CONSULTAESCUELA POLITECNICA NACIONAL Circuitos Electrénicos GR1 Jairo Fernandez Fotodetectores orginicos y especificaciones del Fotodiodo BPW21 y del Fototransistor SEH309FA Fotodetectores, Un fotodetector es un dispositivo capaz de reaccionar a un estimulo de luz y enviar una sefial eléctrica de voltaje 0 corriente. El principio de funcionamiento de este tipo de elementos esti en la conversién de energfa luminica en eléctrica por la absorciGn de fotones y aparicién de pares de electrones huecos en la banda de conduccién y huecos en la banda de valencia. La funcidn principal de los receptores épticos es convertir las sefiales Spticas producidas por una fuente de luz a sefiales eléctricas y recuperar 1a informaci6n transmitida a través de los sistemas conductores hacia el resto de los elementos. P tue =| os Flguro 1: Funcionamiento de un fotodetector Los principales componentes de los fotodetectores son elementos reactivos a la luz tales como el sili germanio, indio, etc. La implementacién de elementos metilicos fotosensibles se ha desarrollado por parte de Ios fabricantes nueva tecnologfa en la creacién de fotodetectores que implementan materiales orgénicos en la creacién de dispositivos convertidores de energia Iuminica, tales dispositivos se conocen como fotodetectores orgénicos, IL. Fotodetectores orgénicos La fotodetectores orgénicos son elementos reactivos a la luz formados por cadenas de polimeros orgénicos, representan un campo emergente de la electrénica orgénica. Las caracteristicas de los semiconductores orginicos los hacen atractivos para los fabricantes que os emplean en diversas aplicaciones optoelectr6nicas innovadoras y disruptivas. Estos dispositivos son fuertes absorbentes por lo que se pueden sintonizar quimicamente para absorber la luz ultravioleta e infrarroja que no es ficilmente detectable por otros fotodetectores compuestos por materiales inorg: ae Figura 2: Fotodector de base de carbona© Polimero Un polimero conductor consiste, bsicamente en una cadena carbonada muy larga que presenta una conjugacién muy extendida. Este tipo de estructura tiene 1a propiedad fundamental de poseer orbitales electr6nicos extendidos sobre toda la estructura. Un electrén situado en uno de estos niveles estaria muy deslocalizado y tendria una gran libertad de movimiento, de manera que seria posible conseguir la conduccién de electricidad. Los semiconductores organicos son aquellos que se basan en cadenas de carbono estructuradas ordenadamente. Neo Figur 3: Codenas decarbono La principal diferencia entre los fotodetectores comerciales actuales inorginicos y los detectores orgénicos esti en que estos iltimos utilizan Ia absorcién de fotones en una sola molécula y los inorgénicos entre las bandas de energia, por ello los fotodetectores orgdnicos son mis dificiles de sintetizar. Las desventajas de ocupar estos detectores es que ‘ocupan mucho mis volumen, y no pueden ajustarse a diferentes longitudes de onda. Miltiples studios se encuentran desarrollando Ia tecnologia en un fotodetector que no dependa de Ia estructura quimica de las moléculas en, sino de la imteraccién entre los dos tipos de materiales de fotodeteciores, y que se puede modular en funcién de la geometria del dispositivo. Aplicaciones Los fotodetectores orgdnicos son una de las tecnologfas mds innovadoras para el mercado. Las fabricaciones de estos dispositivos pueden transformar pléstico, papel o vidrio en superficies inteligentes capaces de