Instituto Tecnológico de México.

Instituto Tecnológico de Matamoros.

Trabajo de investigación.

Trabajo: Transistor BJT Y Mosfet

Profesor: Ing. Alberto López Acevedo

Materia: Electrónica

Semestre: Enero - Junio

Alumno: Alfonso Mondragón Elejarza 17261082.

Néstor Alejandro Del Ángel Cervantes 17260659.
José Ángel Viveros Cruz 17260729.
Fernando Baltazar Rodríguez 17260636
Oscar Uriel Salazar Martínez 17260717
Brayan Osvaldo Ornelas Ramírez 17260704
Horario: 8:00 - 9:00 PM
Transistor bipolar.
Introducción.
Existen diversas formas que nos permiten identificar las terminales de un transistor
bipolar y si éste es NPN o PNP, sin embargo, se recomienda que siempre se
consulten las hojas de especificaciones que proporciona el fabricante y que nos
indican como están ubicadas las terminales de emisor, colector y base. En el
laboratorio es conveniente comprobar que esta ubicación es correcta y que el
dispositivo este en buen estado. En el caso, en que no se cuente con la
información suficiente, mediante algunas mediciones realizadas en el laboratorio,
es posible identificar las terminales de los transistores bipolares y el tipo de
transistor NPN o PNP de que se trate.
El transistor bipolar de uniones, conocido también por BJT (siglas de su
denominación inglesa Bipo-lar Junction Transistor), es un dispositivo de tres
terminales denominados emisor, base y colector.
La propiedad más destacada de este dispositivo es que aproxima una fuente
dependiente de corriente: dentro de ciertos márgenes, la corriente en el terminal
de colector es controlada por la corriente en el terminal de base. La mayoría de las
funciones electrónicas se realizan con circuitos que emplean transistores, sean
bipolares o de efecto de campo, los cuales son los dispositivos básicos de la
electrónica moderna.

Objetivos.
• Identificar las terminales del transistor bipolar.
• Comprobar el efecto transistor.
• Obtener y medir el voltaje de ruptura de la unión base-emisor y de la unión
colector-base de un transistor bipolar de silicio de tecnología planar.
• Obtener las curvas características de entrada del transistor bipolar en
configuración de emisor común. Observar su variación con el voltaje de colector-
emisor.
• Hacer conclusiones y reportar los datos, gráficas y mediciones llevadas a cabo
durante la realización de esta práctica.
Equipo.
Para realizar la presente práctica es necesario:
• Un transistor de germanio npn AC127 o equivalente
• Cuatro transistores de silicio npn BC547 o equivalente
• Resistores 1K (4), 100K a 0.5w (1)
• Un osciloscopio
• Generador de funciones
Desarrollo.
1.- Identificar las terminales del transistor bipolar.
Usar el multímetro en su función de óhmetro y aplicar la prueba conocida como
"prueba del amplificador" e identificar las terminales del transistor. Use un
multímetro analógico en su función de óhmetro. Mida el efecto rectificante entre
las uniones emisor-base y colector-base (para el caso de un transistor NPN,
cuando se coloca el positivo de la fuente interna del óhmetro en la base (P) y el
negativo en cualquiera de las otras dos terminales deberá medirse baja
resistencia, al invertir esta polaridad, la resistencia medida deberá ser alta (use la
misma escala del multímetro para la realización de estas pruebas).
Habiendo diferenciado la terminal de base de las otras dos terminales, y el tipo de
transistor NPN o PNP, la prueba del amplificador consiste en lo siguiente: Para el
caso del NPN, conectar el positivo del óhmetro a la terminal que supuestamente
es el colector y el negativo al emisor, la lectura que debe aparecer en el óhmetro
es de alta resistencia, en seguida hacer contacto con el dedo entre el colector y la
base (esto es equivalente a colocar entre estas terminales una resistencia del
orden de M ohms) y observar la disminución de la resistencia medida entre
colector-emisor, cuando la terminal que se elige como colector es la correcta esta
disminución en el valor de la resistencia es considerable, si la terminal elegida
como colector no es tal, sino la de emisor, al efectuar dicha prueba la disminución
de la resistencia no será tan importante.
2.- Comprobar el efecto transistor.
 Armar el circuito de la figura 1 y comprobar el "efecto transistor", en el cual se
hace evidente la inyección de portadores de la región de emisor hasta la región de
colector, debiendo estar la unión emisor-base polarizada directa,
independientemente de la polarización que se presente en la unión colector-base.
Comprobar que el valor de la corriente medida en el colector, prácticamente es
igual a la que se tiene en el emisor.

3.- Observar y medir el voltaje de ruptura en la unión base-emisor y de la unión

colector-base de un transistor bipolar de
tecnología planar.
Actualmente la gran mayoría de los transistores
bipolares están construidos con tecnología
planar, en ellos las regiones de emisor, base y
colector presentan diferentes concentraciones
de impurezas y tamaños, debido a las
características de construcción que se tienen
en las uniones emisor-base y colector-base, el
voltaje de ruptura que se presenta en la unión
emisor-base es menor que el que se presenta en la unión colector-base,
llegándose en la práctica a generalizar diciendo; que la unión emisor-base de un
transistor bipolar de silicio se comporta como un diodo Zener (diodo que presenta
voltaje de ruptura pequeño). Arme el circuito de la figura 2 y obtenga la curva del
diodo emisor-base, posteriormente desconecte el emisor, conecte el colector y
obtenga la curva del diodo colector base, use señal senoidal con voltaje pico entre
10 y 12V y frecuencia entre 60 y 1KHz.

