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Ecole Nationale des Sciences et Technologies Avancées de Borj Cédria

Transistors Bipolaires

1ère année TA

Année universitaire 2018/2019


Plan

1) Présentation

2) Fonctionnement

3) Montages de polarisation

4) Schéma équivalent

5) Régime dynamique

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1) Présentation
• Le transistor est réalisé dans un monocristal
comportant trois zones de dopage différentes.
• Deux types en résultent:

L'émetteur est repéré par


la flèche qui symbolise le

NPN PNP sens réel du courant.

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1) Présentation

NPN

PNP

Loi des nœuds: 𝐈𝐄 = 𝐈𝐂 + 𝐈𝐁


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2) Fonctionnement

• Un transistor bipolaire possède deux jonctions: la jonction Base-


Emetteur (BE) et la jonction Base-Collecteur (BC).

• La base est très fine et faiblement dopée.

• L’émetteur est fortement dopé (contient beaucoup de porteurs


majoritaires).

• Un transistor bipolaire peut être un amplificateur de courant 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵


(fonctionnement linéaire) ou un interrupteur commandé par le
courant de base 𝐼𝐵 (Commutation).
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2) Fonctionnement
2.1) Effet transistor: Régime
linéaire (amplification)

Pour un transistor NPN, si la jonction


BE est polarisée en direct et la
jonction BC en inverse (V2 > V1),
alors:
• 𝟎 < 𝐕𝟏 < 𝐕𝐬𝐞𝐮𝐢𝐥 de la jonction PN
(BE) avec 0.6 V ≤ Vseuil < 1 V:
⇒ La jonction BE n'est pas passante.
⇒ 𝐈𝐁 = 0.
⇒ IC = courant inverse = ICEo ≈ 0.
⇒ Transistor bloqué.

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2) Fonctionnement
2.1) Effet transistor: Régime
linéaire (amplification)

• 𝐕𝟏 > 𝐕𝐬𝐞𝐮𝐢𝐥 de la jonction PN:


𝐈𝐁 > 𝟎 (en μA), et VBE ≈ 0.6 V
⇒ La jonction BE est passante.
⇒ IC ≫ IB , 𝐈𝐂 = 𝛃𝐈𝐁 ; β ≫ 1.
⇒ IE =IB + IC =(1+β)IB ≈ βIB = IC
⇒ Transistor passant.

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2) Fonctionnement
2.1) Effet transistor: Régime linéaire (amplification)
• Il se produit une diffusion d’électrons de l’émetteur vers la base et une
diffusion de trous dans le sens inverse. Il y a des recombinaisons
électrons-trous dans la base ⇒ Le courant IB apparait.
• Comme le nombre d’électrons injectés est très supérieur au nombre
de trous et comme la base est très mince (e < 1 μm), beaucoup
d’électrons échappent aux recombinaisons, sont accélérés par le
champ interne de la jonction base-collecteur et traversent cette
jonction.
⇒ La majorité des électrons venant de l'émetteur traversent la base et se
retrouvent dans le collecteur. D’où IC apparait.

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2) Fonctionnement

2.2) Régime de commutation (Bloqué/Saturé)

Si 𝐕𝐁𝐄 < 𝟎. 𝟕 (tension de seuil de la diode Base-Emetteur),


• Le courant de base 𝐈𝐁 = 𝟎
• Le courant du collecteur 𝐈𝐂 = 𝟎
⇒ Le transistor est assimilé à un interrupteur ouvert.

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2) Fonctionnement
2.2) Régime de commutation (Bloqué/Saturé)
Si 𝐈𝐁 > 𝐈𝐁 𝐬𝐚𝐭 (courant de saturation au niveau de la base),
• le courant du collecteur IC se sature à une valeur IC sat .
𝐈𝐂 𝐬𝐚𝐭
• 𝐈𝐁 𝐬𝐚𝐭 =
𝛃

• VCE sat ≈ 0.2 V


⇒ Le transistor est assimilé à un interrupteur fermé (tension VCE faible).
Pour faire fonctionner le transistor en mode de commutation, il faut que la
résistance de base soit calculée pour avoir un courant IB suffisant
𝐈𝐂 𝐬𝐚𝐭
(𝐈𝐁 > ), c’est-à-dire IB a dépassé sa valeur de saturation et IC se
𝛃

sature à une valeur IC sat .

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2) Fonctionnement

2.3) Montages du transistor


Le transistor peut être considéré comme un quadripôle dont une
électrode est commune à l’entrée et à la sortie.
Trois montages en résultent:

Montage Entrée Sortie


Émetteur commun Base Collecteur
Collecteur commun Base Émetteur
Base commune Émetteur Collecteur

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2) Fonctionnement
2.4) Réseau des caractéristiques statiques du transistor
Six grandeurs caractérisent le transistor bipolaire: 𝐈𝐁 , 𝐕𝐁𝐄 , 𝐈𝐄 , 𝐈𝐂 , 𝐕𝐂𝐄 et 𝐕𝐂𝐁

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2) Fonctionnement
2.4) Réseau des caractéristiques statiques du transistor
• Le réseau de caractéristiques est donné pour une température définie.

