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Département de physique

SMPC S2 – 2019/2020
TD n◦ 2 d’électricité 1(corrigé)
Exercice I :
1. Les plans (M, − →
e r, −

e z ) et (M, −

e r, −

e θ ) sont des plans de symétrie de la distribution de

− →

charges, donc le champ E (M) est porté par leur intersection. D’où E (M) est porté par − →e r:


E (M) = E(M)−

er

2. La distribution de charges est invariante par translation selon Oz et par rotation selon

− →

θ, d’où E (M) ne dépend ni de z ni de θ, ainsi E (M) dépend seulement de r, d’où :

)

→ →

E (M) = E (r)



3. Les symétries et les invariances permettent d’écrire E (M) sous la forme : .L


E (M) = E(r)−

(M
er

u e
On choisit comme surface de Gauss un cylindre fermé d’axe Oz, de hauteur h et de rayon r.
On a ZZ
→ −
− →
Φ = E .d S =
ZZ
→ −
− →
E .d S l +
ZZ
→ −
− →
E .d S b1 +
ZZ
→ −
− →
E .d S b1
s iq
Or sur les bases on a :
Sf Sl

h y Sb1 Sb2



d S b1 = rdrdθ−

ez p
et


d S b2 = −rdrdθ−

ez

Alors
d→
e
− − → → −
− →

p
E .d S b1 = E .d S b2 = 0

d’où d é
Sur la surface latérale on a


d S l = rdθdz −

er

M
Z 2πZ h
Φ= E(r)rdθdz = 2πrhE(r)

SS• M à l’extérieur (r > R) :


0 0

F Qint =
ZZZ

cylindre de rayon R
ρdτ = ρπR2 h

D’après le théorème de Gauss on a :


Qint
Φ=
ε0
D’où

→ ρ R2 −

E (r) = er pour r > R
2ε0 r

FSSM/SMPC – S2 1 Mohamed Lotfi


Electricité 1 Travaux dirigés

• M à l’intérieur (r 6 R) :
ZZZ
Qint = ρdτ = ρπr 2 h
cylindre de rayon r

Donc le théorème de Gauss donne :



→ ρ →
E (r) = r−
er pour r 6 R
2ε0


On vérifie la continuité de E (r) en r = R.
)
.L
4. On a
(M



→ −−→
E = −grad V = −
∂V →
∂r

er−
1 ∂V −
r ∂θ

eθ−
∂V −
∂z

ez

u e
Et puisque E = E(r)−

e r alors :

∂V ∂V
s iq
∂θ
=0 et

h y ∂z
=0

Donc V ne dépend ni de θ ni de z.
D’où p
Par intégration on obtient : d e
E(r)−

er=−
dV −
dr

er

ép
• M à l’intérieur (r 6 R) :

d V (r) = −
ρ r2
2ε0 2
+ cte

SM Or V (r = 0) = 0 alors cte = 0
d’où
ρ 2

FS • M à l’extérieur (r > R) :
V (r) = −
4ε0
r pour r 6 R

ρR2
V (r) = − ln r + cte
2ε0
La contuité de V (r) en r = R impose

ρR2 ρ 2
− ln R + cte = − R
2ε0 4ε0
D’où
ρR2 ρ 2
cte = ln R − R
2ε0 4ε0
Ainsi
ρR2 ρR2
 
R
V (r) = ln −
2ε0 r 4ε0

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Electricité 1 Travaux dirigés

5. Les propriétés de symétrie et d’invariance ne sont pas modifiées. La surface de Gauss est
la même que celle de la question 3., le calcul de Φ est le même, seul le calcul de Qint change.
On a Z Zr 2πZ h  ′ 
r3
ZZZ
r
Qint = ρdτ = ρ0 r ′ dr ′ dθdz = ρ0 2πh
cylindre de rayon r 0 0 0 R 3R
D’après le théorème de Gauss, on trouve :

→ ρ0 r 2 −

E (r) = er
3ε0 R

)
Exercice II :
.L
1. Les plans (M, −
M

e r, →

e θ ) et (M, −

e r, −

e ϕ ) sont des plans de symétrie d’où :


E (M) = E(r, θ, ϕ)− →
er
e(
u
La distribution des charges est invariante par rotation selon θ et selon ϕ d’où

q

− →
− →

E (M) = E (r, θ, ϕ) = E (r)

s i
On déduit


y
E (M) = E(r)−
h

er

p
point M.
d e
2. On choisit comme surface de Gauss une sphère de centre O, de rayon r passant par le