4.-. Obtener las curvas

características de
entrada del transistor
bipolar en
configuración de emisor común. Observar su variación con el voltaje de colector
emisor.
Armar el circuito propuesto en la figura 3 (observe que este circuito es semejante
al de la figura anterior, solo haga los cambios necesarios), el cual permite obtener
el comportamiento de la unión emisor-base del transistor bipolar y observar su
variación con el voltaje de colector.

Conclusión
El transistor BJT tiene tres zonas y puede trabajar como conmutador o como
switch esto nos ayudara a tener un mayor control sobre el circuito que estamos
armando ofrecen una buena ganancia de amplificación sin embargo su
impedancia es contraproducente.

MOSFET.
Introducción
En este trabajo se hablará acerca de los transistores Mosfet, estos transistores
son de los principales que se utilizan actualmente.
La palabra MOS significa "Metal Oxido Semiconductor", y hace referencia a un tipo
de estructura muy usada en electrónica, donde se usa un óxido como dieléctrico o
aislante.
"Field Effect Transistor" significa Transistor de efecto de campo, es decir
transistores que conducen por un campo eléctrico, parecido a un condensador.
Su utilidad y funcionamiento serán descritos detalladamente en las siguientes
páginas.
Son las siglas de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor. Consiste
en un transistor de efecto de campo basado en la estructuraMos. Es el transistor
más utilizado en la industria microelectrónica. La práctica totalidad de los circuitos
integrados de uso comercial están basados en transistores MOSFET.
Fue ideado teóricamente por el alemán Julius Von Edgar Lilienfeld en 1930,
aunque debido a problemas de carácter tecnológico y el desconocimiento acerca
de cómo se comportan los electrones sobre la superficie del semiconductor no se
pudieron fabricar hasta décadas más tarde. También se llama mosfet a los
aislados por juntura de dos componentes.

Objetivo
Conocer y entender el funcionamiento de un transistor MOSFET mediante la
aplicación como amplificador.
Materiales
 1 Emosfet IRF540
 1 Relé 0505
 1 Led naranja
 1 Led Verde
 1 Optoacoplador 4N25
 1 NE555
 1 Capacitor de 10 microfaradios
 1 Capacitor de 47 microfaradios
 Resistencias de 10k, 1k 100 y 220 Ohm
Procedimiento
1. Con ayuda del NE555 generar una señal cuadrada que tenga un tiempo de
3 segundos.
2. La señal generada mediante el NE555 servirá para encender el 4N25, el
cual consiste en un driver
3. La salida del driver será conectado directamente a un par de MOSFET
IRF540. Los cuales decidirá el encendido y apagado de un relé
4. A esta en una posición de 1 lógico se encenderá un LED verde. Al estar en
una posición 0 lógico se encenderá un LED azul.
Desarrollo de la práctica

Se diseñó el siguiente circuito siguiendo los siguientes pasos:

1. Obtener un PWM con un tiempo de encendido (T1) igual a 2 segundos y un
tiempo de apagado (T2) igual a 1 segundo.
T1=(0.693)(Ra+ Ra)(C1)
T2=(0.693)(Rb)(C1)
Se propone un capacitor de 47 µF
Este valor se consiguió armando 3 resistencias de 10K Ω en serie, 2 resistencias
de 1k Ω en paralelo y por último 2 resistencias de 100 Ω en serie. Esto da un total
de 30,700 Ω, lo que es muy cercano al valor calculado.

2. El transistor algunas veces puede fallar, debido a la frecuencia de entrada,

que en este caso es proporcionada por el NE555. Para evitar eso, se colocó
un optoacoplador (4N25) entre ambos componentes. Se le conecto a la
entrada de una resistencia de 100Ω con el fin de regular la corriente de
entrada. Es importante recalcar que en este punto las tierras se separan, se
crea una tierra (G1) y una tierra 2(G2).

Nos damos cuenta de que cuando obtenemos un HIGH en el pulso, este llega al
gate y activa el transistor, por lo que cierra el círculo y pasa corriente por la bobina
del relé, moviendo el contacto del NC (normalmente cerrado) al NO (normalmente
abierto). En el NC conectamos el led verde y en el NO el naranja. Antes de la
conexión al círculo separado del relé, se conectó una resistencia de 220Ω con el
fin de no quemar los leds.
Conclusión
Un MOSFET es un transistor de efecto de campo por medio de un semiconductor
óxido que se usa como dieléctrico. De otra forma, es un transistor (conduce o no
conduce la corriente) en el que se utiliza un campo eléctrico para controlar su
conducción y que su dieléctrico es un metal de óxido.