INTRODUCTION AU LASER
J. Roussel
Département Physique
Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Rennes
Avril 2014
1 Principe du laser
Description
Emission stimulée
Inversion de population
Rôle de la cavité résonante
Exemples
2 Applications
Télémétrie
Lecture CD et DVD
Refroidissement laser
Introduction
Introduction
Introduction
Introduction
Progression
1 Principe du laser
Description
Emission stimulée
Inversion de population
Rôle de la cavité résonante
Exemples
2 Applications
Télémétrie
Lecture CD et DVD
Refroidissement laser
Progression
1 Principe du laser
Description
Emission stimulée
Inversion de population
Rôle de la cavité résonante
Exemples
2 Applications
Télémétrie
Lecture CD et DVD
Refroidissement laser
L’absorption
Considérons un système d’atomes à deux niveaux d’énergie E1
(niveau fondamental) et E2 (niveau excité).
E2
• E1
J. Roussel INTRODUCTION AU LASER
Introduction Principe du laser Applications Description Emission stimulée Inversion de population Rôle de
L’absorption
Considérons un système d’atomes à deux niveaux d’énergie E1
(niveau fondamental) et E2 (niveau excité).
Envoyons des photons de fréquence ν vérifiant
E2 − E1 = hν avec h = 6, 626.10−34 J.s
E2
n photons
• hν
• E1
J. Roussel INTRODUCTION AU LASER
Introduction Principe du laser Applications Description Emission stimulée Inversion de population Rôle de
L’absorption
Considérons un système d’atomes à deux niveaux d’énergie E1
(niveau fondamental) et E2 (niveau excité).
Envoyons des photons de fréquence ν vérifiant
E2 − E1 = hν avec h = 6, 626.10−34 J.s
Il y a une probabilité qu’un photon soit absorbé faisant passer un
atome de l’état d’énergie E1 vers l’état d’énergie E2 . La probabilité
de la transition est proportionnelle au nombre n de photons.
dN1
= −B n dt avec B = Cte
N1 abs
E2
n photons n − 1 photons
• hν • hν
• E1
J. Roussel INTRODUCTION AU LASER
Introduction Principe du laser Applications Description Emission stimulée Inversion de population Rôle de
Emission spontanée
L’état excité n’est pas stable ; il possède une faible durée de vie (de
l’ordre de 10−8 s). En l’absence de photons, l’atome se désexcite
spontanément en émettant un photon dans une direction aléatoire
avec une phase et un état de polarisation aléatoire.
• E2
E1
Emission spontanée
L’état excité n’est pas stable ; il possède une faible durée de vie (de
l’ordre de 10−8 s). En l’absence de photons, l’atome se désexcite
spontanément en émettant un photon dans une direction aléatoire
avec une phase et un état de polarisation aléatoire.
E2
1 photon
•
hν
E1
Emission spontanée
L’état excité n’est pas stable ; il possède une faible durée de vie (de
l’ordre de 10−8 s). En l’absence de photons, l’atome se désexcite
spontanément en émettant un photon dans une direction aléatoire
avec une phase et un état de polarisation aléatoire.
E2
1 photon
•
hν
E1
La probabilité par unité de temps de la transition est constante.
dN2
= −A dt avec A = Cte
N2 spont.
Emission spontanée
L’état excité n’est pas stable ; il possède une faible durée de vie (de
l’ordre de 10−8 s). En l’absence de photons, l’atome se désexcite
spontanément en émettant un photon dans une direction aléatoire
avec une phase et un état de polarisation aléatoire.
E2
1 photon
•
hν
E1
La probabilité par unité de temps de la transition est constante.
dN2
= −A dt avec A = Cte
N2 spont.
NB :Il existe des niveaux excités de grande durée de vie (de l’ordre
de la ms) qui sont dit métastables. Dans ce cas, la désexcitation est
souvent d’origine non radiative (collisions).
