Vous êtes sur la page 1sur 13

2018/2019

Electronique Analogique 1

Responsable : Pr S. AMINE

1
Sommaire

CHAPITRE-1 :

Étude du fonctionnement d’une diode à jonction

1. Principe physique de fonctionnement des semi-conducteurs


1.1. Structure cristalline (cas de Silicium pur = intrinsèque)
1.2. Paire électron- trou

2. Dopage : Semi-conducteur extrinsèque (type N ou type P)

3. Conductivité
3.1. Cas Intrinsèque
3.2. Cas extrinsèque

4. Réalisation d’une jonction PN


4.1. Mise en contact – Diffusion,
4.2. Equilibre thermodynamique.

5. Polarisation d’une jonction PN


5.1. Polarisation dans le sens inverse,
5.2. Polarisation dans le sens direct,
5.3. Symbole (diode ordinaire)

6. Caractéristique statique
6.1. Comportement non linéaire,
6.2. Choix du point de fonctionnement,
6.3. Modèle linéaire,
6.4. Approximations,
6.5. Limites de fonctionnement
6.6. Diode ZENER.

7. Étude dynamique petit signaux basses et moyennes fréquences

8. Étude dynamique petit signaux hautes fréquences

9. Étude dynamique grands signaux/basses et moyennes fréquences

10. Autres type de diodes


8.1. Diode Schottky
8.2. Diode Tunnel
8.3. Diode Electroluminescente
8.4. Diodes Infrarouges et photodiodes
8.5. Diode de signal ou diodes de commutation

2
CHAPITRE-1

Étude du fonctionnement d’une diode à jonction

L’électronique est la discipline qui, au sein de l’électricité, étudie les phénomènes liés aux semi-
conducteurs et aux systèmes conçus autour de dispositifs à semi-conducteurs. La diode, composant
électronique le plus élémentaire, est basée sur la jonction PN qui constitue la « brique » de base de
l’électronique moderne.

1. Principe physique de fonctionnement des semi-conducteurs

Les matériaux sont classés selon leur résistivité, on


distingue 3 catégories: les conducteurs, les isolants et les semi-
conducteurs.

On appelle conducteur électrique, tout matériau capable


de conduire le courant électrique. Donc il doit contenir des
porteurs de charge électrique mobiles. Un isolant est tout
matériau qui ne peut en aucun cas conduire le courant
électrique. Les semi-conducteurs sont des corps cristallins dont
les propriétés de conductivités sont intermédiaires entre celles
des métaux et celles des isolants.

Les matériaux quadrivalents (Ge, Si), (4 électrons de valence dans la couche périphérique), sont
largement utilisés pour la réalisation des composants électronique tels que les diodes, les transistors, les
thyristors ...

1.1. Structure cristalline (cas de Silicium pur = intrinsèque)

Chaque atome Si partage un électron de valence avec l’atome voisin. De cette manière, les électrons
créent une pseudo-couche périphérique de 8 électrons. Les forces liant les électrons de valence sont
appelées « liaisons covalentes ».

1.2. Paire électron-trou

A la température T=0°K , un semi-conducteur se comporte comme un isolant. Si la température


augmente, sous l’effet de l’agitation thermique, des paires électron-trou sont générées et se déplacent
librement dans le réseau cristallin, le semi-conducteur se comporte alors comme un mauvais conducteur.

3
Un trou est caractérisé par sa charge positive (+e); il attire et capture un électron voisin qui va à
son tour laisser un trou derrière lui. Le courant électrique résultant est dû au déplacement des électrons
et des trous.

La concentration des électrons libres n est égale à la concentration des trous libres p. la concentration
des paires électron-trou générées dans ce cas intrinsèque est :
E
 Go
n  A .T .e
2 3 KT
ni = n = p avec : i o

Où T  température exp rimée en K , EGO  energie de la bande int erdite "GAP" , AO  cons tan te

Les électrons et les trous sont mobiles, la mobilité µn des électrons est supérieure à celle des trous µp .

