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REPUBLIQUE DU CAMEROUN

REPUBLIC OF COMEROON
Paix – Travail – Patrie
Peace – Work – Fatherland
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ECOLE NATIONALE SUPERIEURE
NATIONAL ADVANCED
DES POSTES, DES TELECOMMUNICATIONS
SCHOOL OF POSTS, TELECOMMUNICATIONS
ET DES TECHNOLOGIES DE L’INFORMATION
AND INFORMATION AND COMMUNICATION
ET DE LA COMMUNICATION
TECHNOLOGY
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COURS D’ELECTRONQUE DE BASE

CHAPITRE I : THEORIE DES SEMICONDUCTEURS


Un corps est dit isolant s’il ne contient pas d » électron mobile. Par contre dans un conducteur, les
électrons peu liés aux noyaux peuvent se déplacer. Ainsi la densité de courant du au déplacement de
ces électrons dans le conducteur s’écrit :

v
I

L
S

𝐼
𝐽 = = 𝑛𝑒𝑣 Ou e est la charge de l’electron ; n : est la densité volumique des électrons libres et v :
𝑆

est la vitesse moyenne de déplacement des électrons.


A vitesse moyenne de déplacement des électrons est proportionnelle à la force électrique à laquelle
ils sont soumis, donc au champ électrique 𝐸
𝐸
𝑣 = 𝜇𝐸 ⟹ 𝐽 = 𝑛𝑒𝜇𝐸 = 𝜎𝐸 = 𝜌 Ou 𝜎 = 𝑛𝑒𝜇 est la conductivité (Ω𝑚)−1 𝜇 : est la mobilité des

charges (𝑐𝑚−2 𝑉 −1 𝑠 −1 ) et 𝜌 : la résistivité (Ω𝑚)


𝐼 𝐸 𝑈 𝑈 𝑙𝜌
𝐽 = 𝑆 = 𝜌 = 𝑙𝜌 ⟹ = = 𝑅 (𝑅𝑒𝑠𝑖𝑠𝑡𝑎𝑛𝑐𝑒 𝑑𝑢 𝑐𝑜𝑛𝑑𝑢𝑐𝑡𝑒𝑢𝑟 (Ω))
𝐼 𝑆
Les semi-conducteurs sont donc les corps qui ont une conductivité intermédiaire entre les isolants et
les atomes. Ces semi-conducteurs sont des cristaux constitués des atomes périodiquement et
régulièrement arrangés.

I.1 STRUCTURE DE L’ATOME


Dans un atome isolé, les électrons occupent des niveaux d’énergies discrètes. Chaque niveau contient
au maximum 2 ∗ 𝑛2 ou n est le nombre quantique principale.
I.1.1 Nombre des électrons par niveaux
Le nombre quantique principale n est un nombre est un entier naturel non nul. Ce nombre nous
renseigne sur le nombre des électrons par niveau, le nombre d’orbital et le nombre des électrons
possible par orbital (s, p, d, f…). Un niveau possède un certain nombre d’orbital en fonction de n. ces
orbitaux contiennent un nombre maximum d’électrons.
Pour comprendre le nombre des électrons par orbital il faut se référer aux case quantique. Une case

-
S=+1/2 S= 1/2

quantique ne peut avoir que 02 électrons de spin différents.


Ainsi on a :
Orbital Case quantique Nombre des électrons maximal
s 1 2
p 3 6
d 5 10
f 7 14

Le nombre des électrons par niveau.


Nombre quantique Niveau ou période Orbital Nombre d’électron
principal (n)
1 K 1s 2
2 L 2s 2
2p 6
3 M 3s 2
3p 6
3d 10
4 N 4s 2
4p 6
4d 10
4f 14

Le tableau ci-dessus nous donne le nombre des électrons par niveau et permet d’écrire la structure
électronique de chaque atome

2
II.1.2 Structure électronique d’un atome isolé
Exemple de la structure électronique de quelques atomes isolés : Règle de Klechkowski
Atome isolé Numéro atomique Z Structure électronique
(nombre des
électrons)
Cu 29 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 3d94s2
Na 11 1s2 2s2 2p6 3s1
C 6 1s2 2s2 2p2
Si 14 1s2 2s2 2p6 3s2 3p2
Ge 32 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 3d10 4s2 4p2 4d 4f
Arg. 18 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6

II.1.3 Energie discrète par niveaux


Selon la théorie de Bohr, l’énergie par niveau au sein d’un atome isolé est donnée par :
−13.6
𝐸𝑛 = (𝑒𝑉)
𝑛2
Ainsi chaque niveau de l’atome isolé à une énergie bien déterminé.
Nombre quantique principal (n) Niveau ou orbite ou période Energie (eV)
1 K -13.6
2 L -3.4
3 M -1.51
4 N -0.85
5 O -0.54
6 P -0.37

L’énergie minimale qu’il faut à un électron pour passer d’un niveau à un autre est donner par :
1 1
Δ𝐸 = ±13.6( 2 − 2)
𝑛𝑓 𝑛𝑓
Lorsque Δ𝐸 > 0 alors on dit que l’électron à absorber de l’énergie (phénomène d’absorption)
Lorsque Δ𝐸 < 0 alors l’electron émet de l’énergie (phénomène d’émission)
Exemple

M M

E= hv =12.09eV

K K

∆E= + 12.09 eV ∆E= - 12.09 eV

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I.2 STRUCTURE DU CRISTAL ET BANDE D’ENERGIE
I.2.1 Structure du Cristal
Un cristal est un assemblage régulier et périodique des atomes qui se fait à partir des liaisons
cristallines. Il existe 04 liaisons cristalline : liaison métallique ; liaison covalente : liaison ionique et
liaison de Van der Waal (gaz rares) ou liaison moléculaires. Ces différents types de liaison ont un
point commun. Les atomes asseyent d’avoir leur couche électronique vide ou complète.
1- Liaison Métallique
La majorité des éléments chimiques ont un comportement métallique plus ou moins marqué.
Ce sont des éléments ayant peu d’électrons de valence /à leur période ou niveau d’énergie
Les électrons périphériques sont très peu liés à l’atome. Ce dernier « libère » facilement ce (ces)
électron(s).
Les noyaux constituent alors un ensemble de charges positives c’est-à-dire des ions positifs à la
couche externe saturée. La cohésion est assurée par le nuage électronique chargé négativement. Force
de cohésion ou attraction Coulombienne de liaison sont « plutôt » faibles d’où ces matériaux sont
moins durs et fusion à basse température.
Exemple
Cu 29 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 3d10 4s1
Na 11 1s2 2s2 2p6 3s1

2. liaison covalente
Les cristaux appartiennent à la colonne IV du tableau périodique ont le même type de liaison que la
liaison d’hydrogène.
L’Hydrogène a 01 électron périphérique, pour compléter sa couche, il accepterait « bien »
Un deuxième électron. Un deuxième atome d’H va permettre de mettre en commun leur électron
périphérique pour former la molécule du dihydrogène H2
Il s’ensuit le même procède avec l’atome de silicium qui possède 4 électrons de valence. Il manque
4 électrons de valence pour compléter sa couche externe. A cet effet, Il suffit de rapprocher 4 autres
atomes de Silicium pour avoir les liaisons saturées du premier atome. A la différence de l’hydrogène,
les 4 autres Si ont encore des liaisons pendantes. Ce processus peut continuer pour former alors un
cristal.