J. Roussel INTRODUCTION AU LASER
Introduction Principe du laser Applications Description Emission stimulée Inversion de population Rôle de
Emission stimulée
• E2
n photons
• hν
E1
Emission stimulée
E2
n photons n + 1 photons
• hν • hν
• hν
E1
Emission stimulée
E2
n photons n + 1 photons
• hν • hν
• hν
E1
Pour produire des photons identiques il faut que l’émission stimulée soit
prépondérante devant l’absorption et l’émission spontanée, ce qui donne
deux conditions :
1 Bn A : il faut un suffisamment de photons d’où l’intérêt d’une
cavité optique.
2 N2 N1 : il faut procéder à une inversion de population.
Progression
1 Principe du laser
Description
Emission stimulée
Inversion de population
Rôle de la cavité résonante
Exemples
2 Applications
Télémétrie
Lecture CD et DVD
Refroidissement laser
Loi de Boltzmann
E1
Loi de Boltzmann
E1
Ainsi le rapport de population des niveaux 1 et 2 vaut
N2
= e−∆E /kB T = e−hν/kB T < 1
N1
Loi de Boltzmann
E1
Ainsi le rapport de population des niveaux 1 et 2 vaut
N2
= e−∆E /kB T = e−hν/kB T < 1
N1
Conclusion
Il ne peut donc y avoir amplification dans un système à l’équilibre.
Pompage optique
Pompage optique
Pompage optique
E3 (2,26 eV ; 10−8 s)
relaxation non radiative
E2 (1,78 eV ; 3.10−3 s)
pompage
photons
• 694,3 nm
E1
niveau fondamental
Figure: Inversion de populations dans un système à trois niveaux.
Progression
1 Principe du laser
Description
Emission stimulée
Inversion de population
Rôle de la cavité résonante
Exemples
2 Applications
Télémétrie
Lecture CD et DVD
Refroidissement laser
Stabilité de la cavité
• •
milieu amplificateur
•
• •
Stabilité de la cavité
• •
milieu amplificateur
•
• •
Condition de stabilité :
L L
0< 1− 1− <1
R1 R2
waist w0
Coupe d’un
faisceau laser
waist w0
waist w0 θ= 2λ
πw0
Le faisceau laser est un faisceau gaussien qui sort avec une divergence θ
liée à la taille du col (waist en anglais) du faisceau dans la cavité.
waist w0 θ= 2λ
πw0
Le faisceau laser est un faisceau gaussien qui sort avec une divergence θ
liée à la taille du col (waist en anglais) du faisceau dans la cavité.
Exemple : Laser He-Ne : w0 = 0,4 mm et θ = 1 mrad.
Modes longitudinaux
Modes longitudinaux
δ = kλ
Modes longitudinaux
δ = kλ =⇒ 2nL = k λ
Modes longitudinaux
Modes longitudinaux
T
1 R = 50%
R = 95%
0.5
fréquence
ν1 ν2 ν3
Modes longitudinaux
T
ISL R = 50%
1
R = 95%
0.5
fréquence
ν1 ν2 ν3
Les modes longitudinaux sont espacé du même Intervalle Spectral Libre.
δν1/2
fréquence
νk
Progression
1 Principe du laser
Description
Emission stimulée
Inversion de population
Rôle de la cavité résonante
Exemples
2 Applications
Télémétrie
Lecture CD et DVD
Refroidissement laser
Collisions entre
He et Ne
Niveaux Émission laser
excités 632,8 nm
1,15 μm
Excitation
électrique
Transition
non radiative
Niveau
fondamental
Hélium Néon
Le\o\dgc\kpg`hl\[\cXj\i~^Xq1c\cXj\i_c`ld$efe%Á^
\e_Xlk \k[\je`m\Xlo[Ëe\i^`\\eYXj %CË_c`ld\jklk`c`jZfdd\
J. Roussel INTRODUCTION AU LASER
Introduction Principe du laser Applications Description Emission stimulée Inversion de population Rôle de
1,15 μm
Excitation
électrique
Transition
non radiative
Niveau
fondamental
Hélium Néon
Le\o\dgc\kpg`hl\[\cXj\i~^Xq1c\cXj\i_c`ld$efe%Á^
\e_Xlk \k[\je`m\Xlo[Ëe\i^`\\eYXj %CË_c`ld\jklk`c`jZfdd\
J. Roussel INTRODUCTION AU LASER
Introduction Principe du laser Applications Description Emission stimulée Inversion de population Rôle de
Le\o\dgc\kpg`hl\[\cXj\i~^Xq1c\cXj\i_c`ld$efe%Á^
\e_Xlk \k[\je`m\Xlo[Ëe\i^`\\eYXj %CË_c`ld\jklk`c`jZfdd\
J. Roussel INTRODUCTION AU LASER
Introduction Principe du laser Applications Description Emission stimulée Inversion de population Rôle de
~ 500 μm
semiconductrice.
