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CON BJT
Resumen--Este informe consiste en conocer el diseño Se denomina amplificador multietapa al acople de dos o más
estructurado de un amplificador con transistores BJT (Bipolar configuraciones de transistores, esto con la finalidad de obtener un
Junction Transfer), usando conocimientos básicos de incremento mayor en la señal de salida (comparando con la
electrónica, para conseguir este objetivo se comenzara desde configuración de un solo transistor); este acoplamiento se realiza
análisis matemático pasando por simulación en el software mediante el uso de condensadores permitiendo parámetros en su
Orcad hasta su montaje físico en ProtoBoard. Se simularon y se análisis en DC o AC; la ganancia total de esta configuración es el
probaron las diferentes etapas del diseño para poder comparar resultado de la multiplicación de la ganancia individual de cada
los resultados obtenidos en cada caso. etapa.
PALABRAS CLAVE. Entre las configuraciones usadas en este texto se encuentra: está
emisor común (inversor) y colector común (emisor seguidor); al
BJT (Bipolar Junction Transfer), Transistor emisor común, referirse al producto de cada etapa se incluye también la inversión
transistor colector común, Orcad, ProtoBoard, Transistor 2N2222 de cada señal de salida, por lo tanto, al aplicar un prototipo con el
acople de dos inversores, se obtendrá una señal afectada en su
I. INTRODUCCIÓN. amplitud por un factor AV=AV1*AV2 pero sin desfase alguno.
II. OBJETIVOS.
A. Objetivo General.
Fig. 1 Ejemplo de amplificador BJT
Conocer conceptos fundamentales sobre el transistor BJT que se
usa en un circuito amplificador, sus métodos de aplicación y B. Transistor.
conexiones que son utilizados realizando una tarea de investigación
y la construcción del circuito en un ProtoBoard para comprender de Los transistores son los semiconductores, que puede comportarse
mejor manera la materia que se imparte en las aulas de clase y como conductor o aislante, que se pueden en un circuito eléctrico,
poder tener una formación profesional adecuada. integrados también en el grupo de elementos electrónicos. Puede
ampliar el poder la energía que reciba, además de crear
B. Objetivos Específicos. perturbaciones en ella, modificar el camino que pueden llevar los
electrones y puede convertir a la corriente alterna, en la que su
• Describir los elementos que conforman el amplificador y sus magnitud varía constantemente, en corriente continua, la cual no
respectivas conexiones. cambia su ruta en todo el trayecto. Mayormente son fabricados con
silicio y germanio, sin embargo, los más adquiridos son los de
• Montar el circuito en el ProtoBoard, y armarlo con todos los silicio pues son más baratos; éste, por su parte, es un
componentes necesarios para cumplir con las condiciones. semiconductor, por lo que se le agregan algunas impurezas para
convertirlo en un conductor.
• Presentar el trabajo y comprobar la veracidad de los procesos
realizados.
C. Transistor 2N2222.
III. MARCO TEORICO.
Transistor 2N2222. Es un transistor de silicio y baja potencia,
A. Amplificador. diseñado para aplicaciones de amplificación lineal y conmutación.
Es un transistor de silicio de mediana potencia con una polaridad
npn, construido mediante el proceso de base epitaxial y designado
para aplicaciones de amplificación lineal y conmutación. Puede Vcc=30 V Vee=15 v
amplificar pequeñas corrientes a tensiones pequeñas o medias y
trabajar a frecuencias medianamente altas. Es fabricado en Para el caso de ℜ3=Rl
diferentes formatos, los más comunes son los TO-92, TO-18, SOT-
23, y SOT-223.
ℜ3=1 k Ω
Vcc +Vee Vcc
D. Principales Características. [2] I CQ = =
Rc+ Re R E 3+( R E 3 ∕ ∕ Rl)
• Voltaje colector emisor en corte 60V (Vceo)
I CQ =20 mA
• Corriente de colector constante 800mA (Ic)
• Potencia total disipada 500mW (Pd) Para este caso se asume un β ≅ 200
• Ganancia o hfe 35 mínima Rth=0.1∗β∗ℜ 3
• Frecuencia de trabajo 250 Mhz (Ft)
Rth=20 k Ω
• Encapsulado de metal TO-18
Vth=V B
• Estructura NPN
• Su complementario PNP es el Transistor 2N2907. V B =1.1∗Icq∗ℜ 3−V BE
V B =21.3 v
Rth
R 2= =69 k Ω
VB
1−
V cc
R2 ≅ 68 kΩ → Valor comercial
Rth∗V CC
R 1= =28.2 kΩ
VB
R1 ≅ 27 kΩ → Valor comercial
Fig. 2 Transistor 2N2222 y 2N2222A.
Ahora haciendo el análisis con R1=27 kΩ y R2=68 kΩ
IV. PARÁMETROS DE DISEÑO.
Diseñar, simular e implementar un amplificador discreto con las R 1∗R2
siguientes características:
Rth=
R1 + R2
a) Ganancia de voltaje 25
Rth=19.33 kΩ
b) Fuente de alimentación de 30v.
