6 2
Fréquence relative f /f0 10–2

Figure 2 – Coefficient de réflexion d’un écran de Salisbury électrique

en fonction de la fréquence 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90
θ1 (°)

Figure 4 – Coefficient de réflexion d’un écran de Salisbury électrique

défini pour une réflexion nulle à θ 1 = 15° en polarisation
uR'u , uR// u 1 perpendiculaire
0,9
0,8 0
Puissance réfléchie (dB)

0,7
0,6 200 Ω/u
–10
0,5
300 Ω/u
0,4
–20
0,3
0,2 377 Ω/u
0,1 –30

0
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90
–40
θ1 (°) 0 2 4 6 8 10
Fréquence (GHz)
Figure 3 – Coefficient de réflexion d’un écran de Salisbury électrique
en fonction de l’angle d’incidence Figure 5 – Performances théoriques d’un écran de Salisbury
électrique pour un espaceur diélectrique de 1,27 cm

0
Puissance réfléchie (dB)

● Les amplitudes des coefficients de réflexion sont données

figure 3 en fonction de l’angle d’incidence. On remarque que R ⊥ et
R // sont < 0, 1 quand l’incidence θ 1 < 35° .
200 Ω/u
On peut définir des absorbants pour avoir une réflexion nulle –10
pour un angle d’incidence particulier. La figure 4 montre le cas où :

R ⊥ ( 15° ) = 0 300 Ω/u

–20
● Les performances d’un écran comportant un espaceur diélectri-
que < de 1,27 cm sont données figure 5. On remarque que les 377 Ω/u
meilleures performances sont obtenues pour une feuille résistive de
–30
377 Ω/ . La bande passante à – 20 dB de l’écran est de 25 %. Une
réduction de cette valeur de 20 % permet d’obtenir des réflexions de
– 18 dB.
Pour obtenir des performances similaires en plus basse –40
fréquence, on doit augmenter l’espacement entre la couche fine et 0 2 4 6 8 10
la partie métallique. La figure 6 montre la modification du cas précé- Fréquence (GHz)
dent en plus basse fréquence. On remarque qu’une fréquence
harmonique de fonctionnement survient à la fréquence triple de la Figure 6 – Performances théoriques du même écran de Salisbury
fréquence centrale. électrique que figure 5 pour un espaceur diélectrique de 2,54 cm

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2.1.2 Écran de Salisbury magnétique

■ Si l’on considère maintenant que Z (2) <<< Z1, τ << λ , α 1 << 1, on
a alors, en incidence normale : εr
Z ( 1 ) ≈ – i Z 1 tan α 1 ≈ – i Z 1 α 1 ≈ – i Z 1 k 1 τ (13)
Il suffit de remplacer Z1 et k1 par leur valeur ([AF 3 371] § 1) ; on a :
Z( 1 ) ≈ – i ω µ1 τ (14) µr
µ1 étant la perméabilité du milieu 1.
Pour µ 1 = µ 1′ = – i µ 1′′ et pour µ 1′′ >> µ 1′ , la relation (14) devient :
0,1 1 10
Z ( 1 ) ≈ ω µ 1′′ τ Fréquence (GHz)
on aura une réflexion nulle si :
ω µ 1′′ τ = Z 0 (15) Figure 7 – Comportement des ferrites en fréquence

Les conditions Z (2) <<< Z1, τ << 1, α1 << 1 et µ 1′′ >> µ 1′ consti-
tuent les conditions de réalisation d’un écran de Salisbury magné-
tique. La première condition est satisfaite quand on place sur la Le tableau 1 donne les propriétés électriques d’un ferrite de
paroi métallique un matériau magnétique à pertes. On montre que nickel-zinc.
l’on peut obtenir un absorbant fin en employant un matériau ferrite. ● La largeur de bande d’un écran de Salisbury peut être amélio-
rée en construisant un absorbant à multi-écrans où écran de Jau-
mann (analogie avec les circuits résonnants parallèles couplés).
L’écran de Salisbury magnétique se définit par : La figure 9 donne un exemple d’un écran de Salisbury large
— R ≈ 0 , si l’on a : bande. L’impédance d’entrée d’un tel absorbant peut être calculée
ω µ 1′′ τ = Z 0 par la théorie des multicouches. S’il n’y a n couches diélectriques les
conditions générales sur Z (1) sont :
— < faible, couche fine à ferrite ; il s’agit d’une lame quart- — Re [Z (1)] = Z0 aux n fréquences ;
d’onde dans un milieu magnétique (ferrite). — Im [Z (1)] = 0 à toutes ces fréquences.
Pour satisfaire ces 2n équations, il faut supposer que les épais-
■ Un écran de Salisbury magnétique présente une largeur de seurs < sont voisines les unes des autres, que la permittivité diélec-
bande meilleure que l’écran Salisbury électrique, car seule la dépen- trique des milieux est la même pour tout intercalaire. Seules les
dance de µ 1′′ , en fréquence intervient. valeurs d’impédance ou de résistance des couches de faibles
● Les figures 7 et 8 donnent respectivement les variations de εr et dimensions sont modifiables. La figure 10 montre le coefficient de
µr d’un matériau ferrite utilisé et des exemples de réalisation com- réflexion dans une bande de fréquence de 3 octaves pour une
merciale. structure 5 couches comprenant 2 feuilles résistives intégrées.

