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19/12/2017

TP : Physique des


composants et
capteurs

Nom : DALAA Mohammed Amine.


Filière : GECSI.
I. Application Diode à jonction et Diode Zener :
1. Buts :
 Modéliser la diode à jonction et diode Zener.
 Tracer les caractéristiques des diodes.
 Réalisation des schémas à base des diodes.
 Exploiter le Diode Zener pour réguler une tension.

2. Partie 1 : Diode à jonction :


2.1. Etude théorique :
q .V D


( (
I D=I s . exp
n. . K B. T
−1
) )
 On distingue les modèles de diodes suivants :
-Modèle idéale ou parfait : faible courant et basse fréquence
d’opération, on néglige souvent la résistance dynamique rD .On
considère la diode comme un interrupteur.

-Modèle de diode avec seuil : la diode


est considérée comme un interrupteur, ouvert (Id=0, pour Vd<Us
tension de seuil), et Vd = Us pour (Id>0).

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-Modèle réel : La interrupteur ouvert (I =0) pour Vd < Us, la diode est
considérée comme un interrupteur, Id=0, Vd <Us, et comme une
résistance dynamique rd en série avec un générateur Us pour Vd > Us.

 Type des diodes : on a plusieurs diodes qui sont caractérisées par ses
références :
*1N4004.
*1N4004G.
*1N4004GL.
*1N4005.
*1N4006.
*1N5400.
*1N5402.
*1N5406.
*1N5408.

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2.2.Manipulation :
2.2.1.  Montage :

2.2.2. Caractéristique de la diode en régime continue :


 Pour l’essai en continue nous avons obtenu les résultats suivants :
Ve(V) 0 0.3 0.5 0.7 0.9 1 1.5 2.5 3 3.5 4.5 5 5.6

Id(mA 0 8.2 0.07 0.3 0.3 0.5 0.8 1.86 2.3 2.8 3.8 4.3 4.93
) u 5 9 3 9 5 5 4 3
Vd(V) 0 0.23 0.42 0.5 0.5 0.5 0.6 0.64 0.6 0.6 0.6 0.6 0.67
3 5 6 1 5 5 6 7
Ve(V) 6 7 8 9 10 12 12.5 14 15
Id(mA) 5.32 6.32 7.31 8.31 9.30 11.3 11.8 13.3 14.3
Vd(V) 0.68 0.681 0.695 0.698 0.7 0.714 0.715 0.718 0.719

 Vd=f(Id) : sur Excel :

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 Graphiquement : Vs=0.58V.
La pente du droite tangent à la courbe est 1/rd=0.1
Alors rd =10 ohms.

2.2.3. Fonctionnement de la diode en régime variable :


 Observation de Ve et Vr sans condensateur :

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 Pour C = 100 nF :

 Pour C = 220 nF :

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 Pour C = 47 uF :

 Pour C = 100 uF :

 L’ondulation et les valeurs maximales Vr :


C 100nF 220 nF 47 uF 100 uF
ΔVR 4V 4V 0.7V 0.349V
VRmax 4V 3.73V 1V 0.81V

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3. Partie 2 : Diode Zener :
3.1. Etude théorique :
 La diode Zener est conçue à travailler dans la zone de claquage
contrairement à la diode à jonction.
 Le rôle de diode Zener est de réguler la tension dans un circuit.
 Modèle de diode Zener est le suivant :

 Type des diodes Zener :


*1N4370A.
*1N4728A.
*1N4736A.
*1N5228B.
*1N5233B.
*1N5242B.
*1N747A.
*1N752A.
*3EZ190D5.
*BZG03C15.
*BZT03C100.
*BZT03C7V5.
*MZD11.
*MZD16.
*ZDX6.
*ZPD3V3RL……

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3.2. Manipulation :
3.2.1. Montage :

3.2.2. Caractéristique de diode Zener en continue :


 En régime continue :
Ve(V) 0 0.2 0.4 0.5 0.6 0.8 1 1.4 2 2.5 3 4 5
Iz(mA) 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0.003
Vz(V) 0 0.2 0.4 0.5 0.6 0.8 1 1.4 2 2.5 3 4 4.96

Ve(V) 5.5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 14. 15


5
Iz(mA 0.01 0.04 0.4 1.4 2.8 3.7 4. 5. 6.7 7. 8.1 8.75
) 6 5 5 5 1 3 7 7 5 7 8
Vz(V) 4.49 5.99 6.1 6.1 6.1 6.1 6. 6. 6.1 6. 6.1 6.1
1 1 1

 Les résultats graphiques sous Excel donnent :


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 Tension de seuil est : VZ=6.3V.

3.2.2. Fonctionnement de la diode en régime sinusoïdal :


 Montage :

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 Résultats :
Ve(V) 2 3 4 5 6 7 8 9 10

ΔVR(V) 0.25 0.27 0.3 0.35 0.4 0.81 1 1.56 2.1

 L’intérêt de ce montage est d’assurer la régulation de


tension d’un montage.

