Vous êtes sur la page 1sur 14

UNIVERSITE PARIS-SUD ANNEE 2012-2013

CENTRE D'ORSAY 28 février 2013


L3 Physique et Applications
Partiel de physique des composants

Corrigé

I- Choix de matériaux semiconducteurs


Afin de répondre aux questions suivantes, faites référence au tableau ci-dessous (T=300 K).
GaAs Si
Eg(eV); énergie de gap 1,42 1,12
Nc (cm–3); densité effective 4,7x1017 2,5 x1019
d’états dans la bande de
conduction
Nv (cm–3); densité effective 7x1018 1019
d’états dans la bande de
valence
ni (cm–3); densité de porteurs 1,8x106 1010
intrinsèque
n (cm2 V–1 s–1); mobilité de 8500 1500
l’électron
h (cm2 V–1 s–1); mobilité du 400 450
trou
me*/mo; masse effective 0,067 1,18
(électrons)
mt*/mo; masse effective 0,45 0,81
(trous)

1- Nous souhaitons réaliser un dispositif optoélectronique. Nous avons à notre disposition du


Si et du GaAs
a) Lequel des deux matériaux choisiriez-vous ? Expliquez.

GaAs, car gap direct.


Afin de conserver la quantité de mouvement/ moment cristallin, il faut que le haut de
la bande de valence et le bas de la bande de conduction se trouvent à la même
valeur de k, le vecteur d’onde d’un électron.

b) Dessinez schématiquement un diagramme de bande (énergie d’un électron en


fonction de son vecteur d’onde) et montrez clairement quelle propriété vous a
mené à votre choix.

1
10

6
Energie

2 Eg Direct !

-2
-2 -1 0 1 2
k (vecteur d'onde)

2- Nous souhaitons fabriquer un transistor à haute vitesse.


a) Lequel des deux matériaux choisiriez-vous ? Expliquez.

GaAs. La mobilité des électrons dans le GaAs est très élevée.


Donc pour un champ appliqué donné, les électrons dans le GaAs iront à une vitesse
plus élevée par rapport aux porteurs dans le Si.

b) Choisiriez-vous des électrons ou des trous comme porteurs majoritaires dans votre
dispositif ? Expliquez.

Des électrons. Leur masse effective est plus faible et donc leur mobilité est plus
élevée que pour les trous.

c) Dessinez schématiquement un diagramme de bande (énergie d’un électron en


fonction de son vecteur d’onde) et montrez clairement quelle propriété vous a
mené à votre choix.

2
10

6
Energie

Courbure plus
4 “serrée” pour
les électrons
2 => masse
effective plus
petite
0

-2
-2 -1 0 1 2
k (vecteur d'onde)

3- Nous souhaitons fabriquer un dispositif électronique qui fonctionne à haute température.


Lequel des deux matériaux serait le meilleur choix ? Expliquez.

Le GaAs, car sa bande interdite est plus grande.


De ce fait, la plage de température où les concentrations des porteurs sont
constantes (régime d’épuisement) sera plus grande, avant que le semiconducteur
commence à se comporter comme un semiconducteur intrinsèque.

4- Le silicium est le semiconducteur le plus utilisé dans la microélectronique. Donnez deux


raisons le justifiant.
 Deuxième élément le plus abondant dans la croûte terrestre.
 Forme un oxyde de très bonne qualité (SiO2)

II- Concentrations en électrons et en trous


Soit un alliage semiconducteur du type In0,53Ga0,47As non dégénéré. On définit les niveaux
d'énergie suivants : le minimum de la bande de conductionC, le maximum de la bande de

3
valenceV et le niveau de FermiF. La relation énergie-vecteur d’onde dans la bande de
2
2 k
conduction peut être assez bien décrite par    C  . On supposera de même pour les
2m *e
2
2 k
trous de la bande de valence que  V    . Dans ce cas, les densités d'états dans les
2m *t
bandes de conduction et de valence sont données respectivement par nC() =
3/ 2 3/ 2
 m *e   m *t 
8 2 2     C et nV() = 8 2 2  V   .
h  h 


On rappelle que  x 1 / 2 exp  x dx  et que la fonction de distribution des électrons
0
2
1
s’exprime sous la forme f n ()  .
   F 
1  exp  
 B 
k T
1- Exprimer la concentration n d'électrons libres en fonction de la densité d'états dans la
bande de conduction et de la fonction de distribution des électrons.
 C sup

n n
C
C ()f n ()d où Csup est le haut de la bande de conduction (bc).

2- Démontrer que la densité d'électrons dans la bande de conduction d'un semiconducteur non
dégénéré peut se mettre sous la forme :
   C 
n  N C exp  F 
 kBT 

On précisera soigneusement les hypothèses faites. Calculer la valeur numérique de NC.

