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TABLE DES MATIERES

I. INTRODUCTION........................................................................................................... 3
II. PRESENTATION DU MONTAGE ET CAHIER DE CHARGE ................................. 3
III. ETUDE EN REGIME DYNAMIQUE DES DIFFERENTS ETAGES DE
L’AMPLIFICATEUR ............................................................................................................. 4
1. 1er étage ........................................................................................................................ 4
1.1. Détermination des excursions statiques positives et négatives de la tension de sortie.. 5
1.2. Tracé des droites de charge dynamique ................................................................... 5
1.3. Calcul des excursions positive et négative dynamiques de la tension de sortie ........... 8
2. 2 ème
étage ...................................................................................................................... 9
2.1. Détermination des excursions statiques positives et négatives de la tension de sortie.. 9
2.2. Tracé des droites de charge dynamique ................................................................... 9
2.3. Calcul de la puissance reçue par la charge ............................................................. 11
3. Calcul et choix des condensateurs de couplage et de découplage ................................... 11
3.1 Calcul de C1 ........................................................................................................ 12
3.2 Calcul de C2 ........................................................................................................ 12
3.3 Calcul de CE ....................................................................................................... 12
4. Calcul des caractéristiques de l’amplificateur ................................................................ 13
4.1. Schéma équivalent petits signaux de l’amplificateur complet .................................. 13
4.2. Calcul des impédances et des gains 1er étage .......................................................... 13
4.3. Calcul des impédances et des gains 2ème étage ....................................................... 14
4.4. Influence de la contre réaction .............................................................................. 15
IV. EVALUATION DU FONCTIONNEMENT DE L’AMPLIFICATEUR CONSTRUIT
16
1. Photo du câblage de l’amplificateur complet................................................................. 16
1.1. Matériel utilisé ..................................................................................................... 16
1.2. Photo du montage complet ................................................................................... 17
1.3. Photo du montage sur plaque à essai ..................................................................... 17
2. Présentation des résultats............................................................................................. 18
2.1. Evaluation du fonctionnement de l’amplificateur................................................... 18
2.2. Effet de la contre réaction sur la distorsion. ........................................................... 20
V. SIMULATION DANS PROTEUS DE L’AMPLIFICATEUR ........................................ 22
1. Schéma du montage dans proteus ................................................................................ 22
2. Présentation et interprétations des résultats de proteus .................................................. 22
CONCLUSION GENERALE ............................................................................................... 25
ANNEXE : Souvenir au labo ................................................................................................. 26

MANMBEM ARLETTE (14P196) & EMA’A JOEL (14P050) 1

p. 1
2

Table des illustrations


Figure 1: schéma de montage complet de l'amplificateur ............................................... 4
Figure 2: droite de charge statique T1 ....................................................................... 5
Figure 3 : schéma de l’amplificateur en régime dynamique ............................................. 6
Figure 4: droites de charge statique et dynamiques de T1 ............................................... 7
Figure 5: calcul des excursions positive et négative dynamique ....................................... 8
Figure 6: droite de charge statique T2 ....................................................................... 9
Figure 7: droites de charge statique et dynamiques de T2 ............................................. 11
Figure 8: schéma équivalent de l'amplificateur petits signaux ....................................... 13
Figure 9: schéma de configuration de CR série-série ................................................... 15
Figure 10: photo du montage complet ..................................................................... 17
Figure 11: photo du montage sur plaque à essai ......................................................... 17
Figure 12: courbe de Ve en entrée de l'amplificateur ................................................... 18
Figure 13: courbes de Vs1 (jaune) et de Vs (bleue) en sortie du 1er étage et du 2ème étage
respectivement .................................................................................................. 18
Figure 14: étude comparative de Ve (courbe bleue) et de Vs1 (courbe jaune) ..................... 19
Figure 15: courbes de Vs1 et de Vs pour Ru=R2/2 ..................................................... 20
Figure 16: courbes de Vs1 et Vs pour Ve=165mV ....................................................... 20
Figure 17: courbes de Vs1 et de Vs obtenues en introduisant une CR maximale ................. 21
Figure 18: Schéma du montage dans proteus ............................................................. 22
Figure 19: Courbes visualisées sur proteus ............................................................... 23

MANMBEM ARLETTE (14P196) & EMA’A JOEL (14P050) 2

p. 2
3

I. INTRODUCTION

Le but de ce mini-projet est de permettre à chaque étudiant que nous sommes d’acquérir un
savoir-faire effectif en électronique en passant de la théorie à la pratique. Le projet consiste en la
conception et réalisation d’un amplificateur 2 étages classe A à contre réaction. Un cahier de
charges nous a été fourni avec des directives et instructions nécessaires. Ce rapport est un compte
rendu de la deuxième partie de notre projet.
Il s’articule en deux principales parties:

