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TABLE DES MATIERES

INTRODUCTION GENERALE

Ière PARTIE : RAPPELS THEORIQUES ET PRISE DE CONTACT AVEC LE


LABORATOIRE D’ELECTRONIQUE

I. INTRODUCTION ................................................................................................ 5
II. TYPES DE CABLES ............................................................................................ 5
1. Les câbles bananes avec reprise arrière ou non .....................................................5
2. Les câbles coaxiaux BNC, BNC-BNC .................................................................5
3. Les sondes d’oscilloscope ....................................................................................5
III. ELEMENTS PASSIFS .......................................................................................7
1. Les résistances ....................................................................................................7
2. Les condensateurs ............................................................................................. 10
3. Les selfs inductances ......................................................................................... 11
IV. LES ELEMENTS ACTIFS ............................................................................... 11
1. Les diodes......................................................................................................... 11
2. Les transistors ................................................................................................... 15
V. APPAREILS DU LABORATOIRE .................................................................... 20
1. Appareils de mesure .......................................................................................... 20
2. Générateurs ...................................................................................................... 22
VI. AUTRES EQUIPEMENTS .............................................................................. 23
1. Plaque à essai.................................................................................................... 23
2. Boitier de réseau de résistances et boitier de réseau de capacités.......................... 24
3. Equipements de soudure et dessoudure à l’étain ................................................. 24
VII. CONCLUSION PARTIELLE .......................................................................... 27

IIème PARTIE : MINI-PROJET CARACTERISATION ET ETUDE STATIQUE


DU MONTAGE

I. INTRODUCTION .............................................................................................. 29
II. PRESENTATION DU MONTAGE ET CAHIER DE CHARGE ....................... 29
III. TRACE EXPERIMENTAL DES CARACTERISTIQUES COURANT-
TENSION DES TRANSISTORS ............................................................................... 30

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1. Caractérisation de T1 ........................................................................................ 32
1.1. Tableau de mesures de T1 ........................................................................... 33
1.2. Courbes de T1 ............................................................................................ 34
2. Caractérisation de T2 ........................................................................................ 37
2.1 Tableau de mesures de T2 ........................................................................... 38
2.2 Courbes de T2 ............................................................................................ 39
IV. COURBES DES PARAMETRES 𝑯𝒊𝒋𝑬 ............................................................ 41
1. Transistor T1 .................................................................................................... 41
2. Transistor T2 .................................................................................................... 45
V. ETUDE DE L’AMPLIFICATEUR EN REGIME STATIQUE ........................... 49
1. Tracé des droites de charges et détermination du point de fonctionnement de chaque
transistor ................................................................................................................. 49
1.1. Transistor T1 .............................................................................................. 49
1.2. Transistor T2 .............................................................................................. 50
2. Détermination des résistances de polarisation d montage ................................... 51
2.1 Schéma du montage ................................................................................... 51
2.2 Câblage de l’amplificateur en régime statique .............................................. 53
3. Comparaison avec les valeurs de proteus ........................................................... 54
4. Détermination des paramètres hybrides hij de T1 et T2 ...................................... 55
4.1. Transistor T1 .............................................................................................. 55
3.1. Transistor T2 .............................................................................................. 57
CONCLUSION ......................................................................................................... 59

IIIème PARTIE : ANNEXES

1. Courbes des hyperboles de dissipation ............................................................... 62


2. Databook du transistor ...................................................................................... 62

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INTRODUCTION GENERALE
Dans l’UE TP électronique II, il nous est donné de réaliser un mini-projet dans le
but d’acquérir un savoir-faire effectif en électronique. Ceci par la mise en pratique des cours
théoriques appris durant les classes antérieures.
Pour se faire, nous avons commencé par des cours théoriques au laboratoire visant
à faire des rappels et à combler nos différentes lacunes ; prérequis nécessaires au bon
déroulement de notre projet.
En effet, notre mini-projet consiste en la conception et la réalisation d’un
amplificateur deux étages classe A à contre réaction d’émetteur. Le projet étant divisé
en deux parties à savoir :
 Caractérisation et étude statique du montage
 Etude en régime dynamique et réalisation proprement dite de l’amplificateur
Le présent rapport rend compte des différentes activités effectuées dans la première
partie de notre cours. Pour cela il s’articule en deux grandes axes à savoir :
 RAPPELS THEORIQUES ET PRISE DE CONTACT AVEC LE
LABORATOIRE D’ELECTRONIQUE.

 CARACTERISATION ET ETUDE STATIQUE DU MONTAGE.

Un second rapport sera rédigé et rendra compte de l’ETUDE EN REGIME


DYNAMIQUE ET DE LA REALISATION PROPREMENT DITE DE
L’AMPLIFICATEUR.

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Ière PARTIE : RAPPELS THEORIQUES ET
PRISE DE CONTACT AVEC LE
LABORATOIRE D’ELECTRONIQUE

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I. INTRODUCTION
Le laboratoire d’électronique est un environnement expérimental qui gère
principalement des courants et des tensions faibles. Le but de cette partie est de nous
familiariser avec l’environnement du laboratoire d’électronique : appareils et instruments
utilisés en électronique, leur utilisation et leur mode de fonctionnement.

 Compétences attendues :
- Identification des différents appareils et instruments de base en électronique;
- Compréhension du principe de fonctionnement de chaque appareil et
instrument;
- Utilisation de ces appareils lors des différentes manipulations.

II. TYPES DE CABLES

Les câbles et les sondes permettent de relier les composants du circuit et/ou de
connecter les appareils de mesure. Au laboratoire d’électronique nous disposons des
différents types de câbles suivants :
1. Les câbles bananes avec reprise arrière ou non
On dispose de deux diamètres : 4mm et 2mm. Les câbles bananes de 2mm sont prisés pour
les circuits logiques tels que dans les multimètres et en général les câbles bananes sont adaptés
pour le continu et la très basse tension. Le câble banane de 4mm est muni d’un système de
ressort pour permettre une bonne connexion avec le câble dans lequel il sera inséré.

2. Les câbles coaxiaux BNC, BNC-BNC


Ce sont des câbles qui possèdent deux conducteurs, un fil conducteur intérieur central
pour le signal et le conducteur extérieur pour le blindage contre les champs parasites qui
doit être mise à la masse. On distingue : les câbles coaxiaux BNC-banane : l’un des côtés est
BNC et l’autre banane ; et les câbles coaxiaux BNC-BNC : les deux cotés sont BNC. Ils sont
présents au laboratoire en grande quantité.

3. Les sondes d’oscilloscope


Elles sont constituées de deux parties :
- le câble coaxial BNC
- le réducteur de tension
Le fonctionnement de la sonde est décrit ci-dessous :

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Supposons qu’on connecte notre sonde à un oscilloscope (représenté sur notre schéma ci-
dessous par Rp//Cp).

𝑉𝑜𝑠𝑐 : Tension à la borne de l’oscilloscope


𝑉𝑚 : Tension entre la partie réductrice et la masse.
Remarque :
 Si K est fermé, alors :

𝑉𝑜𝑠𝑐 = 𝑉𝑚 ; Ceci correspond au « X1 » de la partie réductrice.


 Si K est ouvert alors :
𝑍𝑝 𝑅𝑝 𝑅
𝑉𝑜𝑠𝑐 = 𝑍 𝑉𝑚 Avec 𝑍𝑝 = 1+𝑗𝑅 et 𝑍0 = 1+𝑗𝑅 0𝐶
𝑝 +𝑍0 𝑝 𝐶𝑝 𝜔 0 0𝜔

Où 𝑍𝑃 est l’impédance de l’oscilloscope et 𝑍0 est celle de la sonde.


Ainsi avec les valeurs de 𝑅𝑝 et 𝐶𝑝 données sur l’oscilloscope 𝑅𝑝 ≈
1𝑀Ω et 𝐶𝑝 entre 10pF et 30pF ceci correspond au « X10 » de la partie
réductrice.
𝑅𝑝
𝑍𝑝 1+𝑗𝑅𝑝 𝐶𝑝 𝜔 𝑅𝑝 (1+𝑗𝑅0 𝐶0 𝜔)
Nous avons = 𝑅𝑝 𝑅0
=𝑅
𝑍𝑝 +𝑍0 + 𝑝 (1+𝑗𝑅0 𝐶0 𝜔)+𝑅0 (1+𝑗𝑅𝑝 𝐶𝑝 𝜔)
1+𝑗𝑅𝑝 𝐶𝑝 𝜔 1+𝑗𝑅0 𝐶0 𝜔

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𝑅𝑝 + 𝑗𝑅𝑝 𝑅0 𝐶0 𝜔
=
(𝑅𝑝 + 𝑅0 ) + 𝑗𝜔((𝑅𝑝 𝑅0 𝐶0 + 𝑅0 𝑅𝑝 𝐶𝑝 )

(𝑅𝑝 + 𝑗𝑅𝑝 𝑅0 𝐶0 𝜔)[(𝑅𝑝 + 𝑅0 ) − 𝑗𝜔((𝑅𝑝 𝑅0 𝐶0 + 𝑅0 𝑅𝑝 𝐶𝑝 )]


=
(𝑅𝑝 + 𝑅0 )2 + (𝑅𝑝 𝑅0 𝐶0 + 𝑅0 𝑅𝑝 𝐶𝑝 )2 𝜔 2

𝑅𝑝 (𝑅𝑝 + 𝑅0 ) + 𝑅𝑝 2 𝑅0 2 𝐶0 𝜔2 (𝐶0 + 𝐶𝑝 ) 𝑅𝑝 𝑅0 𝐶0 𝜔(𝑅𝑝 + 𝑅0 ) − 𝑅𝑝 2 𝑅0 𝜔(𝐶0 + 𝐶𝑝 )


= +𝑗
(𝑅𝑝 + 𝑅0 )2 + (𝑅𝑝 𝑅0 𝐶0 + 𝑅0 𝑅𝑝 𝐶𝑝 )2 𝜔 2 (𝑅𝑝 + 𝑅0 )2 + (𝑅𝑝 𝑅0 𝐶0 + 𝑅0 𝑅𝑝 𝐶𝑝 )2 𝜔 2

𝑍𝑝
𝐼𝑚 ( ) = 0 signifie donc 𝑅𝑝 𝑅0 𝐶0 𝜔(𝑅𝑝 + 𝑅0 ) − 𝑅𝑝 2 𝑅0 𝜔(𝐶0 + 𝐶𝑝 ) = 0
𝑍𝑝 + 𝑍0

Donc 𝐶0 (𝑅𝑝 + 𝑅0 ) = 𝑅𝑝 𝜔(𝐶0 + 𝐶𝑝 )

Donc 𝑹𝟎 𝑪𝟎 = 𝑹𝒑 𝑪𝒑

En effet, lorsque 𝑅0 𝐶0 = 𝑅𝑝 𝐶𝑝 on observe que :


𝑅𝑝
𝑍𝑝 1 + 𝑗𝑅𝐶𝜔
=
𝑍𝑝 + 𝑍0 𝑅𝑝 𝑅0
1 + 𝑗𝑅𝐶𝜔 + 1 + 𝑗𝑅𝐶𝜔
𝑅𝑝
=
𝑅𝑝 + 𝑅0
𝑹𝒑
Donc il y a disparition des effets capacitifs et 𝑽𝒐𝒔𝒄 = 𝑽𝒎
𝑹𝒑 +𝑹𝟎

III. ELEMENTS PASSIFS


Le laboratoire dispose de plusieurs éléments passifs. Nous avons entre autres :
1. Les résistances
Une résistance est un composant électrique dont la principale caractéristique est
d'opposer une plus ou moins grande résistance (mesurée en ohms) à la circulation du
courant électrique.
Une résistance est caractérisée par sa valeur, sa précision et sa puissance. Les différents
types rencontrés sont :
 Les résistances bobinées de puissance
Elles sont obtenues par bobinage de fil résistant (ni-chrome V) sur un support
réfractaire ayant une bonne tenue en température.
 0.1 à 200 kΩ
 Série E12
 3 W à 200 w

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 Résistances bobinées de précision
Elles sont obtenues par bobinage d’un fil en alliage tel le manganin ou le
constantan, autour de bâtonnets en plastique ou en stéatite.
 0.1 à 1MΩ
 Séries E96
 0.1W à 2W

 Résistances à couche de carbone


Elles sont obtenues par une dépose par pyrolyse de carbone sur un bâtonnet en
céramique préalablement cuit au four.
 0.1 à 1 MΩ
 Série E12, E24, E48 et E96
 0.1 à 2W

 Résistances à couche métallique


Elles sont obtenues par l’évaporation de différents métaux (or, platine, Rhodium,
palladium) sur un bâtonnet en céramique ou en verre.
 0.1 à 100MΩ
 Série E12, E124, E48 et E96
 0.1 W à 2W

 Résistances verre-métal à couche épaisse


Elles sont obtenues par un dépôt par sérigraphie de pates résistantes sur des supports
en céramique ou en Alumine.
 10 à 100MΩ
 Séries E3, E6, E12 et E24
 0.1 à 2W

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 Résistances agglomérées
Elles sont obtenues par moulage dans un tube de bakélite de pates résistantes
composées de silice, de bakélite ou de carbone.
 0.1 à 100MΩ
 Série E12, E24, E48, E96
 0.1 W à 2W

On dispose de plusieurs méthodes pour obtenir la valeur d’une résistance. L’une des
méthodes faciles est d’utiliser un multimètre. Pour cela il suffit de régler le multimètre a la
position ohm sur un calibre suffisamment élevé ensuite connecter les deux sondes du
multimètre. Si aucune valeur ne s’affiche diminuer le calibre jusqu’à obtention d’une
valeur. La valeur affichée est alors celle de la résistance. Cependant on dispose d’une autre
méthode appelée code de couleur des résistances qui permet d’avoir l’ordre de grandeur
d’une résistance ou sa valeur à une incertitude près. Cette méthode peut être appliquée
avant une mesure au multimètre afin de bien choisir le calibre. On a quatre ou cinq
anneaux de couleur et à chaque couleur correspond un chiffre. Les 2/3 premiers chiffres
sont pour la valeur, le suivant pour le multiplicateur et le dernier pour la tolérance. Le tableau
ci-dessous donne l’équivalence couleur-chiffre.