ECCOSORB NZ-31
0

Réduction de
réflectivité (dB)
5
ECCOSORB NZ-2
0 10
Réduction de
réflectivité (dB)

5 15
10 20
15 25
20 30
25 35
0,1 0,2 0,4 1 2 4 10 0,1 0,2 0,4 1 2 4 10
Fréquence (GHz) Fréquence (GHz)

ECCOSORB NZ-41 ECCOSORB NZ-51

0 0
Réduction de
réflectivité (dB)

Réduction de
réflectivité (dB)

5 5
10 10
15 15
20 20
25 25
30 30
35 35
0,1 0,2 0,4 1 2 4 10 0,1 0,2 0,4 1 2 4 10
Figure 8 – Propriétés
Fréquence (GHz) Fréquence (GHz)
d’absorbants commerciaux
à ferrites de la Société Grâce

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,
Tableau 1 – Propriétés électromagnétiques d’un ferrite (1) (2) (3)
air ε, µ métal
de nickel-zinc en fonction de la fréquence

,
Fréquence (GHz) 0,1 0,5 1,0 3,0 10,0
θ1
ε r′ 27 24 20 18 15 θ1

ε r′ ′ 54 24 9,0 6,3 6,3

,
µ r′ 15 9 1,2 0,9 0,1 z=0 z=,

µ r′ ′ 45 45 12 6,3 0,32 Figure 11 – Écran homogène ou de Dällenbach

µr εr 53,5 39,5 16,3 11,0 2,3

2.1.3 Écran de Dällenbach

,,
,
R 0,07 0,17 0,31 0,39 0,77

,
R (dB) – 23,1 – 15,6 – 10,3 – 8,3 – 2,3 L’écran de Dällenbach consiste en un milieu homogène à pertes
placé sur une plaque métallique (figure 11).
L’impédance d’entrée à l’interface z = 0 avec Z(3) = 0 est :

,,
,
Z ( 0 ) ≈ – i Z 1 tan α 1 (16)

,
avec α 1 = k 1 < cos θ 1 .
(1) R1 (2) R2 (3) Le coefficient de réflexion est :
– i Z 1 tan α 1 – Z 0

,,
,,
R = --------------------------------------------- (17)
θ1 – i Z 1 tan α 1 + Z 0
θ1 La condition de réflexion nulle entraîne la relation :
– i Z 1 tan α 1 = Z 0 (18)

,1 τ1 ,2 τ2 ,3 En polarisation perpendiculaire, nous avons :

µr cos θ 1 sin θ 21 1 ⁄ 2 
- tan  ---------- µ r ε r  1 – ----------------- 
2π<
1 = – i ----- -----------------------------------------
Figure 9 – Écran de Salisbury magnétique à large bande εr sin θ 12  1 ⁄ 2  λ µr εr 
 1 – ---------------- -
 µr εr 

et en polarisation parallèle :

sin θ 21  1 ⁄ 2
 1 – ----------------
1 -
Coefficient de réflexion uR u

µr  µr εr  sin θ 21 1 ⁄ 2 
1 = – i ----- ------------------------------------------ tan  ---------- µ r ε r  1 – ----------------- 
2π<
0,8 εr cos θ 1  λ µr εr 

0,6 λ étant la longueur d’onde dans l’écran.