reaccionar a la luz. haciendo que nuestra vida diaria sea més facil y aportando al cuidado medioambiental, con tecnologia més inteligente y ms eficiente, Algunas propiedades los distinguen de la electrénica inorgénica tradicional es que son més delgados, flexibles, semitransparentes, portdtiles y pueden fabricarse en grandes cantidades volviéndose mAs econdmicos. Son ademis ideales para el desarrollo de superficies de dispositivos inteligentes capaces de reaccionar a cambios en la luz esto con el fin de que sean mucho més versétiles para los usuarios. Estos elementos también pueden emplearse en la medicina gracias a su capacidad de recolectar informacién mediante luz no visible al ojo humano recolectando de esta manera datos del paciente en funci6n de las diferentes ondas de luz proyectadas a través del mimo como ejemplo en los rayos equis o andlisis en busca de células cancerigenas. so ‘ Zz, kar rl SS oe a OM se ie Figure 4: Aplicaciones de los Fotedetectores Orgénicos -IV. Fotodiodo BPW21 BPW2IR es un fotodiodo plano de silicio PN en una caja corta TO-5 herméticamente sellada, especialmente diseftado para aplicaciones lineales de alta precisién. Debido a su resistencia a la oscuridad extremadamente alta, 1a fotocorriente de cortocircuito es lineal durante siete décadas de nivel de iluminacién. Por otro lado, existe una correlacién estrictamente Jogaritmica entre el voltaje de circuito abierto y la iluminacién en el mismo rango, Tabla I: Atrbutos de BPW2 Atributo Valor Espectros Detectados Luz Visible Longitud de Onda de la Sensibilidad de Pico 565nm. Tipo de Paquete 0-5 ‘Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante Neimero de Pines 2 Material del Diodo Si Minima Longitud de Onda Detectada 420nm ‘Maxima Longitud de Onda Detectada 675nm Longitud 9.1mm Anchura 9.1mm Altura 3.1mm Angulo de Sensibilidad Media 50° Polaridad Directomata abuni aici Figura 6: Simbolo del BPw21 V. _ Fototransistores SFH309FA Este fototransistor se activada por Ia incidencia de la luzen la regién de base generando portadores en ella, el mismo tiene una ventana que permite la entra de luz. El Rango espectral de sensibilidad de este tipo de transistores desde 380 nm a 118nm en el caso SFH 309 y de 730nm a 1120 nm en el caso del SFH 309 FA. Tabla 2: Atributos del SFHBOSFA Atributo Valor Espectros Detectados Infrarrojo ‘Tiempo de Bajada Tipico Tus ‘Tiempo de Subida Tipico Tus Ntimero de Canales 1 Corriente de Luz Maxima 7200HA Corriente de Oscuridad Maxima 200nA Polaridad NPN Neimero de Pines 2 Tipo de Paquete 3mm (T-1) Corriente del Colector 15mA Minima Longitud de Onda Detectada 730m Maxima Longitud de Onda Detectada 1120nm‘ “Ne Figure 7:Fototransstor fiicamente Figure 8: Simbolo del fototransistor SFH3O9FA Bibliografia Fotodiodo Vishay 50 * Luz Visible Si, P., 2020. BPW21R | Fotodiodo Vishay 50 * Luz Visible Si, ‘Montaje En Oriticio Pasante, Paquete De TO-5 | RS Components. [online] Es.rs-online.com. Natali, D. and Caironi, M., 2020. Organic Photodetectors. ‘Yang, D. and Ma, D., 2020. Development Of Organic Semiconductor Photodetectors: From ‘Mechanism To Applications. ‘Tme.eu. 2020. SFH 309 FA OSRAM - Fototransistor | 3M; Ap Max: 900Nm; 35V; 12%; Ad: 730- 1120Nm; 165Mw; SFH309FA | TME - Elektroniikka KomponentitEJERCICIOSEscve lo ful ueentcn Nacional Newnes eet Pere nn les Fecha Je enbre ga: OF#106 [21020 Problemas Propuestes Unidad 4 4. Fave el circuits de la Eiger i calculay el valov Je la resistencia RCyRB sise