Exemple pour le Si : ni (T = 300 °k) = 1.45 x 1010/cm3

2. Dopage : Semi-conducteur extrinsèque (type N ou type P)

Dans une structure cristalline intrinsèque on introduit des atomes étrangers du groupe 3 ou 5.
Les techniques les plus utilisées pour doper un semi-conducteur sont :

Dopage par diffusion thermique Dopage par Implantation ionique

Dopage par Epitaxie

type N type P

Concentrat ion des atomes Donneurs d ' électrons Concentrat ion des atomes Accepteurs d ' électrons
 N D  ni  N A  ni

3. Conductivité
3.1. Cas Intrinsèque :

Exemple pour le Si : ni (T = 300 °k) =1.45 x 1010/cm3, µn (T = 300 k) = 1500 cm2/ V.s ,
µp (T = 300 k) = 475 cm2/V.s , q=1.6*10-12C
 = q (n µn + pµp ) = q ni (µn + µp )
4
3.2. Cas extrinsèque :

La conductivité extrinsèque dépend fortement du dopage :  = q (ND µn + NAµp )


4. Réalisation d’une jonction PN
4.1. Mise en contact - Diffusion

Lorsque le contact entre deux barreaux semi-conducteurs,


l'un dopé type P et l'autre dopé type N, est réalisé, les trous
majoritaires de la région P, diffusent spontanément vers la région N
laissant derrière eux des atomes fixes ionisés (négatifs Q  0 ), il en
est de même pour les électrons majoritaires de la région N, qui
diffusent vers la région P laissant derrière eux des atomes fixes
ionisés (positifs Q  0 ).

4.2. Equilibre thermodynamique

Il apparaît alors au niveau de la jonction, une zone contenant des charges fixes positives (Q+) et
des charges fixes négatives (Q-), appelée « zone de charges d’espace (ZCE) ou zone de déplétion », (où
la concentration en porteurs libres est quasiment nulle).

Vo  VN  VP   U T .
Ln .N A .N D
Une barrière de potentiel (appelé le potentiel de contact ou
ni2
de diffusion), est créé ; correspond un champ électrique Eint   grad Vo dirigé de (Q+) vers (Q-),
ce champ empêche les porteurs majoritaires de traverser la ZCE et favorise le passage des minoritaires,
pour cela ce champ est appelé « champ antagoniste ».
Pour le Silicium Vo 300 K
 0.7V (tension seuil non mesurable)
Avec :
UT potentiel thermique ; à T=300oK UT = KT/q = 26mV
k constante de Boltzmann =1,381 .10-23J.K-1
NA concentration d’atomes accepteurs
ND concentration d’atomes donneurs.

2 0 rV0 1 1
La largeur de la jonction ZCE est :  O  X N  X P  (  )
q NA ND
ε0 : la permittivité du vide, ( ε0= 8.85 F/m)
εr : la permittivité relative du semi-conducteur, ( εr = 12 pour le silicium).
5
Dans la ZCE on note deux courants opposés :

courant de DIFFUSION courant de CONDUCTION (=inverse ou de saturation)


(gradient de concentration) (gradient de potentiel)
V E
 o  GAP
I  Ae UT I  AT e
S
3 kT
D
ne dépend que de la température

dû aux porteurs majoritaires dû aux porteurs minoritaires

L'équilibre thermodynamique s'établit lorsque les deux courants sont égaux : IS  I D ,

Le courtant total est donné par : I PN  I D  I S o  0

5. Polarisation d’une jonction PN


5.1. Polarisation dans le sens inverse

V0  VN  VP o  0  VP  VN o  0

On applique une tension à la jonction:


Vi  VP  VN appliquée  0
On calcule la nouvelle barrière de potentiel :
VPN  [VP  VN ]  VP  VN O  VP  VN i
 [V0  Vi ]  0
et VP  VN i  VP  VN o

Sous l’effet de ce champ Etotal , les porteurs majoritaires sont
encore plus interdits de passage et les porteurs minoritaires
sont plus favorisés de passage, le courant inverse résultant
reste cependant très faible.
Le courant de diffusion est diminué :    
Vo Vi  Vi  Etotal  [ Eo  Eappliqué]  Eo
 
I Diff  Ae UT
 ISe UT

Vi

Le courant total est : I direct  I D  I S  I S (e UT
 1)   I S  0

La diode est bloquée ( interrupteur ouvert).

6
5.2. Polarisation dans le sens direct

L’application d’une tension Vd  VP  VN appliquée  0 à la jonction dans le sens direct tend à
abaisser la barrière de potentiel: VPN  VN  VP  V0  Vd
  
Le champ Etotal  Eint  Eext favorise le déplacement des porteurs majoritaires : le courant de diffusion

Vo Vd  
Vd

augmente rapidement avec Vd : I D  Ae UT


 ISe UT

Vd Vd
 
Le courant total est : I direct  I D  I S  I S (e  1)  I S e
UT UT

C’est un courant fort  La diode est passante ( interrupteur fermé).