Ces expressions sont compliquées dans le cas général. Elles
0,4 peuvent être simplifiées en incidence normale.
Si µ = µ0, les valeurs de ε r′ et ε r′ ′ en fonction de < ⁄ λ pour obtenir
0,2 une réflexion nulle en incidence normale sont données figure 12.
uRu = 0,1
De même, pour ε r′ = Cte et ε r′ ′ = 0 , la figure 13 donne les varia-
0 tions, en incidence normale, des valeurs souhaitables de µ r′ et µ r′ ′
0 1 2 3 4 en fonction de ε r′ < ⁄ λ .
Fréquence relative f /f0 La dépendance angulaire de coefficients de réflexion est la même
,1 = ,2 = ,3 = , = 0,094 λ que pour les écrans de Salisbury électrique (§ 2.1.1).
Quand < ⁄ λ est faible et que seules les pertes diélectrique et
ε1 = ε2 = ε3 = 1,76 magnétique sont présentes, les bandes de fonctionnement de
R1 = 230 Ω l’absorbant dans le mode électrique ∆Fe et magnétique ∆Fm asso-
ciées aux variations de ε r′ ′ et µ r′ ′ , pour avoir R < 0, 1 , sont
R2 = 552 Ω données par les relations :
0, 2
∆ F e ≈ ----------------------------------------------------------
Figure 10 – Comportement en fréquence d’une structure Salisbury < π < –1
π  ----- – ------  ----- – i
cinq couches  λ  16  λ 

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∆Fe
103
εr = εr' – i ε'r'
5 10–1

2
εr'
102

5
10–2
2 ε'r' 0 0,2 0,4 0,6 0,8 1
,/λ
10

5 1
µ'r = 1 ∆Fm
2
µ'r' = 0
1
0,01 0,02 0,1 0,2 0,5
,/λ 10–1

Figure 12 – Valeur de la permittivité relative en fonction de < ⁄ λ

d’une couche homogène (µr = 1) pour une réflexion nulle
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1
ε'r, / λ

Figure 14 – Variations de D F e et D F m en fonction de < ⁄ λ

10
µr µ' µ' '
= r –i r 2.1.4 Écran comportant des circuits analogiques
εr εr' ε'r 5
et/ou des surfaces sélectives en fréquence
µ'r'
2 ε'r
■ Les écrans de Salisbury et de Jaumann utilisent des couches ou
1 des feuilles résistives ou conductrices, ce qui permet de n’avoir que
µr'
des parties réelles pour les admittances d’adaptation.
0,5 εr'
Une plus grande flexibilité peut être obtenue si les couches fines
0,2 présentent une admittance complexe avec un terme de conductance
et un de susceptance. La partie imaginaire de l’admittance peut être
0,1 obtenue en remplaçant la feuille résistive par une feuille qui
comporte des motifs métalliques comme ceux indiqués figure 15.
0,05
Le terme de circuit analogique a été donné à ces structures qui
ε'r = Cte sont largement employées dans le domaine électromagnétique
0,02
ε'r' = 0 pour des fonctions de filtre.
0,01
0,01 0,02 0,1 0,2 1
ε'r, / λ

Figure 13 – Valeur de la perméabilité relative en fonction de εr < ⁄ λ

d’une couche homogène (µr = 1) pour une réflexion nulle ( ε r′ = Cte )

et : Bandes ou fils Fils entrelacés Dipôles

0, 2
∆ F m ≈ -------------------------------------------------------------
<
– π ε r′ -----  –  ---------
2  i
--
-
3  λ   2π 

∆Fe a un maximum de 20 % quand < ⁄ λ ≈ 1 ⁄ 4 et tend vers 0 quand

la couche devient plus fine. ∆Fm augmente quand la couche devient
de plus en plus fine. Dipôles croisés Bande à double Croix de Jérusalem
période
Dans cette analyse, on a supposé que la permittivité et la perméa-
bilité étaient indépendantes de la fréquence, ce qui n’est jamais le
cas pour une très large bande (figure 14). Figure 15 – Géométries d’éléments analogiques typiques

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Les techniques de la micro-électronique peuvent être employées