La valeur de la résistance est donnée par la formule :


 𝑅 = 𝑎𝑏 ∗ 10𝐶 Ω ± d% (Pour deux chiffres significatifs)
 𝑅 = 𝑎𝑏𝑐 ∗ 10𝑑 Ω ± e% (Pour trois chiffres significatifs)

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Exemple : cas de la résistance

R=12 ∗ 105 Ω ± 10% =1200 kΩ ±10%

2. Les condensateurs

D’autres éléments passifs présents au laboratoire sont les condensateurs. Un


condensateur est un composant électrique élémentaire, constitué de deux armatures
conductrices (appelées « électrodes ») en influence totale et séparées par un isolant
polarisable ou « diélectrique ». Sa propriété principale est de pouvoir stocker des charges
électriques opposées sur ses armatures.
Leurs principales caractéristiques sont : la valeur, la tension de service et la polarisation.
Nous avons :
 Les condensateurs électrolytiques : ils ont une capacité élevée et sont sensibles à la
polarité de la tension électrique qui leur est appliquée. Ils ont une borne négative et
une positive.
 Les condensateurs à isolant :
 Les condensateurs ajustables à air : utilisés pour le choix des stations dans
les postes récepteurs de radio.
 Les condensateurs en céramique (utilisés pour la réalisation des filtres)
 Les condensateurs à isolant plastique (utilisés pour la réalisation des filtres)

Tout comme les résistances, on peut déterminer la valeur d’un condensateur par un
code de couleur en plus de sa mesure avec un multimètre.

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Exemple : cas du condensateur

𝐶 = 15 ∗ 10−10 F de tension maximale comprise entre 250V − 300V

3. Les selfs inductances


Il suffit de bobiner un conducteur pour créer une self. Et tout bout de fil est une self. Il existe
plusieurs types de self-inductance parmi lesquelles les selfs de choc et les autres selfs. La self
de choc permet de protéger un dipôle contre certaines fréquences. Les selfs sont des
composantes les plus solides et fiables. En les couplant, elles sont à l’origine des
transformateurs.

IV. LES ELEMENTS ACTIFS

1. Les diodes
Les principaux types de diodes rencontrés au laboratoire sont :
 Diode de redressement
Elles sont utilisées essentiellement dans les montages redresseurs pour passer d'une
tension alternative à une tension continue. Elles présentent généralement les
caractéristiques suivantes : fort courant direct, de quelques 10A à quelques milliers

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d'ampères, une forte tension inverse, plusieurs centaines de volts, une forte dissipation de
puissante, peu rapide de quelques dizaines de Hz.

 Diode zener
La diode zener ou diode à avalanche contrôlée présente la particularité de ne pas se
détruire lorsqu'en inverse elle atteint sa zone d'avalanche. Elle est essentiellement utilisée
pour cette caractéristique donc en inverse. La diode zener ne laisse passer le courant que
dans un un sens, mais permet le passage du courant dans le sens inverse à partir d’une
certaine tension inverse sans destruction de la diode. Une diode zener correspond à un
clapet anti retour équipé d’une soupape de sécurité dans un circuit hydraulique.

 Diode électroluminescente
Les diodes électroluminescentes (LED ou DEL) présentent la particularité d'émettre de
la lumière dans un spectre plus ou moins large suivant la conception de la diode.
L'ensemble du spectre visible est actuellement couvert, mais on trouve aussi des diodes
infrarouges. La tension de seuil de la diode est d'autant plus grande que le spectre émis est
énergétique. Ces diodes ne supportent généralement que quelques volts de tension inverse.
Les diodes électroluminescentes sont utilisées en traitement du signal dans les
photocoupleurs.

 Photodiode
La photodiode génère un courant à partir des paires électrons-trous produites par
l'incidence d'un photon suffisamment énergétique dans le cristal. L'amplification de ce
courant permet de réaliser des commandes en fonction de l'intensité lumineuse perçue par

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la diode (interrupteur crépusculaire par exemple). Les photodiodes fonctionnent selon deux
modes :
 Le mode photoconducteur (lorsque la source de polarisation est inverse) : les
photodiodes servent à la mesure quantitative de la lumière, à la fabrication des
télécommandes, à la transmission à distance (télécommunications) ;
 Le mode photovoltaïque (lorsqu’il n’y a pas de source de polarisation) : des techniques
de fabrication appropriées permettent d’obtenir des photodiodes spéciales pour la
conversion de l’énergie solaire en énergie électrique : ce sont les cellules solaires ou
photopiles.

 Diode varicap
La diode varicap est utilisée en polarisation inverse. Sa particularité est de présenter
une capacité qui dépend de cette polarisation. Elles sont généralement utilisées dans tous
les systèmes à accord numérique tels que des récepteurs radios et TV.

 Diode schottky
Ce sont des diodes rapides qui présentent la particularité d'avoir une tension de seuil faible.
Ses autres caractéristiques sont similaires aux diodes rapides : faible courant direct,
quelques dizaines de mA, faible tension inverse, quelques dizaines de volts, faible
dissipation de puissance, quelques dizaines de mW, commutation très rapide.

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Le tableau ci-dessous regroupe les principales propriétés de quelques diodes.

La tension Vd représente la tension à partir de laquelle la diode est dite « passante ». La


Δv
résistante dynamique est donnée par : R d =
ΔI

V
d
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La figure ci-dessous regroupe les caractéristiques de différentes diodes.

2. Les transistors

 Les transistors bipolaires (BJT)

a. Description et symboles d’un BJT


Le transistor est formé par la succession de trois semi-conducteurs, respectivement de
type P-N-P ou N-P-N, ce qui conduit à la description suivante :

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Des connexions métalliques sont fixées sur la partie centrale appelée base B et sur les
deux extrémités appelées respectivement émetteur E et collecteur C. Bien que le transistor soit
en apparence symétrique, on ne peut pas permuter émetteur et collecteur car, par construction,
les jonctions base-émetteur et base-collecteur ne sont pas identiques. La figure suivante indique,
par exemple, la structure d’un transistor de type planar :
 l’émetteur est beaucoup plus dopé que la base,
 la flèche qui repère l’émetteur indique le sens passant de la jonction émetteur-base.

b. Principe de fonctionnement du BJT


Dans un transistor réel, on apporte les trous en créant une jonction PN, que l'on va
polariser en direct. On rajoute pour ce faire une zone P sur la zone N. Cette zone P qui injecte
les trous est alors l'émetteur, et la zone N, faiblement dopée est la base. Comme dans le schéma
précédent, la jonction NP est polarisée en inverse. La deuxième zone P est le collecteur.

Les trous injectés dans la base par l'émetteur ont une faible probabilité de se recombiner
avec les électrons de la base pour deux raisons :
 la base est faiblement dopée, donc, les porteurs majoritaires (électrons) seront peu
nombreux.

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 la base est étroite, et donc les trous émis sont happés par le champ électrique collecteur-
base avant d'avoir pu se recombiner (la largeur de la base est petite devant la longueur
de diffusion des porteurs minoritaires injectés par l'émetteur, qui sont ici les trous).
On peut observer le phénomène d'un point de vue différent : quand on injecte un électron
dans la base, l'émetteur devra envoyer plusieurs trous dans la base pour qu'il y en ait un qui se
recombine avec l'électron émis. Les autres trous vont passer directement dans le collecteur.
En première approximation, le nombre de trous passant dans le collecteur est
proportionnel au nombre d'électrons injectés dans la base. Ce rapport de proportionnalité est un
paramètre intrinsèque au transistor et s'appelle le gain en courant β. Il ne dépend que des
caractéristiques physiques du transistor : il ne dépend ni de la tension inverse collecteur base,
ni du courant circulant dans le collecteur. (Ceci n'est qu'une approximation, mais dans les
hypothèses de petits signaux, c'est assez bien vérifié.).

c. Effet transistor
L’effet transistor consiste à contrôler, à l’aide du courant de base𝐼𝐵 , relativement faible,
un courant de collecteur𝐼𝐶 , beaucoup plus important.

d. Caractéristique électrique
Quand on branche un transistor, si on s'arrange pour qu'il y ait une patte commune à
l'entrée et à la sortie du montage, il y a 3 manières fondamentales de procéder :
 Si la patte commune est l'émetteur alors on parle de montage émetteur commun.
L'entrée est la base et la sortie le collecteur.
 Si la patte commune est la base alors on parle de montage base commune. L'entrée est
l'émetteur et la sortie le collecteur.
 Si la patte commune est le collecteur alors on parle de montage collecteur commun.
L'entrée est la base et la sortie l'émetteur.
Nous pouvons utiliser le montage suivant :

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 Caractéristique d’entrée (𝑽𝑩𝑬 = 𝒇(𝑰𝑩 ) à 𝑽𝑪𝑬 constant):
Cette caractéristique a cette allure car entre base et émetteur, on retrouve la structure
d’une diode à jonctions.
 Caractéristique de transfert (𝑰𝑪 = 𝒇(𝑰𝑩 ) à 𝑽𝑪𝑬 constant):
La caractéristique de transfert est pratiquement une droite ; le transistor est un
générateur de courant commandé par un courant. On définit le gain du transistor 𝜷 par :
△ 𝑰𝑪
𝜷=
△ 𝑰𝑩

 Caractéristique de sortie (𝑰𝑪 = 𝒇(𝑽𝑪𝑬 ) à 𝑰𝑩 constant):


En pratique, on donne un réseau de caractéristiques pour plusieurs valeurs de 𝐼𝐵 . Ici,
nous distinguons 3 zones :
 Zone de saturation (démontré sur le graphe en bleu): on remarque que 𝐼𝐶 <
𝛽𝐼𝐵 et que la jonction base-émetteur est polarisé en directe.
 Zone de blocage (démontré sur le graphe en rouge): 𝐼𝐶 = 0, 𝐼𝐵 = 0, la jonction
B-E est bloquée.
 Zone de fonctionnement linéaire : Pour une valeur fixe de 𝐼𝐵 , 𝐼𝐶 est
𝐼
pratiquement constant et indépendant de 𝑉𝐶𝐸 (𝛽 = 𝐼 𝐶 ).
𝐵

e. Puissance dissipée par un transistor - domaine utilisable :

Les constructeurs précisent, pour chaque type de transistor, les valeurs à ne pas dépasser
sous peine de détruire le composant. La puissance que peut dissiper un transistor est donnée par
:
𝑷𝒅 = 𝑽𝑪𝑬 𝑰𝑪 + 𝑽𝑩𝑬 𝑰𝑩

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C’est-à-dire la somme des puissances fournies au transistor par les circuits d’entrée et
de sortie.
En fonctionnement linéaire, 𝑉𝐵𝐸 𝐼𝐵 ≪ 𝑉𝐶𝐸 𝐼𝐶 .

