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Association convertisseurs –machines électriques

ASSOCIATION CONVERTISSEURS STATIQUES


MACHINES ELECTRIQUES
PAR PROF. MO. MAHMOUDI

INTRODUCTION

Les machines électriques alimentées par les convertisseurs statiques sont utilisées
comme systèmes à entraînements réglés dans beaucoup d’équipements industriels à vitesse
variable. Les caractéristiques exigées de l’actionneur dépendent à la fois, de la machine, de
son alimentation et de la commande de l’ensemble.

Les caractéristiques désirées sont :

• Un couple avec le minimum d’ondulations possible, contrôlable par le plus petit


nombre de variables, en régime dynamique comme en régime permanent ;
• Une large plage de variation de vitesse ;
• Rapidité et précision de fonctionnement.

C onvertisseur M achine
S ource
statique

C om m ande

Figure-1- : Ensemble d’un entraînement réglé.

¾ ONDULEUR A DEUX NIVEAUX- MAS


¾ ONDULEURS A TROIS NIVEAUX - MSDS

___________________________________________________________________________
E N P Mahmoudi -1-
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I- ASSOCIATION ONDULEUR -MACHINE ASYNCHRONE

L’onduleur est à deux niveaux :


Lf ia

T1 T2 T3

V dc Cf MAS

T 1’ T 2’ T 3’

Figure-2- : Association redresseur – Filtre – onduleur de tension –MAS.

A. Equations dynamiques dans le référentiel lié au champ tournant (d,q)

• Equations électriques

dφ ds
Vds = Rs ids + − ω s φ qs
dt
dφ qs
Vqs = Rs iqs + + ω s φ ds
dt

0 = Rr idr + dr − (ω s − ω m ) φ qr
dt
dφ qr
0 = Rr iqr + + (ω s − ω m ) φ dr
dt

• Equation mécanique

- Le couple :
Lm
Cem = p Lm (idr iqs - iqr ids ) = p ( φdr iqs - φqr ids )
Lr
- Equation mécanique
J dω m
= Cem − Cr − C f
p dt

Mise sous forme d’équations d’état :

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Nous choisissons le vecteur [ids , iqs , φ dr , φ qr , ω m ]T comme vecteur d’état et les grandeurs

Vds ,Vqs comme variables de commande. Ainsi, nous exprimons { idr , iqr , φ ds , φ qs } en fonction

du vecteur choisi, d’où :


⎧dids 1 ⎡ Lm L ⎤
⎪ = ⎢− Rsmids +ωsσLs iqs + φdr + m ωmφqr +Vds ⎥
⎪ dt σLs ⎣⎢ Lr Tr Lr ⎦⎥

⎪diqs 1 ⎡ Lm Lm ⎤
⎪ dt = σL ⎢−ωsσLs ids − Rsmiqs + L ωmφdr + L T φqr +Vqs ⎥
s ⎢
⎣ ⎥⎦
⎪ r r r

⎪⎪dφdr Lm
= ids − φdr + (ωs − ωm )φqr
1

⎪ dt Tr Tr
⎪dφqr L
= m iqs − (ωs − ωm )φdr − φqr
1

⎪ dt Tr Tr

⎪dωm = p Lm (φ i -φ i ) − p C − K ω
2

⎪ dt J Lr
dr qs qr ds
J
r
J
m
⎪⎩

Avec Tr =
Lr ⎛ L2 ⎞
, Rsm = ⎜⎜ Rs + m ⎟⎟
Rr ⎝ LrTr ⎠

B. Modélisation de l’alimentation de la machine

1.Modélisation du redresseur
Le redresseur peut être schématisé par la figure.

Figure-3- : Redresseur à diodes.