pour déposer de tels circuits analogiques sur des couches fines
diélectriques.
■ Une autre classe de circuits est constituée par les écrans sélec-
tifs en fréquence (FSS, Frequency Selective Screen) qui sont des
surfaces passe-bande ou à stop-bande. Un FSS est un filtre fréquen-
tiel qui peut être employé comme un radôme passe-bande devant
l’antenne d’un radar ou comme un duplexeur pour une antenne à
double fréquence.
La figure 16 donne des géométries typiques utilisées pour les
applications de bande passante. Dans les FSS, les dessins peuvent
être faits avec des matériaux fortement conducteurs si l’on ne désire
pas d’absorption. Des motifs ont été, aussi, réalisés avec des pein-
tures diélectriques-conductrices dont les propriétés étaient données
par la GEM ou la théorie de percolation ([AF 3 371], § 2). On conçoit
aussi que, en associant à ces motifs des composants actifs judicieu-
sement placés, on puisse faire varier la réactance en fonction de la
fréquence et donc faire évoluer la réponse de l’absorbant en
fréquence (absorbant actif).
■ Pour définir ces écrans analogiques, quatre étapes sont
nécessaires :
— définir les caractéristiques d’admittance souhaitables pour
chaque couche analogique en fonction de la fréquence ; le nombre
de couches à employer est une fonction de la réduction de la SER
recherchée et de la bande de fonctionnement souhaitée ;
— trouver des géométries réalisables et des combinaisons de
conductances qui adaptent, aussi près que possible, les caractéristi-
ques d’admittance souhaitée pour chaque feuille ou chaque couche
fine ; chaque motif correspond à des fonctions de filtre déterminées
par le calcul ou par l’expérience ; le fonctionnement en fréquence
déterminera les dimensions principales et les espacements des
motifs ;
— calculer les performances théoriques d’un ensemble de cou-
ches diélectriques et de feuilles analogiques en fonction de la fré-
quence, de la polarisation et de l’angle d’incidence ;
— optimiser la structure à la fois sur le plan théorique et, en final,
réalisation expérimentale et tests de la structure.
Des programmes d’écrans sélectifs en fréquence pour matériaux
absorbants plans existent, des corrections sont apportées pour tenir
compte de milieux de dimensions finies et de courbure à grand
rayon.
La raison principale de l’emploi de feuilles à circuits analogiques
par rapport aux feuilles résistives est d’obtenir des bandes de fonc-
tionnement plus larges, voire accordables par un meilleur contrôle
des propriétés d’impédance des matériaux à pertes.
Fente rectangulaire Trou circulaire Fente angulaire
ou fente circulaire
0
R (dB)
III
–10
II
–20
I
–30
0 5 10 15 20 25 30
Fréquence (GHz)
I écran de Salisbury classique : 25 % à –20 dB
II écran de Salisbury à couche dipolaire : 55 % à –20 dB
III écran de Salisbury à couche dipolaire limite à –10 dB
donnant 75 % de bande
Figure 17 – Simulation théorique d’un écran de Salisbury
monocouche utilisant une couche analogique dipolaire
La figure 17 montre l’amélioration obtenue pour un écran de
Salisbury à une couche quand on remplace la couche résistive par
une couche analogique. Un écran standard à – 20 dB a une largeur
de bande de 25 % ; en utilisant un écran dipolaire, la bande a
augmenté à 55 % sans destruction des performances de l’écran. Si
on décide de limiter la réflectivité à – 10 dB sur la plus large bande,
on obtient une largeur de bande de 120 % à comparer avec les 75 %
d’un écran de Salisbury classique.
2.2 Matériaux à large bande
On a vu qu’il était possible d’associer des écrans de Salisbury
électrique ou magnétique, des écrans de Dällenbach pour faire des
écrans à large bande. D’autres types sont envisageables.
2.2.1 Couches inhomogènes
Le principe de base est de rechercher des structures qui présen-
tent un minimum de discontinuité avec l’interface espace libre et qui
progressivement augmentent les pertes pour absorber complète-
ment l’onde transmise.
Les couches inhomogènes qui possèdent des propriétés ε (z )
et/ou µ (z ) peuvent accomplir cet objectif. Sur le plan théorique, le
problème reste complexe à résoudre car il implique des calculs
inverses dont la solution n’est pas unique.
De nombreux auteurs ont étudié des formes comprenant des
variations de diélectrique. On donne, tableau 2, toutes les formes
qui ont été envisagées avec les différentes relations et notamment
le rapport < ⁄ λ qui permet d’obtenir une valeur du coefficient de
réflexion R < 0, 1 .
Les couches d’épaisseur les plus faibles sont données avec un
profil de constante diélectrique du type :

z –2
Fente chargée à Fente chargée à Fente chargée à ε r′ =  1 – ----- 
une fourche 4 fourches symétriques 3 fourches
<

La dépendance en incidence du coefficient de réflexion est

Figure 16 – Géométries d’écrans sélectifs en fréquence étudiée dans des cas simples [26].

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Tableau 2 – Différents types de couches inhomogènes

Minimum de < ⁄ λ
Type de variation µ r′ ( z ) µ r′ ′ ( z ) ε r′ ( z ) ε r′ ′ ( z )
pour R < 0, 1