Données numériques : kB = 8,617×10-5 eV.K-1; h = 6,62×10-34 J.s = 4,136×10-5eV.s ; et


m*e = 0,041 m0, où m0 = 9,1×10-31 kg est la masse de l'électron au repos dans le vide.

Pour toute énergie  de bc, si le bas de la bc C est supérieur d'au moins 3kBT à F,
E E
alors f n (E)  exp  F  (cas d'un semiconducteur non dégénéré).
 k BT 

Comme généralement Csup – C est en général bien supérieur à 3kBT, on a donc


3/ 2
 m*      F      C 
n  8 2 2e  exp   C      C exp   d .
h   k B T  C  k BT 

4
Après un changement de variable du type x = ( – C)/kBT et sachant que

  C  F 
0 x exp  x dx  2 , on obtient finalement n  N C exp   k B T  où
1/ 2

3/ 2
 2k B Tm*e 
N C  2 2
 .
 h 

Pour In0,53Ga0,47As, l’application numérique à T = 300 K conduit à NC = 2,1×1017 cm-3.

3- Exprimer la concentration p de trous libres en fonction de la densité d'états dans la bande de


valence et de la fonction de distribution des électrons. Simplifier l’expression obtenue dans le
cas d’un semiconducteur non-dégénéré. Sans refaire tous les calculs, montrer par analogie
que la concentration en trous dans la bande de valence peut se mettre sous la forme :
   F 
p  N V exp  v 
 k BT 

Calculer la valeur numérique de NV pour m*t = 0,41 m0.

EV

On a p  n inf
V (E)(1  f n (E)) dE
EV

3/ 2 V
 m*       V   
et p  8 2  2t 
h 
exp   F V 
 kBT  

V   exp  
 kBT 
 d

 E  EF 
et par un raisonnement similaire au cas précédent on obtient p  N V exp  V  où
 k BT 
3/ 2
 2k B Tm*t 
N V  2 2
 ,
 h 

soit à 300 K, NV = 6,6×1018 cm-3

4- Qu’appelle-t-on un semiconducteur intrinsèque ? Dans un tel semiconducteur, exprimer le


produit de la concentration en électrons et en trous. En déduire les concentrations en électrons
et en trous à l’équilibre thermodynamique. Calculer leurs valeurs numériques à T = 300 K
avec comme énergie de bande interdite (ou gap) G = 0,74 eV

Un semiconducteur est dit intrinsèque quand il est pur.

5
   c    
On a de plus à l'équilibre n p  N C N V exp  v   N C N V exp   G   n i 2 .
 kBT   k BT 

Dans un semiconducteur intrinsèque, n = p = ni,

soit ici ni = 7,2×1011 cm-3.

5- Exprimer le niveau de Fermi intrinsèque i en fonction de C, V, NC et NV. Calculer


numériquement la position de i par rapport à V.

On peut déduire de n = p que le niveau de Fermi intrinsèque est donné par


   V k BT N C G k BT N C
i  C  ln soit encore  i   V   ln ,
2 2 NV 2 2 NV

soit ici i – V = 0,46 eV.

(On peut remarquer que dans le cas d’un semiconducteur à gap relativement faible
comme In0,53Ga0,47As et avec une grande dissymétrie entre masses de densité
d’états de la bc et de la bv, l’écart entre la position du niveau de Fermi intrinsèque et
le milieu de la bande interdite (0,09 eV ici) commence à ne pas être négligeable.)

III- Interprétation des diagrammes de bandes (énergie d’un électron en


fonction de la position)
Un dispositif en silicium à 300 K est caractérisé par le diagramme de bande ci-dessus. Ec est
l’énergie du bas de la bande de conduction, Ev est l’énergie du haut de la bande de valence. Eg
est l’énergie du gap ou de la bande interdite et EF est l’énergie de Fermi. L est la longueur du
dispositif selon la direction x. Utilisez le diagramme de bande ci-dessus afin de répondre aux
questions suivantes :

6
1. Faites un schéma montrant la variation du potentiel électrostatique () en fonction
de x dans le dispositif.

V

2. Faites un schéma montrant la variation du champ électrique (E) en fonction de x


dans le dispositif.

7
3. Le dispositif est-il à l’équilibre ? Expliquez.

Oui, car le niveau de Fermi (EF) est constant (continu et horizontal) dans toute la
structure.

4. Y a-t-il une région où le semiconducteur est dégénéré ? Si oui, donnez les valeurs
approximatives de x dans cette région.

Oui, le semiconducteur est dégénéré près de x=L, car le niveau de Fermi est proche
de EV.
5. Le dispositif est-il dopé uniformément ? Expliquez.
Non, car la quantité EF-EV varie avec position.
6. Quel est le type de dopant (dominant) à x= x2? Justifiez votre réponse.

Le dopant dominant est de type p car EF est plus proche de la bande de valence que
de la bande de conduction.