conoce que ol 1B Sse. encuentra Sature do Pave que se encienda el] LEO, consi deve VAZ»Y ve Vie dt 2,5v. Lledz Bom; el VeesatzonN, Vcc stv, hte B= 100 Vec Roezt ace allan Vee st Ov Vcertov B= joo oVGG: VRO+VBE VeB > Le-RO+ VRE @Vec= Le- Res Weep + VCE sat Malla A fOv= Te. kb + Vee ‘ent Te- Raz t0v-ortV Res 23Vy Le Nec VCE . Malla Pav. se anciendo el LED che ; een fowz Le-Re rUSv + OV > led =7 Tez 30mA gz Ss Le-Re = 40V -2Sv-OrAy % =? Le % Lewin = 21034 Oe eas Lex o3wA - = Kn ay Ree May XCEL 5 ROX 07 RRS ONE Be 30016 Con Valores Comerciales Rezr¥o nH I RG= WKN2, Diseway el civeuite ryr Pava quecuands te =7 1B=5.30mh EB e Let 150 An Ret SIV =, 130% J Comercial: Ras Vee -OV Boma Rez ASORy Sm A Ra =4acc gar Vee= Ra. lbaVec Ra S497 K NN Ciycvite & ® corte Vao= Ip. Rr + VBE = GomA-Ratoav wae Sy -oay = Ri =7 Raz 766en Les AopA = CmA Go MA IB=EmA = GOMA Raw B2KAN 100 =? Ra=4AKn a Rre@rKn3. EI civcvileo dela Figur para encen der y apogee on motor motor trobaje con un Veltaje entre sus bornes yal he=t5o, Coleube a) pave encende™ Ye pe. diche Je3vytoomA, 52 concce que oll Niet laRB y VOS Cvoltaje dela base antes JeR = 10N el moter. Nee Dates Condicién del Motor Nesceay 3V toomA Bz150 Ae vu23V Im toom Pave que encitn te el 185 debe estaren lavegion activa. LeziIm =7 Ice oma = = te xe. ao 7 1B i fom A G.6040 A Escejyo VeB=CV Voo21e-Ro+Vee + Roz VO VOE WOK MAN Ip Rdyq, = S¥=% 7 _ROwax = I9AC027L OGGI WA *Roeax & S.2K MI 4 VBB=SVN ade Para eancen dey un rele’se activa con Aoo MA yr AV, el cual este constituide Poy Una bobina alacual se debe energitav Y contactos abievtes 1 Cetrades, Cuan. Jose enevgita elrele eal contacto inicial mente abievEo se cierta yel certode se ale. Considere que la bobina dal veld’ presen. ta una equiyalencio Vesistiva Ja 300 [ohmiss], a) Calculay IA ROBY | al Voltaye VPs pare wese active el Velo L)Indique que €uncion Neca 4. Elcivevite de le figura es utili Pehe el Jiodo OD Wee Dates © Para que Eurcone Vrel222V debe estar enla . Tad= toowA te gisn Je Satorecsn RELE D Rael = Boor el TB) f Ses Vap=9V aBztoo Leel= Vest | o 27 VeB= Le Rp iVoe ieee e)= ye 215m vie Garten cay TRele OA I BO cay Taclste | Ie ‘ @ Para asequray la satoracién | p>? = i > Be 7%e? 5 te =0,75mA i 27 Romans 63 nS Sad = Boo 1 =7 Row 82 KAU utiliza par En diteccion eeeedee tes Lob 9 E\ diode D se Sobre cortiente Contrarian aoe yevitar one fl5, Para elcirvevite dela Eigore Calcolav RayRr pata que el diode LED se entienda cuando el Fototransistor esto expues to a lo lur visible, Considete Vin = 3V. Vielti3V¥. Lled=30m A. ; Vin Te} \. Lhed =30mA \, aK ve © Vied=VRv=4ay Vin © ToR Vee 4 Vied 5 Te-Ra > Vin -Vet-Viee Ra = Nin Ver -Wiod bee ee 28h YeEsat vce Pavala 2ona de satvvacisn VCE RO ® Asemiende Veer sy Rr= ION Tro= Ver = 4,9V = +,723mA > Tes IratTled = 3,923mAt30mA Re YON Tes semAx Ice IR 27 Ris BWeow-av = 164,332 ; Raz 130 fn Shp WA *7 Raz ton 4 Krzr Hy ©. Disewe una alavma de tal maneva que cuande on interrupter que esta colocado en una puerta que esto noimalmente Cetiado Seabro por efecto dela apertuia dala puerta se pvendaun Loco Je AMOV 1 VSN, VEiliCe UN Rely TBI en condiciones Je corte y satoracisn. Asvina los dates. a Tez Teles 100 wA Vee S424 Je C im Yee 1 Tass. i CSator acon) P| Ree i ; Le: 5-tooma = bn ty exh 8 tes A > 5mwA o! “ yee Vee = Ib-R4 sVeE ete Ly ovo RatNVec-VBE = Wy~0/9 2 Rv Rh 1 tee a= LEAR; RaRwKng NG xs B=100 @ Enla vesisn de corte Is. es Lt RL=ASON Moybaa Y Rr e5 muy alta 4 Vec=azv Tete = t00mA Rr =S.ckny