 ETUDE EN REGIME DYNAMIQUE DE L’AMPLIFICATEUR


 EVALUATION DU FONCTIONNEMENT DE L’AMPLIFICATEUR CONSTRUIT

II. PRESENTATION DU MONTAGE ET CAHIER DE


CHARGE

Notre amplificateur est constitué de deux étages à liaison directe:

 Un étage amplificateur de tension qui réalise une contre réaction d’émetteur du type entrée
série sortie série.
 Un étage amplificateur de courant qui réalise une contre réaction totale d’émetteur du type
entrée série sortie parallèle.
L’association de ces deux étages: le premier en émetteur commun et le second en collecteur
commun vise une amplification en puissance car le premier amplifie en tension et le deuxième
amplifie en courant avec un gain en tension quasiment égale à l’unité.

 Cahier de charges

 Pour T1: Ibmax=10uA Vcemax=20V


 Pour T2: Ibmax=50uA Vcemax=20V
 E=20V
 Le point de fonctionnement de chaque transistor sera choisi au milieu de la droite de charge
 Les transistors T1 et T2 doivent demeurer exclusivement en régime linéaire durant le
fonctionnement dynamique.

MANMBEM ARLETTE (14P196) & EMA’A JOEL (14P050) 3

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4

RC1
4.7k

+88.8
mA
RB1
180k

+88.8
mA
T2 E
+88.8 BC327 +88.8 20V
µA Volts

C1(1) C1 T1
+88.8 BC327 +88.8
µA Volts
48n C2

R2 0.6u
RE1 1.3k RU +88.8
RB2 200
CE 7k AC Volts
+88.8 18k
AC Volts RE2
360
2.2u

D
A

B
Figure 1: schéma de montage complet de l'amplificateur

III. ETUDE EN REGIME DYNAMIQUE DES DIFFERENTS


ETAGES DE L’AMPLIFICATEUR

1. 1er étage

MANMBEM ARLETTE (14P196) & EMA’A JOEL (14P050) 4

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5

1.1.Détermination des excursions statiques positives et négatives de la tension de sortie


DROITE DE CHARGE STATIQUE T1
0,004
IB=0.5uA
0,0035 IB=1uA

IB=3uA
0,003
IB=4uA
0,0025
IB=5uA
Ic(A)

0,002 IB=6uA

IB=7uA
0,0015
IB=8uA
0,001 IB=9uA

iB=2uA
0,0005
droite de charge statique
0
0 5 10 15 20 25
∆𝑉𝑁𝑆 ∆𝑉𝑃𝑆
Vce(V)

Figure 2: droite de charge statique T1

Les excursions positive et négative de la tension de sortie se déterminent à l’aide de la droite de


charge statique au niveau du point de repos.

∆𝑽𝑵𝑺= 9.09V et ∆𝑽𝑷𝑺 = 10.91V

1.2.Tracé des droites de charge dynamique

Le schéma de l’amplificateur en régime dynamique est équivalent au montage ci-dessous. Les


condensateurs étant équivalents à des court-circuit.

MANMBEM ARLETTE (14P196) & EMA’A JOEL (14P050) 5

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6

RC1
4.7k

+88.8
mA
RB1
180k

+88.8
mA
T2 E
+88.8 BC327 +88.8 20V
µA Volts

C1(1) C1 T1
+88.8 BC327 +88.8
µA Volts
48n C2

R2 0.6u
RE1 1.3k RU +88.8
RB2 200
CE 7k AC Volts
+88.8 18k
AC Volts RE2
360
2.2u

D
A

B
Figure 3 : schéma de l’amplificateur en régime dynamique

L’équation de charge dynamique de T1 s’écrit : 𝒗𝒄𝒆


𝒊𝒄 = −
𝑹
Avec R= RC1+ RE1

 Droite de charge dynamique pour une contre réaction nulle (DCR0)


Pour tracer la droite de charge dynamique on doit ajouter au régime dynamique le régime statique.
𝑰𝑪 = 𝒊𝒄 + 𝑰𝒄𝟎
Une contre réaction nulle signifie que RE1=0 d’où R=RC1=4.7k.

Après la réalisation du montage en régime statique de l’amplificateur, nous avons obtenu les
coordonnées suivantes pour le point de polarisation de T1.

Transistor T1
Grandeurs Vce (V) Ic (mA) Ib (uA) Vbe (V)
Valeurs théoriques 8.47 2.09 6 0.605

Valeurs pratiques 9.09 2.05 5.6 0.602

Ecart(%) 7.32 1.91 6.66 0.5

Les écarts étant tous inférieurs à 15%, dans la suite ce sont les valeurs pratiques qui seront prises
en compte.