7. Quelle est la densité des trous dans la bande de valence p à x=x2?


En utilisant l’équation [2] de la question II nous avons
   F    EG   1,12 
p  N V exp  v  p  NV exp    10 exp  
19
  5 x1012 cm3
 k B T  avec  3k BT   3*0, 026 

8. Faisons l’hypothèse qu’il n’existe qu’un seul type de dopant présent en x=x2.
Quelle est la densité des impuretés en x=x2 ?
NA~p

Merci de lire attentivement les questions suivantes avant de répondre :


9. Quelle est la valeur de Jn(x1), c’est-à-dire combien vaut la densité de courant
électronique total en x=x1 ? Evaluez-la pour L=1 µm.

Jn(x1)=0 car à l’équilibre !!!

8
10. Quelle est la valeur de Jp,dérive(x1) c’est-à-dire la densité de courant de dérive des
trous en x=x1 ? Evaluez-la pour L=1 µm.
J P  e p pE

d  1 dEV 1 EG
Trouver le champ électrique : E =     1,12 x106V / m
dx e dx e L
Donc JP ~ 4 A/cm2

11. La région autour de x=x2 est éclairée par de la lumière.


a. Quelle est la condition devant être satisfaite pour que le semiconducteur
puisse absorber la lumière incidente ?

Ephoton=h>=Eg

Donnez la caractéristique limite pour le cas du silicium. Est-ce que cette limite
changera avec le dopage ?

max(µm)=1.24/Eg(eV)=1,1µm (Si)
Ceci ne change pas avec le dopage.

b. Si cette condition est bien satisfaite, commentez sur les densités des trous
dans la bande de valence et des électrons dans la bande de conduction par
rapport à leurs valeurs sans éclairage, dans le cas de « faible injection »
(c’est-à-dire, le cas où l’intensité de lumière incidente est faible).
Les trous sont des porteurs majoritaires. Leur concentration change très peu par
rapport à leurs valeurs sans éclairage, dans le cas de « faible injection ».

Par contre, la concentration des électrons, porteurs minoritaires, change d’une façon
importante par rapport à sa valeur sans éclairage, dans le cas de « faible injection ».

IV- Dopage et température


On considère un substrat de Si à l’équilibre sous une température T (en Kelvin) variable.
Des atomes d’Indium (In, dans la colonne III de la classification périodique) ont été implantés
dans le réseau cristallin de Si. La concentration de telles impuretés placées en sites
substitutionnels est NI. Elle est suffisamment faible pour qu’on puisse considérer que le Si est

9
un semiconducteur non dégénéré. La constante de Boltzmann est kB = 1,38×10-23 J.K-1.
L’énergie de bande interdite du Si est 1,12 eV. Toutes les réponses aux questions doivent être
justifiées.
1. Quel type de dopage peut être obtenu par implantation d’atomes d’In dans un cristal de
Si ? Justifiez votre réponse.
L’In a un électron de valence de moins que le Si (colonne IV), c’est donc un dopant
P.
2. Un atome d’In en site interstitiel (c’est-à-dire placé entre des atomes de Si) peut-il être
considéré comme un dopant actif ? Justifiez votre réponse.
Un atome d’In en site interstitiel ne peut pas être considéré comme un dopant actif
puisqu’il n’est pas lié par des liaisons de covalence aux atomes du cristal. Il ne peut
donc pas échanger d’électron avec lui.
3. Si l’on considère pour cette question uniquement un réseau cristallin de GaAs, quel
type de dopage est obtenu par substitution d’atomes de Ga par du Si ? Pourquoi ?
Le Ga est également dans la colonne III de la classification périodique, le Si qui le
remplace est donc un dopant de type N.

4. La concentration en impuretés d’In ionisées en fonction de T, NI, F et du niveau


d’énergie I dû aux In en site substitutionnel est donnée par l’expression
NI
 . où I - V = 0,16 eV. Indiquer le signe des impuretés
ionisé
NI
 I F 
1  exp  
 k BT 
ionisées.
Les impuretés d’In ionisées sont chargées négativement.
5. Expliquer comment déterminer le niveau de Fermi à une température donnée en
utilisant un raisonnement graphique, la relation établie à la question précédente, et les
équations (1) et (2) de la question II.
Pour calculer cette concentration en dopants ionisés et déterminer F, on peut
résoudre graphiquement l'équation de neutralité électrique
   F     C  NI
N V exp  V   N C exp  F   pour d'abord trouver la
 k BT   k BT  1  exp   I   F 
 k T 
 B 
position du niveau de Fermi F puis de la densité de trous p.