Ainsi,
𝑷𝒅 = 𝑽𝑪𝑬 𝑰𝑪

Les coordonnées des points pour lesquels la puissance maximale est atteinte sont liées
par la relation :
𝑷𝒅𝒎𝒂𝒙 = 𝑽𝑪𝑬 𝑰𝑪
Donc
𝑷𝒅
𝑰𝑪 = 𝒎𝒂𝒙
𝑽𝑪𝑬
Dans le réseau de sortie, cette relation est l’équation de l’hyperbole de dissipation
maximale (H).

f. Polarisation d’un BJT


Il faut maintenant imposer le mode de fonctionnement du transistor (bloqué, saturé ou
linéaire). C'est à dire qu'il faut se fixer les grandeurs𝐼𝐵 , 𝐼𝐶 , 𝐼𝐸, 𝑉𝐶𝐸 et 𝑉𝐵𝐸 . Ces grandeurs vont
être imposées par les éléments extérieurs au transistor.
Nous pouvons polariser le transistor de différentes façons. Par exemple : la polarisation
par deux sources de tension, polarisation par résistance émetteur, polarisation par pont
résistance sur la base, etc.
Considérons le montage de la polarisation de base de la figure 11. D'après la loi des
mailles appliquée sur le circuit, nous avons :
𝑉𝐶𝐸 = 𝐸𝐶 − 𝑅𝐶 𝐼𝐶 (Droite de charge statique)
Et
𝑉𝐵𝐸 = 𝐸𝐵 − 𝑅𝐵 𝐼𝐵 (Droite d’attaque)
Sur la caractéristique𝐼𝐶 = 𝑓(𝑉𝐶𝐸 ), on trace la droite de charge statique (figure 13). Le
point d'intersection entre la droite de charge statique et les caractéristiques du transistor nous
donne le point de fonctionnement (point de polarisation ou point de repos) 𝑃0 , 𝑃1 ou 𝑃2 du
montage.
Ce sont les éléments extérieurs au transistor qui vont fixer ce point de fonctionnement :
 Si le point de fonctionnement est en 𝑃0 alors le transistor fonctionne dans la zone
linéaire.
 Si le point de fonctionnement est en P2 alors le transistor est bloqué.
 Si le point de fonctionnement est en P1 alors le transistor est saturé.

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Le choix du point de fonctionnement est déterminé par l'application du montage. Nous
verrons, lors de l'étude des amplificateurs à transistors, que certaines résistances du montage
seront déterminées par le cahier des charges lié à l'amplificateur (amplification en tension,
résistance d'entrée, etc.).
Remarque : Un transistor fonctionne en classe A s’il n’est jamais bloqué ni saturé. C’est-à-
dire, il fonctionne en zone linéaire.

V. APPAREILS DU LABORATOIRE
1. Appareils de mesure

 L’oscilloscope : permet de mesurer et de visualiser les signaux qui varient dans le


temps.

C’est un appareil de mesure qui permet de visualiser la tension mesurée sur un écran
gradué selon deux axes : L’axe vertical (tension en volt) possède 10 divisions et l’axe
horizontal (temps en seconde) il possède aussi 10 divisions. Chaque division est divisée en
5 sous divisions. L’oscilloscope possède 2 entrées CH1 et CH2 dont l’impédance d’entrée
de chaque entrée est : (Rentrée = 1 Mega ohm, Centrée = 20 pF) Ces deux entrées peuvent
être visualisées sur l’écran séparément en agissant sur le bouton CH I/II ou en ensemble.
On peut également additionner ces deux entrées.
Chaque entrée de l’oscilloscope peut être utilisée sur l’un des trois modes suivants :

f) : permet d’éliminer la composante continue du signal et


ne laisse passer que la composante alternative du signal mesuré.
: permet de visualiser signal d’entré tel qu’il est mesuré.
Pour lire une courbe sur l’écran de l’oscilloscope :
 Sur l’axe vertical, on multiplie le nombre de division lues par la sensibilité verticale
choisie (volt / div),

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 Sur l’axe horizontal, on multiplie le nombre de division lues par la base du temps (ms /
div)
L’oscilloscope peut aussi mesurer :
Le temps (période, temps de monté, temps de réponse …),

 Démarche à suivre lorsqu’on veut utiliser un oscilloscope :


-Tous les boutons doivent être sortis,
-Tous les verniers des calibres en position calée à droite,
-Mettre les voies d’entrés CH I et CH II en mode GND pour régler les axes des
deux voies confondues avec l’axe horizontal de l’écran. Une fois le cadrage est réglé,
enlever ce mode de couplage et utiliser le mode de couplage DC.
-Appliquer le signal à visualiser sur l’une des deux voies et agir sur la sensibilité
verticale (volt/div) et sur la base du temps (ms / div) jusqu’à obtenir une image
nette sur l’écran.

 Le multimètre
Le multimètre est un appareil de mesure très utilisé en électronique grâce à ses multiples
fonctions. Il est doté de 02 sondes ; rouge et noire placées respectivement sur la borne de
mesure (tension, courant, impédance…) et sur la borne COM comme référence.

Le multimètre peut servir à :

 Test de continuité grâce à l’utilisation de la fonction « test de diode »


C’est le premier test que l’on doit effectuer lorsqu’on veut utiliser des appareils
électroniques et le multimètre lui-même.

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Un multimètre positionné sur la position test de diode ( ), fournit une tension
suffisante pour une polarisation directe ou inverse sur une diode. Cette tension interne
peut varier selon la marque du multimètre, bien qu’elle se situe typiquement entre 2.5 V
et 3.5 V.
 Lorsque la diode est en bon état, le multimètre affiche une lecture entre 0.5 V et
0.9 V en sens direct (anode (+), cathode (com)) et une valeur entre 2.5 V et 3.5 V
en sens inverse (anode (com), cathode(+))
 Lorsque la diode est défectueuse, le multimètre affiche une valeur entre 2.5 V et
3.5 V dans les deux cas (sens direct et sens inverse) lorsqu’elle est ouverte et une
tension 0V lorsqu’elle est court-circuitée.
En partant du même principe on peut vérifier l’état d’une inductance ou d’un transistor ou
encore d’une capacité.
Le test de continuité permet aussi de vérifier que les câbles fonctionnent bien, en particulier
les sondes du multimètre. Pour cela il suffit de connecter la sortie + et la sortie - du
multimètre aux bornes + et – respectives de l’élément à mesurer. Pour les éléments sans
polarité comme les résistances on peut choisir de connecter les bornes arbitrairement. Si
on n’a pas de bip sonore, le problème peut varier : soit le contact sondes-multimètre n’est
pas bon, soit les sondes ont un problème de coupure de fil ou alors le multimètre est
défectueux.
Le multimètre comporte plusieurs fonctions :

 La fonction ohm-mètre : pour la mesure des résistances


 La fonction voltmètre : pour la mesure des tensions, il est branché en parallèle.
 La fonction ampèremètre : pour la mesure des courants, il est branché en série.
 La fonction fréquencemètre : pour la mesure des fréquences

La formule pour le calcul d’erreur est donnée par le constructeur et est de la forme :
𝑥% 𝑣𝑎𝑙𝑒𝑢𝑟 𝑙𝑢𝑒 + 𝑎 U. R
Où U.R (unité de représentation) est l’unité du dernier chiffre affiché.

2. Générateurs
Pour générer une tension ou un courant électrique. Nous distinguons :
 Générateurs de tension continue
 Générateurs de tension alternative
 Générateur audio
 Générateur basse fréquence

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VI. AUTRES EQUIPEMENTS
1. Plaque à essai

La méthode pour tester un montage électronique sans réaliser de circuit imprimé


consiste à utiliser une plaque à essai. Grâce à ce petit outil, on n’a pas besoin d’effectuer
des soudures, il suffit juste de placer les composants sur la plaque et réaliser le montage
souhaité. Néanmoins, avant tout branchement, il faut effectuer le test de continuité sur la
plaque pour déterminer les zones qui sont au même potentiel. Pour cela, on utilise des
monobrins et un multimètre.
Lorsqu’on effectue des montages, on met un bout du monobrin sur une encoche de la
plaque et l’autre bout sur une ligne/colonne de la plaque ; puis on utilise un câble
banane/banane pour alimenter la plaque.

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2. Boitier de réseau de résistances et boitier de réseau de capacités

3. Equipements de soudure et dessoudure à l’étain

La soudure (brasure) à l’étain repose sur quelques principes de base simples. Son but
premier est d’assurer une excellente conductibilité électrique entre différents conducteurs
(électrodes métalliques d’un composant, circuit imprimé, fil, etc.). Pour effectuer une
soudure parfaite, il faut toujours garder en tête que les deux conducteurs doivent avoir
une température supérieure au point de fusion du fil à souder. Pour atteindre les
températures voulues, il faut favoriser le transfert de chaleur du fer chaud vers les
conducteurs. Dans le cas de soudure sur un circuit imprimé, il faut contrôler son état de
conductibilité électrique (validation) avant d’implanter les composants.
La soudure se fait en chauffant les deux parties métalliques à souder (dans ce cas, le
circuit imprimé et le composant électronique mis en place) et en y appliquant le fil de
soudure (mélange étain +plomb + flux de soudure) qui fond à la chaleur et se combine aux
éléments à souder. Cela permet d'obtenir un lien métallique solide entre les deux parties,
qui assure à la fois la continuité électrique et la solidité mécanique.

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 Fer à souder (#3) : Le rôle du fer se limite à chauffer les pièces (électrodes du
composant et surface étamée) afin d’obtenir la température idéale pour faire fondre
le fil à souder. Il existe différents types de fer, en voici deux exemples : le pistolet
et le crayon à température fixe. On doit choisir la puissance du fer en fonction du
type de soudure à effectuer, de la sorte de fil utilisé ou du diamètre de ce dernier.
Nous pouvons trouver des pannes de différentes formes et de différentes grosseurs
selon le travail demandé.

 Fil à souder (soudure) (#6) : On retrouve des fils composés de différents alliages
d’étain. La température de fusion sera différente d’un alliage à un autre et s’il
contient ou pas de plomb (ex : avec plomb ± 180oC et sans plomb ± 220oC).
Généralement, le fil à souder contient du flux de soudure. Ce produit acide permet
un nettoyage des pièces et favorise l’adhérence de la soudure sur ces dernières. Un
fil à souder d’un diamètre entre 0,5 et 0,8 mm est idéal pour les soudures effectuées
en classe.

 Eponge humide pour nettoyer le fer, réservée à cet emploi ;


 Papier de verre au grain fin pour éventuellement frotter le circuit imprimé s'il est
oxydé ;
 Tresse à dessouder ou Pompe (indispensable en cas d'erreur) ;
 Pince coupante pour couper les pattes des composants après soudure ;
 Pince plate (pour redresser les pattes de composants) ;
 Pince à dénuder (pour préparer les fils) :
Voici, en quelques dessins quelque étapes d’une bonne soudure :

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VII. CONCLUSION PARTIELLE

A la fin de cette première partie de notre TP qui avait pour but de nous familiariser à
l’environnement du laboratoire d’électronique et combler nos lacunes des années
antérieures. Nous pensons avoir atteint cet objectif car maitrisons dès lors le
fonctionnement de chacun des composants identifiés ci-dessus à savoir : appareils de
mesures, composants actifs et passifs, différents câbles et sondes ; ainsi que les techniques
de soudure. Nous sommes donc aptes à aborder la deuxième partie de notre TP qui consiste
à une application de ces différentes notions acquises via un mini projet de conception.

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IIème PARTIE : MINI-PROJET
CARACTERISATION ET ETUDE
STATIQUE DU MONTAGE.