ép
3. D’après le théorème de Gauss on a
d ZZ
− −

E .d S =
→ Qint

M Sf ε0

SS→

Or E (M) = E(r)−
alors

er

F
Qint
E4πr 2 =
ε0
• cas où r > R1
Qint = Q1 d’où

− Q1 − →
E (r) = 2
er
4πε0 r
• cas où r < R1
Qint =0 d’où

→ →

E (r) = 0

4. On a

− →
− −
→ Q1 − → σ→ Q1
E (r = R1− ) = 0 et E (r = R1+ ) = 2
er= − er avec σ=
4πε0 R1 ε0 4πR12
On retrouve le théorème de Coulomb (ou aussi la relation de passage).

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Electricité 1 Travaux dirigés

5.

• Pour r 6 R1 on a V (r) = V0

• Pour r > R1 :
On sait que

→ −−→ dV −

E = −gradV = − er
dr
D’où
V (r) =
Q1
+ cte
)
.L
4πε0 r
Or en r = R1 on a V = V0 alors

V (r) =
Q1

1

1


(
+ V0M
4πε0 r R1

u e
iq
6. Une surface équipotentielle est une surface où le potentiel est constant.
Dans notre cas
s
V = cte
y
=⇒ r = cte

h
Donc les surfaces équipotentielles sont des sphères centrées en O.

p
Exercice III :

d e
1. La distribution de charges est invariante par translation selon x et selon y donc

ép −
→ →
− →

E (M) = E (x, y, z) = E (z)

2. Les plans (M, −


→ d
e x, −

e z ) et (M, −

e y, −

e z ) sont des plans de symétrie de la distribution des

M


charges donc E (M) appartient à leur intersection, d’où

SS −

E (M) = E(M)−

ez

F
3. Le plan (O, →−e x, −

e y ) est un plan de symétrie de la distribution de charge, donc c’est


aussi un plan de symétrie de E .


Or E ne dispose que de la composante normale par rapport à ce plan, alors pour deux points
M et M ′ symétriques par rapport au plan (O, → −
e x, −

e y ) on a :

→ →
− −
→ →

E (M) = − E (M ′ ) c’est-à-dire E (z) = − E (−z)

4. On choisit comme surface de Gauss le parallélépipède symétrique par rapport au plan


chargé, sa base supérieure est centrée en M et sa base inférieure est centrée en M ′ le
symétrique de M (figure 1) (on peut aussi choisir un cylindre comme surface de Gauss).

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Electricité 1 Travaux dirigés

z
y
x

M′

)
Figure 1:
.L
5. D’après le théorème de Gauss on a
(M
ZZ
→ −
− → Qint
E .d S =
u e
Sf ε0


s iq
Seule les intégrales sur les bases sont non nulles car E (M) = E(M)−→ez
D’où ZZ


E (M).d S =


ZZ


h y


E (M).dS1 +
ZZ
→ ′ −
− →
E (M ).dS2
Sf S1
p S2

e

→ →

Avec d S 1 = dxdy −

e z et d S 2 = −dxdy −

ez

d
→ ′
− →

Or E (M ) = − E (M), alors

p →
− →

ZZ ZZ
E (M).d S = 2 E(M)dxdy = 2E(M)S

d é Sf

Avec S la surface de la base du parallélépipède.


Or Qint = σS alors
S1

SM →

E (M) =
σ −
2ε0

e z pour z > 0, et


E (M) = −
σ →
2ε0
−e
z pour z < 0

FS
Exercice IV :
On se propose de déterminer la distribution de charge qui est à l’origine du potentiel
électrostatique dit de Yukawa :
1 q  r
V (r) = exp − , q>0
4πε0 r a

1. L’équation du théorème de Gauss sous sa forme locale est :



− ρ
div E =
ε0

2. La relation entre le champ et le potentiel électrostatique est :



− −−→
E = −grad V

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Electricité 1 Travaux dirigés


− −−→
3. On remplace E = −grad V dans l’équation locale de Gauss, et puisque :
−−→ 
div grad V = ∆V