Di conduit si Vi = max (Vj) ; j=1,2,3 ; i=1,2,3

Di’ conduit si Vi = min (Vj) ; j=1,2,3 ; i=1,2,3)

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la tension de sortie du redresseur «Ud » est :


U d = max(V j ) − min(V j ); j = 1,2,3

2. Modélisation du filtre
Le filtre « LC » est schématisé par la figure suivante :

Id Lf is
if
Ud Cf Uf

Figure-4- : Filtre (LC)

Le filtre est modélisé par les équations suivantes :

dI d
Ud = Lf +U f
dt
dU f 1
= ( I d − is )
dt Cf

La fonction de transfert du filtre est donnée par la relation suivante :

Uf 1
F = =
Ud 1 + ( L f C f s) 2

C’est un filtre de deuxième ordre avec une fréquence de coupure égale à :

1
fc =
Lf C f

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Le choix des valeurs de la self et de la capacité, peut être obtenu en posant la condition
simple qui consiste à éliminer les harmoniques d’ordre supérieur,

fc < mf ( pour la technique MLI triangulu-sinusoidale).

3. Modélisation de l'onduleur de tension

is

K1 K2 K3
Uf

ia ib ic
CHARGE

Figure-5- : Représentation des transistors par des interrupteurs.

On définit les fonctions logiques de connexion par ( i=1,2,3):

0 si Ti est fermé et Ti’ est ouvert


Fi =
1 si Ti est ouvert et Ti’ est fermé

Les tensions de sortie de l’onduleur sont données par :

Vab = Uf (F1 –F2)


Vbc = Uf (F2 –F3)
Vca = Uf (F3 –F1)
Par conséquent, les tensions simples sont s’exprimées de la manière suivante :

Uf
Va = (2 F1 − F2 − F3 )
3
Uf
Vb = (2 F2 − F1 − F3 )
3
Uf
Vc = (2 F3 − F1 − F2 )
3

Le courant is à l’entrée de l'onduleur sera donné par la relation suivante

is = F1ia + F2ib + F3ic


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4. Techniques de modulation MLI


La stratégie triangulo-sinusoïdale :

Cette stratégie dont le principe est basé sur la variation de l’amplitude de la référence, et
la fixation de celle de la porteuse, qui est représentée par un signal triangulaire.
L’onde de sortie, est alors obtenue par une simple comparaison des deux ondes, donnant ainsi
l’ordre d’allumage où d’extinction aux composants constituant l’onduleur.

- L’indice de modulation « m » qui représente le rapport entre la fréquence de la porteuse


« fp » à la fréquence de la référence « f » désirée.
- Le coefficient de réglage en tension qui représente le rapport entre l’amplitude de l’onde
de référence à la valeur de crête de l’onde porteuse.

Figure-I-9- : Principe de la technique triangulo – sinusoïdale


(m=21, r=0.8)

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Cas de la technique triangulo-sinusoidale

1) m=21, r=0.8, f=50 Hz

2) m=35, r=0.8, f=50 Hz


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Démarrage de la MAS à vide m=21 , r=0.8

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II. ASSOCIATION ONDULEURS A TROIS NIVEAUX- MACHINES SYNCHRONES


DOUBLE ETOILE

La machine synchrone à double étoile autopilotée est un dispositif à vitesse variable, ou la fréquence des
tensions d'alimentation est délivrée par un convertisseur statique est asservi à la position du rotor.
L'existence des deux stators nécessitent une alimentation par deux onduleurs de tension à transistors dont la
commande de la MLI est décalée d'un angle "γ".
Les deux onduleurs sont alimentés par un même pont à diodes dont la tension de sortie est filtrée par un filtre
passe-bas "LC. La structure générale d’alimentation de la DSSM est présentée par la figure suivante :

Figure 7 : Structure générale de l'alimenation de la "DSSM"

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• Cas des onduleurs à deux niveaux à stratégie triangulo-sinusoidale : (m=21)

Figure I.11 (c) : Le principe de la technique triangulo- sinusoïdale


Pour (r=0.8 et m=21)

Lors d'un démarrage à vide et puis l'application d'une charge de Cr =10Nm à l'instant t =2s
L

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• Cas des onduleurs à trois niveaux à structure NPC :

Pour remédier aux problèmes associés au groupement d'onduleurs à deux niveaux, on propose d'étudier
l'onduleur à trois niveaux à structure NPC (Neutral point claming) dont la structure est :

Figure I.14: Structure générale de l'onduleur à trois niveaux.