La diode ne laisse passer le courant que dans un seul sens : de P vers N.

«Le fonctionnement macroscopique de la diode est assimilable à celui d'un


interrupteur électrique commandé»

5.3. Symbole (diode ordinaire)

6. Caractéristique statique (en direct)

Le circuit ci-contre utilise


une résistance R ; permet
de fixer le courant direct Id
dans la zone linéaire.

6.1. Comportement non linéaire


Vext

I tot  I d  I S (e UT
 1) La diode est un composant
non linéaire.  V
 d
V  V
direct  0  I d  I sate UT
 ext

Vext  Vinverse  0  I d   I sat
7
6.2. Choix du point de fonctionnement

Le point de repos Qo ; est l’intersection


E  Vd
entre la droite de charge Id  et
R
Vd

la caractéristique I d  Is e UT

6.3. Modèle linéaire

Pour simplifier l’étude des circuits constitués à base des diodes, des modèles sont proposés au
détriment de la précision selon la complexité du circuit et la précision des analyses
V
rd 
On définit la résistance dynamique de la diode par :
I Qo
6.4. Approximations

1ère Approximation 2ème Approximation 3ème Approximation

En polarisation inverse (Vd<0), Le courant inverse qui traverse la diode est quasiment nul.

La diode se comporte comme un interrupteur ouvert.

6.5. Limites de fonctionnement

Trois limites sont à noter :

- le courant maximum (IFM) qu'une diode peut admettre


- la tension maximum (VRM) à ses bornes. On ne peut cependant pas augmenter indéfiniment la tension
inverse aux bornes d’une diode. Lorsque cette tension atteint une certaine valeur (bien importante), le
champ électrique qui règne dans la jonction devient suffisamment élevé pour ioniser les atomes en leur
arrachant les électrons de valence (multiplication), qui deviennent libres et génèrent un courant inverse
très important induisant le claquage de la diode. La tension aux bornes de la diode (VA), reste constante
quel que soit le courant inverse qui circule dans la diode.
- la puissance maximum autorisée (dissipée par la jonction Pmax  I.V )

8
6.6. Diode ZENER

 Polarisation en direct

La diode se comporte comme une diode ordinaire

 Polarisation en inverse

La diode ZENER est une diode pour laquelle les semi-


conducteurs utilisés sont très fortement dopés, les
porteurs de charge voisins de la jonction peuvent
traverser la ZCE à travers un tunnel « effet zener ».

L’effet ZENER est une forte augmentation réversible du courant inverse à partir d’une tension V Z assez
faible fixée à la fabrication de la diode.

La diode ZENER est utilisée comme source de tension parfaite.

Exemple : B Z X55 C 6V2 VB ou VZ

B Z X55 % 6V2
Type semi-conducteur Type diode N° série Tolérance Valeur nominale
Silicium ZENER référence constructeur C A B D E VZ = 6,2V
5 1 2 10 20

 Modèle linéaire

VNP  VZ  rZ .I Z 
9
 Influence de la température
Pour une diode au Silicium le courant de saturation Is croît avec la température, le courant direct Id
croît plus vite (il double tous les ~10°C). Une augmentation de température induit une légère
diminution de la hauteur de la barrière (seuil), décroit linéairement de 2mV par °C

7. Étude dynamique petit signaux basses et moyennes fréquences

Diode ordinaire (ou ZENER) polarisée en direct

id(t) et vd(t) sont en phase (impédance réelle)

 Superposition de deux régimes

1 i D i d iD I0
v D (t)  V0  v D (t)  V0  v d (t)    
VD ( t )
rd v D repos
v d repos
UT repos
UT
iD (t)  I0  iD (t)  I0  id (t)  Isat e UT

Statique Variable

8. Étude dynamique petit signaux hautes fréquences

10
9. Étude dynamique grands signaux / basses et moyennes fréquences

Redressement simple alternance Redressement double alternance

Calcul du condensateur : On considère que le condensateur C se décharge à courant Imax


constant pendant un temps  T C.∆V =Imax.∆T
C=Imax/f .∆V C=Imax/2.f. ∆V

10. Autres type de diodes

En modifiant certains paramètres (concentration en impureté, géométrie de la jonction, etc) on


obtient des composants diversifies utilisables dans de nombreux domaines dont le classement succinct
est le suivant :

Diodes de signal dans le domaine Diodes utilisées en avalanche inverse


général
- Diodes stabilisatrices de tension (diodes « ZENER »),
- Diodes rapides - Diodes de référence,
- Diodes à faible courant de fuite, etc. - Diodes de protection, etc.