~ 1 μm
a 2 μm
X CXj\i[\kpg\ilYXe~d`jj`fegXicXkiXeZ_\%Á^XlZ_\1jZ_dXj`dgc`Ô%Á
IFL@CC8I;P%#M@:<K8%@<J#Dfekg\cc`\i % 2 μm
Y CXj\i[\kpg\M:J<C~d`jj`fegXicXjli]XZ\%Á^XlZ_\1jZ_dXj`dgc`Ô%Á
C\ji^`fejfgk`hl\d\ekXZk`m\jjfekÔ^li\j\eifl^\2c\jZflZ_\jdkXcc`hl\j
Les diodes lasers représentent aujourd’hui (et de loin !) les lasers les p
amplificateur des matériaux semi-conducteurs (InP, GaAs…), en géné
usuellement de transitions optiques entre des niveaux de la bande de con
suffisamment d’électrons dans la bande de conduction pour obtenir l’i
exemple, dans des jonctions p-n (côté p : défaut d’électrons / côté n : e
dimensions réduites, vide de porteurs de charges mobiles, et donc très r
partie du cristal et, de fait, on peut créer dans la zone de charge d’espace
de population. En appliquant une tension, on abaisse le champ interne
d’électrons de conduction et de trous de valence dans la zone de charge
zone centrale : la recombinaison radiative est donc possible. Une autre
jonction p-n, mais à des hétérostructures, en général des puits quantiq
couches, deux couches de grand gap de chaque côté d’une couche de ba
de conduction et les trous de la bande de valence. Ces hétérostructures p
J. Roussel INTRODUCTION
les AUetLASER
électrons et les trous, en formant des zones actives de dimensions e
Introduction Principe du laser Applications Description Emission stimulée Inversion de population Rôle de
~ 500 μm
semiconductrice.
Pompage électrique. ~ 1 μm
a 2 μm
X CXj\i[\kpg\ilYXe~d`jj`fegXicXkiXeZ_\%Á^XlZ_\1jZ_dXj`dgc`Ô%Á
IFL@CC8I;P%#M@:<K8%@<J#Dfekg\cc`\i % 2 μm
Y CXj\i[\kpg\M:J<C~d`jj`fegXicXjli]XZ\%Á^XlZ_\1jZ_dXj`dgc`Ô%Á
C\ji^`fejfgk`hl\d\ekXZk`m\jjfekÔ^li\j\eifl^\2c\jZflZ_\jdkXcc`hl\j
Les diodes lasers représentent aujourd’hui (et de loin !) les lasers les p
amplificateur des matériaux semi-conducteurs (InP, GaAs…), en géné
usuellement de transitions optiques entre des niveaux de la bande de con
suffisamment d’électrons dans la bande de conduction pour obtenir l’i
exemple, dans des jonctions p-n (côté p : défaut d’électrons / côté n : e
dimensions réduites, vide de porteurs de charges mobiles, et donc très r
partie du cristal et, de fait, on peut créer dans la zone de charge d’espace
de population. En appliquant une tension, on abaisse le champ interne
d’électrons de conduction et de trous de valence dans la zone de charge
zone centrale : la recombinaison radiative est donc possible. Une autre
jonction p-n, mais à des hétérostructures, en général des puits quantiq
couches, deux couches de grand gap de chaque côté d’une couche de ba
de conduction et les trous de la bande de valence. Ces hétérostructures p
J. Roussel INTRODUCTION
les AUetLASER
électrons et les trous, en formant des zones actives de dimensions e
Introduction Principe du laser Applications Description Emission stimulée Inversion de population Rôle de
~ 500 μm
semiconductrice.