¾ Chaque paire transistor diode est représentée par un seul interrupteur bidirectionnel, supposé
idéal .
¾ Interrupteur bidirectionnel équivalent à la paire transistor - diode

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Différentes configurations d'un bras d'onduleur à trois niveaux.

Figure 11 : Différentes configurations du bras K de l'onduleur à trois niveaux


Les grandeurs électriques caractérisant chacune de ces configurations sont représentées dans le tableau
¾ Modélisation de l’onduleur

⎡ b⎤ ⎡ F10
b ⎤
⎡V AM ⎤ ⎢ F11 ⎥ ⎢ ⎥
⎢V ⎥ = ⎢ F b ⎥U - ⎢ F20
b ⎥
UC2
⎢ BM ⎥ ⎢ 21 ⎥ C1 ⎢ ⎥
⎢⎣VCM ⎥⎦ ⎢ F b ⎥ ⎢ F30
b

⎣ 31 ⎦ ⎣ ⎦

⎡V AB ⎤ ⎡ 1 − 1 0 ⎤ ⎧⎡ F11 ⎤ ⎡ F10b ⎤ ⎫
b

⎢V ⎥ = ⎢ 0 1 − 1⎥ ⎪⎢ F b ⎥U − ⎢ F b ⎥U ⎪⎪

⎢ BC ⎥ ⎢ ⎥ ⎨⎢ 21 ⎥ C1 ⎢ 20 ⎥ C 2 ⎬
⎢⎣VCA ⎥⎦ ⎢⎣− 1 0 1 ⎥⎦ ⎪⎪⎢ F31b ⎥ ⎢F b ⎥ ⎪
⎪⎭
⎩⎣ ⎦ ⎣ 30 ⎦

Dans le cas ou U C1 = U C 2 cette relation se réduit :

⎡V AB ⎤ ⎡ 1 − 1 0 ⎤ ⎡ F11 F10b ⎤
b

⎢V ⎥ = ⎢ 0 1 − 1⎥ ⎢ F b ⎥
F20b ⎥U C
⎢ BC ⎥ ⎢ ⎥ ⎢ 21
⎢⎣VCA ⎥⎦ ⎢⎣− 1 0 1 ⎥⎦ ⎢⎣ F31b F30b ⎥⎦

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¾ Stratégie de modulation à deux porteuses :

Figure 12 : Tensions de référence et les deux porteuses bipolaires pour (m=12, r=0.8).

Figure 13 : La tension simple et son spectre commandé par la stratégie triangulo-


sinusoidale à deux porteuses bipolaire (m=12, r=0.8)

Figure 14 : La tension simple et son spectre commandé par la stratégie


triangulo- sinusoïdale à deux porteuses bipolaire (m=21, r=0.8)

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Modélisation subharmonique
Principe
La modélisation subharmonique permet de suivre le vecteur de tension de référence et non pas chaque
tension de référence de phase séparément. Son principe est identique à celui de la stratégie triangulo-sinusoidale
à échantillonnage régulier avec injection de l'harmonique trois. Cette stratégie utilise la propriété que l'onduleur à
trois niveaux est la mise en série de deux onduleurs à deux niveaux.

Figure 16 : des différents signaux de la modulation subharmonique


Pour (m = 12, r = 0.8)

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Figure 17 : La tension simple et son spectre de l'onduleur à trois niveaux


Commandé par la modulation subharmonique pour (m =12, r=0.8).

Figure 18 : La tension simple et son spectre de l'onduleur à trois niveaux Commandé par la
modulation subharmonique pour (m =21, r=0.8).

Figure 19 : Caractéristiques de la tension de sortie de l'onduleur


à trois niveaux commandé par la modulation subharmonique pour (m =6).

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Performances de la conduite de la SMDS alimentée par deux onduleurs à trois


niveaux commandé par la stratégie triangulo-sinusuidale à deux porteuses
bipolaires.

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