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%N VUE DE LOBTENTION DU

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$ÏLIVRÏ PAR 
Institut National des Sciences Appliquées de Toulouse (INSA Toulouse)
 $ISCIPLINE OU SPÏCIALITÏ 
Conception des Circuits Micro-électronique et Microsystème

0RÏSENTÏE ET SOUTENUE PAR 


Céline DUPOUX
LE  11 Mars 2011
4ITRE 

Méthodologie d'analyse en vue de l'amélioration des interférences


électromagnétiques dans les systèmes intégrés RF

%COLE DOCTORALE 
Génie Electrique, Electronique et Télécommunications (GEET)
5NITÏ DE RECHERCHE 
LATTIS
$IRECTEURS DE 4HÒSE 
Etienne Sicard, Professeur à l'INSA de Toulouse
2APPORTEURS 
Geneviève Duchamp, Professeur à l'Université de Bordeaux
Patrick Garda, Professeur à l'Université de Paris
MEMBRES DU JURY :

Jean-Stéphane Vigier, Ingénieur Freescale, Toulouse, Examinateur


Christian Marot, EMC Senior Expert EADS-IW, Toulouse, Invité
Christophe Fourtet, Ingénieur SigFox, Toulouse , Invité
ii
Remerciements

Le travail présenté dans ce mémoire a été effectué au sein du groupe CEM du LATTIS à
l’INSA de Toulouse en collaboration avec Freescale Semiconducteurs, tout d’abord au sein du
groupe « Cellular » puis au sein du groupe RF des Microcontrôleurs.
Je tiens tout d’abord à remercier mes deux rapporteurs, Geneviève Duchamp pour avoir
accepté de lire et juger ce manuscrit de thèse et Patrick Garda d’avoir présidé le jury de ma
soutenance de thèse et d’avoir accepté de rapporter cette thèse.
J’adresse mes remerciements à Jean-Stéphane Vigier, Ingénieur à Freescale, Christian Marot,
Ingénieur expert EADS IW, Christophe Fourtet, SigFox, pour leurs participations au jury de
thèse et pour les échanges que nous avons pu avoir.
Je souhaite exprimer ma profonde gratitude à Etienne Sicard pour l’encadrement de cette
thèse, je lui suis reconnaissante pour son soutien, ses conseils et les échanges que nous avons eu.
J’ai énormément apprécié l’autonomie qu’il m’a laissé pour prendre en main mon sujet de thèse
mais en étant toujours là pour avoir un regard constructif et pour m’aider dans les difficultés.
Je remercie Christophe Fourtet de m’avoir accueilli au sein de son équipe et d’avoir initié
cette thèse, il a su m’accorder la confiance nécessaire au bon déroulement de ces travaux au
sein de Freescale. J’adresse toute ma gratitude à Nicolas Bouvier, mon responsable technique
au sein de Freescale, pour la qualité de son encadrement ainsi que pour ses précieux conseils.
Je le remercie également pour l’aide qu’il m’a toujours accordé en particulier dans les moments
difficiles. Je remercie également tous les membres de l’équipe Platform Hardware pour leur aide,
leur soutien et leur incroyable gentillesse, j’ai vraiment apprécié l’année passée à leur coté. Je
regrette que l’aventure du groupe « Cellular » se soit terminée de cette façon.
Je remercie Christian Assier de m’avoir recueilli au sein de son équipe, après la dissolution
du groupe « Cellular », d’avoir accepté de récupérer la thèse et de de m’avoir permis de finir
dans les meilleures conditions possibles. Merci à Nathalie pour son aide précieuse sur les layouts
et ses avis éclairés sur les divers problèmes que j’ai pu rencontrer. Merci à Jean-Stéphane pour
le support et les conseils techniques qu’il m’a dispensé ainsi que pour sa disponibilité. Je tiens
à remercier Frédéric pour son support et pour sa patience pendant les mesures. Merci à tout le
reste de l’équipe Annaig, Dominique, Laurent, Serge, Philippe, Jean, Alain.H, Robert, Alain.G,
pour leur gentillesse et leur accueil, ainsi que pour les weeklys du vendredi qui ont souvent été
des moments de partage et de convivialité autour de gâteaux !
Merci à Antoine, mon voisin de bureau, qui a été d’une grande aide durant ces trois années,
son amitié m’a aidé à tenir et à terminer cette thèse. Merci également pour les mémorables
moments de discussion. Merci a Aurélie pour sa bonne humeur communicative et sa gentillesse.
Merci à Audrey, Nathalie, Julie et Noe pour leur sympathie et les moments de détente. Merci a
Philippe pour sa bonne humeur surtout lors des repas à la cafétéria. Je remercie les deux autres
thésards d’infortune du groupe « Cellular », Lionel et Chafic, pour leur soutien et leur amitié.
Je tiens à remercier également les personnes que j’ai croisées à Freescale durant ces trois
années. Merci à Matthieu pour les moments de décontraction au laboratoire CEM (ce n’est pas
toujours évident), ainsi que pour son aide et son support pour débugger les manipulations. Je
remercie les personnes qui ont été de passage a Freescale (Laurent, Christophe, Aurélien, Eric,
Mark). Je remercie Sylvette pour son aide efficace dans la gestion administrative de la thèse
CIFRE ainsi que pour sa réactivité et sa sympathie.