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7

𝒗𝒄𝒆 𝒗 𝟗.𝟎𝟗
𝒊𝒄 = − Et 𝒄𝒆𝟎
𝑰𝒄𝟎 = 𝒊𝒄𝟎 + 𝟒.𝟕∗𝟏𝟎𝟎𝟎 = 𝟐. 𝟎𝟓 ∗ 𝟏𝟎−𝟑 + 𝟒.𝟕∗𝟏𝟎𝟎𝟎 = 𝟑. 𝟗𝟖𝟒𝒎𝑨
𝟒.𝟕∗𝟏𝟎𝟎𝟎

 Pour Vce=0V, ic=3.984mA


 Pour ic=0, Vce= 18.725V

 Droite de charge dynamique pour une contre réaction maximale (DCRM)


Une contre réaction maximale signifie que RE1= RE1max= 200Ω

D’où R=RC1+ RE1= 4700+200 = 4900Ω


𝒗𝒄𝒆 𝒗 𝟗.𝟎𝟗
𝒊𝒄 = − Et 𝒄𝒆𝟎
𝑰𝒄𝟎 = 𝒊𝒄𝟎 + 𝟒.𝟗∗𝟏𝟎𝟎𝟎 = 𝟐. 𝟎𝟓 ∗ 𝟏𝟎−𝟑 + 𝟒.𝟗∗𝟏𝟎𝟎𝟎 = 𝟑. 𝟗𝟎𝟓𝒎𝑨
𝟒.𝟗∗𝟏𝟎𝟎𝟎

 Pour Vce=0V, ic=3.905mA


 Pour ic=0, Vce= 19.135V

On obtient ainsi les deux droites de charge dynamiques suivantes pour :


-une contre réaction maximale DCRM (en rouge) et
-une contre réaction nulle DCR0 (en jaune)

Figure 4: droites de charge statique et dynamiques de T1

 Influence de la contre réaction


En comparant l’écart des angles les deux droites de charge dynamique : contre réaction nulle et
contre réaction maximale, on constate que :
𝛼0 = 40° 𝑒𝑡 𝛼𝑀 = 33.4°
𝛼0 − 𝛼𝑀 40.0−33.4
𝜀= 𝛼𝑀
= 33.4
= 19.76% Soit 6.6° de différence.

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8

On voit bien que la contre réaction rapproche la droite de charge dynamique de la droite de charge
statique. Ce qui va permettre que le point de repos en régime dynamique ne soit pas trop déplacer.
La contre réaction rend l’amplificateur plus stable et diminue le taux de distorsion du signal en
sortie pour des tensions d’entrée d’amplitude élevées.

1.3.Calcul des excursions positive et négative dynamiques de la tension de sortie

En procédant de même que pour les excursions statiques on obtient les valeurs des excursions
positive et négative à partir de la droite de charge dynamique de contre réaction maximale.

∆𝑉𝑁𝐷 ∆𝑉𝑃𝐷

Figure 5: calcul des excursions positive et négative dynamique

On trouve ainsi :

∆𝑽𝑵𝑫= 9.09V et ∆𝑽𝑷𝑫= 10.1V

 Comparaisons des excursions

∆𝑽𝑵𝑫= 9.09V= ∆𝑽𝑵𝑺 et ∆𝑽𝑷𝑫= 10.1V < ∆𝑽𝑷𝑺 = 10.91V


∆𝑽𝑵𝑫= 9.09V < ∆𝑽𝑷𝑫 = 10.1V

∆𝑽𝑵𝑫 + ∆𝑽𝑷𝑫
𝑉𝐷 =
2

∆𝑽𝑷𝑫 − ∆𝑽𝑵𝑫 10.1 − 9.09


= = 10.57%
𝑉𝐷 9.55
L’écart étant inférieur à 15% les données obtenues sont utilisables et ne nécessitent pas une nouvelle
étude pour ajustement.

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2. 2ème étage

2.1.Détermination des excursions statiques positives et négatives de la tension de sortie


droite de charge statique T2
0,018

0,016
IB=2uA
0,014
IB=4uA
0,012 IB=6uA
IB=12uA
0,01
Ic (A)

IB=18uA
0,008
IB=24uA
0,006 IB=30uA
IB=36uA
0,004
IB=42uA
0,002 IB=48uA

0 droite de charge statique


0 5 10 ∆𝑉15 20 25
∆𝑉𝑁𝑆 𝑃𝑆

Vce (V)

Figure 6: droite de charge statique T2

Les excursions positive et négative de la tension de sortie se déterminent à l’aide de la droite de


charge statique au niveau du point de repos.

∆𝑽𝑵𝑺= 11V et ∆𝑽𝑷𝑺 = 9V

2.2.Tracé des droites de charge dynamique

L’équation de charge dynamique de T2 s’écrit : 𝒗𝒄𝒆


𝒊𝒄 = −
𝑹
Avec R= RU//R2

 Droite de charge dynamique pour RU= 2R2


Pour tracer la droite de charge dynamique on doit ajouter au régime dynamique le régime statique.
𝟐 𝟑∗𝒗𝒄𝒆
𝑹 = 𝟑 𝑹𝟐 D’où 𝒊𝒄 = −
𝟐∗𝑹𝟐

𝑰𝑪 = 𝒊𝒄 + 𝑰𝒄𝟎

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10

Après la réalisation du montage en régime statique de l’amplificateur, nous avons obtenu les
coordonnées suivantes pour le point de polarisation de T2.