II. Transistor Bipolaire et Transistor à effet de champ :


1. Buts :
 Etudier le comportement d’un transistor.
 Relever des différentes caractéristiques du transistor
bipolaire.
 Caractéristique du transistor à effet de champ.
 Réaliser des montages électroniques.
 Se familiariser avec les nouveaux matériaux.
2. Partie 1 : Transistor bipolaire :
2.1. Montage :

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VM(V) 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
IB(uA) 0 31.78 28.0 54.74 87.34 12 141.5 154. 179.4 288.31
6 2 3
VBE(V) 0 0.05 0.08 0.15 0.24 0.33 0.39 0.5 0.52 0.63
2.2. Caractéristiques d’entrée Ib=f(Vbe) :

VM(V) 10 11 12 13 14 15 16 17 19 20
IB(uA) 363.8 373 400 402 410. 415.7 415. 418 420 500
5 7
VBE(V) 0.64 0.7 0.7 0.71 0.71 0.72 0.72 0.728 0.72 0.7
1 5 8 5 9

 La courbe donne Ib=f(Vbe):

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 Le transistor à une caractéristique d’une diode à jonction.
VM(V) 0.2 0.4 1 2 3 4 6 8 10 12 14 16
IB(uA) 0 0 21 33 130 324 408 530 695 765 875 919
IC(mA) 0 0 2.1 3.3 13.9 32.1 41. 53.15 62.3 69. 79.2 109
5 7

2.3. Caractéristiques de transfert en courant Ic=f(Ib) :


 A Vce=3V.
 Excel a donné les résultats suivants :

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 On peut dire que les caractéristiques de Ic=f (Ib) sont
comme une droite de pente B=100.
 On peut déduire que le gain statique B=100.

2.4. Caractéristiques de sortie Ic=f(Vce) :


VDD(V) 0 1 2 3 5 7 9 10 14 15 16

VCE(V) 0.7 1.5 2.3 2.7 3.2 3.4 4.3 4.9 5.3 5.6 5.9
Ic(mA) 17.5 17.9 18.3 18.6 18. 19.2 19.9 19.95 20 20.01 20.5
9
 Ib=1mA
 Pour Ib=0.5mA.
VDD(V) 0 1 2 3 5 7 9 10 14 15
VCE(V) 0 0.5 2.3 2.8 4.52 5.4 5.6 6 6.2 6.9
Ic(mA) 0 2.6 2.9 3.5 3.9 4.19 4.2 4.30 4.4 4.45
2

 Ic=f(Vce) : pour Ib=1mA.

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 Ic=f(Vce) : pour Ic=0.5mA.

3. Partie 2 : Transistor à effet de champs :


3.1.Etude théorique :
 Type des transistors à effet de champs :
*TEC2N3819.
*2N3370.
*2N3955.
*2N4119.
*2N5905.
*2N5909.
*2SK77.
*2SJ56……
 Vp est la tension de pincement de canal lorsque VGS
devient égale à Vp aucun courant ne passe.
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V
 (
Id=I DSS × 1− GS
Vp )
R DSon
R DS=
 V
1− GS
Vp

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3.2.Etude pratique :
 Montage :

 Pour I
D=
0 ;
on a Vp=3.6 V.
Pour VGS=0 ; on a IDSS=1.53 A.
VDS(V 0 0. 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
) 5
IDS(A) 0 0. 0.9 1.3 1.4 1.4 1.4 1.4 1. 1.5 1.5 1.5
5 6 2 2 6 8 9 5 1 2 3
 Résultats : Pour VGS=0 V
 Résultats pour VGS=-0.35 V :
VDS(V) 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
IDS(A) 0 0.1 0.20 0.2 0.218 0.222 0.22 0.226 0.289 0.2 0.3
8 1 4 3
 Résultats pour VGS=-0.7 V :
VDS(V) 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
IDS(A) 0 0.53 0.64 0.68 0.7 0.71 0.718 0.72 0.73 0.734 0.737
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 Courbes de Ids= f(VGS) :

 Pour VDS=5V :
VM(V) 0 -0.4 -0.6 -0.8 -1 -1.5 -2 -3 -4 -5 -6 -9

IDS(mA) 0 5.7 5.95 4.56 4.3 3.5 1.9 0.6 0.01 0 0 0


VGS(V) 0 -0.4 -0.6 -0.8 -1 -1.5 -2 -3 -4 -5 -6 -9

 Courbe de Ids=f(VGS) :

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III. Conclusion :
Durant ce TP nous avons pu réaliser plusieurs montages et
relever les caractéristiques des composants que nous avons
étudiés : diodes, diodes Zener, transistors bipolaire, transistor
à effet de champs.

Nom : DALAA Mohammed Amine. Filière : GECSI.

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