iii
iv REMERCIEMENTS

Merci a John Shepherd et Bertrand Vrignon de l’équipe TSO de Freescale de m’avoir permis
d’utiliser le banc champ proche.
Je remercie Sonia Ben Dhia pour sa gentillesse et sa bonne humeur. Merci également à
Alexandre Boyer pour ses conseils et ses remarques qui sont toujours très constructifs. Un grand
merci à Samuel avait qui j’ai travaillé pendant un an et demi sur les couplages au sein des
plateformes. Cette expérience a été très enrichissante pour moi et cela m’a permis de me rendre
compte de l’importance et de l’efficacité du travail en équipe, encore merci Samuel pour ta
patience et ta gentillesse. Merci à toute l’équipe CEM de l’INSA, merci à Mikael qui était
également thésard a Freescale ! Merci a Amadou pour sa bonne humeur. Un grand merci a
Binhong et Christophe.
Merci à l’équipe CEM de Thales Communications où j’ai effectué mon stage de Master de
m’avoir donné l’envie de poursuivre mon apprentissage de la CEM au travers d’une thèse.
Enfin c’est avec une profonde émotion que je remercie mes proches et ma famille pour le
soutien et la confiance qu’ils m’ont toujours accordés.
Table des matières

Remerciements iii

Introduction ix

1 Contexte industriel : les systèmes communicants 1


1.1 Contexte général . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
1.2 Systèmes communicants cellulaires . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.2.1 Concept cellulaire . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
1.2.2 Techniques d’accès à la radio . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
1.2.3 Architecture réseau . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
1.2.4 Technologie 2G - Cas du GSM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
1.2.5 La technologie 3G . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
1.2.6 Description d’une plateforme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
1.3 Les systèmes de communication sans fil . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
1.3.1 Les bandes ISM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
1.4 Synthèse . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
1.5 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

2 État de l’art : CEM des circuits intégrés 15


2.1 La CEM des circuits intégrés . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
2.1.1 La Compatibilité ÉlectroMagnétique (CEM) . . . . . . . . . . . . . . . . 16
2.1.2 Les perturbations électromagnétiques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
2.1.3 Mode de couplage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
2.1.4 Émission parasite des circuits intégrés . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
2.1.5 Susceptibilité des circuits intégrés . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
2.2 Interférences dans les systèmes intégrés RF . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
2.2.1 Les boı̂tiers . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
2.2.2 Les circuits mixtes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
2.2.3 Couplages champ proche . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
2.3 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25

3 La méthode champ proche 27


3.1 Le champ proche . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
3.2 Les mesures champ proche . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
3.2.1 Le banc de mesure champ proche . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
3.2.2 Les sondes champ proche . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
3.2.2.1 Les sondes classiques de champ magnétique . . . . . . . . . . . . 31
3.2.2.2 Les sondes classiques de champ électrique . . . . . . . . . . . . . 32

v
vi TABLE DES MATIÈRES

3.2.2.3 La sonde « Cubeprobe » : sonde de mesure du champ magnétique


total . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
3.2.3 Mesures d’émission champ proche . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
3.2.4 Mesure d’immunité champ proche . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
3.3 Étude des sondes magnétiques champ proche . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
3.3.1 Calibrage des sondes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
3.3.2 Étude de la résolution des sondes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
3.3.3 Pistes pour l’amélioration de la résolution des sondes . . . . . . . . . . . . 43
3.4 Modélisation du champ proche . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
3.4.1 État de l’art . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
3.4.2 Modélisation sous IC-EMC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
3.5 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48