Transistor T2
Grandeurs Vce(V) Ic (mA) Ib (uA) Vbe(V)
Valeurs théoriques 10.96 6.93 24 0.633
Valeurs pratiques 10.06 7.41 24 0.620
Ecart(%) 8.21 6.92 0 2.05

De même les écarts obtenus sont tous inférieures à 15% d’où ceux-ci peuvent être utilisés pour la
suite de l’étude.
𝟑 ∗ 𝒗𝒄𝒆𝟎 𝟑 ∗ 𝟏𝟎. 𝟎𝟔
𝑰𝒄𝟎 = 𝒊𝒄𝟎 + = 𝟕. 𝟒𝟏 ∗ 𝟏𝟎−𝟑 + = 𝟎. 𝟎𝟏𝟗𝑨
𝟐 ∗ 𝑹𝟐 𝟐 ∗ 𝟏. 𝟑 ∗ 𝟏𝟎𝟎𝟎

 Pour Vce=0V, ic=0.019A


 Pour ic=0, Vce= 16.47V

 Droite de charge dynamique pour RU= R2/6


Pour tracer la droite de charge dynamique on doit ajouter au régime dynamique le régime statique.
𝟏 𝒗𝒄𝒆
𝑹 = 𝟕 𝑹𝟐 D’où 𝒊𝒄 = −𝟕 ∗
𝑹𝟐

𝑰𝑪 = 𝒊𝒄 + 𝑰𝒄𝟎
𝟕 ∗ 𝒗𝒄𝒆𝟎 𝟕 ∗ 𝟏𝟎. 𝟎𝟔
𝑰𝒄𝟎 = 𝒊𝒄𝟎 + = 𝟕. 𝟒𝟏 ∗ 𝟏𝟎−𝟑 + = 𝟎. 𝟎𝟔𝟐𝑨
𝑹𝟐 𝟏. 𝟑 ∗ 𝟏𝟎𝟎𝟎

 Pour Vce=0V, ic=0.062A


 Pour ic=0, Vce= 11.44V

On obtient ainsi les deux droites de charge dynamiques suivantes pour :


-RU=R2/6
-RU=2R2

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11

Figure 7: droites de charge statique et dynamiques de T2

2.3.Calcul de la puissance reçue par la charge

𝑽𝒖 𝟐
𝑷𝒖 =
𝑹𝒖
 RU=R2/6
𝑽𝒎𝒂𝒙 = 𝟏. 𝟑𝟔𝑽
(𝟏. 𝟑𝟔√𝟐)𝟐 ∗ 𝟔
𝑷𝒖 = = 𝟒. 𝟐𝟕𝒎𝑾
𝟏. 𝟑 ∗ 𝟏𝟎𝟎𝟎
 RU=2R2
𝑽𝒎𝒂𝒙 = 𝟔. 𝟑𝟒𝑽
(𝟔. 𝟑𝟒√𝟐)𝟐
𝑷𝒖 = = 𝟕. 𝟕𝟑𝒎𝑾
𝟐 ∗ 𝟏. 𝟑 ∗ 𝟏𝟎𝟎𝟎
On constate que plus la charge est grande, plus la puissance reçue est importante. En effet, cela
se justifie par le fait qu’une charge plus grande appelle un courant plus grand.

3. Calcul et choix des condensateurs de couplage et de découplage

1
L’impédance d’un condensateur est donnée par : 𝑍𝐶 = 2𝜋𝑓𝐶

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12

Nous choisissons de travailler ici à une fréquence f=200Hz.

3.1 Calcul de C1
C1 est le condensateur de couplage en entrée du circuit.
𝟏
Son impédance doit être négligeable devant les résistances de polarisation. Soit 𝒁𝑪 = 𝟐𝝅𝒇𝑪 < 𝑹𝑩

𝑅𝐵1 ∗ 𝑅𝐵2 180 ∗ 18


𝑅𝐵 = 𝑅𝐵1 //𝑅𝐵2 = = = 16.36𝑘
𝑅𝐵1 + 𝑅𝐵2 180 + 18

𝟏
𝑪𝟏 ≥
𝟐𝝅𝒇𝑹𝑩
𝟏
A.N: 𝑪𝟏 ≥ 𝟐𝝅∗𝟐𝟎𝟎∗𝟏𝟔.𝟑𝟔∗𝟏𝟎𝟎𝟎 Soit C1 ≥ 𝟒𝟖𝒏𝑭

3.2 Calcul de C2
C2 est le condensateur de couplage en sortie du circuit.
𝟏
Son impédance doit être négligeable devant la résistance R2. Soit 𝒁𝑪 = < 𝑹𝟐
𝟐𝝅𝒇𝑪