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I. INTRODUCTION

Le but de ce mini-projet est de permettre à chaque étudiant que nous sommes d’acquérir
un savoir-faire effectif en électronique en passant de la théorie à la pratique. Le projet
consiste en la conception et réalisation d’un amplificateur 2 étages classe A à contre
réaction. Un cahier de charges nous a été fourni avec des directives et instructions
nécessaires.
Ce rapport s’articule en quatre principales parties:
- PRESENTATION DU MONTAGE ET CAHIER DE CHARGE
- TRACE EXPERIMENTAL DES CARACTERISTIQUES COURANT-
TENSION DES TRANSISTORS
- DETERMINATION DES PARAMETRES 𝐻𝑖𝑗𝐸
- ETUDE DE L’AMPLIFICATEUR EN REGIME STATIQUE

II. PRESENTATION DU MONTAGE ET CAHIER DE


CHARGE

Notre amplificateur est constitué de deux étages à liaison directe:


- Un étage amplificateur de tension qui réalise une contre réaction d’émetteur du type
entrée série sortie série.
- Un étage amplificateur de courant qui réalise une contre réaction totale d’émetteur
du type entrée série sortie parallèle.
L’association de ces deux étages: le premier en émetteur commun et le second en
collecteur commun vise une amplification en puissance car le premier amplifie en tension
et le deuxième amplifie en courant avec un gain en tension quasiment égale à l’unité.

 Cahier de charges

- Pour T1: Ibmax=10uA Vcemax=20V


- Pour T2: Ibmax=50uA Vcemax=20V
- E=20V
- Le point de fonctionnement de chaque transistor sera choisi au milieu de la droite
de charge
- Les transistors T1 et T2 doivent demeurer exclusivement en régime linéaire durant
le fonctionnement dynamique.

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 Schéma du montage

RC1
5.6k

+88.8
mA
RB1
390k
C3

+88.8
mA
100u
Q2 B1
+88.8 BC327 +88.8 20V
µA Volts

C1(1) C1 Q1
+88.8 BC327 +88.8
µA Volts
100u

R5
1.8k C2
RB2 100u
68k R2
1.5k

D
A

B
III. TRACE EXPERIMENTAL DES CARACTERISTIQUES
COURANT-TENSION DES TRANSISTORS

Nous avons à notre disposition deux transistors:


- Un transistor de type PNP BC 3270 25G de gain β1=367
- Un transistor de type PNP BC 3270 25G de gain β2=304
La caractérisation de chaque transistor est effectuée à l’aide du schéma de montage ci-
dessous.

 Matériel utilisé

- 2 transistors BC 3270 25G type PNP


- Une alimentation capable de fournir une tension continue de 30V.
- Une alimentation continue capable de fournir une tension continue variable de 0 à
30V.
- Une résistance de base RB0 et une résistance de collecteur RC pour chacun des 2
transistors.
- un voltmètre
- un milliampèremètre
- une boite de résistances variables 𝑅𝐵1
- des câbles de connexions (câbles banane _banane, banane avec reprise arrière, fils
monobrins)
- une plaque a essai

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 Schéma de montage
Ce montage permet d’avoir les caractéristiques des 4 quadrants des transistors T1 et T2.
Ces tracés nous permettront de déterminer les paramètres hybrides de ces transistors et les
points de fonctionnement.

RC
+88.8
mA 8.2K

RB1
RB0 T
BC327
3M
CN1206K30G

EC
EB +88.8 1.5V
30V Volts

+88.8
Volts

La source EB est fixée à 30V, la source EC varie de 0 à 30V. La résistance variable de


base RB1 et la résistance RB0 permettent de fixer la valeur du courant de base IB. RC est
déterminée en fonction du courant maximal collecteur.

 dimensionnement du montage
Pour chacune des valeurs d’IB comprise entre 0 et 𝐼𝐵𝑚𝑎𝑥 prise à des pas réguliers,
nous calculons RB1. Ensuite pour chacune des valeurs de Ec fixée nous mesurons VCE,
VBE et IC.
Nous appliquons la loi des mailles dans la maille d’entrée du transistor afin de
déterminer l’expression du courant de base. On obtient :
𝐸𝐵 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 =
𝑅𝐵0 + 𝑅𝐵1
Sachant que 𝐸𝐵 ≫ 𝑉𝐵𝐸
𝐸𝐵
𝐼𝐵 ≈
𝑅𝐵0 + 𝑅𝐵1
D’où
𝐸𝐵
𝑅𝐵1 = − 𝑅𝐵0
𝐼𝐵

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Avec:
𝐸𝐵
𝑅𝐵0 =
𝐼𝐵𝑚𝑎𝑥

Nous appliquons la loi des mailles dans la maille de sortie afin de déterminer le courant
collecteur.
𝐸𝑐𝑚𝑎𝑥
𝐼𝐶𝑚𝑎𝑥 =
𝑅𝐶
D’où
𝐸𝑐𝑚𝑎𝑥 𝐸𝑐𝑚𝑎𝑥
𝑅𝐶 = =
𝐼𝐶𝑚𝑎𝑥 𝛽𝐼𝐵𝑚𝑎𝑥
 Photo du montage

1. Caractérisation de T1

β1=367 Ibmax=10uA Ecmax=30V Ecmax=20V


30
𝑅𝐵0 = 10∗10−6 = 3 ∗ 106 Ω

La valeur normalisée appartenant à la série (E12, 5%) est : 𝑹𝑩𝟎 = 𝟑. 𝟑 ∗ 𝟏𝟎𝟔 Ω


30
𝑅𝐵1 = − 3.3 ∗ 106
𝐼𝐵
On obtient le tableau de valeurs ci-dessous :

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𝐼𝐵 (𝑢𝐴) 0.5 1 2 3 4 5 6 7 8 9
𝑅𝐵1 (𝑀Ω) 56.7 26.7 11.7 6.7 4.2 2.7 1.7 0.98 0.45 0.33

30
𝑅𝐶 = = 8.17 ∗ 103 Ω
367 ∗ 10 ∗ 10−6
La valeur normalisée appartenant à la série (E12, 10%) est : 𝑹𝑪 = 𝟖. 𝟐 ∗ 𝟏𝟎𝟑 Ω
Les valeurs obtenues sont récapitulées dans le tableau ci-dessous. Toutes les valeurs ont été
multipliées par -1 afin d’alléger les notations et limiter l’effet miroir du au renversement
des caractéristiques. On se ramène ainsi au cas des transistors NPN pour qui toutes les
grandeurs sont positives.

1.1. Tableau de mesures de T1

Ib=0.5uA
Ic 0 0,000 0,000 0,000 0,000 0,000 0,000 0,000 0,000 0,000
14 14 14 15 16 17 17 18 19
Vce 0 0,721 1,67 2,278 4,73 7,65 10,6 13,5 16,5 19,3
Vb 0 0,535 0,536 0,536 0,536 0,536 0,536 0,536 0,536 0,536
e
Ib=1uA
Ic 0 0,000 0,000 0,000 0,000 0,000 0,000 0,000 0,000 0,000
22 28 3 3 31 35 36 37 39
Vce 0 0,136 0,568 1,5 3,39 6,25 9,12 12 14,87 17,75
Vb 0 0,556 0,56 0,561 0,561 0,56 0,56 0,56 0,56 0,56
e
ib=2uA
Ic 0 0,000 0,000 0,000 0,000 0,000 0,000 0,000 0,000 0,000 0,000
23 346 47 598 633 661 692 715 743 767
Vce 0 0,088 0,109 0,11 1,12 4,02 6,49 9,2 11,95 14,72 17,42
Vb 0 0,558 0,568 0,576 0,58 0,58 0,579 0,579 0,578 0,578 0,577
e
Ib=3uA
Ic 0 0,000 0,000 0,000 0,000 0,000 0,000 0,001 0,001 0,001 0,001 0,001
228 34 477 715 915 965 02 05 086 123 161
Vce 0 0,072 0,09 0,102 0,13 1,5 4,04 6,64 9,32 11,97 14,66 17,3
Vb 0 0,559 0,57 0,576 0,587 0,591 0,59 0,589 0,589 0,588 0,587 0,586
e

Ib=
4
Ic 0 0,000 0,000 0,000 0,000 0,001 0,001 0,001 0,001 0,001 0,001 0,001 0,001
224 36 479 717 073 23 296 349 401 454 503 55
Vce 0 0,06 0,078 0,088 0,11 0,166 1,9 4,26 6,79 9,48 11,95 14,37 17,05
Vb 0 0,559 0,57 0,577 0,587 0,597 0,598 0,598 0,597 0,596 0,595 0,596 0,593
e
Ib=5uA
Ic 0 0,000 0,000 0,000 0,000 0,001 0,001 0,001 0,001 0,001 0,001 0,001 0,001
228 359 467 714 056 428 558 632 7 765 826 889
Vce 0 0,055 0,069 0,079 0,097 0,126 0,205 2,16 4,45 6,96 9,42 11,8 14,25

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Vb 0 0,56 0,57 0,576 0,588 0,598 0,605 0,604 0,603 0,602 0,601 0,6 0,598
e
Ib=6uA
Ic 0 0,000 0,000 0,000 0,000 0,001 0,001 0,001 0,001 0,001 0,002 0,002 0,002
238 336 482 702 071 432 799 909 98 05 14 22
Vce 0 0,048 0,061 0,072 0,087 0,108 0,135 0,239 2,19 4,74 7,08 9,45 11,81
Vb 0 0,562 0,569 0,577 0,587 0,597 0,604 0,609 0,609 0,607 0,606 0,604 0,603
e
Ib=7uA
Ic 0 0,000 0,000 0,000 0,000 0,001 0,001 0,001 0,002 0,002 0,002 0,002 0,002
23 35 48 72 08 45 81 12 23 34 41 5
Vce 0 0,048 0,059 0,067 0,082 0,101 0,121 0,151 0,636 2,68 4,84 7,12 9,47
Vb 0 0,562 0,571 0,578 0,587 0,597 0,604 0,61 0,613 0,612 0,61 0,608 0,608
e
Ib=8uA
Ic 0 0,000 0,000 0,000 0,000 0,001 0,001 0,001 0,002 0,002 0,002 0,002 0,002
23 35 48 72 08 45 81 18 45 55 67 77
Vce 0 0,044 0,055 0,063 0,077 0,094 0,11 0,13 0,163 0,95 2,94 5,07 7,22
Vb 0 0,563 0,572 0,578 0,588 0,597 0,605 0,61 0,615 0,616 0,616 0,614 0,613
e
Ib=9uA
Ic 0 0,000 0,000 0,000 0,000 0,001 0,001 0,001 0,002 0,002 0,002 0,002 0,002
24 35 46 72 08 44 8 17 48 63 73 84
Vce 0 0,044 0,053 0,061 0,075 0,092 0,108 0,126 0,153 0,455 2,44 4,52 6,7
Vb 0 0,564 0,572 0,578 0,587 0,597 0,604 0,61 0,614 0,617 0,616 0,614 0,613
e

1.2. Courbes de T1

Nous avons choisi de tracer nos courbes sur EXCEL du fait de sa facilité d’utilisation
et de sa bonne précision même sur des valeurs de mesure très petites.
1er quadrant : courbe de Ic=f(Vce) à Ib=cste

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Ic(A)
Caracteristique Ic=f(Vce) à Ib=cste T1
0,003

0,0025
IB=0.5uA
IB=1uA
0,002
IB=3uA
IB=4uA
0,0015
IB=5uA
IB=6uA
0,001
IB=7uA
IB=8uA
0,0005
IB=9uA

0 iB=2uA
0 5 10 15 20 25
Vce(V)

2ème quadrant : courbe de Vce=f(Vbe) à Ib=cste

Caracteristique Vce=f(Vbe) à Ib=cste T1


25

20
IB=0.5uA
IB=1uA

15 IB=2uA
Vce(V)

IB=3uA
IB=4uA
10 IB=5uA
IB=6uA
IB=7uA
5
IB=8uA
IB=9uA
0
0,53 0,54 0,55 0,56 0,57 0,58 0,59 0,6 0,61 0,62 0,63
vbe(V)

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Les quadrants à Vce=cste sont déduits des mesures précédentes les résultats obtenus sont
regroupés dans le tableau de mesures ci-dessous :
Vce=6,54V
Ic 0 0,00016 0,00032 0,00066 0,00102 0,00135 0,00169 0,00204 0,0024 0,00274 0,00283
(A) 486 432 216 703 135 459 054 324 784
Vbe( 0 0,53181 0,55454 0,57318 0,58272 0,59090 0,59545 0,60227 0,60227 0,60681 0,60681
V) 818 545 182 727 909 455 273 273 818 818
Vce=5V
Ic 0 0,00016 0,00031 0,00065 0,001 0,00132 0,00164 0,002 0,00235 0,00267 0,00275
(A) 216 081 135 432 865 135 568 946
Vbe 0 0,53181 0,55454 0,57272 0,58409 0,59090 0,59636 0,6 0,60409 0,60681 0,60681
(V) 818 545 727 091 909 364 091 818 818
Vce=3,33V
Ic 0 0,00014 0,0003 0,00063 0,00095 0,00128 0,00160 0,00194 0,00227 0,00257 0,00268
(A) 865 514 946 378 811 865 027 568 108
Vbe 0 0,53136 0,55454 0,57409 0,58409 0,59090 0,59590 0,60136 0,60454 0,60863 0,60863
(V) 364 545 091 091 909 909 364 545 636 636
Vce=1,79V
Ic 0 0,00014 0,00032 0,00062 0,00093 0,00122 0,00154 0,00191 0,00220 0,00251 0,00268
(A) 054 162 162 243 162 054 892 27 622 108
Vbe 0 0,53181 0,55454 0,57681 0,585 0,59318 0,59863 0,60227 0,60681 0,61045 0,61045
(V) 818 545 818 182 636 273 818 455 455