4
3. liaison ionique
C’est l’association d’un élément chimique fortement électronégatif (7e-) et d’un élément fortement
électropositif (1e-) : ex NaCl
•L’électronégatif accepte un e- et devient un ion négatif (Cl-), l’électropositif cède son et devient un
ion positif (Na+).
La force de cohésion est due à l’attraction Coulombienne des deux ions (liaison ionique). En fait,
liaison « identique » à la liaison covalente sauf que les atomes sont très différents (pas la même
colonne)
La frontière covalente / ionique n’est pas brutale : elle dépend de la nature électronique des éléments
associés.
Ainsi :
• Colonne I – VII est essentiellement ionique
• Colonne II-VI est à 80% ionique et 20% covalente (CdTe)
• Colonne III-V est 60% ionique et 40% covalente (GaAs, GaP, InP)
• Colonne IV-IV est essentiellement covalente (Si, Ge)
L’électron libéré par le métal Alcalin (Na) est piégé par l’Halogène (Cl). Aucun électron n’est libéré
dans le réseau. C’est pourquoi en en général les cristaux ioniques sont isolants car la liaison entre
atome est très forte. Ces cristaux sont très durs

4. Liaison de type Van der Waal


- C’est pour ceux des cristaux les plus simples
- La distribution électronique = atome libre
- Elle concerne les Couches électroniques déjà saturées (Colonne. VIII)
- Dans cette liaison, Les atomes s’empilent de façon la plus dense possible.

5
- Énergie de liaison très faible (qq % de l’énergie d’ionisation de l’atome) d’où les cristaux issus de
la liaison de type Van Der Waal fondent à basse température
- Elle est responsable de la cohésion des molécules.
Dans les cristaux l’interaction atomiques ne permet plus de prédire le niveau d’énergie de l’atome du
cristal comme le cas de l’atome isolé. D’où dans un cristal, pour faire référence à l’énergie, on parle
plutôt de la bande d’énergie et non du niveau d’énergie.

I.2.2 BANDE DES ENERGIES


Rappelons-nous que la couche de valence d’un atome représente une bande d’un certain niveau
énergétique et que les électrons de valence sont confinés à cette bande. Lorsqu’un électron acquiert
assez d’énergie additionnelle d’une source externe, il peut quitter la couche de valence, devenir un
électron libre et exister dans ce que l’on désigne comme étant la bande de conduction. En termes
d’énergie, la différence entre la bande de valence et la bande de conduction est appelée un écart
énergétique. Il s’agit en fait de la quantité d’énergie que doit avoir un électron pour sauter de la bande
de valence vers la bande de conduction. Une fois dans la bande de conduction, l’électron est libre de
se déplacer à travers le matériau et n’est plus lié à aucun atome particulier.

La figure ci-dessus montre les diagrammes d’énergie pour un isolant, un semi-conducteur et un


conducteur. Notez à la partie a) le vaste écart énergétique entre les bandes. Les électrons de valence
ne peuvent sauter vers la bande de conduction sauf lors d’une détérioration provoquée par des tensions
extrêmement élevées appliquées au matériau. À la partie b), on remarque qu’un semi-conducteur
possède un écart énergétique plus restreint, permettant à quelques électrons de sauter vers la bande
de conduction et de devenir des électrons libres. Par contraste, la partie c) illustre les bandes

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énergétiques se chevauchant dans un conducteur. Dans un matériau conducteur, il existe toujours un
grand nombre d’électrons libres.
- La bande où les électrons sont libres de se déplacer est appelé bande de conduction.
Cette bande est vide à O°K dans les semi-conducteur.
- La bande où les électrons sont liés aux noyaux de l’atomes est appelé bande de valence.
Cette bande dans est partiellement remplie à 0°K dans un semi-conducteur, et est entièrement plein
dans les isolants.
- L’écart énergétique entre les deux bandes est appelé bande interdite ou Gap en Anglais. Le
tableau ci-dessous donne quelques exemples de largeurs de l’écart énergétique( bande
interdite ou Gap ) représenté par 𝐸𝐺 (𝑒𝑉) et la distance inter-atomique 𝑑(Å).

Entre les deux bandes permises se trouves le niveau de Fermi.

I.2.3 Le Niveau de Fermi.


Le niveau de Fermi est une caractéristique propre à un système qui traduit la répartition des électrons dans ce
système en fonction de la température. La notion de niveau de Fermi est utilisée en physique et en électronique,
notamment dans le cadre du développement des composants semi-conducteurs.
La figure ci-dessous montre le lieu où se situe le niveau de fermi. Notons que la position du niveau de fermi
dépendant de chaque système (semi-conducteur pur (intrinsèque), semi-conducteur dopé ou impure
(extrinsèque)…)

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𝐸𝑉 represente l’energie au sommet de la bande de valence (BV), 𝐸𝑓 le niveau de fermi et 𝐸𝑐 l’energie
au bas de la bande de conduction (BC).
La probabilité pour qu’un état d’énergie E soit occupé par un électron à une température T est donnée
par la fonction de Fermi-Dirac :
𝑛𝑜𝑚𝑏𝑟𝑒 𝑑𝑒 𝑐𝑎𝑠𝑒𝑠 𝑜𝑐𝑐𝑢𝑝é𝑠 𝑝𝑎𝑟 𝑙𝑒𝑠 𝑒𝑙𝑒𝑐𝑡𝑟𝑜𝑛𝑠 (𝑒𝑛𝑡𝑟𝑒 𝐸 𝑒𝑡 𝐸 + 𝑑𝐸)
𝑃(𝐸, 𝑇) =
𝑛𝑜𝑚𝑏𝑟𝑒 𝑑𝑒 𝑐𝑎𝑠𝑒𝑠 𝑑𝑖𝑠𝑝𝑜𝑛𝑖𝑏𝑙𝑒𝑠 (𝑒𝑛𝑡𝑟𝑒 𝐸 𝑒𝑡 𝐸 + 𝑑𝐸)
1
Soit : 𝑃(𝐸, 𝑇) = 𝐸−𝐸𝑓
1+𝑒 𝑘𝐵 𝑇

Ou 𝑘𝐵 = 1.380. 10−23 𝐽𝐾 −1 𝑜𝑢 𝑘𝐵 = 8.617. 10−5 𝑒𝑉𝐾 −1 est la constante de Boltzmann, T la


température.
A T=0°K
Si 𝐸 − 𝐸𝑓 < 0 alors 𝑓(𝐸) = 1 dans ce cas tous les états sont occupés.
Si 𝐸 − 𝐸𝑓 > 0 alors 𝑓(𝐸) = 0 dans ce cas tous les états sont inoccupés.
Par ailleurs si 𝐸 − 𝐸𝑓 = 0 alors 𝑓(𝐸) = 1/2 niveau d’occupation de Fermi, quel que soit la
température.

8
I.4 SEMICONDUCTEUR INTRINSEQUE
Un semi-conducteur intrinsèque est un matériau semi-conducteur pur : le matériau est parfaitement
régulier et ne contient aucune impureté.
Son comportement électrique ne dépend alors que de sa structure et de l'excitation thermique :
 à 0 K, le matériau est isolant ;
 Plus on chauffe, plus le nombre d'électrons arraché à la bande de valence augmente et plus le
matériau est conducteur On a dans ce cas autant d’électron que des trous.
4.1 Répartition des porteurs dans les bandes de conduction et de valence.
1. Densité d’état
La densité d'état N représente le nombre de places coupable pour un niveau d'énergie E. Cette grandeur,
dépendante de l'énergie électronique E, correspond à la place disponible pour les électrons dans la bande
de conduction 𝑁𝐶 (𝐸) et à la place disponible pour les trous dans la bande de valence 𝑁𝑉 (𝐸). On peu écrire
que
1 2 𝑚𝑐 3/2
𝑁𝐶 (𝐸) = 2 𝜋2 ( ℎ²
) √𝐸 − 𝐸𝐶
1 2 𝑚𝑉 3/2
𝑁𝑉 (𝐸) = ( ) √𝐸𝑉 −𝐸
2 𝜋2 ℎ²