𝟏
𝑪𝟐 ≥
𝟐𝝅𝒇𝑹𝟐
𝟏
A.N: 𝑪𝟐 ≥ 𝟐𝝅∗𝟐𝟎𝟎∗𝟏.𝟑∗𝟏𝟎𝟎𝟎 Soit C2 ≥ 𝟎. 𝟔𝝁𝑭

3.3 Calcul de CE
CE est le condensateur de découplage de la résistance d’émetteur de T1.
Son impédance doit être négligeable devant la résistance qu’elle découple : 𝑹𝑬𝟐
𝟏
Soit 𝒁𝑪 = < 𝑹𝑬𝟐 avec 𝑹𝑬𝟐 = 𝑹𝑬 − 𝑹𝑬𝟏 = 560-200=360Ω
𝟐𝝅𝒇𝑪

𝟏
𝑪𝑬 ≥
𝟐𝝅𝒇𝑹𝑬𝟐
𝟏
A.N: 𝑪𝑬 ≥ Soit CE ≥ 𝟐. 𝟐𝝁𝑭
𝟐𝝅∗𝟐𝟎𝟎∗𝟑𝟔𝟎

Cependant puisque qui peut le plus peut le moins et du fait de la disponibilité des composants au
laboratoire, nous avons choisi de travailler avec :

C1 C2 CE
47𝝁𝑭 10𝝁𝑭 10𝝁𝑭

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4. Calcul des caractéristiques de l’amplificateur

Les caractéristiques de l’amplificateur se déterminent à l’aide du schéma équivalent petits signaux.

4.1.Schéma équivalent petits signaux de l’amplificateur complet

Figure 8: schéma équivalent de l'amplificateur petits signaux

4.2.Calcul des impédances et des gains 1er étage

Les valeurs des paramètres hybrides utilisés pour les applications numériques sont données dans le
tableau ci-dessous.
Transistor T1
h11 4545
h21 360
h22 6.59 ∗ 10−5
𝜌 19600

 Impédance d’entrée Ze1


𝑣𝑒
Ze1=RB // ( )
𝑖𝐵1

Ve = 𝑉𝐸1 + 𝑉𝐵𝐸 = 𝑅𝐸1 ∗ 𝑖𝐸1 + ℎ11 ∗ 𝑖𝐵1 = 𝑅𝐸1 ( 𝑖𝐵1 + 𝛽1 ∗ 𝑖𝐵1 ) + ℎ11 ∗ 𝑖𝐵1
Ve = [𝑅𝐸1 ( 1 + 𝛽1 ) + ℎ11 ] ∗ 𝑖𝐵1
D’où Ze1= RB // [𝑹𝑬𝟏 ( 𝟏 + 𝜷𝟏 ) + 𝒉𝟏𝟏 ]

A.N : Ze1= 13.5k

 Impédance de sortie Zs1

Zs1= Rc1=4.7k

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14

 Gain en tension Gv1


𝑉𝑆1 𝑅𝐶1 𝐼𝑆
𝐺𝑉1 = =
𝑉𝑒 𝑅𝐸1 𝐼𝐸1 + ℎ11 𝑖𝐵1
𝛽 𝑅𝐶1 𝐼𝐵1 𝜷𝟏 𝑹𝑪𝟏
𝐺𝑉1 = − (1+𝛽)∗𝑅1 Soit 𝑮𝑽𝟏 = −
𝐸1 𝐼𝐵1 +ℎ11 𝑖𝐵1
(𝟏 + 𝜷) ∗ 𝑹𝑬𝟏 + 𝒉𝟏𝟏

4.3.Calcul des impédances et des gains 2ème étage

Les valeurs des paramètres hybrides utilisés pour les applications numériques sont données dans le
tableau ci-dessous.
Transistor T2
h11 2000
h21 314
h22 5.1 ∗ 10−5
𝜌 15181

 Impédance d’entrée Ze2


𝑣𝑒2
Ze2=
𝑖𝐵2

Ve2 = ℎ11 ∗ 𝑖𝐵2 + 𝑉𝑆2


𝑉𝑆2 = 𝑅2 𝐼𝑆 = 𝑅2 ( 𝑖𝐵2 + 𝛽2 ∗ 𝑖𝐵2 ) = 𝑅2 ( 1 + 𝛽2 ) 𝑖𝐵2
𝑉𝑒2 = ℎ11 ∗ 𝑖𝐵2 + 𝑅2 ( 1 + 𝛽2 ) 𝑖𝐵2

D’où Ze2= 𝒉𝟏𝟏 + 𝑹𝟐 ( 𝟏 + 𝜷𝟐 )