En fonction de la température, on peut aboutir aux trois situations schématisées


ci-dessous :

10
(6)
NV T grande NC T intermédiaire NV T faible NC
Concentrations en
échelle log ln(p) ln(p) ln(p)
ln(n)
p n ln(n) ln(n)
NI NI p NI
ln(NI-) ln(NI-) ln(NI-)

V I F C V I  F C  V  F I C

Energie du niveau de Fermi

6. Utilisez des schémas pour décrire qualitativement 3 régimes possibles pour l’évolution
de la densité de trous à température faible (T < Tmin) ; intermédiaire (Tmin < T < Tmax) ;
et haute (T > Tmax).

T<Tmin Tmin<T<Tmax T>Tma

négligeable négligeable dominant

7. Calculer l’expression de la densité de trous et celle du niveau de Fermi en fonction de


NV, NC, NI, V, C, I et kBT pour les 3 régimes possibles.
   V     I 
Pour T < Tmin, N V exp   F   p  N I   N I exp   F  d'où
 k BT   k BT 
   V k BT  N V     I 
F  I  ln   et p  N I N V exp  V  .
2 2  NI   2k B T 

   V  N 
Pour Tmin < T < Tmax, N V exp   F   p  N I et donc  F   V  k B T ln  V  .
 k BT   NI 

11
   V     F 
Enfin pour T > Tmax, N V exp   F   p  n  N C exp   C  d'où
 k BT   k B T 
C   V k BT  N V 
F   ln   et p = ni. (2)
2 2  NC 

I  V C  V
8. Démontrer que Tmin  et Tmax  .
N  N N 
k B ln  V  k B ln  C 2 V 

 NI   NI 
   I  I  V
En T = Tmin, on a p  N I N V exp  V   N I d'où Tmin  . (1)
 2k B Tmin  N 
k B ln  V 
 NI 
   C  G
En T = Tmax, p  N I  N C N V exp  V  d'où Tmax  . (1)
 2k B Tmax  N N 
k B ln  C 2 V 

 NI 

9. Quelle condition sur NI, NC et NV est-elle requise pour que l’approximation de


semiconducteur non dégénéré soit valable ? On notera que dans Si,
NC = 2,5×1019 (T/300)1,5 cm-3 et NV = 1019 (T/300)1,5 cm-3.

Pour que l’approximation de semiconducteur non dégénéré soit valable, il faut que
F - V >3kBT. On doit donc avoir NI < NV.exp(-3)  NV/20.

10. Tracer l’allure des variations de ln(p) en fonction de 1/T et celles de EF en fonction de
T. Si nous ne connaissons pas les caractéristiques du semiconducteur dopé, telles que
l’énergie du gap et l’écart I - V, comment peut-on les extraire du relevé expérimental
de la première courbe ?
L’allure des variations de ln(p) en fonction de 1/T et celles de F en fonction de T
sont données sur les figures suivantes. Le relevé expérimental de la première
courbe permet d’extraire les valeurs de l’énergie de bande interdite G et de l’écart
I - V entre le niveau accepteur de l’In et le haut de la bande de valence.

12
ln p F
Régime intrinsèque
  Pente =
pente   G 
 2kB  kBln(NV/NC)/2

Saturation
Ionisation kBln(NV/NI)
    I  I
ln(NI) pente  V
 2kB 

1 kBln(NV/NI)/2
T T
1 1
Tmax Tmin Tmin Tmax

11. Déterminer Tmin et Tmax grâce à la figure suivante, obtenue pour NI = 1016 cm-3.
1,2

1 C - V
Energie (eV)

0,8 kBTln(NCNV/NI2)
0,6

0,4
kBTln(NV/NI)
0,2
I - V
0
0 200 400 600 800 1000
Température (K)
On obtient Tmin (resp. Tmax) quand la courbe kBT.ln(NV/NI) (resp. kBT.ln(NCNV/NI2))
croise l’énergie I - V (resp. C - V). Pour NI = 1016 cm-3, on a ainsi Tmin  275 K et
Tmax  775 K. (4)

12. Calculer Tmin et Tmax en utilisant les formules de la question 9 et les valeurs numériques de
NC et NV obtenues à T = 300 K. Comparer les résultats avec ceux de la question précédente.
Commentaires ?

Avec valeurs numériques de NC et NV obtenues à T = 300 K, on obtient


Tmin = 270 K et Tmax = 880 K.

L’erreur commise en prenant pour évaluer Tmin la valeur de NV à 300 K est vraiment
très faible.

(L’énergie kBT.ln(NV/NI) évolue comme 1,5.T.ln(T/T0) mais Tmin est suffisamment


proche de 300 K pour l’écart entre les deux évaluation de cette température soit
faible. Pour ce qui est de Tmax, elle est plus éloignée de 300 K, l’évolution de
kBT.ln(NCNV/NI2) en 3T.ln(T/T0) privilégie un peu moins le terme en T et l’erreur
commise en prenant pour NC et NV leurs valeurs à l’ambiante est plus grande.)

13
14