Où h=6.626.10-34Js est la constante de Planck et mc (resp. mv) la masse effective de densité d'états dans
la bande de conduction (resp. dans la bande de valence).
2.Nombre de porteurs.
La densité d'électrons 𝑛 (exprimée généralement en 𝑐𝑚−3 ) dans la bande de conduction est alors obtenue
en sommant sur toute la plage d'énergie couverte par cette bande, le produit de la densité d'états par le
rapport du nombre d'états occupés sur le nombre d'états coupable, soit:
+∞ +∞
1
𝑛=∫ 𝑁𝐶 (𝐸). 𝑃(𝐸, 𝑇)𝑑𝐸 = ∫ 𝑁𝐶 (𝐸). 𝐸−𝐸𝑓
𝑑𝐸
𝐸𝐶 𝐸𝐶
1+ 𝑒 𝑘𝐵 𝑇
, De même pour la densité des trous p (exprimée généralement en cm-3) dans la bande de valence, la
probabilité d'avoir un trou étant 1 − 𝑃(𝐸, 𝑇), on a:
𝐸−𝐸𝑓
𝐸𝑣 𝐸𝑣
𝑒 𝑘𝐵 𝑇
𝑝 = ∫ 𝑁𝐶 (𝐸). (1 − 𝑃(𝐸, 𝑇))𝑑𝐸 = ∫ 𝑁𝐶 (𝐸). 𝐸−𝐸𝑓
𝑑𝐸
−∞ −∞
1+ 𝑒 𝑘𝐵𝑇
Pour un semi-conducteur dont le niveau de Fermi 𝐸𝑓 est distant des extrema de plus de 3𝑘𝑇, la fonction
de distribution de Fermi 𝑃(𝐸, 𝑇) se simplifie sous une forme exponentielle et on obtient les densités de
porteurs suivantes:
−(𝐸𝐶 −𝐸𝑓 ) −(𝐸−𝐸𝐶 )
+∞
𝑛 = 𝑁𝐶 . 𝑒 𝑘𝐵 𝑇
avec 𝑁𝐶 = ∫𝐸 𝑁𝐶 (𝐸). 𝑒 𝑘𝐵 𝑇
𝑑𝐸
𝐶

(𝐸𝑉 −𝐸𝑓 ) (𝐸−𝐸𝑉 )


𝐸
𝑝 = 𝑁𝑉 . 𝑒 𝑘𝐵 𝑇
avec 𝑁𝑉 = ∫−∞𝑉 𝑁𝑉 (𝐸). 𝑒 𝑘𝐵 𝑇
𝑑𝐸

9
Pour un semi-conducteur intrinsèque 𝑛 = 𝑝 = 𝑛𝑖 (densité de porteur intrinsèque).
−(𝐸𝐶 −𝐸𝑓 ) (𝐸𝑉 −𝐸𝑓 ) −(𝐸𝐶 −𝐸𝑉 ) −𝐸𝐺
𝑛𝑖2 = 𝑛𝑝 = 𝑁𝐶 . 𝑒 𝑘𝐵 𝑇 𝑁𝑉 . 𝑒 𝑘𝐵 𝑇 = 𝑁𝐶 . 𝑁𝑉 𝑒 𝑘𝐵 𝑇 = 𝑁𝐶 . 𝑁𝑉 𝑒 𝑘𝐵 𝑇

−𝐸𝐺
𝑛𝑖 = √𝑁𝐶 . 𝑁𝑉 . 𝑒 2 𝑘𝐵𝑇 .
𝐸
𝑛𝑖 = 𝐴𝑇 3/2 exp(− 2𝑘𝑇
𝐺
) Où A est la constante du Matériau.

Exemple : pour le silicium à 300K, 𝑛𝑖 ≈ 1.45. 1010 𝑐𝑚−3


Exercice d’application.
1- Déterminer A
2- Un morceau de silicium a une longueur de 3 mm et une section rectangulaire de 50*100µm.
Calculer la résistance 𝑅 et la tension 𝑈 entre les extrémités de ce morceau de silicium à T=300°K si l’on
mesure un courant de 1µA.
AN : µ𝑝 = 475 𝑐𝑚2 /𝑉𝑠 ; µ𝑛 = 1500 𝑐𝑚2 /𝑉𝑠 ; 𝑞 = 1.6 ∗ 10−19 𝐶

2- Quelle est la variation relative (∆𝑛𝑖 /𝑛𝑖 ) du nombre intrinsèque du Ge (Eg = 0.66 eV), Si (Eg = 1.12
eV), GaAs (Eg = 1.43 eV) pour une augmentation de 1.0 % de la température ambiante (𝑘𝐵 𝑇 = 25 𝑚𝑒𝑉)

I.5 SEMICONDUCTEUR EXTRINSEQUE OU DOPE

On fabrique les composants tels que les transistors et les diodes en utilisant des semi-conducteurs
extrinsèques c.-à-d. dont la conductivité est due à des impuretés.   On prépare le semi-conducteur en
1
ajoutant un petit nombre d’atomes étrangers : c’est le processus de dopage
106

Le dopage peut être créé de deux manières : de type n et de type p.

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Type-n

- Si le cristal est dopé avec des atomes possédant un électron de valence supplémentaire, cet électron ne
sera pas lié à un atome en particulier et pourra se déplacer librement à travers le réseau.

Type-p

- Si le cristal est dopé avec des atomes possédant un électron de valence de moins, il y aura donc un trou
parmi les électrons de valence. Ce trou peut être rempli par un électron de valence d’un atome voisin,
mais cela créera un autre trou. Ce trou peut être vu comme une charge positive mobile.
Du point de la vue des bandes d’énergie
En ce qui concerne le Type-n

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Les atomes d’impureté (appelés donneurs) produisent des niveaux remplis au-dessous de la bande de
conduction. Les électrons de ces niveaux peuvent donc atteindre aisément (~0,05 eV) la bande de
conduction. Ce sont les porteurs de charge mobiles.
Les électrons sont dans ce cas appelés porteurs majoritaires. Cependant il existe aussi quelques trous créés
par l’énergie thermique. Ces trous qui ne proviennent pas des impuretés sont appelés porteurs
minoritaires.

En ce qui concerne le Type-p

Les atomes d’impureté (appelés accepteurs) produisent des niveaux vides au-dessus de la bande de
valence. Les électrons de la bande de valence peuvent atteindre ces niveaux aisément (~0,05 eV). Les
trous laissés derrière eux dans la bande de valence sont les porteurs de charge mobiles.
Les trous sont dans ce cas appelés porteurs majoritaires. Cependant il existe aussi quelques électrons créés
par l’énergie thermique. Ces électrons libres qui ne proviennent pas des impuretés sont appelés porteurs
minoritaires.

Exercice d’Application
Le silicium est dopé avec du phosphore (groupe V du tableau de Mendeleïev) de concentration 1018 𝑐𝑚−3.
1- Calculez à 27°C, la densité d'électrons du Si ainsi dopé. En déduire la densité de trous. Quel est le type
de semi-conducteur ainsi obtenu ?
2- Calculez à 27°C la position du niveau de Fermi 𝐸𝐹 puis donnez une représentation du diagramme de
bandes du silicium ainsi dopé.

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I.6 JONCTION PN
I.6-1 Formation de la Jonction PN
Considérons deux barreaux de silicium : l’un dopé P au bore, l’autre dopé N au phosphore. Le bilan
des porteurs libres à une température fixée et indiqué ci-dessous :

Imaginons que l’on rapproche les deux barreaux de manière à réaliser leur contact physique au niveau
d’une jonction dite “métallurgique”. On assisterait alors à deux phénomènes se manifestant de part et
d’autre de l’interface PN :

1er Phénomène : Transitoire de durée très brève (figure 1a) à savoir diffusion des trous de la
région P vers la région N. En effet comme les trous sont plus nombreux dans P que dans N, ils vont
avoir tendance à diffuser pour rétablir l’équilibre (idem pour les électrons qui vont diffuser de N ->
P).
2ème Phénomène : Permanent (figure 1b), les trous qui ont envahi la région N (où ils ont disparu
par recombinaison avec les électrons majoritaires dans cette région) ont laissés derrière eux des ions
fixes de bore ionisés négativement. De même, les électrons de la région N qui sont passés du côté P
ont laissé derrière eux des ions fixes de phosphore ionisés positivement.