A.N : Ze2= 41.15k

 Impédance de sortie Zs2


𝑣𝑠2
Zs2=
𝑖0
𝑣𝑠2 𝑣 𝑣𝑠2 𝑣𝑠2 𝑣𝑠2 𝑣𝑠2
𝑖0 = + ℎ𝑠2 - 𝛽2 𝑖𝐵2 = + 𝑖𝐵2 - 𝛽2 𝑖𝐵2 = 𝑅2
− ( 1 + 𝛽2 ) 𝑖𝐵2 = 𝑅2
− ( 1 + 𝛽2 ) ℎ11
𝑅2 11 𝑅2

1 𝑖0 1 1
= 𝑣𝑠2= 𝑅 − ( 1 + 𝛽2 ) ℎ11
𝑍𝑆2 2

𝟏𝟏𝒉
𝒁𝑺𝟐 =( 𝟏+𝜷 )
/ / 𝑹𝟐
𝟐

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15

A.N: 𝒁𝑺𝟐 = 𝟔. 𝟑𝟐Ω

 Gain en tension Gv2


𝑉𝑆2 𝑅2 𝐼𝑆 𝑅2 ( 1+𝛽2 )∗𝐼𝐵2
𝐺𝑉2 = = =
𝑉𝑒2 𝑅2 ( 1+𝛽2 )∗𝐼𝐵2 +ℎ11 𝑖𝐵2 𝑅2 1+𝛽2 )∗𝐼𝐵2 +ℎ11 𝑖𝐵2
(

𝑹𝟐 ( 𝟏 + 𝜷𝟐 )
𝑮𝑽𝟐 =
𝑹𝟐 ( 𝟏 + 𝜷𝟐 ) + 𝒉𝟏𝟏
A.N : 𝑮𝑽𝟐 = 𝟎. 𝟗𝟗𝟓 ≈ 𝟏

 Gain en Courant Gi
𝐼𝑆 ( 1+𝛽2 )∗𝐼𝐵2
𝐺𝑖 = − =−
𝑖𝐵2 𝑖𝐵2

𝑮𝒊 = − ( 𝟏 + 𝜷𝟐 ) = −𝟑𝟏𝟓

4.4.Influence de la contre réaction

Le premier étage de l’amplificateur est en CR série-série tel que schématisé ci-dessous.

IC1
Go
VBE1 VCE1

Ve Vs

VRE1 β

Figure 9: schéma de configuration de CR série-série

 Expression du taux de contre réaction

Il s’agit de la quantité : 𝑫𝑹 = 𝟏 − 𝜷(𝒋𝒘)𝑮𝟎 (𝒋𝒘)

𝑰𝑪𝟏 𝜷∗𝑰𝑩𝟏 𝜷
Avec 𝑮𝟎 (𝒋𝒘) = 𝑽𝑩𝑬𝟏
= 𝒉𝟏𝟏∗𝑰𝑩𝟏
= 𝒉𝟏𝟏

𝑽𝑹𝑬𝟏 𝑹𝑬𝟏 (𝟏 + 𝜷)𝑰𝑩𝟏 𝑹𝑬𝟏 (𝟏 + 𝜷)


𝜷(𝒋𝒘) = = =
𝑰𝑪𝟏 𝜷 ∗ 𝑰𝑩𝟏 𝜷
𝒉𝟏𝟏 + 𝑹𝑬𝟏 (𝟏 + 𝜷)
𝑫𝑹 =
𝒉𝟏𝟏

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16

 Pour une CR nulle, 𝑅𝐸1 = 0 𝑒𝑡 𝐷𝑅 = 1


 Pour une CR maximale, 𝑅𝐸1 = 200Ω 𝑒𝑡 𝐷𝑅 = 16.88

 Influence de la contre réaction sur l’impédance d’entrée Ze1


𝑹𝑩 𝒉𝟏𝟏 𝑫𝑹
𝒁𝒆𝟏 =
𝑹𝑩 + 𝒉𝟏𝟏 𝑫𝑹

 Pour une CR nulle 𝒁𝒆𝟏 = 𝟑. 𝟔𝒌


 Pour une CR maximale 𝒁𝒆𝟏 = 𝟏𝟑. 𝟒𝟗𝒌
On constate que la contre réaction augmente la valeur de l’impédance d’entrée du circuit.

 Influence de la contre réaction sur l’impédance de sortie Zs1

Zs1= Rc1=4.7k

On voit que la contre réaction n’a aucune influence sur l’impédance de sortie du premier étage car
son expression de dépend pas du taux de contre réaction.

 Influence de la contre réaction sur le gain en tension Gv1

𝜷𝑹𝑪𝟏
𝑮𝑽𝟏 = −
𝒉𝟏𝟏 𝑫𝑹

 Pour une CR nulle 𝑮𝑽𝟏 = −𝟑𝟕𝟐. 𝟑


 Pour une CR maximale 𝑮𝑽𝟏 = −𝟐𝟐. 𝟎𝟓
On constate que la contre réaction diminue la valeur du gain en tension du circuit.