Ib 0 0,00000 0,00000 0,00000 0,00000 0,00000 0,00000 0,00000 0,00000 0,00000 0,00000
(A) 05 1 2 3 4 5 6 7 8 9

3ème quadrant : courbe de Ic=f(Ib) à Vce=cste

Caracteristique Ic=f(Ib) à Vce=cste T1


0,003

0,0025

0,002

Vce=6.54V
Ic(A)

0,0015
Vce=5V
Vce=3.33V
0,001
Vce=1.79V
0,0005

0
0 0,0000010,0000020,0000030,0000040,0000050,0000060,0000070,0000080,0000090,00001
Ib(A)

4ème quadrant : courbe de Vbe=f(Ib) à Vce=cste

MANMBEM ARLETTE (14P196) & EMA’A JOEL (14P050) 36


Caracteristique Ib=f(Vbe) à Vce=cste T1
0,00001

0,000009

0,000008

0,000007

0,000006
Vce=6.54V
Ib(A)

0,000005
Vce=5V
0,000004
Vce=3.33V
0,000003 Vce=1.79V
0,000002

0,000001

0
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7
Vbe(V)

2. Caractérisation de T2

Β2=304 Ibmax=50uA Ecmax=30V Ecmax=20V


30
𝑅𝐵0 = = 0.56 ∗ 106 Ω
50∗10−6

La valeur normalisée appartenant à la série (E12, 5%) est : 𝑹𝑩𝟎 = 𝟎. 𝟓𝟔 ∗ 𝟏𝟎𝟔 Ω


30
𝑅𝐵1 = − 0.56 ∗ 106
𝐼𝐵
On obtient le tableau de valeurs ci-dessous :
𝐼𝐵 (𝑢𝐴) 2 4 6 12 18 24 30 36 42 48
𝑅𝐵1 (𝑀Ω) 14.44 6.94 4.44 1.94 1.106 0.69 0.44 0.273 0.154 0.065

30
𝑅𝐶 = = 1.8 ∗ 103 Ω
304 ∗ 50 ∗ 10−6
La valeur normalisée appartenant à la série (E12, 5%) est : 𝑹𝑪 = 𝟏. 𝟖 ∗ 𝟏𝟎𝟑 Ω
Les valeurs obtenues sont récapitulées dans le tableau ci-dessous. Toutes les valeurs ont été
multipliées par -1 afin d’alléger les notations et limiter l’effet miroir du au renversement
des caractéristiques. On se ramène ainsi au cas des transistors NPN pour qui toutes les
grandeurs sont positives.

MANMBEM ARLETTE (14P196) & EMA’A JOEL (14P050) 37


2.1 Tableau de mesures de T2

Vcc 0 1 2 3 4 6 9 12 15 18 21 24 27 30
Ib=2uA
Ic 0 0,000 0,001 0,001 0,001 0,001 0,001 0,001 0,001 0,001 0,001
51 02 19 24 27 32 37 41 45 49
Vce 0 0,082 0,164 0,858 1,768 3,714 6,624 9,534 12,46 15,39 18,31
2 8
Vbe 0 0,586 0,602 0,605 0,605 0,604 0,604 0,602 0,602 0,6 0,6
Ib=4uA
Ic 0 0,000 0,000 0,000 0,000 0,001 0,001 0,001 0,001 0,001 0,001
486 938 978 997 026 062 098 13 165 198
Vce 0 0,125 0,311 1,239 2,205 4,153 7,088 10,02 12,96 15,90 18,84
2 6 6 4 2 4 36 6 3 36
Vbe 0 0,585 0,601 0,601 0,601 0,6 0,6 0,599 0,599 0,597 0,597
ib=6uA
Ic 0 0,000 0,000 0,001 0,001 0,001 0,001 0,001 0,001 0,001 0,001
496 997 434 47 52 581 636 686 737 786
Vce 0 0,107 0,205 0,418 1,354 3,264 6,154 9,055 11,96 14,87 17,78
2 4 8 2 2 52 34 52
Vbe 0 0,587 0,603 0,611 0,611 0,61 0,608 0,608 0,606 0,605 0,603
Ib=12uA
Ic 0 0,000 0,001 0,001 0,002 0,002 0,003 0,003 0,003 0,003 0,003 0,00
505 018 53 14 89 04 17 28 39 5 362
Vce 0 0,091 0,167 0,246 0,148 0,798 3,528 6,294 9,096 11,89 14,7 17,4
6 8 84
Vbe 0 0,59 0,605 0,615 0,623 0,629 0,628 0,626 0,624 0,622 0,619 0,61
6
Ib=18uA
Ic 0 0,000 0,001 0,001 0,002 0,003 0,004 0,004 0,004 0,005 0,005 0,00 0,00 0,00
53 07 61 15 23 4 67 82 01 18 536 552 565
Vce 0 0,046 0,074 0,102 0,13 0,186 1,08 3,594 6,324 8,982 11,67 14,3 17,0 19,8
6 52 64 3
Vbe 0 0,593 0,607 0,616 0,623 0,632 0,636 0,634 0,63 0,628 0,623 0,62 0,61 0,61
6 5
Ib=24uA
Ic 0 0,000 0,001 0,001 0,002 0,003 0,004 0,005 0,006 0,006 0,006 0,00 0,00 0,00
53 07 61 15 24 87 88 15 41 65 692 714 745
Vce 0 0,046 0,074 0,102 0,13 0,168 0,234 1,416 3,93 6,462 9,03 11,5 14,1 16,5
44 48 9
Vbe 0 0,596 0,609 0,618 0,625 0,635 0,644 0,647 0,644 0,641 0,636 0,63 0,62 0,61
1 6 9
Ib=30uA
Ic 0 0,000 0,001 0,001 0,002 0,003 0,004 0,006 0,007 0,007 0,008 0,00 0,00 0,00
53 07 62 16 25 89 52 44 83 15 845 876 895
Vce 0 0,046 0,074 0,084 0,112 0,15 0,198 0,264 1,608 3,906 6,33 8,79 11,2 13,8
32 9
Vbe 0 0,598 0,61 0,618 0,624 0,633 0,643 0,649 0,648 0,644 0,638 0,63 0,62 0,62
5 9 6
Ib=36uA
Ic 0 0,000 0,001 0,001 0,002 0,003 0,004 0,006 0,008 0,008 0,009 0,00 0,01 0,01
54 07 62 17 26 9 54 17 9 34 973 014 052
Vce 0 0,028 0,074 0,084 0,094 0,132 0,18 0,228 0,294 1,98 4,188 6,48 8,74 11,0
6 8 64
Vbe 0 0,601 0,612 0,62 0,626 0,636 0,646 0,652 0,658 0,656 0,652 0,64 0,64 0,63
7 1 5
Ib=42uA

MANMBEM ARLETTE (14P196) & EMA’A JOEL (14P050) 38


Ic 0 0,000 0,001 0,001 0,002 0,003 0,004 0,006 0,008 0,009 0,010 0,01 0,01 0,01
54 07 62 17 26 91 55 2 82 6 105 15 188
Vce 0 0,028 0,074 0,084 0,094 0,132 0,162 0,21 0,24 0,324 1,92 4,11 6,3 8,61
6
Vbe 0 0,602 0,612 0,62 0,625 0,634 0,644 0,65 0,655 0,658 0,656 0,64 0,64 0,64
9 7 5
Ib=48uA
Ic 0 0,000 0,001 0,001 0,002 0,003 0,004 0,006 0,008 0,009 0,011 0,01 0,01 0,01
54 08 62 17 26 9 55 2 85 41 203 259 313
Vce 0 0,028 0,056 0,084 0,094 0,132 0,18 0,21 0,24 0,27 0,462 2,34 4,33 6,36
6 8 6
Vbe 0 0,604 0,615 0,622 0,628 0,636 0,646 0,653 0,659 0,663 0,666 0,66 0,65 0,64
2 7 9

2.2 Courbes de T2

1er quadrant : courbe de Ic=f(Vce) à Ib=cste

Caracteristique Ic=f(Vce) à Ib=cste T2


0,014

0,012 IB=2uA
IB=4uA
0,01
IB=6uA
0,008 IB=12uA
Ic (A)

0,006 IB=18uA
IB=24uA
0,004
IB=30uA

0,002 IB=36uA
IB=42uA
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 IB=48uA

Vce (V)

2ème quadrant : courbe de Vce=f(Vbe) à Ib=cste

MANMBEM ARLETTE (14P196) & EMA’A JOEL (14P050) 39


Caracteristique Vce=f(Vbe) à Ib=cste T2
25

20 IB=2uA
IB=4uA
IB=6uA
15
Vbe(V)

IB=12uA
IB=18uA
10
IB=24uA
IB=30uA
5 IB=36uA
IB=42uA
0 IB=48uA
0,58 0,59 0,6 0,61 0,62 0,63 0,64 0,65 0,66 0,67 0,68
Vce(V)

Les quadrants à Vce=cste sont déduits des mesures précédentes les résultats obtenus sont
regroupés dans le tableau de mesures ci-dessous :
Vce=4V
Ic en 0 0,0010300 0,0012 0,0015 0,0030 0,0046 0,0061 0,0078 0,0093 0,0109 0,0124
A 75 93 64 53 62 5 05 08 77 66
Vbe 0 0,6006451 0,6058 0,6112 0,6290 0,6354 0,6451 0,6451 0,6512 0,6541 0,6593
en V 61 06 9 32 52 61 61 9 94 55
Vce=3V
Ic en 0 0,0009774 0,0012 0,0015 0,0030 0,0046 0,0060 0,0076 0,0090 0,0108 0,0121
A 44 78 04 08 47 9 99 98 27 65
Vbe 0 0,6009677 0,6061 0,6112 0,6290 0,6354 0,6464 0,6464 0,6551 0,6545 0,6619
en V 42 29 9 32 84 52 52 61 16 35
Vce=2V
Ic en 0 0,0009774 0,0012 0,0014 0,0029 0,0045 0,006 0,0075 0,0088 0,0105 0,0118
A 44 78 74 77 86 64 87 71 8
Vbe 0 0,6022580 0,6064 0,6125 0,6296 0,6377 0,6483 0,6487 0,6564 0,6564 0,6638
en V 65 52 81 77 42 87 1 52 52 71

Ib 0 0,000002 0,0000 0,0000 0,0000 0,0000 0,0000 0,0000 0,0000 0,0000 0,0000
04 06 12 18 24 3 36 42 48

3ème quadrant : courbe de Ic=f(Ib) à Vce=cste

MANMBEM ARLETTE (14P196) & EMA’A JOEL (14P050) 40


Caracteristique Ic=f(Ib) à Vce= cste T2
0,014

0,012

0,01

0,008
Ic (A)

Vce=2V
0,006
Vce=3V
0,004 Vce=4V

0,002

0
0 0,00001 0,00002 0,00003 0,00004 0,00005 0,00006
Ib (A)

4ème quadrant : courbe de Vbe=f(Ib) à Vce=cste

Caracteristique Vbe=f(Ib) à Vce=cste T2


0,00006

0,00005

0,00004
Vbe(V)

0,00003 Vce=2V

0,00002 Vce=3V
Vce=4V
0,00001

0
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7
ib(A)

IV. COURBES DES PARAMETRES 𝑯𝒊𝒋𝑬


Ces courbes sont très utiles pour l’étude en régime dynamique en cas de déplacement
du point de fonctionnement. Elles permettent de voir l’effet du déplacement de ce dernier
sur les paramètres hybrides et peut dispenser de refaire toute l’étude en régime statique
pour déterminer les nouveaux hij.