Pompage électrique. ~ 1 μm
Divergence importante.
X CXj\i[\kpg\ilYXe~d`jj`fegXicXkiXeZ_\%Á^XlZ_\1jZ_dXj`dgc`Ô%Á
IFL@CC8I;P%#M@:<K8%@<J#Dfekg\cc`\i % 2 μm
Y CXj\i[\kpg\M:J<C~d`jj`fegXicXjli]XZ\%Á^XlZ_\1jZ_dXj`dgc`Ô%Á
C\ji^`fejfgk`hl\d\ekXZk`m\jjfekÔ^li\j\eifl^\2c\jZflZ_\jdkXcc`hl\j
Les diodes lasers représentent aujourd’hui (et de loin !) les lasers les p
amplificateur des matériaux semi-conducteurs (InP, GaAs…), en géné
usuellement de transitions optiques entre des niveaux de la bande de con
suffisamment d’électrons dans la bande de conduction pour obtenir l’i
exemple, dans des jonctions p-n (côté p : défaut d’électrons / côté n : e
dimensions réduites, vide de porteurs de charges mobiles, et donc très r
partie du cristal et, de fait, on peut créer dans la zone de charge d’espace
de population. En appliquant une tension, on abaisse le champ interne
d’électrons de conduction et de trous de valence dans la zone de charge
zone centrale : la recombinaison radiative est donc possible. Une autre
jonction p-n, mais à des hétérostructures, en général des puits quantiq
couches, deux couches de grand gap de chaque côté d’une couche de ba
de conduction et les trous de la bande de valence. Ces hétérostructures p
J. Roussel INTRODUCTION
les AUetLASER
électrons et les trous, en formant des zones actives de dimensions e
Introduction Principe du laser Applications Description Emission stimulée Inversion de population Rôle de
~ 500 μm
semiconductrice.
Pompage électrique. ~ 1 μm
Divergence importante.
X CXj\i[\kpg\ilYXe~d`jj`fegXicXkiXeZ_\%Á^XlZ_\1jZ_dXj`dgc`Ô%Á
Les plus vendus. IFL@CC8I;P%#M@:<K8%@<J#Dfekg\cc`\i % 2 μm
Y CXj\i[\kpg\M:J<C~d`jj`fegXicXjli]XZ\%Á^XlZ_\1jZ_dXj`dgc`Ô%Á
C\ji^`fejfgk`hl\d\ekXZk`m\jjfekÔ^li\j\eifl^\2c\jZflZ_\jdkXcc`hl\j
Les diodes lasers représentent aujourd’hui (et de loin !) les lasers les p
amplificateur des matériaux semi-conducteurs (InP, GaAs…), en géné
usuellement de transitions optiques entre des niveaux de la bande de con
suffisamment d’électrons dans la bande de conduction pour obtenir l’i
exemple, dans des jonctions p-n (côté p : défaut d’électrons / côté n : e
dimensions réduites, vide de porteurs de charges mobiles, et donc très r
partie du cristal et, de fait, on peut créer dans la zone de charge d’espace
de population. En appliquant une tension, on abaisse le champ interne
d’électrons de conduction et de trous de valence dans la zone de charge
zone centrale : la recombinaison radiative est donc possible. Une autre
jonction p-n, mais à des hétérostructures, en général des puits quantiq
couches, deux couches de grand gap de chaque côté d’une couche de ba
de conduction et les trous de la bande de valence. Ces hétérostructures p
J. Roussel INTRODUCTION
les AUetLASER
électrons et les trous, en formant des zones actives de dimensions e
Introduction Principe du laser Applications Description Emission stimulée Inversion de population Rôle de
~ 500 μm
semiconductrice.