IV. EVALUATION DU FONCTIONNEMENT DE


L’AMPLIFICATEUR CONSTRUIT

1. Photo du câblage de l’amplificateur complet

1.1.Matériel utilisé
 1 oscilloscope
 1 alimentation continue de 20V
 1 plaque à essai
 1 GBF 3 condos électrochimiques : 1µF, 10µF, 10µF
 2 transistors NPN BC 327
 5 Résistances : 4.7k, 1.3k, 180k, 18k, 200Ω
 2 sondes d’oscilloscope
 1 câble BNC-BNC
 Des monobrins
 Des câbles bananes

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17

1.2.Photo du montage complet

Figure 10: photo du montage complet

1.3.Photo du montage sur plaque à essai

Figure 11: photo du montage sur plaque à essai

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2. Présentation des résultats

2.1.Evaluation du fonctionnement de l’amplificateur

Nous avons choisi de travailler avec une amplitude de 40 mV crête à crête (amplitude de 20mV)
plutôt que 10 mV en entrée car étant la valeur minimale que nous avons réussi à régler sur le GBF.
Pour f=1Hz et |Ve|=20mV à contre réaction nulle et pour Ru=R2=1.3k nous avons obtenu les
résultats ci-dessous :

Figure 12: courbe de Ve en entrée de l'amplificateur

Figure 13: courbes de Vs1 (jaune) et de Vs (bleue) en sortie du 1er étage et du 2ème étage respectivement

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 Comparaison entre Ve et Vs1

Figure 14: étude comparative de Ve (courbe bleue) et de Vs1 (courbe jaune)

En tenant compte du calibrage on obtient les valeurs suivantes :

Ve : 20 mV et Vs1 : 2V/div pour 3.5 divisions soit Vs1 a une amplitude de 7V.
On obtient ainsi un Gain en tension : 𝟕
𝑮𝑽𝟏 = 𝟐𝟎∗𝟏𝟎−𝟑 = 𝟑𝟓𝟎

Le signal d’entrée Ve (courbe bleue figure 14) est un signal sinusoïdal d’amplitude 20mV et le
signal de sortie Vs (courbe jaune figure 14) est aussi sinusoïdal mais d’amplitude 7V. Le signal
d’entrée a donc été bel et bien amplifié et on obtient un gain de 350 ce qui n’est pas loin du gain
théorique 372.3 escompté.
De plus une analyse du déphasage entre les deux signaux montre que ceux-ci sont déphasés de
170° ce qui n’est pas très loin du déphasage théorique 180° indiqué par le signe négatif (-) du
gain théorique.

 Comparaison entre Vs1 et Vs


La figure 13 ci-dessus montre les signaux de sortie du 1er étage et du 2ème étage Vs1 et Vs
respectivement. On voit bien que les deux signaux sont superposés. Ceci est dû au fait que le
deuxième étage est un montage à collecteur commun. Il se comporte donc comme un suiveur de
tension. Le gain Gv2 du 2ème étage est pratiquement égal à l’unité ce qui correspond aux estimations
théoriques faites précédemment. Les deux courbes possèdent par conséquent un déphasage nul.

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2.2.Effet de la contre réaction sur la distorsion.

Pour f=1Hz et |Ve|=20mV à contre réaction nulle et pour Ru=R2/2=0.6k nous avons obtenu les
résultats ci-dessous :

Figure 15: courbes de Vs1 et de Vs pour Ru=R2/2

Les deux courbes sont toujours superposées et ont pour amplitude 7.5V soit : 1.5div*5V/div
comme le montre la figure 15 ci-dessus.

En augmentant progressivement l’amplitude de Ve, nous avons observé les premières déformations
de Vs1 pour Ve=165mV. Le signal n’est plus une sinusoïde parfaite, il est écrêté.

Figure 16: courbes de Vs1 et Vs pour Ve=165mV

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En conservant les mêmes réglages, on introduit une contre réaction maximale. La résistance RE
de 560Ω est remplacée par RE1= 200Ω et RE2=360Ω. On obtient les résultats suivants :

Figure 17: courbes de Vs1 et de Vs obtenues en introduisant une CR maximale

On constate que le signal précédemment écrêté est redevenu sinusoïdal. C’est l’effet de la contre
réaction. Une fois que le signal d’entrée devient très grand la contre réaction permet de réduire
la distorsion du signal amplifié et rend ainsi l’amplificateur plus stable.
En effet, le signal Vs1 était écrêté vers le haut sans contre réaction, une fois celle-ci introduite
le signal redevient sinusoïdal. Cela était prévisible car le tracé des droites de charge dynamique
fait précédemment (figure 4) montre que l’excursion positive en contre réaction maximale est
supérieure à celle sans contre réaction et se rapproche de l’excursion positive statique.