13
Ces ions fixes de Bore et de phosphore chargés respectivement - et +, forment de part et d’autre de la
jonction métallurgique, une barrière de potentiel V qui provoque l’apparition d’un champ électrique
interne 𝐸0 dans une zone de charge d’espace (Z.C.E.) ou zone de déplétion d’épaisseur W0.
On montre que la hauteur de barrière de potentiel V et la largeur W0 de la Z.C.E. qui s’étend
principalement du côté le moins dopé sont telles que :
𝑘𝑇 𝑁𝐴 𝑁𝐷 2𝜀 1 1
𝑉= ln( ), 𝑊𝑜 = √ 𝑞 (𝑁𝑎 + 𝑁𝑑) 𝑉
𝑞 𝑛𝑖2

Exercice d’Application
Pour : Na =1019 𝑐𝑚−3 , Nd =1016 𝑐𝑚−3 ; avec : 𝜀0 = 8.85. 10−14 𝐹/𝑐𝑚 et 𝜀𝑆𝐼 = 12
Calculer 𝑉, 𝑊𝑜 𝑒𝑡 𝐸𝑜𝑀𝑎𝑥

II.6.2 Courant de Saturation


L’anode et la cathode étant à la masse, la jonction est en court-circuit et son courant doit être nul.

En effet la jonction (figure 2) est traversée par deux courants opposés qui s’annulent :

14
- Le courant de saturation 𝐼𝑆 qui correspond aux porteurs minoritaires des zones N (les trous) et P (les
électrons) qui se présentent en bordure de la Z.C.E. et qui sont alors entraînés par le champ électrique
E0 respectivement dans les zones P et N.
- Le courant ayant pour origine les porteurs libres majoritaires de N et de P, très voisins de la Z.C.E.,
et dont l’énergie suffisante pour sauter la hauteur de barrière 𝑉 .
𝑉 𝑘𝑇
La population de ces porteurs, proportionnelle à 𝑒𝑥𝑝 (− 𝑈 )( 𝑎𝑣𝑒𝑐 𝑈𝑇 = ) conduit à un courant de
𝑇 𝑞

la forme : 𝐼0 𝑒𝑥𝑝 (𝑉/𝑈𝑇 )


Le courant total étant nul, il vient : 𝐼𝑆 = 𝐼0 𝑒𝑥𝑝 (𝑉/𝑈𝑇 )
Exercice d’application.
En vous servant de l’exercice d’application qui précède, calculer 𝐼𝑆

15
CHAPITRE II : LES DIODES ET LEURS APPLICATIONS
Un composant électronique est un élément destiné à être assemblé avec d'autres afin de réaliser
une ou plusieurs fonctions électroniques.
Parmi la grande variété de composants, il est possible de catégoriser ceux-ci de plusieurs façons,
selon leur fonctionnement, la fonction qu'il exerce ou même les boitiers qui les composent.
Il est ainsi possible de définir les classifications suivantes :
- Composants actifs : définis les composants qui permettent d'augmenter la puissance d'un courant
et/ou d'une tension. L'une des spécificités étant que ces composants ont besoin d'une source d'énergie
pour fonctionner. Cette classification inclue notamment les diodes et transistors.
- Composants passifs : définis les composants qui ne permettent pas d'augmenter la puissance d'un
signal électrique. Ils n'ont pas besoin d'une source d'énergie pour fonctionner. Cette classification
inclue les condensateurs, les résistances fixes ou encore les inductances.
- Composants discrets : définis les composants électroniques de base dont le rôle est de réaliser une
fonction élémentaire, telle qu'une résistance ou un condensateur.
- Classification par boitier : permet de catégoriser les composants selon leur boitier.
- Classification par nombre de pattes : une patte (exemple : antenne), 2 pattes (les dipôles : les
résistances, condensateurs ...), 3 pattes (les triples : potentiomètres, diodes Zener, LED bicolores ...),
4 pattes (exemple : optocoupleurs ...), et des composants de plus que 4 pattes ...

Le tableau ci-dessous donne la liste non exhaustive des composants électroniques.


Résistance ; Condensateur ; Diode ; Inductance
Composants d'électroniques analogiques : Transistor ; Photo coupleur ; Memristor ; Régulateur de tension

Composants d'électroniques numériques : Microprocesseur ; Microcontrôleur ; Quartz


Mémoire informatique ; Opto-coupleur (Photo coupleur)

Afficheur ; Buzzer ; Commutateur ; Haut-parleur ; Interrupteur ; LED ;


Composants servant d'interface humaine Potentiomètre ; Roue codeuse

Capteurs Capteur de température ; Capteur de luminosité (photodiode, phototransistor


ou cellule photoélectrique) ; Capteur optique ; Capteur de pression ; Capteur
de champ magnétique
Caméra ; Thermistance ; Accéléromètre ; Gyroscope ; Microphone
Ferrite ; Fusible ; Polyswitch ; Relais ; Thyristors
Composants d'électrotechnique Transformateurs ; Triacs ; Diacs ; Varistances

(Électronique de puissance)

16
II .1. LA DIODE
I.1 – Constitution : Elle est réalisée par une jonction PN.

N
P

Symbole

ANNODE CATHODE

Composant physique :

ANNODE CATHODE

II .1.1 Caractéristique d'une diode


C'est le graphique qui donne l'intensité du courant qui traverse la diode en fonction de la tension à ses bornes.

17
La diode est un composant non linéaire
Zone 0A : la diode est polarisée dans le sens direct, mais la tension est trop faible pour débloquer
la jonction : zone de blocage directe.
Zone AB : la tension V commence à débloquer la diode, c'est la zone du coude.
Zone BC : la diode est passante, c’est une zone linéaire.
Zone OE : la diode est polarisée en inverse, c'est la zone de blocage inverse.
Zone EF : l’intensité croit brusquement, c’est la zone de claquage.

𝑑𝑉
La résistance dynamique est donnée par : 𝑟𝑑 =
𝑑𝐼

18
II .1.1 Point de fonctionnement

Soit la Figure ci-dessus, On veut déterminer 𝑉 𝑒𝑡 𝐼.


D'après la loi des mailles : 𝐸 = 𝑅. 𝐼 + 𝑉
Connaissant E et R, il faut la caractéristique de la diode pour déterminer 𝑉 𝑒𝑡 𝐼 : On envisage donc la
solution graphique.
Le point de fonctionnement s’établi à l’intersection des deux courbes : celle de la diode et celle de
la droite représentant l'équation 𝐼 = (𝐸 – 𝑉) / 𝑅 (voir Figure ci-dessous)

Pour 𝐼 = 0, 𝑉 = 𝐸. Pour 𝑉 = 0, 𝐼 = 𝐸/𝑅


Le point d’intersection entre les deux courbes à lieu au point (𝑉0 , 𝐼0 ) appelé point de fonctionnement.
Le point de fonctionnement d'un circuit, aussi nommé point de repos, est le couple de valeurs (𝑉0 , 𝐼0 )
qui vérifie simultanément la caractéristique des deux dipôles.
Ce point, s'il existe, se trouve forcément à l'intersection des deux courbes caractéristiques des deux
dipôles.
Ce point de fonctionnement est encore appelé point de polarisation.