Diodes de l’électronique rapide Diodes de l’optoélectronique

- Diodes tunnel et backward, - Diodes électroluminescentes LED,


- Diodes Schottky, - Diodes laser,
- Dioses varicap, - Photodiodes,
- Diodes PIN, - Photopiles,
- Diodes gunn, - Cellules photovoltaïques, etc.
- Dioses Impatt, etc.

Autres dispositifs Diodes de redressement et de l’électronique de


puissance
- Thermistance,

11
- Varistances, - Diodes de redressement classique,
- Cellules photorésistantes, - Diodes à avalanche contrôlée,
- Cellules de Hall, etc. - Diodes rapides de commutation et de récupération,
- Diodes haute tension, etc.

8.1. Diode Schottky

Une diode Schottky utilise une jonction Métal-Semi-conducteur, possède une tension de seuil plus faible
que celle d’une diode ordinaire: de 0.25V, à 0.4V, commute très rapidement les signaux et peuvent
conduire de fort courant, (utilisée en HF) (peu dopé type N) seul les électrons interviennent

8.2. Diode Tunnel

L’effet Tunnel se manifeste dans les semi-conducteurs fortement dopés, (la


ZCE est très mince).
Dans ces conditions il peut se produire un effet quantique appelé
"effet Tunnel" qui se traduit par l'apparition d'une zone de résistance
dynamique négative. Cet effet de résistance négative sera mis à profit
pour réaliser des oscillateurs fonctionnant depuis quelques centaines de
MHz jusqu'à environ 10GHz.

Quatre zones différentes sont distinguées :

* Zone I : Elle est caractérisée par un courant inverse très élevé pour de faibles valeurs de la tension
inverse
* Zone II : Elle est caractérisée par un courant direct élevé pour de faibles valeurs de la tension directe
* Zone III : C’est une région présentant une résistance négative, elle est utile dans les techniques de
génération de signaux (oscillateurs) de fréquences élevées.
* Zone IV : Dans cette zone le courant directe recommence à croître (on peut l’assimilé à une diode
ordinaire)

8.3. Diode Electroluminescente

* Diodes ÉlectroLuminescentes ou DEL ou LED: sont des diodes photoémissives qui ont la remarquable
faculté d'émettre un rayonnement lumineux lorsqu'elles sont passantes, (recombinaison radiative). La
couleur de la lumière émise dépend des éléments utilisés pour le dopage, gallium (rouge), arsenic (verte),
phosphore (jaune ou invisible dans l'infrarouge) ; elles présentent des avantages par rapport à une lampe à
incandescence, basse tension (1 à 2 V), rapidité de commutation (quelques ns) et durée de vie (> 20 ans).
La tension de seuil d'une DEL et plus élevée que celle d'une diode classique. DEL rouge, verte ou jaune = 2v
DEL blanche ou bleue = 3,5v

12
* Photodiodes : elles conduisent en inverse un courant, qui varie comme l'éclairement reçu par la jonction
et donne, aux bornes d'une résistance, une tension variant aussi comme cet éclairement ; elles sont
utilisées comme capteur optoélectronique.

8.4. Diodes Infrarouges et photodiodes

Les photodiodes sont des composants sensibles à


une certaine partie du spectre lumineux, sont utilisées
par exemple, dans les applications de détection de
lumière ou mesure de luminosité.

8.5. Diode de signal ou diodes de commutation

Le phénomène d’accumulation de charges limite l’utilisation d’une diode ordinaire comme diode de
commutation en hautes fréquences (à cause du tems rétablissement inverse : trr).Pour diminuer ce temps
on réduit le niveau de dopage près de la jonction

Elles sont utilisées pour de faibles valeurs de courant et tension. Elles ont généralement une tension de
seuil assez faible.

Référence couramment utilisée : 1N4148

On utilise les diodes à commutation rapide très souvent dans


les circuits numériques où elles servent pour la réalisation de
fonctions logiques

Exemple : fonction logique « ET »

13