𝟑
En comparant les amplitudes des deux signaux on obtient un gain : 𝑮𝑽𝟏 = 𝟏𝟔𝟓∗𝟏𝟎−𝟑 = 𝟏𝟖. 𝟏𝟖

On voit bien que la contre réaction maximale diminue fortement le gain en tension du 1 er étage
ce qui concorde avec l’étude théorique précédemment faite sur l’effet de la contre réaction.

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V. SIMULATION DANS PROTEUS DE L’AMPLIFICATEUR

1. Schéma du montage dans proteus

RC1
4.7k

+88.8
mA
RB1
180k

+88.8
mA
T2 E
+88.8 BC327 +88.8 20V
µA Volts

C1(1) C1 T1
+88.8 BC327 +88.8
µA Volts
48n C2

R2 0.6u
RE1 1.3k RU +88.8
RB2 200
CE 7k AC Volts
+88.8 18k
AC Volts RE2
360
2.2u

D
A

Figure 18: Schéma du montage dans proteus

2. Présentation et interprétations des résultats de proteus

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Figure 19: Courbes visualisées sur proteus

En réglant les sorties des trois voies utilisées, aux mêmes calibres comme indiqué ci-dessus,
on voit bien sur les courbes obtenues que le signal en entrée de l’amplificateur (channel A : courbe
jaune) est amplifié à la sortie du premier étage (channel C : courbe rose). Ceci est dû au fait que ce
premier étage est un montage émetteur commun et nous savons qu’il possède un gain en tension
élevé. Le déphasage obtenu entre les deux courbes est dû au signe négatif du gain en tension du 1er
étage. Celui-ci n’est pas exactement égal à 180 à cause des caractéristiques différentes des transistors
de proteus par rapport à ceux que nous avons utilisés au laboratoire.

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De même, la courbe en sortie de l’amplificateur (channel D : courbe verte) est presque


superposée à celle obtenue au premier étage car c’est un étage collecteur commun. Cependant ce
petit déphasage entre les deux est aussi dû aux paramètres des transistors. Pour la tension, cet étage
va se comporter comme un suiveur de tension. Cet étage possède comme principale caractéristique
son amplification en courant élevé. Nous avons donc réalisé un amplificateur de puissance. De
plus on a remarqué que plus la charge augmente plus l’amplitude du signal en sortie de
l’amplificateur augmente cependant ne dépasse jamais celle obtenue au premier étage.
Nous pensons donc avoir obtenu de résultats acceptables sur proteus. Cependant les
amplifications obtenues dans Proteus et au laboratoire sont différentes car dans proteus nous avons
travaillé avec des transistors PNP ayant des gains prédéfinis de l’ordre de 150 ce qui est différents
de nos deux transistors qui avait des gains de 360 et 324 pour le 1er et le 2ème transistor
respectivement.

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CONCLUSION GENERALE

En définitive, ce TP a été très instructif nous l’avons apprécié de fond en comble depuis la
caractérisation des différents transistors jusqu’à l’étude du fonctionnement de l’amplificateur
construit en passant par l’étude de différents régimes statique et dynamique de l’amplificateur. Ce
TP nous a permis d’approfondir nos connaissances en électronique mais surtout acquérir un savoir-
faire pratique en application de toutes nos connaissances théoriques apprises jusque-là.
En effet, nous avons construit un amplificateur de puissance, classe A à deux étages à l’aide
de deux transistors PNP. Le premier étage étant à émetteur commun avec un grand gain en tension
est donc un amplificateur de tension ; et le second à collecteur commun possédant un gain en
courant très élevé et un gain en tension unitaire est alors un amplificateur de courant. Les deux mis
en cascade nous permettant d’avoir une amplification de puissance. Cette puissance est assez petite
car de l’ordre du mWatt. De plus, l’amplificateur construit présente un taux de distorsion très faible
pour des tensions d’entrée élevées en contre réaction nulle. L’ajout de la contre réaction annule
cette distorsion et permet d’avoir un signal quasi sinusoïdal en sortie. Notre montage remplit donc
les caractéristiques d’un amplificateur de classe A.
Les comparaisons entre nos attentes théoriques et nos résultats pratiques faites
précédemment sont très satisfaisantes révélant ainsi la vraisemblance de nos résultats et traduit le
sérieux que nous avons attaché à notre travail.
Nous notons la grande assistance de nos encadreurs et l’attention particulière qu’ils nous
ont porté en particulier sur le réglage de l’oscilloscope lors de la visualisation des signaux. Nous les
en remercions grandement.
Au terme de ce projet, nous pensons avoir acquis les compétences visées par cette unité
d’enseignement via ce TP.

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ANNEXE : Souvenir au labo

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