19
II.1.3 Modèles simplifiés d’une diode
Il existe deux modèles simplifier d’une diode : Modèle idéale et parfait.
a) Modèle idéale (Modèle avec seuil 𝑽𝑺 )

VS V

Dans ce modèle, la résistance interne de la diode est nulle (𝑟𝐷 = 0).

Diode bloquée : i = o et VD inférieur à Us. La diode est équivalente à un interrupteur ouvert

Diode passante : i > 0 et VD = Us. La diode est équivalente à un FEM (force électromotrice) de
tension Us.

 Point de fonctionnement ou point de polarisation (𝑃0 )

Diode passante
Diode P0
I0
Bloquée

0 US V

D’après la Figure ci-dessus, 𝑃0 (𝑈𝑆 , 𝐼0 )

20
b) Modèle Parfait (Modèle sans seuil 𝑽𝑺 )
Pour simplifier encore l’étude des montages lorsque l’on travaille avec des tensions très supérieures
à Us, la caractéristique utilisée est celle d’une diode idéale. (Parfaite)

Diode
bloquée Diode passante

0 V

Diode bloquée : i = 0 A et VD < 0 V. La diode est équivalente à un interrupteur ouvert.

Diode passante : I positif et VD = 0 V. La diode est équivalente à un interrupteur fermé.

 Point de fonctionnement ou point de polarisation 𝑃0 (0, 𝐼0 )


Exercice d’application (considérer les cas réel, idéal et parfait)

La caractéristique tension-intensité, linéarisée de la diode : I = f (V) est donnée ci-dessous.


1) Déterminer à partir du graphique de l’intercalaire, la tension seuil Us de la diode, de même que sa
résistance dynamique Rd. Expliquer la méthode.

21
2) Ecrire la loi des mailles pour le circuit ; en déduire l’expression de I, intensité du courant dans le
circuit en fonction de E et de U. Cette équation est celle de la droite de charge statique ∆ du circuit.
𝐸 = 12𝑉 𝑅 = 40 Ω

3) Tracer cette droite ∆ sur le graphique I = f (U) et déterminer le point de fonctionnement P du circuit
(Intensité traversant le circuit et tension aux bornes de la diode)

4) L’intensité maximale supportée par la diode est Imax = 400 mA. Déterminer la tension U aux
bornes de la diode, quand elle est traversée par cette intensité de courant et en déduire la puissance
maximale Pmax admissible par la diode.

22
II.1.4 Quelques applications
a) Redresseur simple alternance monophasé
Un redresseur simple alternance monophasé est un redresseur supprimant les alternances négatives et
conservant les alternances positives d’une entrée monophasée. La fréquence en sortie du redresseur
est alors égale à la fréquence d'entrée.

2𝜋
Soit 𝑉(𝑡) = √2 𝑉0 sin(𝑤𝑡) 𝑒𝑡 𝑇 = 𝑙𝑎 𝑝é𝑟𝑖𝑜𝑑𝑒
𝑤

2- Expliquer et Déterminer la puissance moyenne < 𝑝 > AN : 𝑉0 = 12𝑉 𝑅 = 50 Ω

23
b) Redresseur double alternance monophasé
Un redresseur double alternance monophasé est un redresseur redressant les alternances négatives
et conservant les alternances positives du courant à l'entrée. La fréquence en sortie du redresseur est
alors le double de la fréquence d'entrée.

Redresseur

Courant alternatif
R
Charge

2𝜋
Soit 𝑖(𝑡) = √2 𝐼0 cos(𝑤𝑡) 𝑒𝑡 𝑇 = 𝑙𝑎 𝑝é𝑟𝑖𝑜𝑑𝑒
𝑤

2- Expliquer et Déterminer la puissance moyenne < 𝑝 > AN : 𝑉0 = 12𝑉 𝑅 = 50 Ω

24
c) Régulateur de tension : Diode Zener
Une diode Zener est un assemblage de deux semi-conducteurs dont les propriétés électriques ont été
découvertes par le physicien américain Clarence Zener.
Contrairement à une diode conventionnelle qui ne laisse passer le courant électrique que dans un seul
sens, le sens direct, les diodes Zener sont conçues de façon à laisser également passer le courant
inverse, mais ceci uniquement si la tension à ses bornes est plus élevée que le seuil de l'effet
d'avalanche. Ce seuil en tension inverse (tension Zener) est de valeur déterminée pouvant aller de
1,2 V à plusieurs centaines de volts1. Certaines diodes Zener comportent une troisième broche qui
permet de régler cet effet d'avalanche.

C-1) Principe de Fonctionnement d’une diode Zener


Une diode est le contact de deux types de semi-conducteurs, l'un de type P et l'autre de type N.
Soumise à une tension inverse, elle conduit un courant inverse très faible, que l'on considère nul dans
la pratique.
L'énergie des bandes de valence des atomes dans le matériaux de type P ont souvent un recoupement
avec les bandes de conductions du matériau de type N. Si la jonction P-N d'une diode est fortement
dopée, la zone de charge d'espace est très mince et des électrons peuvent traverser la jonction dans la
bande d'énergie commune par l'effet tunnel.
Ainsi, la diode soumise à une tension inverse peut conduire un courant par l'effet tunnel. La tension
d'apparition de l'effet tunnel est très faible si le dopage est très grand. Cette tension dépend du niveau
de dopage et de la tension inverse.
D'autre part, lorsque la tension inverse devient suffisamment grande, le champ électrique interne à la
jonction P-N est tel que certaines charges électriques minoritaires très énergétiques génèrent de
nouvelles charges électriques par processus d'ionisation par chocs. Il y a augmentation du courant
inverse par effet d'avalanche, et destruction de la diode si cet effet n'est pas limité par une résistance
mise en série. La diode peut ainsi laisser passer un courant important en inverse.
Ces deux mécanismes de conduction en tension inverse peuvent coexister pour des valeurs
intermédiaires de tension Uz. Par exemple, la diode silicium de tension Uz de 5,6 volts est souvent
utilisée car l'effet tunnel et le processus d'ionisation par chocs ont une dépendance contraire avec
la température. Ainsi dans ce cas, la tension Uz reste constante à 5,6 V pour une gamme de
température assez étendue, servant ainsi de référence de tension.

25
C-2) Principales caractéristiques des diodes Zener

Nous pouvons repérer le fonctionnement de la diode, avec ses limites, sur la courbe caractéristique
𝐼𝑍 = 𝑓 (𝑈𝑍 ) de la diode zener.

Tout d'abord, nous avons vu que la valeur Zener nominale 𝑈𝑍−𝑁𝑂𝑀 . est donnée pour un courant
zener nominal 𝐼𝑍−𝑁𝑂𝑀 .

Ensuite, la diode Zener présente une valeur de résistance interne dynamique très faible dans la zone
de fonctionnement. En d'autres termes, pour une petite variation de la tension 𝑑𝑈𝑍 , la diode modifie
fortement le courant 𝑑𝐼𝑍

𝑑𝑈𝑍
𝑟𝑍 =
𝑑𝐼𝑍

26
Enfin, en connaissant la puissance maximale que peut dissiper la diode, de par ses dimensions, nous
pouvons calculer le courant Zener maximal qui peut traverser la diode.