1. Transistor T1

 Courbe de 𝒉𝟏𝟏 en fonction de Ib à Vce=cste


∆𝑉𝐵𝐸
ℎ11 = à 𝑉𝑐𝑒 = 𝑐𝑠𝑡𝑒
∆𝐼𝐵

MANMBEM ARLETTE (14P196) & EMA’A JOEL (14P050) 41


Pour 𝑉𝑐𝐸 fixé, on considère 2 points de la caractéristique 𝑉𝐵𝐸 = (𝐼𝐵) et on calcule la pente
égale à h11.
Par exemple, les points 𝑃1(0.5𝜇𝐴; 0,5318V) et 𝑃2(1𝜇𝐴; 0,5545V)
0.5545 − 0.5318
ℎ11 = = 45454,54 à 𝑉𝑐𝑒 = 6.54𝑉
(1 − 0.5) ∗ 10−12
Les mesures obtenus par le calcul des pentes point par point et de proche en proche
permettent d’obtenir la courbe ci-dessous :
Tableau de valeurs
Vce=6,54V
h11 0 106363 45454, 18636, 9545,4 8181,8 4545,4 6818,1 0 4545,4 0
6,36 5455 3636 5455 1818 5455 8182 5455
h21 0 329,72 318,91 337,83 364,86 324,32 343,24 345,94 359,45 343,24 94,594
973 8919 7838 4865 4324 3243 5946 9459 3243 5946
Ic 0 0,0001 0,0003 0,0006 0,0010 0,0013 0,0016 0,0020 0,0024 0,0027 0,0028
(A) 64865 24324 62162 27027 51351 94595 40541 43243 37838
Vce=5V
h11 0 106363 45454, 18181, 11363, 6818,1 5454,5 3636,3 4090,9 2727,2 0
6,36 5455 8182 6364 8182 4545 6364 0909 7273
h21 0 324,32 297,29 340,54 348,64 324,32 324,32 351,35 351,35 324,32 83,783
4324 7297 0541 8649 4324 4324 1351 1351 4324 7838
Ic 0 0,0001 0,0003 0,0006 0,001 0,0013 0,0016 0,002 0,0023 0,0026 0,0027
(A) 62162 10811 51351 24324 48649 51351 75676 59459
Vce=3,33V
h11 0 106272 46363, 19545, 10000 6818,1 5000 5454,5 3181,8 4090,9 0
7,27 6364 4545 8182 4545 1818 0909
h21 0 297,29 302,70 335,13 324,32 324,32 324,32 340,54 321,62 305,40 105,40
7297 2703 5135 4324 4324 4324 0541 1622 5405 5405
Ic 0 0,0001 0,0003 0,0006 0,0009 0,0012 0,0016 0,0019 0,0022 0,0025 0,0026
(A) 48649 35135 59459 83784 08108 48649 7027 75676 81081
Vce=1,79V
h11 0 106363 45454, 22272, 8181,8 8181,8 5454,5 3636,3 4545,4 3636,3 0
6,36 5455 7273 1818 1818 4545 6364 5455 6364
h21 0 281,08 362,16 300 310,81 289,18 318,91 378,37 283,78 313,51 164,86
1081 2162 0811 9189 8919 8378 3784 3514 4865
Ic 0 0,0001 0,0003 0,0006 0,0009 0,0012 0,0015 0,0019 0,0022 0,0025 0,0026
(A) 40541 21622 21622 32432 21622 40541 18919 02703 16216 81081
Ib 0 0.5 1 2 3 4 5 6 7 8 9
(uA)

MANMBEM ARLETTE (14P196) & EMA’A JOEL (14P050) 42


Caracteristique h11=f(iB) à Vce=cste T1
1200000

1000000

800000

vce=6.54V
600000
vce=5v
h11

400000 vce=3.33V

200000 vce=1.79V

0
0 0,000001
0,000002
0,000003
0,000004
0,000005
0,000006
0,000007
0,000008
0,0000090,00001
-200000
IB (A)

 Courbe de 𝒉𝟐𝟏 en fonction de Ic à Vce=cste


∆𝐼𝑐
ℎ21 = à 𝑉𝑐𝑒 = 𝑐𝑠𝑡𝑒
∆𝐼𝐵
Comme dans le cas de h11 on calcule les pentes. Les valeurs de h21 en fonction de Ic sont
données dans le tableau précédent. On obtient la courbe ci-dessous.

Caracteristique h21=f(ic) à Vce=cste T1


400

350

300

250
vce=6.54V
200
vce=5v
h21

150 vce=3.33V
100 vce=1.79V

50

0
0 0,0005 0,001 0,0015 0,002 0,0025 0,003
Ic (A)

 Courbe de 𝒉𝟐𝟐 en fonction de Vce à Ib=cste

MANMBEM ARLETTE (14P196) & EMA’A JOEL (14P050) 43


∆𝐼𝑐
ℎ22 = à 𝐼𝑏 = 𝑐𝑠𝑡𝑒
∆𝑉𝐶𝐸
Tableau de valeurs :
Ib=0,5uA
Ic 0 0,0001 0,0001 0,0001 0,0001 0,0001 0,0001 0,0001 0,0001 0,0001
4 4 4 5 6 7 7 8 9
Vc 0 0,721 1,67 2,278 4,73 7,65 10,6 13,5 16,5 19,3
e
Vb 0 0,535 0,536 0,536 0,536 0,536 0,536 0,536 0,536 0,536
e
h2 0 0,0001 0 0 4,0783 3,4247 3,3898 0 3,3333 3,5714
2 9417 E-06 E-06 E-06 E-06 E-06
h1 0 0,7420 0,0010 0 0 0 0 0 0 0
2 2497 5374
Ib=1uA
Ic 0 0,0002 0,0002 0,0003 0,0003 0,0003 0,0003 0,0003 0,0003 0,0003
2 8 1 5 6 7 9
Vc 0 0,136 0,568 1,5 3,39 6,25 9,12 12 14,87 17,75
e
Vb 0 0,556 0,56 0,561 0,561 0,56 0,56 0,56 0,56 0,56
e
h2 0 0,0016 0,0001 2,1459 0 3,4965 1,3937 3,4722 3,4843 6,9444
2 1765 3889 E-05 E-06 E-05 E-06 E-06 E-06
ib=2uA
Ic 0 0,0002 0,0003 0,0004 0,0005 0,0006 0,0006 0,0006 0,0007 0,0007 0,0007
3 46 7 98 33 61 92 15 43 67
Vc 0 0,088 0,109 0,11 1,12 4,02 6,49 9,2 11,95 14,72 17,42
e
Vb 0 0,558 0,568 0,576 0,58 0,58 0,579 0,579 0,578 0,578 0,577
e
Ib=3uA
Ic 0 0,0002 0,0003 0,0004 0,0007 0,0009 0,0009 0,0010 0,0010 0,0010 0,0011 0,0011
28 4 77 15 15 65 2 5 86 23 61
Vc 0 0,072 0,09 0,102 0,13 1,5 4,04 6,64 9,32 11,97 14,66 17,3
e
Vb 0 0,559 0,57 0,576 0,587 0,591 0,59 0,589 0,589 0,588 0,587 0,586
e
h2 0 0,0031 0,0062 0,0114 0,0085 0,0001 1,9685 2,1154 1,1194 1,3585 1,3755 1,4394
2 6667 2222 1667 4599 E-05 E-05 E-05 E-05 E-05 E-05
h1 0 7,7638 0,6111 0,5 0,3928 0,0029 - - 0 - - -
2 8889 1111 5714 1971 0,0003 0,0003 0,0003 0,0003 0,0003
937 8462 7736 7175 7879
Ib=6uA
Ic 0 0,0002 0,0003 0,0004 0,0007 0,0010 0,0014 0,0017 0,0019 0,0019 0,0020 0,0021 0,0022
38 36 82 02 71 32 99 09 8 5 4 2
Vc 0 0,048 0,061 0,072 0,087 0,108 0,135 0,239 2,19 4,74 7,08 9,45 11,81
e
Vb 0 0,562 0,569 0,577 0,587 0,597 0,604 0,609 0,609 0,607 0,606 0,604 0,603
e
h2 0 0,0049 0,0075 0,0132 0,0146 0,0175 0,0133 0,0035 5,6381 2,7843 2,9915 3,7975 3,3898
2 5833 3846 7273 6667 7143 7037 2885 E-05 E-05 E-05 E-05 E-05
h1 0 11,708 0,5384 0,7272 0,6666 0,4761 0,2592 0,0480 0 - - - -
2 3333 6154 7273 6667 9048 5926 7692 0,0007 0,0004 0,0008 0,0004
8431 2735 4388 2373
Ib=9uA
Ic 0 0,0002 0,0003 0,0004 0,0007 0,0010 0,0014 0,0018 0,0021 0,0024 0,0026 0,0027 0,0028
4 5 6 2 8 4 7 8 3 3 4
Vc 0 0,044 0,053 0,061 0,075 0,092 0,108 0,126 0,153 0,455 2,44 4,52 6,7
e

MANMBEM ARLETTE (14P196) & EMA’A JOEL (14P050) 44


Vb 0 0,564 0,572 0,578 0,587 0,597 0,604 0,61 0,614 0,617 0,616 0,614 0,613
e
h2 0 0,0054 0,0122 0,0137 0,0185 0,0211 0,0225 0,02 0,0137 0,0010 7,5567 4,8077 5,0459
2 5455 2222 5 7143 7647 037 2649 E-05 E-05 E-05
h1 0 12,818 0,8888 0,75 0,6428 0,5882 0,4375 0,3333 0,1481 0,0099 - - -
2 1818 8889 5714 3529 3333 4815 3377 0,0005 0,0009 0,0004
0378 6154 5872

On obtient :

Caracteristique h22=f(vce) à ib=cste T1


0,025

0,02

0,015
ib=0.5uA
h22

0,01 ib=3uA
ib=6uA
0,005 ib=9uA

0
0 5 10 15 20 25
-0,005
vce(V)

 Courbe de 𝒉𝟏𝟐 en fonction de Vbe à Ib=cste


∆𝑉𝐵𝐸
ℎ12 = à 𝐼𝑏 = 𝑐𝑠𝑡𝑒
∆𝑉𝐶𝐸

Caracteristique h12=f(vbe) à ib=cste T1


14

12

10

8 ib=0.5uA
h12

6 ib=3uA

4 ib=6uA
ib=9uA
2

0
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7
-2
vbe(V)

2. Transistor T2

MANMBEM ARLETTE (14P196) & EMA’A JOEL (14P050) 45


Tableaux de valeurs
Vce=4V
Ic (A) 0 0,001030 0,0012 0,0015 0,0030 0,0046 0,0061 0,0078 0,0093 0,0109 0,0124
075 93 64 53 62 5 05 08 77 66
Vbe (V) 0 0,600645 0,6058 0,6112 0,6290 0,6354 0,6451 0,6451 0,6512 0,6541 0,6593
161 06 9 32 52 61 61 9 94 55
h21 0 515,0375 131,57 135,33 248,12 268,17 248,12 275,68 250,62 278,19 248,12
94 89 83 03 04 03 92 66 55 03
h11 0 300322,5 2580,6 2741,9 2956,9 1069,8 1618,2 0 1021,5 483,87 860,21
806 45 35 89 92 8 05 1 51
Vce=3V
Ic (A) 0 0,000977 0,0012 0,0015 0,0030 0,0046 0,0060 0,0076 0,0090 0,0108 0,0121
444 78 04 08 47 9 99 98 27 65
Vbe (V) 0 0,600967 0,6061 0,6112 0,6290 0,6354 0,6464 0,6464 0,6551 0,6545 0,6619
742 29 9 32 84 52 52 61 16 35
h21 0 488,7218 150,37 112,78 250,62 273,18 240,60 268,17 233,08 288,22 223,05
045 59 2 66 3 15 04 27 06 76
h11 0 300483,8 2580,6 2580,6 2956,9 1075,2 1827,9 0 1451,6 - 1236,5
71 45 45 89 69 57 13 107,52 59
7
Vce=2V
Ic (A) 0 0,000977 0,0012 0,0014 0,0029 0,0045 0,006 0,0075 0,0088 0,0105 0,0118
444 78 74 77 86 64 87 71 8
Vbe (V) 0 0,602258 0,6064 0,6125 0,6296 0,6377 0,6483 0,6487 0,6564 0,6564 0,6638
065 52 81 77 42 87 1 52 52 71
h21 0 488,7218 150,37 97,744 250,62 268,17 235,58 260,65 220,55 280,70 218,04
045 59 36 66 04 9 16 14 18 51
h11 0 301129,0 2096,7 3064,5 2849,4 1344,0 1774,1 53,763 1290,3 0 1236,5
323 74 16 62 86 94 44 23 59

