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Corrigé de l’exercice 5 du TD01

Mai 2020

Exercice 5 :
Soit une diode D à jonction PN au Silicium, de tension seuil Vo = 0,6 V et de
résistance dynamique nulle.
1- Donner son modèle équivalent.

V0

2- On insère cette diode dans le circuit suivant :

a- Exprimer le courant i en fonction des éléments du montage.

Méthode 1

On applique le Théorème de Thévenin entre les bornes de la diode (bornes A et K de la diode)

Tout le circuit est équivalent à :

RTh

ETh

Rth c’est la résistance vue des bornes A et K lorsque toutes les sources sont éteintes :

Rth = R3 + (R1//R2)

Eth : c’est la tension à vide entre A et K


𝑅2
Eth = E
𝑅1+𝑅2

En appliquant la loi des mailles puis la loi d’Ohm on obtient

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𝐸𝑡ℎ−𝑉0
I= 𝑅𝑡ℎ

Méthode 2

On applique le Théorème de Thévenin entre les bornes A et B

Tout le circuit est équivalent à :

R’Th
A

D
E’Th
R3
B

R’th c’est la résistance vue des bornes A et B lorsque toutes les sources sont éteintes :
R’th = (R1//R2)

E’th : c’est la tension à vide entre A et B


𝑅2
E’th = E
𝑅1+𝑅2

En appliquant la loi des mailles puis la loi d’Ohm on obtient


𝐸′𝑡ℎ−𝑉0
I = 𝑅′𝑡ℎ+𝑅3

b- Calculer sa valeur et donner l’état de la diode dans les deux cas suivants :
E = 2 V, R1 = 4 kΩ, R2 = 1 kΩ et R3 = 200 Ω.
1
E’th = 2 = 0.4 V
1+4

E’th < V0 ➔ la diode est bloquée ➔ i = 0

E = 6 V, R1 = 8 kΩ, R2 = 2 kΩ et R3 = 200 Ω.
2
E’th = 6 = 1.2 V c’est > au seuil de conduction de la diode ➔ la diode est passante.
8+2

R’th = (R1//R2) = 8//2 =1.6 k.


1.2−0.6
I = 1.6+0.2 = 0.33 mA

3- Cette diode est maintenant insérée dans les 2 circuits suivants.


Tracer dans chaque cas la tension de sortie vS(t).

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Vg Ve

Circuit 1 Circuit 2

Analyse du Circuit 1

D’une part, on sait que :

La diode est passante si la tension entre ses bornes est > 0.6 V

Elle est bloquée sinon

D’autre part, au niveau du circuit 1 :

Lorsque D est passante on a : Vs = Ve – V0

Lorsque D est bloquée on a Vs = 0

Alors on va tracer la courbe de Ve (Ve= Vg – 3V ), puis on repère le niveau 0.6 V sur cette courbe :

La courbe de Vs est déduite comme ceci :

Pour Ve > 0.6 V ➔ Vs = Ve – 0.6

Pour Ve ≤ 0.6 V➔ Vs = 0

Ve(V)

0,6 <<<
0 t
 2
-3

Vs(V)

6,4

0 t

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Analyse du Circuit 2

Le circuit sera remplacé par son équivalent de Thévenin


𝑅 1
eth = vg = 2 vg
𝑅+𝑅
𝑅
Rth = 𝑅//𝑅 = 2

D’une part, on sait que :

La diode est passante si la tension entre ses bornes est > 0.6 V

Elle est bloquée sinon

D’autre part, au niveau du circuit 2 :

Lorsque D est passante on a : Vs = V0 = 0.6 V


1
Lorsque D est bloquée on a Vs = eth = vg
2

Alors on va tracer la courbe de eth = Vg/2 , puis on repère le niveau 0.6 V sur cette courbe :

La courbe de Vs est déduite comme ceci :

Pour eth > 0.6 V, Vs = 0.6 V

Pour eth ≤ 0.6 V, Vs = eth

RTh

eTh

Simulation sur ISIS :

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Exercice 1
1- Redresseur double alternance avec transfo à point milieu
2- Vsecondaire crête= Vsec max = 230 * √2 *(1/8) = 40.66 V

V1 eff = (Vsec max/2 )/ √2 = 14.375 V

3- Vs(t) c’est la tension u(t) en page 19 du cours.


2 𝑉1𝑚𝑎𝑥 40.66
Vsmoy = 𝜋
= 𝜋
= 12.94 V

4- IDmax = V1max/R = 20.33 mA


5- Vd2 : voir cours,
0<t<T/2 : vd2 = 2 v2 et
T/2 <t<T : vd2 =0
Donc en inverse la diode D2 supporte 2*V2max = 40.66 V

6- Voir page 25 du chap2. En remplaçant U par Vs

20.66
Vs =
2∗1000∗4700∗10−6 ∗50

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Exercice 2
Simulation du dernier circuit :

D
R1
1k

V1
VSINE D R2
DIODE 1k

R3
1k

D1 D2
DIODE DIODE

V2
VSINE BAT1 BAT2
3V 2V

TD01-ex5-2.pdsprj
Circuit de dessous : 4ème circuit de l’exercice2,

Simulation sur ISIS :

Signal vert : voie D de l’oscillo, sortie

Signal rose : voie C de l’oscillo, entrée

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Exercice 4
1- Déterminer les éléments (V0 et r) du schéma équivalent de cette diode au sens passant.
Selon le graphique
0.8−0.6
V0 = 0.6 V et r = = 10  (pente de la droite)
.02−0

2-La diode D est utilisée dans le circuit ci-dessus. Déterminer le courant i et la tension v.
On définit un dipole de thévenin aux bornes de la diode :
100
On calcule Eth = 100+400 𝐸1 = 2.4 𝑉

Rth = 100// 400 = 80 


𝐸𝑡ℎ−𝑉0 2.4−0.6 1.8
I= = = = 20 mA
𝑅𝑡ℎ+𝑟 80+10 90

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