• VBE ne dépend pratiquement pas de VCE .

• IC dépend faiblement de VCE .

• Ordres de grandeurs : VBE : 0.2 à 0.7 V ; VCE : 1 à qq 100 V ; IC : mA à A ;


IB : μA.

• Puissance totale consommée par le transistor est:


𝐏𝐭𝐨𝐭 = 𝐈𝐂 𝐕𝐂𝐄 + 𝐈𝐁 𝐕𝐁𝐄 ≈ 𝐈𝐂 𝐕𝐂𝐄 car 𝐈𝐂 ≫ 𝐈𝐁
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3) Montages de polarisation (à émetteur commun)
Polarisation du transistor: Elle consiste à fixer les valeurs des tensions VBE ,
VCE et des courants IB , IC pour imposer la localisation des points de
fonctionnement dans le réseau des caractéristiques.
3.1) Polarisation avec une source de tension (E)
• Droite de charge statique de sortie D :

𝐄 − VCE 𝐄 − VBE
𝐈𝐂 = = 𝛃𝐈𝐁 = 𝛃
𝐑𝐂 𝐑𝐁
Tracé dans le réseau de caractéristique statique:
IC = f(VCE)
• Droite de charge statique d’entrée D’ :
Polarisation directe de la base
𝐄 − VBE et du collecteur par les deux
𝐈𝐁 = résistances RB et RC
𝐑𝐁
Tracé dans le réseau de caractéristique statique IB = f(VBE) 14
3) Montages de polarisation (à émetteur commun)

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3) Montages de polarisation (à émetteur commun)
• La partie de la droite de charge statique située entre les points de blocage et
de saturation définit la zone active:
𝐈𝐂 𝐛𝐥𝐨𝐜𝐚𝐠𝐞 ≤ 𝐈𝐂 ≤ 𝐈𝐂 𝐬𝐚𝐭𝐮𝐫𝐚𝐭𝐢𝐨𝐧

• Au point de saturation, le transistor idéal est équivalent à un interrupteur


fermé.
• Au point de blocage, le transistor idéal est équivalent à un interrupteur ouvert.

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3) Montages de polarisation (à émetteur commun)

3.2) Polarisation par pont diviseur et résistance d'émetteur

On considère I1 , I2 >> IB ⇒ I1 = I2 .
Cherchons les expressions de IC et VCE
R2
On en déduit: VBM = E
R1 +R2

On a VBM = VBE + R E IE = VBE + R E (IC + IB )


Si b est grand, IC >> IB et VBM ≈ VBE + R E IC
𝐕𝐁𝐌 −𝐕𝐁𝐄 𝐄𝐑 𝟐 𝐕𝐁𝐄
D'où: 𝐈𝐂 = = −
𝐑𝐄 (𝐑 𝟏 +𝐑 𝟐 )𝐑 𝐄 𝐑𝐄

A la sortie du transistor, on a:
E = R C IC + VCE + R E IE = R C IC + VCE + R E IC + IB ≈ R C IC + VCE + R E IC
𝐑 𝐂 +𝐑 𝐄 𝐑 𝟐 (𝐑 𝐂 +𝐑 𝐄 )𝐕𝐁𝐄
et on en déduit 𝐕𝐂𝐄 = 𝐄 − 𝐑 𝐂 + 𝐑 𝐄 𝐈𝐂 = 𝐄 − 𝐄 −
𝐑 𝟏 +𝐑 𝟐 𝐑 𝐄 𝐑𝐄 17
4) Schéma équivalent

Montage émetteur commun: amplificateur de courant

En basses fréquences et lorsque le transistor est en fonctionnement


linéaire (fixer le point de fonctionnement dans la zone linéaire), les
variations des grandeurs d’entrée et de sortie sont reliées par les relations:

vBE h h12 iB
iC = 11 .
h21 h22 VCE
avec, vBE = ∆VBE , iB = ∆IB , vCE = ∆VCE et iC = ∆IC

Les paramètres hij de cette matrice hybride sont les dérivés des
paramètres hij au voisinage du point de fonctionnement étudié.
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4) Schéma équivalent

Montage émetteur commun: amplificateur de courant

vBE C’est la résistance d’entrée du transistor et aussi


h11 =
iB vCE =cte
la pente de la caractéristique d’entrée.

iC C’est le gain en courant du transistor (très voisin


h21 = de β). Ce paramètre est la pente de la
iB vCE =cte
caractéristique de transfert en courant.