Ib(A) 0 0,000002 0,0000 0,0000 0,0000 0,0000 0,0000 0,0000 0,0000 0,0000 0,0000
04 06 12 18 24 3 36 42 48

Ib=2uA
Ic 0 0,0005 0,00 0,00 0,0 0,001 0,00 0,001 0,001 0,001 0,001
1 102 119 012 27 132 37 41 45 49
4
V 0 0,16 0,85 1,7 3,714 6,62 9,534 12,46 15,39 18,31
ce 0,082 4 8 68 4 2 8

V 0 0,586 0,60 0,60 0,6 0,604 0,60 0,602 0,602 0,6 0,6
be 2 5 05 4
h1 0 7,1463 0,19 0,00 0 - 0 - 0 - 0
2 4146 5121 4322 0,000 0,000 0,000
95 77 5138 6872 6830
7 9 6
Ib=18uA
Ic 0 0,0005 0,00 0,00 0,0 0,003 0,00 0,004 0,004 0,005 0,005 0,005 0,005 0,005
3 107 161 021 23 44 67 82 01 18 36 52 65
5
V 0 0,046 0,07 0,10 0,1 0,186 1,08 3,594 6,324 8,982 11,67 14,35 17,06 19,83
ce 4 2 3 6 2 4
V 0 0,593 0,60 0,61 0,6 0,632 0,63 0,634 0,63 0,628 0,623 0,62 0,616 0,615
be 7 6 23 6
h1 0 12,891 0,5 0,32 0,2 0,160 0,00 - - - - - - -
2 3043 1428 5 7142 4474 0,000 0,001 0,000 0,001 0,001 0,001 0,000
57 9 27 7955 4652 7524 8559 1210 4749 3615
4 5 8 8 3 3
Ib=24uA

MANMBEM ARLETTE (14P196) & EMA’A JOEL (14P050) 46


Ic 0 0,0005 0,00 0,00 0,0 0,003 0,00 0,005 0,006 0,006 0,006 0,006 0,007 0,007
3 107 161 021 24 487 88 15 41 65 92 14 45
5
V 0 0,046 0,07 0,10 0,1 0,168 0,23 1,416 3,93 6,462 9,03 11,54 14,14 16,59
ce 4 2 3 4 4 8
V 0 0,596 0,60 0,61 0,6 0,635 0,64 0,647 0,644 0,641 0,636 0,631 0,626 0,619
be 9 8 25 4
h1 0 12,956 0,46 0,32 0,2 0,263 0,13 0,002 - - - - - -
2 5217 4285 1428 5 1578 6363 5380 0,001 0,001 0,001 0,001 0,001 0,002
71 57 9 64 7 1933 1848 9470 9888 9201 8665
2 3 4 6 2
Ib=48uA
Ic 0 0,0005 0,00 0,00 0,0 0,003 0,00 0,006 0,008 0,009 0,011 0,012 0,012 0,013
4 108 162 021 26 49 55 2 85 41 03 59 13
7
V 0 0,028 0,05 0,08 0,0 0,132 0,18 0,21 0,24 0,27 0,462 2,346 4,338 6,366
ce 6 4 94
V 0 0,604 0,61 0,62 0,6 0,636 0,64 0,653 0,659 0,663 0,666 0,662 0,657 0,649
be 5 2 28 6
h1 0 21,571 0,39 0,25 0,6 0,210 0,20 0,233 0,2 0,133 0,015 - - -
2 4286 2857 5263 8333 3333 3333 625 0,002 0,002 0,003
14 2 33 3 3 1231 5100 9447
4 4 7

 Courbe de 𝒉𝟏𝟏 en fonction de Ib à Vce=cste

Caracteristique h11=f(ib) à Vce=cste T2


350000

300000

250000

200000
h11

vce=4V
150000
vce=3V
100000 vce=2V

50000

0
0 0,00001 0,00002 0,00003 0,00004 0,00005 0,00006
-50000
ib(A)

 Courbe de 𝒉𝟐𝟏 en fonction de Ic à Vce=cste

MANMBEM ARLETTE (14P196) & EMA’A JOEL (14P050) 47


Caracteristique h21=f(ic) à Vce=cste T2
600

500

400
h21

300 vce=4V
vce=3V

200 vce=2V

100

0
0 0,002 0,004 0,006 0,008 0,01 0,012 0,014
ic(A)

 Courbe de 𝒉𝟐𝟐 en fonction de Vce à Ib=cste

Caracteristique h22=f(Vce) à Ib=cste T2

0,07

0,06

0,05
IB=2uA
0,04
IB=18uA
h22

0,03 IB=24uA

0,02 IB=48UA

0,01

0
0 5 10 15 20 25
-0,01
vce(v)

MANMBEM ARLETTE (14P196) & EMA’A JOEL (14P050) 48


 Courbe de 𝒉𝟏𝟐 en fonction de Vbe à Ib=cste

Caracteristique h12=f(Vbe) à Ib=cste T2


25

20

15 ib=2uA
h12

10 ib=18uA
ib=24uA
5
ib=48uA
0
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7
-5
Vbe(V)

V. ETUDE DE L’AMPLIFICATEUR EN REGIME STATIQUE

1. Tracé des droites de charges et détermination du point de fonctionnement de


chaque transistor

1.1. Transistor T1

La droite charge statique s’obtient en faisant la loi de maille dans la maille de sortie :

Vce 0V Vcemax=20V
Ic Icmax = β1*Ibmax=367*𝟏𝟎 ∗ 𝟏𝟎−𝟔=3.67 0A
mA

En superposant cette droite sur le 1er quadrant du transistor on obtient la courbe ci-
dessous. Le point de fonctionnement est choisi à l’intersection de la droite de charge et du
réseau de caractéristiques. Il doit être pris près du milieu de la droite de charge et du régime
linéaire.

MANMBEM ARLETTE (14P196) & EMA’A JOEL (14P050) 49


En projetant les coordonnées de P1 dans les autres quadrants on obtient les 4 coordonnées
de notre point de fonctionnement.
Ses coordonnées sont : 𝑽𝑪𝑬𝟎 = 𝟖. 𝟒𝟕𝑽 𝑰𝑪𝟎 = 𝟐. 𝟎𝟗𝒎𝑨 𝑰𝑩𝟎 = 𝟔𝒖𝑨 𝑽𝑩𝑬𝟎 = 𝟎. 𝟔𝟎𝟓𝑽

1.2. Transistor T2

La droite charge statique s’obtient en faisant la loi de maille dans la maille de sortie :
Vce 0V Vcemax=20V
Ic Icmax = β2*Ibmax=304*𝟓𝟎 ∗ 0A
𝟏𝟎−𝟔 =0.0152A

Les coordonnées de notre point de fonctionnement P2 sont :


𝑽𝑪𝑬𝟎 = 𝟏𝟎. 𝟗𝟔𝑽 𝑰𝑪𝟎 = 𝟔. 𝟗𝟑𝒎𝑨 𝑰𝑩𝟎 = 𝟐𝟒𝒖𝑨 𝑽𝑩𝑬𝟎 = 𝟎. 𝟔𝟑𝟑𝑽

MANMBEM ARLETTE (14P196) & EMA’A JOEL (14P050) 50


2. Détermination des résistances de polarisation du montage
La détermination des résistances se fait en écrivant les lois de maille en partant de T2 vers
T1. Les valeurs utilisées pour les calculs sont celles de nos points de fonctionnement.
2.1 Schéma du montage

En régime statique, les condensateurs sont ouverts. Le montage se ramène au schéma ci-
dessous. La résistance RE=RE1+RE2.

RC1
4.7k
+88.8
Amps
+88.8
Amps

RB1
180k

+88.8
Amps
T1 T2
+88.8 BC327 +88.8 BC327
Amps Volts +88.8
Volts

+88.8
RB2 +88.8 Volts
18k Volts

RE R2
560 1.3k

E
20V

MANMBEM ARLETTE (14P196) & EMA’A JOEL (14P050) 51


 Détermination de R2
En étudiant la maille de sortie de T2 nous avons la relation : 𝐸 − 𝑉𝐶𝐸2 = 𝑅2 𝐼𝑆
Or 𝐼𝑆 = 𝐼𝐵2 + 𝐼𝐶2
𝐸 − 𝑉𝑐𝐸2
𝑅2 =
𝐼𝐵2 + 𝐼𝐶2
A.N :
20 − 10.96
𝑅2 = = 1.3𝐾
24 ∗ 10−6 + 6.93 ∗ 10−3
R2=1.3k Ω

 Détermination de Rc1
En étudiant la maille de d’entrée de T2 nous avons la relation : 𝐸 − 𝑉𝐵𝐸2 − 𝑅2 𝐼𝑆 = 𝑅𝐶1 ∗ 𝐼
Ou 𝐼 = 𝐼𝐵2 + 𝐼𝐶1
𝐸 − 𝑉𝐵𝐸2 − 𝑅2 𝐼𝑆
𝑅𝐶1 =
𝐼𝐵2 + 𝐼𝐶1
A.N :
20 − 0.633(1.3 ∗ 1000(24 ∗ 10−6 + 6.93 ∗ 10−3 ))
𝑅𝐶1 = = 4.885𝐾
24 ∗ 10−6 + 2.09 ∗ 10−3
La valeur normalisée de Rc1 dans la série (E12, 10%) est : Rc1=4.7k Ω

 Détermination de RE
En étudiant la maille de sortie de T1 nous avons la relation : 𝐸 − 𝑉𝐶𝐸1 − 𝑅𝐶1 𝐼 = 𝑅𝐸 𝐼𝐸1
Ou 𝐼𝐸1 = 𝐼𝐵1 + 𝐼𝐶1
𝐸 − 𝑉𝐶𝐸1 − 𝑅𝐶1 𝐼
𝑅𝐸 =
𝐼𝐵1 + 𝐼𝐶1
A.N :
20 − 8.47 − 4.7 ∗ 1000( 24 ∗ 10−6 + 2.09 ∗ 10−3 )
𝑅𝐸 = = 574Ω
6 ∗ 10−6 + 2.09 ∗ 10−3
La valeur normalisée de RE dans la série (E12, 10%) est : RE=560 Ω

 Détermination de RB1

En étudiant la maille de d’entrée de T1 nous avons la relation :


𝐸 − 𝑉𝐵𝐸1 − 𝑅𝐸 𝐼𝐸1 = 𝑅1 𝐼1

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Ou 𝐼1 = 𝐼𝐵1 + 𝐼2
En choisissant 𝐼2 = 15𝐼𝐵1 on a 𝐼1 = 16𝐼𝐵1

𝐸 − 𝑉𝐵𝐸1 − 𝑅𝐸 𝐼𝐸1
𝑅𝑏1 =
16𝐼𝐵1
A.N :
20 − 0.605 − 560 ∗ (6 ∗ 10−6 + 2.09 ∗ 10−3 )
𝑅𝑏1 = = 189.35𝐾
16 ∗ 6 ∗ 10−6
La valeur normalisée de Rb1 dans la série (E12, 10%) est : Rb1=180k Ω

 Détermination de RB2
𝑉𝐵𝐸1 + 𝑅𝐸 𝐼𝐸1
𝑅𝑏2 =
𝐼2
𝑉𝐵𝐸1 +𝑅𝐸 𝐼𝐸1
Ou 𝐼2 = 15𝐼𝐵1 D’où 𝑅𝑏2 = 15𝐼𝐵1

0.605 + 560 ∗ (6 ∗ 10−6 + 2.09 ∗ 10−3 )


𝑅𝑏2 = = 20.24𝐾
15 ∗ 6 ∗ 10−6
La valeur normalisée de Rb2 dans la série (E12, 10%) est : Rb2=18k Ω
En résumé nous avons :
R2 Rc1 RE Rb1 Rb2
1.3k Ω 4.7k Ω 560 Ω 180k Ω 18k Ω

Nous pouvons à présent câbler l’amplificateur sur plaque à essai. Cela nous permettra de
vérifier les coordonnées théoriques de nos points de fonctionnement choisis.

2.2 Câblage de l’amplificateur en régime statique

 Photo du câblage

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 Vérification des coordonnées des points de fonctionnement
Nous allons calculer les écarts entre les valeurs théoriques et les valeurs pratiques obtenues.