Pompage électrique. ~ 1 μm
Divergence importante.
X CXj\i[\kpg\ilYXe~d`jj`fegXicXkiXeZ_\%Á^XlZ_\1jZ_dXj`dgc`Ô%Á
Les plus vendus. IFL@CC8I;P%#M@:<K8%@<J#Dfekg\cc`\i % 2 μm
Y CXj\i[\kpg\M:J<C~d`jj`fegXicXjli]XZ\%Á^XlZ_\1jZ_dXj`dgc`Ô%Á
Laser λ Puissance C\ji^`fejfgk`hl\d\ekXZk`m\jjfekÔ
Rendement Pompage Mode ^li\j\eifl^\2c\jZflZ_\jdkXcc`hl\j
Aplications
Alx Ga1−x As 780-880 nm qq mW 50% Les diodeselec.
lasers représentent
C/I aujourd’hui (et de
lecteur CDloin !) les lasers les p
amplificateur des matériaux semi-conducteurs (InP, GaAs…), en géné
usuellement de
50% transitions optiques
elec. C entre des niveaux de la bande de con
Télécommunications
Inx Ga1−x Asy P1−y 150-1150 nm 100 mW
suffisamment d’électrons dans
I la bande de conduction
Pompage laser pour obtenir l’i
exemple, dans des jonctions p-n (côté p : défaut d’électrons / côté n : e
dimensions réduites, vide de porteurs de charges mobiles, et donc très r
partie du cristal et, de fait, on peut créer dans la zone de charge d’espace
de population. En appliquant une tension, on abaisse le champ interne
d’électrons de conduction et de trous de valence dans la zone de charge
zone centrale : la recombinaison radiative est donc possible. Une autre
jonction p-n, mais à des hétérostructures, en général des puits quantiq
couches, deux couches de grand gap de chaque côté d’une couche de ba
de conduction et les trous de la bande de valence. Ces hétérostructures p
J. Roussel INTRODUCTION
les AUetLASER
électrons et les trous, en formant des zones actives de dimensions e
Introduction Principe du laser Applications Télémétrie Lecture CD et DVD Refroidissement laser
Applications
Progression
1 Principe du laser
Description
Emission stimulée
Inversion de population
Rôle de la cavité résonante
Exemples
2 Applications
Télémétrie
Lecture CD et DVD
Refroidissement laser
Progression
1 Principe du laser
Description
Emission stimulée
Inversion de population
Rôle de la cavité résonante
Exemples
2 Applications
Télémétrie
Lecture CD et DVD
Refroidissement laser
Description
Les premiers disques ont été inventés en 1982 par Sony et Philips. il s’agit
d’une galette de 12 cm de diamètre sur laquelle est gravée un sillon qui
forme une spirale. Ce sillon, qui fait près de 5 km de long, est constitué
de creux dont la profondeur est de l’ordre du dixième de micron.
CD vu de dessus
1,6µm
J. Roussel INTRODUCTION AU LASER
Introduction Principe du laser Applications Télémétrie Lecture CD et DVD Refroidissement laser
Description
faisceau laser
0 0 1 1 0 1 0 0 1
J. Roussel INTRODUCTION AU LASER
Introduction Principe du laser Applications Télémétrie Lecture CD et DVD Refroidissement laser
Capacité de Stockage
Capacité de Stockage
Capacité de Stockage
Capacité de Stockage
Progression
1 Principe du laser
Description
Emission stimulée
Inversion de population
Rôle de la cavité résonante
Exemples
2 Applications
Télémétrie
Lecture CD et DVD
Refroidissement laser
Impulsion de recul
Impulsion de recul
Impulsion de recul
Impulsion de recul
→
−0
v
J. Roussel INTRODUCTION AU LASER
Introduction Principe du laser Applications Télémétrie Lecture CD et DVD Refroidissement laser
Impulsion de recul
Impulsion de recul
Ralentissement Doppler
Objectif : Freiner des atomes quelle que soit leur vitesse.