Jacobs idéal 1 0 [ 1 – (z ⁄ <) ]– 2 constante faible << 1 0,3

1
Jacobs fini 1 0 [ 1 – ( 0, 95 z ⁄ < ) ] – 2 ---
2
0,42

Linéaire 1 0 1 3 z⁄< 0,55

Linéaire 1 0 1 6 z⁄< 0,77

Exponentiel 1 0 1 3, 76 ( z ⁄ < ) 1, 5 0,4

Exponentiel 1 0 1 0, 285 e 2, 73 (z ⁄ <) 0,35

1 0, 25
Exponentiel 1 0 ------------- [ 6 z ⁄ < – 1 ] 0,35
< ⁄ λ0

Exponentiel 1 0 2z ⁄ < 5z ⁄ < – 1 0,56

Exponentiel 1 0 10 z ⁄ < 7z ⁄ < – 1 0,68

Exponentiel 3, 3 z ⁄ < 0 50 z ⁄ < 0, 3 ( 3 , 3 z ⁄ < – 1 ) 0,6

Exponentiel 3, 3z ⁄ < 50 z ⁄ < –1 50 z ⁄ < 0, 3 ( 3 , 3z ⁄ < – 1) 0,5

Approximation à 3 couches 0,58 pour 0,344 <

discrète et distribution 1 0 1 1,16 pour 0,359 < 0,33
exponentielle 3,48 pour 0,297 <

2.2.2 Pyramides
–60

Coefficient de réflexion (dB)

Il s’agit essentiellement d’une transition géométrique entre 50°
l’espace libre et le milieu à pertes. Ces matériaux se présentent sous –50
formes de pyramides, de coins et comportent des caoutchoucs 60°
synthétiques ou des mousses chargées par un matériau à pertes –40
comme un mélange diélectrique-carbone. La figure 18 montre un 70°
type de matériau absorbant à base de pyramides. –30
Les formes classiques sont des cônes, des profils rectangulaires,
sinusoïdals, ou triangulaires. Le profil triangulaire apporte des –20 Polarisation
meilleures performances que les autres, car il constitue une transi- ' //
tion plus graduelle. La figure 19 donne une indication des épais- –10 50°
seurs nécessaires pour atteindre une réduction de SER. 60°
70°
0
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Épaisseur en longueur d'onde (, / λ)

Figure 19 – Coefficient de réflexion en fonction de l’épaisseur

pour des absorbants pyramidaux pour divers angles d’incidence

Pour accroître les pertes d’insertion, le socle de la pyramide peut

utiliser des transitions diélectriques inhomogènes définies para-
graphe 2.2.1. Des coefficients de réflexions inférieurs à 0,1 ont été
observés pour des angles d’incidence aussi grands que 50 à 60°. Ces
absorbants peuvent atteindre des réductions de SER à 50 dB avec
des épaisseurs de 50λ.
Les applications de ces pyramides sont les chambres anéchoï-
ques. Pour un fonctionnement en basse fréquence, les dimensions
Figure 18 – Absorbant à base de pyramides de la pyramide deviennent assez grandes ( < > 10 λ ) .

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2.2.3 Matériaux magnétiques

102
Un matériau avec µr = εr, suffisamment épais et qui a des pertes

Épaisseur en longueur d'onde (,/λ)

diélectriques et magnétiques assez importantes, placé devant une
paroi métallique peut constituer un matériau absorbant. On peut
obtenir cette relation directement à partir de la relation qui donne le
coefficient de réflexion R = 0 sur un milieu d’épaisseur très grande
10
où l’on a :
Z=Z0
u
u=

R
Z 0 étant l’impédance du vide. 0,
01
On en déduit que le milieu est adapté, soit R = 0 si : 1 0,
05
0,
εr = µ r . 3
0,
1
Les seuls matériaux capables d’accomplir cela sont les ferrites.
Quelques absorbants à ferrite ont été développés avec des bandes
assez grandes. 10–1