On obtient l’équation :
ρ
−∆V =
ε0
D’où l’équation de Poisson :
ρ
∆V +
ε0
=0
)
Dans le cas où ρ = 0 on obtient l’équation de Laplace :
.L
∆V = 0

(M
4. On a
u e
q
 h i 
q r

i
1 ∂

∂V

1 ∂  ∂ 4πε0 r
exp − a

r2 r2
s
∆V = 2 = 2
r ∂r ∂r r ∂r  ∂r

y

h
    r 
q ∂ 2 1 1
∆V = r − 2− exp −
4πε0 r 2 ∂r
pr ra a
q
e ∂ r r
h   i
∆V = − 1+ exp −

d
2
4πε0 r ∂r a a
  
q 1 1 r r

p

∆V = − − + − 2 exp −


4πε0 r 2 a a a a
D’où
d ∆V =
q 1
4πε0 ra2
exp
 r

a

M
Et d’après l’équation de Poisson on déduit :

S
S
q  r
ρ=− exp −
4πra2 a

F
5. On a

→ −−→ dV −→
E = −grad V = − er
dr
d’où

− q  r  r
E = 1 + exp − − →
er
4πε0 r 2 a a

6. D’après le théorème de Gauss on a :


− −
→ → Qint
ZZ
E .d S =
Sf ε0

D’où
1 
ZZ
q r  r
Qint = 2 1+ exp − − →
e r .r 2 sin θdθdϕ−

er
4π Sf r a a

FSSM/SMPC – S2 6 Mohamed Lotfi


Electricité 1 Travaux dirigés

q  r  r  Z π Z 2π
Qint = 1+ exp − sin θdθdϕ
4π a a θ=0 ϕ=0
Ainsi  r  r
Qint = q 1 + exp −
a a

Exercice V :
1.

)
.L
1.1. Le conducteur S1 est en équilibre électrostatique donc la charge Q1 est répartie sur la
surface.
1.2.

(M
Le volume d’un conducteur en équlibre électrostatique est équipotentiel, donc le
potentiel est égale à V en n’importe quel point de la sphère conductrice.
1.3. On sait que ZZ
u e
Q1 = σdS

Or le potentiel au centre de la sphère est donné par :


S1

s iq
V (O) =
1
ZZ

h y σdS

p
4πε0 P ∈S1 P O

V (O) =
1
ZZ

σdS e
Pour tout point P de la surface de la sphère, on a : P O = R1 , d’où :

d =
1
ZZ
σdS =
Q1


Or V (O) = V alors on a : p
4πε0 P ∈S1 R1 4πε0 R1 P ∈S1 4πε0 R1

d V =
Q1
4πε0 R1

SM
D’où :
Q1 = 4πε0 R1 V

FS
2.
2.1. La sphère S2 est reliée au sol, donc son potentiel est nule, d’où :
V (O2 ) = 0
2.2. Le potentiel au point O2 est créé par les charges sur S2 et par la sphère S1 .
La distance entre un point P de la surface de S1 et O2 est : P O2 ≃ d, donc :
Q1 Q2
V (O2 ) = +
4πε0d 4πε0 R2
D’où on déduit
Q1 Q2
+ =0
4πε0 d 4πε0 R2
Ainsi
R2
Q2 = − Q1
d

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Electricité 1 Travaux dirigés

3.
3.1. On a
1 Q1 1 Q2
V1 = et V2 =
4πε0 R1 4πε0 R2
Or V1 = V2 car les deux conducteurs sont reliés par un fil, alors :
Q1 R1
=
Q2 R2

)
On sait que pour une sphère chargée en surface d’une manière uniforme on a : Q = σ4πR2
Donc
Q1
=
σ1 R12
.L
Q2 σ2 R22

(M
e
Alors
Q1 R1 σ1 R12
Q2
=
R2
=
σ2 R22

qu
D’où le rapport des densités surfaciques est :

s i
σ1
σ2
=
R2

h
R1y
Et puisque R2 > R1 alors σ1 > σ2 .
p
3.2.

d e
Puisque le champ électrostatique au voisinage d’une surface est égale à εσ0 alors pour
des conducteurs de même potentiel, le champ au voisinage de la surface est d’autant plus

p
grand que son rayon de courbure est plus petit. Ce phénomène s’appelle le pouvoir (ou effet)


des pointes. Les champs électriques sont intenses près des objets à faible rayon de courbure,

d
ils peuvent ioniser l’air et donc le rendre conducteur ce qui permet d’avoir des décharges
d’électricité. Ce phénomène fait en sorte que la foudre a une tendance à tomber sur des
objets conducteurs pointus, d’où la fabrication des para-tonnerres avec une forme pointue.

