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Mai 2020
Exercice 5 :
Soit une diode D à jonction PN au Silicium, de tension seuil Vo = 0,6 V et de
résistance dynamique nulle.
1- Donner son modèle équivalent.
V0
Méthode 1
RTh
ETh
Rth c’est la résistance vue des bornes A et K lorsque toutes les sources sont éteintes :
Rth = R3 + (R1//R2)
Méthode 2
R’Th
A
D
E’Th
R3
B
R’th c’est la résistance vue des bornes A et B lorsque toutes les sources sont éteintes :
R’th = (R1//R2)
b- Calculer sa valeur et donner l’état de la diode dans les deux cas suivants :
E = 2 V, R1 = 4 kΩ, R2 = 1 kΩ et R3 = 200 Ω.
1
E’th = 2 = 0.4 V
1+4
E = 6 V, R1 = 8 kΩ, R2 = 2 kΩ et R3 = 200 Ω.
2
E’th = 6 = 1.2 V c’est > au seuil de conduction de la diode ➔ la diode est passante.
8+2
Circuit 1 Circuit 2
Analyse du Circuit 1
La diode est passante si la tension entre ses bornes est > 0.6 V
Alors on va tracer la courbe de Ve (Ve= Vg – 3V ), puis on repère le niveau 0.6 V sur cette courbe :
Pour Ve ≤ 0.6 V➔ Vs = 0
Ve(V)
0,6 <<<
0 t
2
-3
Vs(V)
6,4
0 t
La diode est passante si la tension entre ses bornes est > 0.6 V
Alors on va tracer la courbe de eth = Vg/2 , puis on repère le niveau 0.6 V sur cette courbe :
RTh
eTh
20.66
Vs =
2∗1000∗4700∗10−6 ∗50
D
R1
1k
V1
VSINE D R2
DIODE 1k
R3
1k
D1 D2
DIODE DIODE
V2
VSINE BAT1 BAT2
3V 2V
TD01-ex5-2.pdsprj
Circuit de dessous : 4ème circuit de l’exercice2,
2-La diode D est utilisée dans le circuit ci-dessus. Déterminer le courant i et la tension v.
On définit un dipole de thévenin aux bornes de la diode :
100
On calcule Eth = 100+400 𝐸1 = 2.4 𝑉