■ Pour un écran absorbant (µr = εr) recouvrant une surface

conductrice et d’épaisseur finie, le coefficient de réflexion est le
coefficient de réflexion d’un écran de Dällenbach (§ 2.1.3) avec
Z1 = Z 0 .
En incidence normale et pour ε ′, µ ′ >> ε ′′, µ ′′ , l’amplitude du
coefficient de réflexion est donnée par la relation :
R = exp ( 2 k 0< ε r′′ )
La figure 20 donne les courbes des valeurs minimales de < ⁄ λ en
fonction des pertes diélectriques tanδ pour différentes valeurs de
R .
■ Dans le cas d’un matériau quelconque, le nombre d’onde k
dans le matériau est complexe et les parties réelles et imaginaires,
en fonction de ε ′, µ ′, ε ′′, µ ′′ sont fournies par les relations :
1⁄2
ε ′ µ ′ – ε ′′ µ ′′ ( ε ′′ µ ′ + ε ′ µ ′′ ) 2
-------------------------------- 1 + 1 + --------------------------------------
Re ( k ) = ω
2  ( ε ′ µ ′ – ε ′′ µ ′′ ) 2
1⁄2
ε ′ µ ′ – ε ′′ µ ′′  ( ε ′′ µ ′ + ε ′ µ ′′ ) 2
Im (k) = ω -------------------------------- – 1 + 1 + --------------------------------------
2  ( ε ′ µ ′ – ε ′′ µ ′′ ) 2
Pour ε r′ µ r′ ≈ ε ′′
r µ ′′
r
à partir des expressions précédentes on
déduit le coefficient de réflexion en incidence normale :
1⁄2
ε ′ 2 – ε ′′ 2 ( 4 ε ′ 2 ε ′′ 2 ) 
R = exp ( – k 0 < ) ----------------------  – 1 + 1 + ----------------------------
-
2 ( ε ′ 2 – ε ′′ 2 )
■ Le catalogue des matériaux utilisables dans le domaine des
hyperfréquences pour faire des absorbants magnétiques est assez
important. Les alliages métalliques (tels que le Permalloy™) ont des
perméabilités très élevées, mais les propriétés de conduction domi-
nent au-dessus des fréquences supérieures à quelques dizaines
d’hertz. Des matériaux non conducteurs sont souhaitables pour les
applications d’absorption électromagnétique.
Les matériaux magnétiques les plus employés dans les absor-
bants radars sont le fer carbonyl et les ferrites.
● Le fer carbonyl est une poudre de fer pur dont les diamètres de
particules se situent entre quelques micromètres jusqu’à 10 µm.
Les performances des absorbants sont une fonction de la taille et
de la conductivité des particules. Dans une situation idéale, les parti-
cules individuelles contiennent un nombre suffisant de domaines
magnétiques qui sont isotropes, mais pas trop important pour éviter
un blindage automatique (dû aux parcours électriques dans un
milieu dense en particules de fer). Dans une matrice diélectrique, on
peut ajouter des particules de fer carbonyl jusqu’à ce que l’on
atteigne le seuil de percolation. Les théories GEM et de percolation
peuvent aider à définir les taux de charge en fer carbonyl.
● Les ferrites sont des substances ferrimagnétiques composées
d’oxydes de fer et d’autres oxydes métalliques. Comme ils sont non
10–2
0,01 0,1 1 10
tan δ
Figure 20 – Épaisseur minimale d’un absorbant en fonction
des pertes du matériau à µr = εr pour avoir un coefficient
de réflexion compris entre 0,01 et 0,3
conducteurs, les ferrites peuvent être dilués en quantité importante
dans une matrice neutre. Par ailleurs, comme on peut contrôler et
changer la structure en réseau et les éléments métalliques dopant
un ferrite, on peut mieux contrôler les propriétés des matériaux réa-
lisés.
Un inconvénient d’un ferrite est que l’aimantation à saturation est
faible comparée au fer et le produit pertes diélectriques-largeur de
bande d’un matériau est directement proportionnel à la valeur de
l’aimantation à saturation.
Cependant, la possibilité d’obtenir des densités de concentration
importante, de résister à l’oxydation sous une forme non magné-
tique et de permettre de faire des synthèses à propriétés différentes
par des dopages appropriés à rendu les ferrites très populaires
d’emploi dans les matériaux absorbants radar.
La figure 21 donne, par exemple, les perméabilités de ferrite de
nickel-zinc en fonction du dopage en zinc.
Les matériaux ferrites se présentent sous forme de tuiles frittées
rigides de petites dimensions. Une autre méthode consiste à
enfermer les particules magnétiques dans une matrice flexible de
caoutchouc naturel ou synthétique. Cette couche composite peut
être ensuite collée sur une surface à protéger. Quelques sociétés ont
défini des techniques de pulvérisation de matériaux ferrites où le
nuage magnétique est suspendu dans une matrice époxy. Le revête-
ment à pertes peut être, alors, répandu selon une épaisseur désirée
sur la surface à protéger. Le matériau peut, également, être peint
directement sur la surface. De tels matériaux sont, souvent, utilisés,
pour réduire les ondes rampantes et les ondes se propageant sur la
structure.
■ Bien que les matériaux magnétiques soient lourds, leur vertu
essentielle réside dans la possibilité d’obtenir des performances
en basse fréquence avec des matériaux d’épaisseur raisonnable :
— de 50 MHz jusqu’à 800 MHz, on peut utiliser des structures
ferro-spinelles ;
— de 800 MHz à 1,6 GHz, une structure ferroxplanaire est plus
souhaitable.