Ralentissement Doppler
Objectif : Freiner des atomes quelle que soit leur vitesse.
On envoi deux lasers de fréquence ν < ν0 de sorte qu’un atome
immobile ne ressent aucune force et reste donc immobile.
laser laser
• ν ν •
→
− →
−
< F >= 0
Ralentissement Doppler
Objectif : Freiner des atomes quelle que soit leur vitesse.
On envoi deux lasers de fréquence ν < ν0 de sorte qu’un atome
immobile ne ressent aucune force et reste donc immobile.
Si l’atome se rapproche d’un laser il absorbe préférentiellement un
photon du laser vers lequel il se rapproche de sorte qu’il est toujours
freiné.
laser laser
• ν ν •
→
− →
−
< F >= 0
laser →
− laser
• ν v ν •
→
−
< F >= −α→−v
Ralentissement Doppler
Objectif : Freiner des atomes quelle que soit leur vitesse.
On envoi deux lasers de fréquence ν < ν0 de sorte qu’un atome
immobile ne ressent aucune force et reste donc immobile.
Si l’atome se rapproche d’un laser il absorbe préférentiellement un
photon du laser vers lequel il se rapproche de sorte qu’il est toujours
freiné.
laser laser
• ν ν •
→
− →
−
< F >= 0
laser →
− laser
• ν v ν •
→
−
< F >= −α→−v
laser →
− laser
• ν v ν •
→
−
< F >= −α→
−
v
J. Roussel INTRODUCTION AU LASER
Introduction Principe du laser Applications Télémétrie Lecture CD et DVD Refroidissement laser
Refroidissement Doppler
Refroidissement Doppler
Refroidissement Doppler
10-11
10-12
Peignes femto
"Exactitude" relative
10-13
Redéfinition de la seconde
10-14
`kl[\[\j_ficf^\jXkfd`hl\j 10-15
<eef`i1c\j_ficf^\j~Zj`ld%
e[\cXj\Zfe[\#~gXik`i[\cX Horloges à Cs Fontaines atomiques
10-16
`m\Xlo_pg\iÔej[\cËXkfd\[\
gl`j cËXdc`fiXk`fe j`^e`ÔZXk`m\
j]if`[j]fekX`e\jXkfd`hl\j ~ 10-17
l 1 c\j _ficf^\j fgk`hl\j Xm\Z
j\%;\gl`j)''/#Z\j_ficf^\j 10-18
ficf^\j~`fejg`^j8c+#?^+ # 1950 1960 1970 1980 1990 2000 2010
hl\Ji#PY % Année
c
Figure:
Reflets de la Physique no 21 / Le Bup no 927
n° 21 / Le Bup n° 927
J. Roussel INTRODUCTION AU LASER
Introduction Principe du laser Applications Télémétrie Lecture CD et DVD Refroidissement laser
Interférométrie atomique
h
Dualité onde-corpuscule : loi de De Broglie λdB = mv .
Interférométrie atomique
h
Dualité onde-corpuscule : loi de De Broglie λdB = mv .
Pour un gaz d’atome dans une mélasse optique on a
h
λdB = ∼ µm
4 . Ondes de matière dans un champ de gravitation
mv
%()*$+,(&-
!"#$%&
'#$%&
*/,/%,0(1$-%2//1 .$%&
Interférométrie atomique
h
Dualité onde-corpuscule : loi de De Broglie λdB = mv .
Pour un gaz d’atome dans une mélasse optique on a
h
λdB = ∼ µm
4 . Ondes de matière dans un champ de gravitation
mv
%()*$+,(&-
!"#$%&
'#$%&
*/,/%,0(1$-%2//1 .$%&
Bibliographie – Webographie
F. Bretenaker et N Treps
Le laser, coll. Une introduction à
EDP sciences, 2010
S. Houard
Optique - une approche expérimentale et pratique
Ed. DeBoeck
D. Dangoisse et al.
Les lasers
Ed. Dunod
R. Farcy
Application des lasers
Ed. Masson