𝑝𝑀𝐴𝑋
𝐼𝑍−𝑀𝐴𝑋 =
𝑈𝑍−𝑁𝑂𝑀
C-2) Application : Régulation

Soit la figure ci-dessus


Déterminer la plage de tension régulable avec une tension minimale de 12V en entrée pour une tension
stabilisée de 5V en sortie.
AN : pour une régulation de 5,1V les caractéristiques de la diode Zener sont donnée par (Voir schéma
ci-dessous)
IZ−Min = 240 mA ; IZ−Max = 930 Ma

27
Différents types de diodes
- Diode Transil
Une diode Transil est un composant de protection contre les surtensions. Elle a un comportement
similaire à la diode Zener.
- Diode Schottky
La diode Schottky qui a un seuil de tension directe très bas et un temps de commutation très court.
Utilisée pour la détection des signaux HF et hyperfréquences. On l'utilise aussi pour le redressement
de puissance.
- Diode Varicap
La diode Varicap ou encore diode à capacité variable est un type de diode qui se comporte comme
un condensateur dont la valeur de la capacité varie avec la tension inverse appliquée à ses bornes.
Cette diode s’apparente un condensateur variable. Elle est souvent utilisée dans des montages
radiofréquence.
- Diode Photovoltaïque
Les Diodes Photovoltaïque ou Diodes bypass servent à protéger les cellules à l'ombre en dérivant
l'intensité "normale" pour l'empêcher de passer dans la cellule "masquée". Un panneau solaire dispose
d'une à trois diodes bypass, en fonction de son nombre de cellules (en moyenne 36 cellules pour 3
diodes bypass).
En cas de masque :
1 diode : 100% du module est en bypass
2 diodes : 50% du module est en bypass
3 diodes : 33% du module est en bypass

28
CHAPITRE III : LES TRANSISTORS
III.1 Transistors Bipolaires
Un transistor bipolaire est constitué de 2 jonctions PN (ou diodes) montées en sens inverse. Selon le
sens de montage de ces diodes on obtient 2 types de transistors :

Un transistor comporte trois connexions : L’émetteur (E), la base (B) et le collecteur (C)
Dans Le transistor NPN : La base, zone de type P est située entre deux zones de type N.
Dans Le transistor PNP : La base, zone de type N, est située entre deux zones de type P.
L'émetteur est toujours repéré par une flèche qui indique le sens du courant dans la jonction entre
base et émetteur. C'est l'effet transistor qui permet à la diode qui est en inverse de conduire quand une
tension est appliquée sur la base.

29
III.1.2-Polarisation d'un Transistor
Deux sources d'alimentation sont nécessaires pour assurer un fonctionnement correct du transistor.
Elles sont souvent notées :
- VBB : Alimentation du circuit Base ;
- VCC : Alimentation du circuit Collecteur.
Remarque : L'alimentation VBB est parfois réalisée à partir de VCC

III.1.3-Caractéristiques d'un transistor


Les constructeurs donnent en général les valeurs à ne pas dépasser afin d'éviter la détérioration du
transistor :
- VCE0 ou VMAX : Tension collecteur/émetteur maxi (à VBB =0)
- VBEO : Tension base/émetteur maxi
- IC max : Courant maxi dans le collecteur
- P : Puissance maxi que peut dissiper le transistor (avec P = VCE. IC).
Schéma de principe : (Placer les courants et les tensions sur le schéma)

III.1.4- Relations entre courants


- La loi des nœuds permet d'écrire : 𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 ( 1 )
D'autre part il existe une relation entre courant de base et courant collecteur due à l'effet transistor.
Cette relation s'écrit :𝐼𝐶 = 𝛽 . 𝐼𝛽 (avec 𝛽 = gain en courant du transistor)
Remarque : Ce coefficient β est souvent noté Hfe dans les catalogues constructeurs. Il est parfois
aussi appelé coefficient d'amplification statique en courant.
En règle générale 𝛽 varie de 30 à 300 avec pour valeur courante :
- Transistors dit "Petit signaux" : 100 < 𝛽 < 300
- Transistors dit de "Puissance" : 30 < 𝛽 < 100

30
- La relation (1) peut alors s'écrire : 𝐼𝐸 = 𝛽 . 𝐼𝛽 + 𝐼𝛽 soit 𝐼𝐸 = ( 𝛽 + 1) . 𝐼𝛽
Remarque : Si 𝛽 . 𝐼𝛽 est grand devant 𝐼𝛽 (ce qui est le cas pour les transistors "Petits signaux") on
peut alors écrire : 𝛽 + 1 = 𝛽 et 𝐼𝐸 = 𝐼𝐶

5-Le Transistor en régime de Commutation


Le transistor est considéré comme un "relais statique".

III.1.5.1 Points de fonctionnement d'un transistor en commutation


Sur le réseau de caractéristique 𝐼𝐶 = 𝑓 (𝑉𝐶𝐸 ) à 𝐼𝑏 = constante ci-dessous on trace la "droite de charge
du transistor"

31
Remarque : Le réseau de caractéristique 𝐼𝐶 = 𝑓 (𝑉𝐶𝐸 ) à 𝐼𝑏 = constante est dépendant du transistor
utilisé (il est donné par le constructeur).
- L'équation de la droite de charge est donnée par la "maille" du schéma (page 30) soit :
𝑉𝐶𝐶 – 𝑈𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 = 0 (𝑈𝐶 = Tension dans la résistance de charge)
- Lors du fonctionnement en commutation le point P se déplace sur la droite de charge entre P1 (pour
Ib = 0) et P3 (pour Ib = Ib mini).
On peut définir les coordonnées des points P0 et P4 :
-Point P0 : On a Ic = 0 donc VCE = VCC
- Point P4 : On a VCE = 0 donc Ic = Vcc / RC
- En conclusion si Ib augmente : - Ic augmente et tend vers Vcc / RC - VCE diminue et tend vers 0
- On appelle Ib mini la valeur pour laquelle on à saturation du transistor ; pour cette valeur Ib on a :
Ic = Vcc / RC (= Icsat) et Vcesat = 0 (En réalité VCEsat varie de 0,1 à 0,4 V selon la valeur de Ibsat)
- Cette valeur de Ib mini correspond à la valeur de VBE = 0,7 V qui est la tension de seuil de la
jonction Base / Emetteur.

III.1.5.2 Calcul de la résistance de base d'un transistor en commutation


Pour ce calcul il est nécessaire de connaître : - Les tensions d'alimentation Vbb et Vcc. - La valeur de
la résistance de charge Rc (ou le courant Ic). - Les caractéristiques du transistor utilisé.
Remarque : En règle générale pour avoir un fonctionnement correct on adopte un coefficient de
"sursaturation" compris entre 2 et 5 Ib mini.

32
Exercice d’Application

1. Exprimer Ic en fonction de Vcc, Vcesat et Rc. En déduire la valeur de Icsat.


2. En déduire Ib mini.
3. Exprimer Rb maxi en fonction de V1, Vbesat et Ibmini.
4. En déduire la valeur de Rb.
5. A l'aide du tableau de valeurs normalisées donner la valeur normalisée de Rb dans la série E12.
6. Le transistor est-il bloqué ou saturé ? En déduire le schéma équivalent.

6-Le Transistor en régime de Dynamique


6-1 Paramètres hybrides du transistor en régime Dynamique
Le transistor bipolaire peut être considéré comme un quadripôle tant qu'il fonctionne en régime petit
signal. Parmi toutes les modélisations mathématiques des quadripôles, la plus utilisée est la
matrice H ou matrice hybride :

𝑉1 = ℎ11 𝑖1 + ℎ12 𝑉2
𝑖2 = ℎ21 𝑖1 + ℎ22 𝑉2
Si le quadripôle est un transistor émetteur commun, on obtient la matrice hybride émetteur commun

33
Le schéma faisant intervenir les paramètres h est le même pour les transistors PNP ou NPN.
Le schéma électrique équivalent est celui représenté ci-contre.

𝑉𝑏𝑒 = ℎ11 𝑖𝑏 + ℎ12 𝑉𝑐𝑒


𝑖𝑏 = ℎ21 𝑖𝑏 + ℎ22 𝑉𝑐𝑒
Les significations des paramètres hybrides se déterminent à l'aide du réseau de caractéristique du
transistor.
𝑖𝑏 est le courant traversant ℎ11 . La faible valeur de ℎ12 permet souvent de négliger ℎ12 𝑉𝑐𝑒 devant
ℎ11 𝑖𝑏 .
Le réseau de caractéristique ci-dessous permet une détermination expérimentale des paramètres h.