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,
,
104 103 X
µ' I x = 0,36
µ' I II x = 0,5
µ''
µ'' III x = 0,64 Période
IV x = 0,2 du réseau

,
103 V x=0 102
II
I
II
Largeur du
IV III motif à ferrite
102
III 10
X'
IV V Épaisseur
du ferrite
10 1 Coupe X-X'
V

Figure 23 – Absorbants à ferrites en réseau 2D

1 0,1
0,6
0 1 10 102
Fréquence (MHz)
Figure 21 – Perméabilités de ferrites de nickel-zinc
en fonction du dopage en zinc
Dans chaque cas, la masse volumique est d’environ 5 g/cm3, et,
en fonction des propriétés d’absorption recherchées, des épaisseurs
de 2 à 5 mm sont nécessaires. Le résultat est une pénalité de masse
d’approximativement 10 à 25 kg/m2.
■ De nouvelles structures ont été développées pour élargir la
bande d’absorption électromagnétique des matériaux ferrites.
Des absorbants à ailettes en ferrite ont été construits par des Asiati-
ques (figure 22) qui peuvent réduire les coefficients de réflexion de
– 20 dB de 30 à 700 MHz et de – 15 dB de 30 à 1 000 MHz.
Le matériau absorbant consiste en un réseau de pièces de ferrite
placés sur un conducteur métallique, dont les dimensions et l’espa-
cement entre pièces de ferrite sont calculés en fonction de la bande
à couvrir.
Pour obtenir des effets insensibles à la polarisation une structure
en grille peut être réalisée (figure 23). Cette grille constitue un
réseau 2D de pièces de ferrite, analogue aux écrans sélectifs en
fréquence (§ 2.1.4). Avec un réseau périodique de cylindres de
ferrite carrés et un support en ferrite fritté, des bandes de fréquence
de 30 MHz à 2,6 GHz ont pu être obtenues.
2.2.4 Structures absorbantes hybrides
103 4.103
Des travaux ont été faits pour combiner les divers types d’absor-
bants radars (électrique, magnétique, circuit analogique, écran de
Jaumann et matériaux à gradients) pour avoir une plus grande
bande passante avec des structures multicouches d’épaisseur plus
faible ou pour améliorer les performances dans une bande donnée
avec une même épaisseur. Les matériaux qui combinent deux ou
plus de types d’absorption de base sont appelés les absorbants
hybrides.
Une structure hybride pour un fonctionnement à large bande
comprenant les basses fréquences doit inclure une couche arrière
du matériau magnétique recouverte par des absorbants de
Jaumann (§ 2.1.2), des feuilles analogiques (§ 2.1.4) ou des maté-
riaux à gradients (§ 2.2.1), du type nid d’abeille chargé par une
résine contenant des particules de carbone. S’il est convenablement
défini, l’absorbant de Jaumann, en face avant, sera transparent aux
basses fréquences qui passeront à travers et seront absorbées par
l’écran magnétique arrière. Aux hyperfréquences, où l’absorbant
magnétique aurait des performances faibles s’il était utilisé tout
seul, les couches en avant devront fournir l’atténuation nécessaire.
L’absorbant peut être rendu actif en haute fréquence en adjoignant
aux absorbants en face avant des structures activables ou actives.
Plusieurs types d’association d’absorbants de base sont possi-
bles. Par exemple, la figure 24 montre les résultats obtenus pour un
écran de Jaumann trois couches, un absorbant à gradient à quatre
couches et un matériau hybride formé en combinant un écran
Jaumann et un absorbant à gradient. Chaque couche a 7,5 mm

,
L’application visée est la protection des immeubles en basse d’épaisseur. L’épaisseur totale est de 3 cm. On remarque que
fréquence et la constitution de chambres anéchoïques performantes l’emploi de techniques combinées améliore les performances en
et pas trop volumineuses. plus basse fréquence et en haute fréquence jusqu’à la bande Ku
(18 GHz).
D’autres combinaisons sont possibles avec des écrans analogi-

,
ques ou des écrans sélectifs en fréquence (§ 2.1.4).

Période 2.2.5 Structures absorbantes chirales

du réseau
Les matériaux chiraux ont été présentés en [AF 3 371] (6 4.1). On
peut facilement imaginer que tous les scientifiques ont été parti-
Onde
culièrement intéressés par ces structures hélicoïdales ces dix
électromagnétique dernières années. Du fait des propriétés électriques et magnétiques
incidente croisées et par la présence d’un terme supplémentaire traduisant la
chiralité, un grand nombre de personnes a pensé utiliser les milieux
chiraux comme matériaux absorbants.
Épaisseur Toutes les structures précédemment envisagées ont été étudiées.
du ferrite
Les écrans monocouche ou multicouches de Salisbury électrique et
magnétique, de Dällenbach, de Jaumann, à gradients ont été
Figure 22 – Absorbant à ferrites en réseau simulés. Certains ont même été réalisés.

