électrochimique
M
-q (M) = q (S)
• Une telle structure est équivalente à un condensateur à plaques parallèles dont la
densité de charges σ est égale à :
σ = ε εo V
d
• ε : permittivité du milieu
• εo : permittivité du vide
• V : tension entre les plaques
• d : distance entre les plaques
σ = ε εo = Cd
V d
Ic = Cd dV
dt
Théorie de Gouy-Chapman (1910)
L’insuffisance du modèle de Gouy-Chapman est due au fait que les ions étaient
considérés comme des charges ponctuelles qui peuvent s’approcher arbitrairement de
la surface. Ce point de vue n’est pas réaliste. En effet, les ions ont une taille finie et ne
peuvent approcher la surface à une distance inférieure au rayon ionique. S’ils sont
solvatés, il faut tenir compte de l’épaisseur de la couche de solvant. Ainsi, on envisage
un plan de moindre approche pour les centres des ions situés à une distanceX2,
appelé Plan externe d’Helmholtz.
Adsorption spécifique
Jusqu’à présent, seuls les effets électrostatiques à grande distance ont été
considérés. Néanmoins, il faut également tenir compte d’interactions
spécifiques à faibles distances indépendantes de la composition de la solution
et fortement liées à la surface de l’électrode. Ainsi, il a été supposé l’existence
d’une première couche constituée de molécules de solvant ou d’anions
spécifiquement adsorbés. Le lieu des centres des ions adsorbés est appelé
Plan Interne d’Helmholtz
Reference: Cefracor (2009)
Circuit équivalent
R1
Atome isolé
E2
E 2 E1 hn
E1
Cristal
Ec Ec
Ec
Ev Ev
Ev
E2 E2
E2
E1 - E2 = hn
E1
E1
E1
(a) (b)
Semi-conducteur intrinsèque
Ec e- e-
n>p
n : concentration en électrons
Eg
P : concentration en trous,
p>n e- n=p
h+ h+
Ev
1
f (E)
E EF
1 exp( )
KT
f(E) est la probabilité qu'un niveau électronique d'énergie E
EF E EF Ec
( E EF ) f ( E ) exp( ) n Nc exp( )
KT KT
La distribution des trous dans la bande de valence :
Ev EF
g ( E) 1 f ( E) p N v exp( )
KT
Si le semi-conducteur est parfaitement pur (intrinsèque)
n p
EF EC Ev EF
Nc exp( ) Nv exp( )
KT KT
NV ( EF EV EC EF ) 2EF (EV EC )
Ln( )
NC KT KT KT
( EV EC ) KT NV
EF Ln
2 2 NC
Semiconducteur/Electrolyte
La contre-charge est défini dans une zone à l’intérieur du semiconducteur appelée
région de charges d'espace car la densité des porteurs de charge dans le semi-
conducteur est beaucoup plus faible que dans un métal conducteur.
Ainsi, une variation du potentiel dans deux régions distinctes : la chute de potentiel à
travers la charge d'espace entre la surface et le sein du semi-conducteur et la variation
de potentiel dans l'électrolyte. V (V V ) (V V )
SC / électrolyte b 0 0 s
1 1 1
Cd CSC CH
Cd Csc
Transferts électroniques à la jonction
semi-conducteur/électrolyte
Oxydation
Red OX + e-
Red + h + OX
Réduction
OX + e- Red
OX Red + h +
Cinétique électrochimique
Introduction
On peut distinguer deux familles de méthodes électrochimiques
suivant que les phénomènes observés dépendent ou non du temps:
les méthodes transitoires et les méthodes stationnaires.
Les modes de transport pour un transfert de masse unidimensionnel le long d’un axe x :
• Migration : - ZF Di Ci d Φ (x)
RT dx
• Diffusion : - Di d C (x) ( 1er loi de Fick)
dx
Convection : Ci v(x)
Ainsi, le transport de masse à une électrode est décrit par l’équation de Nernst-Plank
i = - n F S Di d C (x)
dx
Calculons le nombre de moles N électrolysées dans la couche de diffusion par deux méthodes
N = ( Cs – Cel) S δ (t) = 1 ∫ dQ = 1 ∫ I dt
nF nF
En différentiant
( Cs – Cel) S dδ (t) = I (n : nbre d’électrons)
dt nF
Or I = nFS Di ( Cs – Cel)
δ (t)
Kred°
La vitesse globale de la réaction Ox + ne Red est donnée par :
KOx°
α : Coefficient de transfert
K° : Cte intrinséque de vitesse
Ainsi :
I = nFSK°([ Cel (Red) exp(α) nF (E-E°)]-[ Cel (Ox) exp (1-α) nF (E-E°)]
RT RT
Pour déterminer le courant d’échange I0 qui correspond à Ia = Ic, il
est souhaitable de tracer log I = f(E).
Les relations linéaires obtenues sont appelées courbes de Tafel vers des potentiels
élevés.
Côté anodique
RT RT
ln I a ln I 0
nF (1 ) nF (1 )
Côté cathodique
RT RT
ln I c ln I 0
nF nF
Méthodes Hydrodynamiques
Il = nFS D Cs
δ
δ = 1.61 D1/3 ω -1/2 ν 1/6
ν : Viscosité cinématique cm2.s-1
E = Ei + vt
• Ip
Ep E
Voltamétrie Cyclique
Lorsque le balayage s'effectue de manière cyclique (après avoir
balayé vers les potentiels anodiques, on inverse le sens de la variation
du potentiel pour effectuer un balayage vers les potentiels
cathodiques. la méthode est appelée voltamétrie cyclique.
0<t < λ E = Ei + vt
t>λ E = Eλ - vt
E
Eλ
Ei
0 λ t
Selon la stabilité chimique du produit de réduction (ou d'oxydation) formé lors du
balayage cathodique (ou anodique) on peut définir deux types de systèmes:
•Un système est dit chimiquement réversible, lorsque l'espèce formée à la fin du
transfert d'électrons est suffisamment stable pour pouvoir se retransformer en forme
initiale. On observe alors un voltamogramme de type l.
E
Z exp i Re( Z ) Im(Z )
I
Spectroscopie d’Impédance Electrochimique
P(Ep,Ip)
Courant
exp[jt+
-
exp[jt+
Potentiel
Diagramme de Bode
Plan de Nyquist
f 2 log f
Schéma électrique équivalent au
processus électrochimique
Principe de détermination de l’impédance électrochimique en un point M de la courbe
de polarisation.
(Cd : capacité différentielle (en F.cm-2) de l'interface au potentiel fixe Eo supposé invariable sur le très
petit intervalle de variation ).
Rt j Rt 2 Cd
1
Z( ) = R + R
1 1 Rt Cd 2
j Cd
Rt
Rt t Cd
R 2
= R + 2 j
1 Rt Cd 1 Rt Cd
2
= R( ) - j G( )
On démontre que l'on peut retrouver à partir de ces deux égalités, l'équation d'un cercle:
Rt
2
2
Rt
R( ) - R G( )
2
2 4