Figure : Caractéristiques statiques émetteur commun

34
La valeur des paramètres dépend du point de repos ou point de fonctionnement statique (P). Elle est
fournie par la tangente à la caractéristique au point de fonctionnement.

Exercice d’Application
On considère le montage ci-dessous

𝑅𝐸 = 500 Ω, 𝑅𝐶 = 𝑅𝐿 = 4,5 𝑘Ω, 𝑅𝑔 = 50 Ω, 𝑅1 // 𝑅2 = 4,5 𝑘Ω, 𝑅2 / 𝑅1 = 0,14..


Les paramètres du transistor sont : 𝑟 = 2,5 𝑘Ω, 𝛽 = 100, 𝜌 = 40 𝑘Ω.
1. De quel montage s’agit-il ? Donner l’expression de la droite de charge statique et la tracer. Trouver
la valeur du point de fonctionnement.
2. On s’intéresse au comportement de ce montage dans le domaine des fréquences moyennes. Que
deviennent les condensateurs ?

35
3. Donner le schéma équivalent au montage dans le domaine des petits signaux. En déduire
l’expression de la droite de charge dynamique et la tracer. Donner l’excursion maximale de la tension
de sortie du montage (le transistor fonctionnant en régime linéaire).
4. Calculer les gains en tension et en courant ainsi que les impédances d’entrée et de sortie.
𝑒𝑔
5. Calculer le gain composite de ce montage.
𝑉𝑆

36
III.2 Transistors à Effet de Champ
Nous avons vu que le courant de sortie du collecteur du Transistor Bipolaire est proportionnel au
courant d’entrée de base (𝑖𝑐 = 𝛽𝑖𝑏 ). Le transistor bipolaire est donc un dispositif piloté par un courant.
Qu’en est-il du transistor à effet de champ ? En effet, le transistor à effet de champ (en anglais : Field
effect transistor ou FET) utilise plutôt une tension sur la borne d’entrée du transistor, appelée Grille
(G) pour contrôler le courant du Drain (D). Cette dépendance se base sur l’effet du champ électrique
généré par l’électrode de base (d’où le nom de transistor à effet de champ). Le transistor à effet de
champ est ainsi un transistor commandé en tension.
Le transistor à effet de champ est un dispositif qui possède trois bornes de connexion selon une
terminologie qui lui est propre. La comparaison avec le transistor bipolaire est donnée ci-dessous.

– le fonctionnement du TEC est lié au déplacement d'un seul type de porteur (porteur majoritaire) ;
– le TEC à un Très forte impédance d’entrée de l’ordre du Méga-ohm (MΩ) ;
– Facteur de bruit inférieur au transistor bipolaire.
Il y a deux types principaux de transistors à effet de champ : le JFET (EN : Junction Field Effect
Transistor) et le IGFET (EN : Insulated-gate Field Effect Transistor) qui est plus connu sous le nom
de MOSFET (Metal Oxyde Semiconductor Field Effect Transistor)

III.2.1 Transistor à Effet de Champ à Jonction (JFET)


Il y a deux types de transistors JFET : les JFET à canal N et les JFET à canal P. Le JFET à canal N
est dopé avec des donneurs et la conduction est dominée par le flux de porteurs majoritaires, soit des
électrons. De la même manière, le canal P est dopé avec des accepteurs et la conduction se fait par
les trous. Il y a également un troisième contact, qui est appelé la grille (EN : gate). Celui-ci est
constitué d’un matériau de type P (resp. De type N dans le cas d’un JFET à canal P) formant ainsi
une jonction PN avec le canal.
Les symboles ainsi qu’une représentation schématique des transistors JFET à canal N et P sont donnés
ci-dessous.
Transistor à canal N

37
Transistor PNP

Le sens de la flèche indique le sens du courant de grille.

1) Structure (canal N)

Le TEC est donc un Elément actif à 3 accès :


Grille (G) : électrode de commande (IG = 0) ;
Source (S) : électrode par laquelle les porteurs majoritaires entrent dans le canal ;
Drain (D) : électrode par laquelle les porteurs majoritaires quittent le canal.
Un transistor à effet de champ à jonction (JFET) est constitué d’un barreau de silicium N dans lequel
on a diffusé deux zones P de chaque côté. Les deux zones P sont reliées ensemble et forment la Gate.
(Grille). La région N constitue le canal. La jonction PN entre Gate et canal est normalement polarisée
en inverse.

2) Fonctionnement du JFET
On applique une faible tension VDS positive entre drain et source, et une tension négative VGS entre
grille et source.
Si VGS = 0, il s'établit un courant dans le canal, circulant du drain vers la source.
Si VGS < 0, la jonction grille - canal est bloquée. La zone de charge de cette jonction vient réduire la
section effective du canal. La résistance du canal augmente à mesure que l'on augmente | VGS |. Le
JFET se comporte alors comme une résistance dont la valeur est contrôlée par VGS. Pour une tension

38
VGS = VP, la zone de charge d'espace envahit tout le canal et le courant ne circule plus dans le canal.
VP est la tension de seuil du JFET.

Augmentons la tension VDS à VGS > VP. Le canal est parcouru par un courant ID. Le passage de ce
courant dans la résistance du canal provoque une chute de tension le long de celui-ci. Il en résulte que
la tension Grille-canal varie tout au long du canal. Elle est maximale (en valeur absolue) côté Drain.
Nous pouvons exprimer la tension Grille - Drain (tension Grille - canal au niveau du Drain) : VGD =
VGS + VSD Lorsque VGD = VP, le canal est pincé et le courant ID ne dépend plus de la valeur de
VDS. On a alors :
VGD = VGS + VSD = VP
VDS = VGS-VP
La valeur du courant drain correspondant à VGS = 0 est appelée IDSS. L'équation du courant Drain
dans la zone linéaire (canal pincé) s’écrit :
ID ≈ IDSS (1 -VGS/VP) ²
Dans la zone de fonctionnement résistif (canal non pincé), la valeur de la résistance Drain - Source
peut s’écrire :
RDS ≈ -VP / (2IDSS (1 -VGS/VP))

39
3) Réseau Caractéristique

Lorsque VDS augmente, ID croit linéairement (O) puis atteint la zone du coude due au début du
pincement du canal (C) et atteint finalement une valeur de saturation (S).
Si VDS dépasse VDSmax le semiconducteur est détruit par effet d'avalanche.

40
a) Réseau de sortie
Pour VGS = 0, ID est maximal : IDSS
Zone O : zone ohmique, le TEC se comporte comme une résistance :
Zone C : apparition du pincement
Zone S : zone linéaire ou de saturation, le TEC se comporte comme une source de courant
Commandée en tension (VDS > VP)
Zone A : zone d'avalanche

b) Réseau de transfert
Équation du courant de drain :
2
𝑉𝐺𝑆
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − 𝑉 )
𝐺𝑆𝑜𝑓𝑓

𝑉𝐺𝑆𝑜𝑓𝑓 : tension de blocage (𝐼𝐷 = 0, ∀ 𝑉𝐷𝑆 , 𝑉𝐺𝑆𝑜𝑓𝑓 = −𝑉𝑃


Les grandeurs fondamentales sont : 𝐼𝐷𝑆𝑆 , 𝑉𝑃 .