SM
FS
Exercice VI :

R2ext R2

C1
Q1
C2
Qint
2

Qext
2

Figure 2:

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Electricité 1 Travaux dirigés

1. Un condensateur est l’ensemble de deux conducteurs en influence ”totale”.

2. On prend comme surface de Gauss une sphère de centre O de rayon r tel que
R2 < r < R2ext .
La sphère se trouve à l’intérieur d’un conducteur en équilibre électrostatique donc le champ
électrostatique sur la surface de la sphère de Gauss est nule, donc d’après le théorème de
Gauss on déduit que
Qint = 0
Or
)
D’où
Qint = Q1 + Qint
2
.L
Q1 = −Qint
2

(M
3. On a d’après la question 3. de l’Exercice II :
u e


E =
Q1 −
4πε0 r 2

er
s iq
d’où Z R2 Z R2

h y
Q1 Q1

1 1

V1 − V2 =
R1
E dr =
R1
p
4πε0 r 2
dr =
4πε0

R1 R2

d e
4. La capacité C d’un condensateur est définie par :

ép C=
Q1
V1 − V2
D’où on trouve :
d C=
Q1
V1 − V2
=
4πε0R1 R2
R2 − R1
.

SM
FS
5. On a
1
ωe = ε 0 E 2 =
2
Q21
32π 2 ε0 r 4
Or ZZZ Z r=R2 Z π Z 2π
We = ωe dτ = ωe r 2 sin θdrdθdϕ
r=R1 θ=0 ϕ=0
D’où
Q21
 
1 1
We = −
8πε0 R1 R2

6. On sait que
1 Q21
We =
2 C
D’où
4πε0 R1 R2
C=
R2 − R1

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7. Dans le cas où R2 = R1 + δR on a

R2 − R1 = δR et R1 R2 ≈ R12 ≈ R22 ≈ R2

d’où
4πR2 ε0 ε0 S
C= =
δR e
Avec S = 4πR2 et e = δR
On retrouve l’expression d’un condensateur plan.
)
Exercice VII :
.L
1. L’étude des symétries et des invariances est la même que l’Exercice I :. On choisit
comme surface de Gauss un cylindre d’axe Oz, de hauteur h et de rayon r avec R1 < r < R2 .
(M
Gauss est :
u e
La charge portée par l’armature intérieure est Q1 , d’où la charge intérieure à la surface de

Qint = Q1
Le théorème de Gauss donne le champ électrostatique entre les armatures :
s iq


h y
Q1 − →

p
E = er
2πε0rh
Or
V1 − V2 =
Z Armature2

d e− −
→ →
E .d l =
Z R2
Q1
2πε0 rh
dr =
Q1
2πε0 h
ln

R2
R1


p
Armature1 R1

d é
La capacité du condensateur est donc :

C=
Q1
V1 − V2
2πε0 h
=  
ln R 2

M
R1

SS
2. La capacité linéique Cl est :

F Cl =
C
h
2πε0
=  
ln R 2
R1

3. L’énergie emmagasinée entre les armatures du condensateur est donnée par :


Z r=R2 Z 2π Z h
1
ZZZ
We = ωe dτ = ε0 E 2 rdrdθdz
r=R1 θ=0 z=0 2

Donc 2
r=R2 2π h 
1
Z Z Z
Q1
We = ε0 rdrdθdz
r=R1 θ=0 z=0 2 2πε0 rh
D’où
Q21
 
R2
We = ln
4πε0 h R1

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Or
1 Q21
We =
2 C
Alors
2πε0 h
C=  
R2
ln R 1

4. Si R2 = R1 + δR alors
)
.L
     
R2 R1 + δR δR δR
ln = ln = ln 1 + ≃
R1 R1 R1 R1

Donc C devient
ε0 2πR1 h
(M
e
ε0 S
C= =

u
δR e

q
Avec S = 2πR1 h et e = δR1
On retrouve l’expression d’un condensateur plan.

s i
h y
p
d e
ép
d
SM
FS

FSSM/SMPC – S2 11 Mohamed Lotfi

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