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Licence – Electronique
Département Ingénierie des systèmes
S6
électriques
Cours 06 : Photorésistance
I. Photorésistance LDR
Dans l'obscurité, leur résistance est très élevée, parfois jusqu'à 1 MΩ, mais lorsque le capteur
LDR est exposé à la lumière, la résistance chute considérablement, même jusqu'à quelques
ohms, selon l'intensité lumineuse. Les LDR ont une sensibilité qui varie avec la longueur d'onde
de la lumière appliquée et sont des dispositifs non linéaires. Ils sont utilisés dans de
nombreuses applications mais sont parfois rendus obsolètes par d'autres dispositifs tels que
les photodiodes et les phototransistors. Certains pays ont interdit les LDR en plomb ou en
cadmium pour des raisons de sécurité environnementale.
Photorésistance typique
Définition LDR
Les photorésistances sont des résistances photosensibles dont la résistance diminue à
mesure que l'intensité de la lumière à laquelle elles sont exposées augmente.
Symboles de la Photorésistance
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II. Fonctionnement des LDR
Lorsque la lumière tombe, c'est-à-dire lorsque les photons tombent sur le dispositif, les
électrons dans la bande de valence du matériau semi-conducteur sont excités vers la bande de
conduction. Ces photons dans la lumière incidente devraient avoir une énergie supérieure à la
bande interdite du matériau semi-conducteur pour faire sauter les électrons de la bande de
valence à la bande de conduction.
Par conséquent, lorsque la lumière ayant suffisamment d'énergie frappe le dispositif, de plus
en plus d'électrons sont excités vers la bande de conduction, ce qui entraîne un grand nombre
de porteurs de charge. Le résultat de ce processus est que de plus en plus de courant
commence à traverser le dispositif lorsque le circuit est fermé et il est donc dit que la
résistance du dispositif a été diminuée.
La structure d'une LDR est constituée d'un matériau photosensible qui est déposé sur un
substrat isolant tel que la céramique. Le matériau est déposé en zigzag afin d'obtenir la
résistance et la puissance souhaitées. Cette zone en zigzag sépare les zones de dépôt de métal
en deux régions.
Ensuite, les contacts ohmiques sont établis de part et d'autre de la zone. Les résistances de ces
contrats doivent être aussi faibles que possible pour s'assurer que la résistance change
principalement en raison de l'effet de la lumière uniquement.
Les matériaux utilisés pour les photorésistances sont des semi-conducteurs et comprennent
des matériaux tels que le Sulfure de Cadmium, le Séléniure de Cadmium, l'Antimonure
d'Indium et le Sulfure de Cadmium. Chaque matériau donne des propriétés différentes en
termes de longueur d'onde de sensibilité, etc.
L'utilisation de Plomb et de Cadmium est évitée car ils sont nocifs pour l'environnement.
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IV. Caractéristiques des LDR
Lorsqu'une LDR est laissée dans l'obscurité, sa résistance est très élevée. Cette résistance est
appelée résistance sombre (Dark Resistance). Et si elle absorbe de la lumière, sa résistance
diminuera considérablement.
Si une tension constante lui est appliquée et que l'intensité de la lumière augmente, le courant
commence à augmenter. La figure ci-dessous montre la courbe résistance/éclairement pour
une LDR particulière.
- Les LDR sont des dispositifs non linéaires. Leur sensibilité varie avec la longueur d'onde de la
lumière incidente sur elles. Certaines photocellules peuvent ne pas répondre du tout à une
certaine plage de longueurs d'onde. En fonction du matériau utilisé, différentes cellules ont
différentes courbes de réponse spectrale.
- Lorsque la lumière est incidente sur une cellule photoélectrique, il faut généralement environ
8 à 12 ms pour que le changement de résistance se produise, tandis qu'il faut une ou plusieurs
secondes pour que la résistance retrouve sa valeur initiale après le retrait de la lumière. Ce
phénomène est appelé taux de récupération de la résistance.
- De plus, les LDR sont moins sensibles que les photodiodes et les phototransistors.
Une photodiode et une photocellule (LDR) ne sont pas identiques, une photodiode est un
dispositif semi-conducteur à jonction pn qui convertit la lumière en électricité, tandis qu'une
photocellule est un dispositif passif, il n'y a pas de jonction pn ni de « conversion » lumière à
l'électricité.
Il existe plusieurs spécifications importantes pour les photorésistances comme il est montré au
tableau suivant :
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Paramètre Détails
Dissipation de puissance C'est la puissance maximale que l'appareil est capable de
maximale dissiper dans une plage de température donnée. Le
déclassement peut être applicable au-dessus d'une certaine
température.
Tension de fonctionnement En particulier, comme l'appareil est à base de semi-conducteurs,
maximale la tension de fonctionnement maximale doit être respectée. Ceci
est généralement spécifié à 0 lux, c'est-à-dire l'obscurité.
Longueur d'onde crête Cette spécification de photorésistance détaille la longueur
(Peak Wavelenght) d'onde de la sensibilité maximale. Des courbes peuvent être
fournies pour la réponse globale dans certains cas. La longueur
d'onde est spécifiée en nm
Résistance à l'allumage Des résistances minimum et maximum sont données dans
certaines conditions d'éclairage, souvent 10lux.
Une condition ‘complètement allumé’ peut également être
donnée sous un éclairage extrême, par ex. 100lux.
Résistance à l'obscurité Des valeurs de résistance à l'obscurité seront données pour la
(Dark Resistance) photorésistance. Elles peuvent être spécifiées après un temps
donné car il faut un certain temps pour que la résistance chute,
car les porteurs de charge se recombinent - les photorésistances
sont notées pour leurs temps de réponse lents.
Les spécifications d’une photorésistance exemple peuvent être données comme suit :
V. Types de photorésistance
• Photorésistances intrinsèques :
Les photons qui tombent sur la surface de l’LDR excitent les électrons qui se déplacent de la
bande de valence à la bande de conduction. En conséquence, ces électrons sont libres de
conduire l'électricité.
Plus la lumière tombe sur le composant, plus les électrons sont libérés et plus le niveau de
conductivité est élevé, ce qui se traduit par un niveau de résistance plus faible.
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• Photorésistances extrinsèques :
En conséquence, les électrons ont besoin de moins d'énergie pour être transférés dans la bande
de conduction en raison de la plus petite distance énergétique.
Quel que soit le type de photorésistance, les deux types présentent une augmentation de la
conductivité ou une diminution de la résistance avec des niveaux croissants de lumière
incidente.
Les photorésistances ont une structure simple et peu coûteuse et sont souvent utilisées comme
capteurs de lumière. Les autres applications des photorésistances comprennent :
• Elles sont aussi utilisées dans le cadre d'un système SCADA pour effectuer des fonctions telles
que le comptage du nombre de colis sur une bande transporteuse mobile.
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