iC C’est l’admittance de sortie du transistor. Elle


h22 = 1
vCE iB =cte est généralement faible ( ≈ 20 kΩ pour 𝑖𝐶 d’ordre
h22
de quelques milliampères).

vBE C’est la pente de la caractéristique de transfert


h12 =
vCE iB =cte en tension. Ce paramètre est à négliger
(~10−5 à 10−6 ).
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4) Schéma équivalent

Montage émetteur commun: amplificateur de courant


Modèle hybride du transistor:

La simplification du modèle est due à : h12 ≈ 0 et h22 ≈ 0

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4) Régime dynamique
L'étude en régime dynamique consiste à analyser le fonctionnement du
transistor polarisé lorsqu'on applique de petites variations à l'une des
grandeurs électriques (ici on applique une tension alternative eg à l’entrée
du transistor pour produire des fluctuations du courant de collecteur).
Le montage comprend un circuit
en courant continu et un circuit
en courant alternatif. Ainsi, on
utilise les condensateurs pour
pouvoir superposer le circuit en
courant alternatif au circuit de
polarisation sans que celui-ci
modifie les courants et tensions
continus. 21
4) Régime dynamique
• Cb et Cs sont des capacités de liaison (ou de couplage), entre l’amplificateur
à transistor et les circuits d’attaque et de charge, respectivement.
Les deux points liés par chaque capacité ne sont pas connectés à la masse.
𝑅 1
𝑍𝐶 ≈ ⇒ 𝑅𝐶 = avec 𝑅 est la résistance d′ entrée au montage transistor
𝑗2𝜋 𝑓
• 𝐂𝐄 est une capacité de découplage qui permet de coupler la résistance 𝐑 𝐄 à la
masse. Ainsi le courant continu au niveau de l’émetteur ne sera pas perturbé.

La capacité est:
o ouverte en courant
continu.
o Court-circuitée en
courant alternatif.
Valeurs d’ordre de μF.
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4) Régime dynamique
Pour travailler en régime linéaire et en basses fréquences, il faut que:
• Le transistor soit polarisé de façon que le point de fonctionnement soit
situé dans les zones linéaires des caractéristiques.
• La fréquence des signaux soit adaptée à la bande passante du
transistor (fonctionnement en basses fréquences).
• Les grandeurs dynamiques restent faibles devant les grandeurs de
polarisation (fonctionnement en petits signaux).
Pour déterminer les paramètres (gain en tension, Ze et Zs) du montage
en régime dynamique, il faut adopter la méthode suivante:
1) Éteindre toutes les sources de tension et de courants continus.
2) Remplacer le transistor par son schéma équivalent en régime
dynamique défini autour de son point de fonctionnement.
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4) Régime dynamique

Droite de charge statique: Droite de charge dynamique:


𝐕𝐂𝐄 𝐭 = 𝐕𝐂𝐂 − (𝐑 𝐂 + 𝐑 𝐄 )𝐈𝐂 𝐯𝐂𝐄 𝐭 = −(𝐑 𝐂 ∕∕ 𝐑 𝐮 )𝐢𝐂 (𝐭)
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4) Régime dynamique
• Schéma équivalent

𝐯𝐬 −(𝐑 𝐂 ∕∕𝐑 𝐮 )
• Gain en tension 𝐀𝐯 = = 𝛃 <0
𝐯𝐞 𝐡𝟏𝟏

⇒ Le montage émetteur commun est un amplificateur inverseur.


𝐯𝐞
• Impédance d’entrée (vue du générateur) 𝐙𝐞 = = 𝐡𝟏𝟏 ∕∕ 𝐑 𝟏 ∕∕ 𝐑 𝟐
𝐢𝐞

𝐯𝐬
• Impédance de sortie (vue de la charge) 𝐙𝐬 = = 𝐑 𝐂 (sans tenir
𝐢𝐬 𝐯𝐞=𝟎

compte de la charge Ru). 25


4) Régime dynamique
Exemple
Soit le montage d’amplification suivant:

En statique, 𝐕𝐂𝐄 = 𝐄 − 𝐑 𝐂 𝐈𝐂

𝐑 𝐑
En dynamique, 𝐯𝐂𝐄 = − 𝐑 𝐋+𝐑𝐂 𝐢𝐂
𝐋 𝐂

Schéma équivalent en régime sinusoïdal


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4) Régime dynamique
−𝟏
• La droite de charge statique Δ est de pente .
𝑹𝑪

• La droite de charge dynamique Δ’’ est la droite passant par le point de


−𝟏
fonctionnement P dans le réseau (IC , VCE ) et de pente .
𝐑 𝐋 ∕∕𝐑 𝐂

VCE −VCE0
• Pour ∆IC = IC − IC0 et ∆VCE = VCE − VCE0 , on aura: IC − IC0 = −
RL ∕∕RC

avec P(IC0 , VCE0 ).

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4) Régime dynamique

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