4) Polarisation par résistance de source

La Grille étant au potentiel de la masse, la source est portée à un potentiel positif par la chute de
tension RS ID. On obtient ainsi une tension Grille-Source négative.
On a :
𝑉𝐺𝑆 2
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − )
𝑉𝑃
On fixe 𝐼𝐷 selon le type de JFET et on calcul 𝑉𝐺𝑆 en résolvant l’équation :

2
𝐼𝐷
𝑉𝐺𝑆 − 2𝑉𝑃 𝑉𝐺𝑆 − ( − 1) 𝑉𝑃2 = 0
𝐼𝐷𝑆𝑆

41
Exemple
On utilise un JFET type J310 dont les caractéristiques sont : 𝐼𝐷𝑆𝑆 = 30 𝑚𝐴; 𝑉𝑃 = −2,4𝑉. On
désire un courant drain 𝐼𝐷 = 6 𝑚𝐴.
Déterminer la tension 𝑉𝐺𝑆 et la résistance 𝑅𝑆 permettant au JFET de supporter ce courant
𝐼𝐷 = 6 𝑚𝐴.

5) Modèle en régime dynamique


Dans la zone linéaire, le TEC se comporte comme une source de courant commandée par la tension
VGS
⇒ 𝐼𝐷 = 𝑓(𝑉𝐷𝑆 , 𝑉𝐺𝑆 ) .
𝜕𝐼 𝜕𝐼
∆𝐼𝐷 = 𝜕𝑉 𝐷 ∆𝑉𝐺𝑆 + 𝜕𝑉 𝐷 ∆𝑉𝐷𝑆
𝐺𝑆 𝐷𝑆

𝑖𝐷 = 𝑔𝑚 . 𝑣𝐺𝑆 + 𝑔𝑑𝑠 . 𝑣𝐷𝑆


Avec :
𝑖 𝑖
𝑔𝑚 = 𝑣 𝐷 |𝑣𝐷𝑆 = 0 : transconductance ; 𝑔𝑑𝑠 = 𝑣 𝐷 |𝑣𝐺𝑆 = 0 : admittance du drain
𝐺𝑆 𝐷𝑆

On en déduit le schéma équivalent :

Les paramètres 𝑔𝑚 et 𝑔𝑑𝑠 peuvent être déterminés sur le réseau de caractéristiques au point
de polarisation du transistor.

42
6) Montages fondamentaux : L’amplificateur JFET
Le JFET peut être utilisé comme étage d’amplification avec une caractéristique très semblable à
celle du bipolaire. Comme pour le transistor bipolaire, il existe trois montages types pour le JFET.

L’avantage principal du JFET sur le Transistor Bipolaire réside essentiellement dans la très
importante impédance d’entrée.
Montage source commune

43
En négligeant 𝒈𝒅𝒔 on obtient :

𝑽
Gain en tension 𝑨𝑽 = 𝑽𝒔
𝒆

𝑽𝒆 + 𝑹𝒈 𝒊𝑮 = 𝟎 ⟹ 𝑽𝒆 = −𝑹𝒈 𝑰𝑮
𝑹 𝑹
𝑽𝒔 − 𝑹𝒆𝒒 𝒊𝑫 = 𝟎 ⟹ 𝑽𝒔 = 𝑹𝒆𝒒 𝑰𝑮 = 𝑹𝒆𝒒 𝒈𝒎 𝑽𝒈𝒔 Avec 𝑹𝒆𝒒 = 𝑹 𝑫+𝑹𝒄𝒉
𝑫 𝒄𝒉

𝑽 𝑹𝒆𝒒 𝒈𝒎 𝑽𝒈𝒔
𝑨𝑽 = 𝑽𝒔 = − = −𝒈𝒎 𝑹𝒆𝒒
𝒆 𝑹𝒈 𝑰𝑮

𝒊 𝒊
Gain en courant 𝑨𝒊 = 𝒊𝒔 = 𝒊 𝒔
𝒆 𝑮

𝑹𝒄𝒉 𝒊𝒔 = 𝑹𝑫 (−(𝒊𝑫 + 𝒊𝒔 )) ⇒ (𝑹𝒄𝒉 + 𝑹𝑫 )𝒊𝒔 = −𝑹𝑫 𝒊𝑫


𝒊𝒔 𝑹𝑫 𝑹𝒈
𝑨𝒊 = = −𝒈𝒎
𝒊𝒆 𝑹𝑫 +𝑹𝒄𝒉

44
Exercice d’Application

On considère un montage amplificateur attaqué par un générateur 𝑉𝐺 de résistance interne 𝑟𝑔 et chargé


par une résistance de charge 𝑅𝑐ℎ On donne 𝐼𝐷𝑆𝑆 = 15 mA et |Vp| = 6V,  = 0, g = 3.33 mA/V
𝑟𝑔 = 50 Ω, 𝑅𝐷 = 2 KΩ, 𝑅𝑆 = 300 Ω, R = 100 KΩ, 𝑅𝑐ℎ = 8 KΩ
1) Donner le schéma équivalent en dynamique de l'amplificateur JFET
2) Calculer la résistance d'entrée 𝑅𝑒
𝑉𝑠 𝑖𝑠
3) calculer le gain en tension et courant 𝐴𝑉 = 𝑉𝑒 et 𝐴𝑖 = 𝑖𝑒

4) exprimer 𝐴𝑉 et 𝐴𝑖 en dB

45
III.2.2 Transistor à Effet de Champ à Métal Oxyde Semi-conducteur :
MOSFET (Metal Oxyde Semiconductor Field Effect Transistor)
Le MOSFET est un transistor à effet de Champ a sa grille isolée du canal par une couche de dioxyde
de silicium (SiO2).
Le MOSFET Possède 4 électrodes :
- la Source (Source) S : point de départ des porteurs ;
- le Drain (Drain) D : point de collecte des porteurs ;
- la Grille (Gate) G ;
- le Substrat (Body) B.

Tout comme le JFET et le transistor Bipolaire il possède 3 broches : Le Drain D, la Source


S et la grille isolée G

46
La Grilles G et le Substrat B sont les électrodes de la capacité MOS qui contrôle le nombre
de porteurs présents dans le canal.
Contrairement au JFET qui fonctionne en une seule mode : mode appauvrissement, le
MOSFET fonctionne en deux modes : mode appauvrissement (𝑽𝑮𝑺 ≤ 𝟎) et
enrichissement (𝑽𝑮𝑺 ≥ 𝟎).

- Régime d'appauvrissement :

Canal N : VGS < 0


Canal P : VGS >0

- Peut travailler en régime d'enrichissement.

- VGS commande IDS (courant commandé par une tension).

- Blocage (IDS = 0) pour VGS = VGSoff.

- IDSS est obtenu pour VGS = 0

- Caractéristiques statiques assez semblables à celles du JFET sauf que l'on peut avoir
IDS > IDSS.

- Relations usuelles : on assimile la caractéristique de transfert (IDS = f (𝑉𝐺𝑆 ) à une


parabole :
2
𝑉𝐺𝑆
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − 𝑉 )
𝐺𝑆𝑜𝑓𝑓

La transconductance est donnée par :

47
2
𝑉𝐺𝑆 2 𝐼𝐷𝑆𝑆
𝑔𝑚 = 𝑔𝑚0 (1 − 𝑉 ) Avec 𝑔𝑚𝑜 = |𝑉
𝐺𝑆𝑜𝑓𝑓 𝐺𝑆𝑜𝑓𝑓 |

Exercice d’Application
Soit le schéma d’un Montage du Transistor MOSFET en Source commune.

1- Donner le point (intensité) entre les deux modes de fonctionnement


2- Donner le montage en régime dynamique et déterminer le gain en tension 𝐺𝑉

48
Webographie
- http://fabrice.sincere.pagesperso-orange.fr/electronique1.htm
- https://www.electronique-mixte.fr/wp-content/uploads/2018/10/Cours-%C3%A9lectronique-
analogique-30.pdf
- http://courelectr.free.fr/BASE/ELEC.HTM
- https://www.electronique-mixte.fr/formation-pdf/cours-electronique-analogique/
- http://www.astito.net/eea/polycopes/poly_electronik_eea.pdf

49