R 2∗V CC
c) Señal de entrada: 200mVpp. (Medido a 1 kHz). Vth=
R1 + R2
d) Carga de 1KΩ.
Vth−V BE
I B=
Rth+ ( β +1 )∗R E
IV. DISEÑO.
I B=94.29uA
Para iniciar el diseño del multietapa se inicia desde la última etapa
y se va desarrollando hasta llegar a la primera, En este caso se I C =( β +1 ) I B =18.95 mA
plantean tres etapas.
β ≅ 200 Vth−V BE
I B=
Rth+ R E (β +1)
RC Deberá tener un valor de la mitad de RL o hasta el mismo
valor de RL I B=7.64 uA
RC 2 ≅ 10 kΩ I C =β∗I B
Av=−5 I C =1.53 mA
−RC 2 /¿ R L β∗VT
Av ≅ R π=
RE 2 I CQ
−6.7 kΩ R π=3.39 kΩ
R E 2= =1.3 kΩ
Av −β∗RC 2 /¿ R l
Av=
R E 2 ≅ 1.2 kΩ→ Valor comercial R π + ( β+1 ) R E 2
V CC A v =−5.22
I CQ =
R DC + R AC
Zi n2=( Rπ + R E 2 ( β +1 ) ) /¿ Rth
V CC
I CQ = Zi n2=22.31kΩ
RC 2 + R E 2 +[ R ¿ ¿ C 2/¿( Rl + R E 2)]¿
A. Primera Etapa.
I CQ =1.69 mA
Rl=Zi n2
Rth=0.1∗β∗R E
β ≅ 200
Rth=24 kΩ
RC =5.6 kΩ
Vth=V B =1.1¿ I CQ∗R E∗+V BE
Av=−5
V B =2.93 v
−RC 1 /¿ R L
Rth Av ≅
R 2= =26.597 kΩ RE1
VB
1− −RC 1 /¿ RL
V CC
R E= =895.72Ω
Av
R2 ≅ 27 kΩ → Valor comercial
R E ≅ 920 Ω →Valor comercial
Rth∗V CC
R 1= =245.73 kΩ V CC
VB I CQ =
R DC + R AC
R1 ≅ 270 kΩ →Valor comercial
V CC
Ahora con R1 y R2 de la segunda etapa I CQ =
RC + R E +[ R ¿ ¿C /¿( Rl + R E)]¿
R 1∗R2
Rth= I CQ =2.72mA
R1 + R2
Rth=0.1∗β∗R E
Rth=24.55Ω
Rth=18.4 kΩ V. ANÁLISIS EN SOFTWARE Y MONTAJE
EXPERIMENTAL.
Vth=V B =1.1¿ I CQ∗R E∗+V BE
Después de realizar los respectivos cálculos matemáticos se
procede a simular el circuito en el software Orcad y su respectivo
V B =3.45 v
montaje en protoboard para realizar las mediciones experimentales.
Rth A. Simulación En Orcad.
R 2= =20.79 kΩ
VB
1−
V CC
R2 ≅ 22 kΩ →Valor comercial
Rth∗V CC
R 1= =160 kΩ
VB
R1 ≅ 150 kΩ →Valor comercial
R2∗V CC
V b =Vth=
R 1+ R 2
Vth=3.84 v
Vth−I B∗Rth−V BE −R E ( β +1 )∗I B =0
Vth−V BE
I B=
Rth+ R E (β +1)
I B=13.47uA
I C =β∗I B
Fig. 3b Señales de salida de la segunda etapa en el dominio del tiempo.
− β∗RC /¿ Rl
Av=
R π + ( β+1 ) R E
A v =−4.79
Zi n1=( Rπ + RE 1 ( β +1 ) ) /¿ Rth
Zi n1=17.4 kΩ
A v Total =25.0038
Fig. 4a Esquemático segunda etapa.
Vo
Av= =5.2 v
Vs
B. Montaje En ProtoBoard.
Vo 248 mv
Av= = =1 v
Vs 200 mv
Fig. 6 Montaje del diseño en la ProtoBoard.
V CE 8.48v 6v 6.5v
B. Segunda Etapa.
TABLA 2
V CE 6.76v 6v 6.5v
VII. CONCLUSIONES.
• Durante el montaje de uno de los primeros prototipos, donde el
diseño tenía capacitores paralelos en las resistencias del emisor de
la etapa 1 y 2, se observó que los resultados de ganancia no eran los
esperados, el circuito no generaba la señal de salida y notamos que
al momento de retirarlos los capacitores se generaba la señal, pero
no con la ganancia de 30 si no una más baja, saliéndose de los
parámetros de diseño se llegó a concluir que estos capacitores
obstruían el paso de la señal de entrada en las primeras etapas
impidiendo mostrar la señal de salida.
VIII. REFERENCIAS.
A. Bibliografia.
R. Boylestad and L. Nashelsky, Electronic devices and circuit
theory. Harlow: Pearson, 2014.