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0 0

Coefficient de réflexion (dB)

Coefficient de réflexion (dB)

–10 –5
Jaumann
–20 –10
–30 –15
50°
–40 Hybride –20 50°
Gradient
–50 diélectrique –25
–60
2 4 6 8 10 12 14 16 18 –30
20°
Fréquence (GHz) –35 20°
–40
Figure 24 – Comparaison d’un écran multicouche Jaumann, 0°
–45
d’un absorbant à gradient diélectrique et d’un matériau hybride
–50
2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Fréquence (GHz)
0
Coefficient de réflexion (dB)

Figure 26 – Nids d’abeille à plusieurs angles d’incidence réalisés

par Emerson et Cumings
–5
Mesure

–10 difficiles voire impossibles. L’intervention des modèles à éléments

Calcul finis avec description assez fine de la maille du nid d’abeille permet
d’approcher les propriétés de ces matériaux [27], [28]. Des cellules
–15
hexagonales, circulaires ou autres ont été étudiées et surtout réali-
sées par les industriels du domaine.
–20 La figure 26 donne les résultats expérimentaux obtenus par
8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 Emerson et Cumings avec un matériau nid d’abeille à cellules cir-
Fréquence (GHz) culaires revêtues d’une couche de carbone à gradient de conducti-
vité. Les dimensions sont de 300 × 300 avec une épaisseur de
25 mm. Le poids est de 2 kg/m2. La réflectivité est de – 20 dB de 6 à
Figure 25 – Amplitudes calculées et mesurées du coefficient 26 GHz.
de réflexion, en incidence normale, d’une plaque chirale à hélices
métalliques gauches de trois tours

2.3 Applications des matériaux

Parmi les travaux expérimentaux, signalons ceux de F. Guérin de absorbants
Thomson-LCR [25]. La figure 25 donne l’amplitude calculée et
mesurée du coefficient de réflexion d’une plaque d’époxy chargée
en carbone et en hélices métalliques gauches de trois tours à raison Outre les applications d’absorbants radars pour la réduction de
de 3,4 % en volume. Outre le bon accord théorie-expérience, on surface équivalente radar des cibles terrestres, aériennes et navales,
constate que, pour une réflexion de – 10 dB, des bandes de 10 à on trouve des absorbants dans les domaines suivants :
25 GHz peuvent être obtenues. — absorbants électromagnétiques pour réduire les interférences
Des hélices diélectriques à base de matériaux ferroélectriques électromagnétiques sur les bateaux, ou pour éliminer les interféren-
ont, aussi, été réalisées par Thomson-LCR. Plusieurs tentatives de ces proches des aéroports (très employés au Japon comme écrans
comparaison des propriétés des écrans classiques avec des écrans de blindage) ;
chiraux utilisant les mêmes principes ont été conduites à travers le — absorbants utilisés dans les antennes pour enlever les
monde. On constate des améliorations des performances d’absorp- réflexions non désirées, les réflexions parasites, réduire les lobes
tion de quelques décibels sur une bande plus large. secondaires des antennes et améliorer les performances de ces
antennes (application télécommunication terrestre ou spatiale) ;
Par rapport à ces performances, les structures chirales se heurtent — absorbants utilisés comme matériaux de protection des cir-
au problème de coût de réalisation d’une plaque. Il faut environ cuits hyperfréquences des divers systèmes d’émission et de récep-
65 000 hélices par mètre carré. A 1 F l’hélice, un panneau plan de tion (faisceau hertzien…) ;
1 m2 revient à 65 kF, en 1998, soit 5 à 10 fois plus cher qu’une struc- — absorbants intervenant dans les applications industrielles des
ture classique. micro-ondes pour éviter les fuites électromagnétiques, par exemple
Par ailleurs, il semble difficile de réaliser des panneaux non plans dans les portes des fours à micro-ondes ou pour protéger toute
comme des arêtes ou des bords d’attaque. Tout cela limite l’emploi ouverture ;
de ces milieux. — absorbants des chambres anéchoïques pour les tests des pro-
priétés d’immunité de certains objets (automobile, transports etc.),
les propriétés des antennes et des circuits hyperfréquences ou pour
2.2.6 Structures absorbantes à très large bande la mesure des propriétés de réflexion des objets naturels (appli-
cation à la télédétection) ;
Parmi les structures absorbantes permettant d’accéder à de très — absorbants ou matériaux de simulation des conditions
larges bandes, on peut ranger les structures en nids d’abeille. Les d’absorption des ondes par les milieux biologiques (fantômes bio-
simulations des structures nids d’abeille ont été très longtemps électromagnétiques).

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© Techniques de l’Ingénieur, traité Sciences fondamentales AF 3 372 − 13