Transistors T1 T2
Grandeurs Vce(V) Ic(mA) Ib(uA) Vbe(V) Vce(V) Ic(mA) Ib(uA) Vbe(V)
Valeurs 8.47 2.09 6 0.605 10.96 6.93 24 0.633
théoriques
Valeurs 9.09 2.05 5.6 0.602 10.06 7.41 24 0.620
pratiques
Ecart(%) 7.32 1.91 6.66 0.5 8.21 6.92 0 2.05

Nous constatons que les écarts sont tous inférieurs à 15% par conséquent notre étude
en régime statique est acceptable. Nous pouvons donc dès lors calculer les paramètres
hybrides de nos transistors au niveau des points de fonctionnement.

3. Comparaison avec les valeurs de PROTEUS

Le gain du transistor par défaut dans PROTEUS étant différent des nôtres, nous
n’avons pas pu obtenir les mêmes valeurs obtenues ni en théorie ni en pratique. Nous
notons cependant ces valeurs et leurs écarts dans le tableau ci-dessous.
Les écarts étant trop grands, les données de PROTEUS ne seront pas pris en compte.

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Transistors T1 T2
Grandeurs Vce(V) Ic(mA) Ib(uA) Vbe(V) Vce(V) Ic(mA) Ib(uA) Vbe(V)
Valeurs 8.47 2.09 6 0.605 10.96 6.93 24 0.633
théoriques
Valeurs sur 10.9 1.67 12.8 0.67 8.89 8.48 70.5 0.71
PROTEUS
Ecart(%) 28.69 20.09 113.33 10.74 18.86 22.36 193.75 12.16

4. Détermination des paramètres hybrides hij de T1 et T2


Les paramètres Hij de chaque transistor sont obtenus par le calcul de pente au niveau du
point de fonctionnement dans chaque quadrant.
4.1. Transistor T1

 Détermination de h11
C’est la pente de la caractéristique IB = f(VBE ) à VCE constant. C’est la résistance
d’entrée du transistor.
△ 𝑉𝐵𝐸
ℎ11 = ( )
△ 𝐼𝐵 𝑉𝐶𝐸 =𝑉𝐶𝐸 0
𝟎,𝟔𝟎𝟔𝟖𝟏𝟖𝟏𝟖𝟏𝟖𝟏𝟖𝟏𝟖𝟐−𝟎,𝟔𝟎𝟐𝟐𝟕𝟐𝟕𝟐𝟕𝟐𝟕𝟐𝟕
𝒉𝟏𝟏 = (𝟎.𝟎𝟎𝟎𝟎𝟎𝟕−𝟎.𝟎𝟎𝟎𝟎𝟎𝟔)
= 4545

calcul de h11
0,00001
0,000009
0,000008
0,000007
0,000006
Vce=6.54V
Ib(A)

0,000005
Vce=5V
0,000004
Vce=3.33V
0,000003
Vce=1.79V
0,000002
0,000001
0
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7
Vbe(V)

 Détermination de h12
C’est la pente de la caractéristique VBE = f(VCE ) à IB constant. Elle est sensiblement
nulle car les droites sont pratiquement horizontales. C’est l’amplification en tension du
transistor.

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△ 𝑽𝑩𝑬
𝒉𝟏𝟐 = ( ) ≈𝟎
△ 𝑽𝑪𝑬 𝑰𝑩 =𝑰𝑩 𝟎

 Détermination de h21
C’est la pente de la caractéristique IC = f(IB ) à VCE constant qui est sensiblement une
droite d’équation IC = βIB . Cela représente l’amplification en courant du transistor.
△ 𝐼𝐶
ℎ21 = ( ) =β
△ 𝐼𝐵 𝑉𝐶𝐸 =𝑉𝐶𝐸 0

𝟎.𝟎𝟎𝟐𝟒−𝟎.𝟎𝟎𝟐𝟎𝟒𝟎𝟓𝟒𝟏
𝒉𝟐𝟏 = (𝟎.𝟎𝟎𝟎𝟎𝟎𝟕−𝟎.𝟎𝟎𝟎𝟎𝟎𝟔)= 359.5≈ 𝟑𝟔𝟎

calcul de h21
0,003

0,0025
h21
0,002

Vce=6.54V
Ic(A)

0,0015
Vce=5V
Vce=3.33V
0,001
Vce=1.79V

0,0005

0
0 0,000002 0,000004 0,000006 0,000008 0,00001
Ib(A)

 Détermination de h22
C’est la pente de la caractéristique IC = f(VCE ) a IB constant. Elle est censée être faible afin
1
que ℎ soit élevé. Elle représente la résistance de sortie du transistor.
22
△ 𝐼𝐶
ℎ22 = ( )
△ 𝑉𝐶𝐸 𝐼𝐵 =𝐼𝐵 0
𝟎.𝟎𝟎𝟐𝟏𝟒−𝟎.𝟎𝟎𝟐𝟎𝟗
𝒉𝟐𝟐 = (𝟗.𝟒𝟓−𝟖.𝟒𝟕)
= 5.10∗ 𝟏𝟎−𝟓

𝟏
D’où 𝝆 = 𝒉 = 𝟏𝟗𝟔𝟎𝟎
𝟐𝟐

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3.1. Transistor T2

 Détermination de h11
𝟎, 𝟔𝟒𝟓 − 𝟎, 𝟔𝟑𝟑
𝒉𝟏𝟏 = = 𝟐𝟎𝟎𝟎
(𝟎. 𝟎𝟎𝟎𝟎𝟎𝟑 − 𝟎. 𝟎𝟎𝟎𝟎𝟎𝟐𝟒)

calcul de h11
0,00006

0,00005

0,00004
Ib(A)

0,00003 Vce=2V
Vce=3V
0,00002
Vce=4V
0,00001

0
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7
Vbe(V)

 Détermination de h12
Les droites de VBE = f(VCE ) à IB constant sont pratiquement horizontales. Donc
△ 𝑽𝑩𝑬
𝒉𝟏𝟐 = ( ) ≈𝟎
△ 𝑽𝑪𝑬 𝑰𝑩 =𝑰𝑩 𝟎

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 Détermination de h21
𝟎, 𝟎𝟎𝟖𝟏𝟕 − 𝟎, 𝟎𝟎𝟔𝟗𝟑
𝒉𝟐𝟏 = = 𝟑𝟏𝟒
(𝟎. 𝟎𝟎𝟎𝟎𝟎𝟑 − 𝟎. 𝟎𝟎𝟎𝟎𝟎𝟐𝟒)

calcul de h21
0,014

0,012

0,01

0,008
Ic (A)

Vce=2V
0,006 Vce=3V
0,004 Vce=4V

0,002

0
0 0,00001 0,00002 0,00003 0,00004 0,00005 0,00006
Ib (A)

 Détermination de h22
𝟎.𝟎𝟎𝟕𝟏𝟒−𝟎.𝟎𝟎𝟔𝟗𝟑
𝒉𝟐𝟐 = (𝟏𝟒.𝟏𝟒𝟖−𝟏𝟎.𝟗𝟔)
= 6.59∗ 𝟏𝟎−𝟓

𝟏
D’où 𝝆 = 𝒉 = 𝟏𝟓𝟏𝟖𝟏
𝟐𝟐

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CONCLUSION

Parvenus au terme de la première partie de notre mini-projet ayant pour but


principal de caractériser nos différents transistors et faire l’étude en régime statique de notre
amplificateur, il en découle que ces principaux objectifs ont été atteints car après avoir
choisi les points de fonctionnement et calculé les résistances de polarisation, les valeurs
obtenues après câblage ont une erreur de moins de 15%. Nous avons tracé les différents
réseaux de caractéristiques de chaque transistor, les droites de charge statique de chaque
transistor, les différentes courbes des paramètres hijE en prévision du changement éventuel
d’un point de polarisation lors du fonctionnement en dynamique. Nous avons aussi
déterminé les différents paramètres hijE et les hyperboles de dissipation de chaque
transistor.

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IIIème PARTIE : COMMENTAIRES ET
ANNEXES

I. COMMENTAIRES
Les différentes manipulations effectuées durant cette première partie du projet ont été
très intéressantes et très instructives, la structuration du projet en plusieurs étapes le rendant
fort compréhensible et réalisable. En cas de difficultés, nous étions conseillés et même
parfois débloqué par les assistants du professeur. Le professeur KAMDEM nous donnait
à chaque fois des astuces et des « briques de connaissances », ravivant ainsi l’engouement
pour la finalisation du mini-projet.
En effet, nous avons exploré le fonctionnement des transistors et obtenus des résultats
pratiques concordant avec ceux théoriques. Nos résultats ont été d’autant plus satisfaisants
que les erreurs calculées ont toutes été inférieures à 15%. Les points de polarisation de nos
deux transistors ont été choisis de telle sorte que les paramètres h𝑖𝑗E soit le plus stable
possible lors du fonctionnement en dynamique.
Pour ce qui est du tracé des différents réseaux quatre quadrants de chaque transistor, la
comparaison avec les données prévisionnelles du datasheet atteste de la vraisemblance de
nos mesures. En effet, comme on peut le voir dans la figure ci-après l’allure des courbes
concorde.

De même les allures des courbes des autres quadrants concordent avec les prévisions
faites lors des rappels théoriques dans la première partie du présent rapport.

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Pour ce qui est de la puissance dissipée par nos transistors, aux différents points de
polarisations, celle-ci est bien éloignée de la limite de 625 mW donnée par le datasheet du
BC327 comme on pourra le voir en annexe. En effet, les transistors T1 et T2 dissipent
respectivement les puissances 18,64 mW et 74,56 mW à leurs points de repos. Ce grand
écart de puissance est voulu par l’enseignant et dû au fait que la tension Vce soit limitée à
20V. Voilà pourquoi lors du tracé de l’hyperbole de dissipation maximale (voir ANNEXE),
on ne pourra plus distinguer les tracés des caractéristiques Ic=f(Vce) à Ib=cste.
Nous avons choisi de réaliser nos différentes courbes sur le logiciel EXCEL car il est
assez simple d’usage. Le logiciel PROTEUS nous a quant à lui permis de visualiser l’allure
de nos différentes caractéristiques et de simuler nos montages. La difficulté principale lors
du tracé des courbes était de trouver la méthode permettant de déterminer les
caractéristiques à Vce=cste. Nous avons alors procédé comme suit : Nous traçons la droite
verticale (y) : Vce=cste dans un des quadrants de caractéristique à Ib constant ; chaque
point de rencontre (entre une caractéristique à Ib constant et notre droite (y)) nous donnait
à la fois un Ib et un Ic ou un Vbe (que l’on évaluait avec une échelle) à une tension
Vce=cste ; on le faisait pour plusieurs Vce=cste et on obtenait après tracé nos
caractéristiques.
Néanmoins, le laboratoire étant vieillissant et peu équipé, la réalisation de ce travail a
connu beaucoup de déboires. En effet, le manque d’alimentation et de multimètres au
laboratoire furent souvent un frein à l’atteinte de nos objectifs journaliers. Nous avons dû
nous munir de nos propres multimètre lors de séances de TP au labo afin d’éliminer ce
problème en partie. Les principales difficultés lors des essais pratiques furent
essentiellement de trouver les résistances théoriques au labo et la réalisation du montage
proprement dit. Nous avons alors souvent mis plusieurs résistances en série afin d’obtenir
celle escomptée. Plus nous réalisions de montage, plus le câblage devenait chose facile pour
nous, la vérification des montages par les enseignants devenant alors pure formalité.

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II. ANNEXES

1. Courbes des hyperboles de dissipation maximale

HYPERBOLE DE DISSIPATION DU TRANSISTOR T1


0,7 Ib=0.5uA

Ib=1uA
0,6
Ib=2uA
0,5
Ib=3uA
0,4
Ic (A)

Ib=4uA
0,3 Ib=5uA

0,2 Ib=6uA

0,1 Ib=7uA

Ib=8uA
0
0 5 10 15 20 25 Ib=9uA
Vce (V)
hyperbole de dissipation
maximale

HYPERBOLE DE DISSIPATION MAXIMALE T2


0,7
IB=2uA
0,6 IB=4uA
IB=6uA
0,5
IB=12uA
0,4 Série5
Ic (A)

Série6
0,3
Série7
0,2 Série8
Série9
0,1
Série10
0 hyperbole de dissipation
0 5 10 15 20 25
Vce (V)

2. Databook du transistor BC 327

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