4 Méthodologie de l’étude des interférences électromagnétiques 49


4.1 Identification des éventuels problèmes d’interférences électromagnétiques . . . . . 51
4.1.1 Mesures champ proche . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
4.1.1.1 Mesure de cartographie champ proche . . . . . . . . . . . . . . . 52
4.1.1.2 Mesure de spectre champ proche . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
4.1.1.3 Mesure d’immunité champ proche . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
4.1.2 Étude du circuit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56
4.2 Étude de l’élément ou des éléments supposés perturbateurs . . . . . . . . . . . . 57
4.2.1 Caractérisation champ proche . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
4.2.2 Simulation de l’agresseur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58
4.2.2.1 Simulations électromagnétiques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58
4.2.2.2 Simulations électriques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58
4.3 Étude du couplage entre les éléments perturbateurs et les éléments victimes . . . 58
4.3.1 Mesure de couplage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58
4.3.1.1 Mesure de couplage puce à puce . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59
4.3.1.2 Mesure de couplage à l’aide d’une SkateProbe . . . . . . . . . . 59
4.3.2 Évaluation du couplage par simulation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60
4.4 Analyse des interférences . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62
4.4.1 Analyse expérimentale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62
4.4.2 Analyse par simulation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63
4.5 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64

5 Étude des interférences électromagnétiques dans une plateforme de téléphonie


3G 65
5.1 Contexte et problématique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66
5.2 Description de la plateforme de téléphonie mobile . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67
5.2.1 Description générale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67
5.2.1.1 Processeur bande de base (Baseband) . . . . . . . . . . . . . . . 67
5.2.1.2 Gestion des alimentations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68
5.2.1.3 Partie radio fréquence . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68
5.3 Étude du couplage entre un PA et un transceiver . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68
5.3.1 Identification des perturbateurs et des victimes . . . . . . . . . . . . . . . 68
5.3.1.1 L’amplificateur de puissance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70
5.3.1.2 Le transceiver 3G . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71
5.3.2 Caractérisation de l’émission champ proche du PA . . . . . . . . . . . . . 72
5.3.3 Émulation de l’émission champ proche du PA . . . . . . . . . . . . . . . . 73
5.3.4 Mesure de couplage entre l’émulateur et le transceiver . . . . . . . . . . . 74
5.3.4.1 Mesure de sensibilité d’une plateforme . . . . . . . . . . . . . . . 74
5.3.4.2 Mesure de sensibilité d’une plateforme en présence du perturbateur 77
TABLE DES MATIÈRES vii

5.3.5 Analyse des interférences . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 79


5.3.5.1 Mesures complémentaires . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80
5.3.5.2 Mesures de spectre au dessus du transceiver . . . . . . . . . . . 82
5.4 Modélisation du couplage entre le PA et le transceiver . . . . . . . . . . . . . . . 84
5.4.1 Modélisation du transceiver . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 84
5.4.2 Modélisation de la SkateProbeP A . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 88
5.4.3 Modélisation du couplage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 89
5.5 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 92

6 Étude de l’auto-compatibilité électromagnétique d’un circuit intégré radio


fréquence 93
6.1 Description du circuit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 94
6.2 Étude des interférences couplées sur le bloc VCO . . . . . . . . . . . . . . . . . . 94
6.2.1 Identification des potentiels agresseurs et victimes . . . . . . . . . . . . . 95
6.2.1.1 Cartographie d’émission champ proche . . . . . . . . . . . . . . 97
6.2.2 Étude des agresseurs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 97
6.2.3 Évaluation du couplage entre la self du VCO et les pistes proches . . . . . 99
6.2.3.1 Construction d’un modèle équivalent de couplage . . . . . . . . 100
6.2.4 Évaluation des performances du circuit en intégrant les couplages parasites 102
6.2.4.1 Simulation transitoire . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 102
6.2.4.2 Simulation Harmonic Balance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 103
6.2.5 Analyse des couplages . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 104
6.3 Modélisation de l’émission champ proche . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 104
6.3.1 Mesures champ proche . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 105
6.3.2 Construction du modèle IBIS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 106
6.3.3 Construction du modèle d’émission . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 107
6.3.4 Validation du modèle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 108
6.3.5 Amélioration du modèle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 112
6.4 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 115

Conclusion et discussion 117

Glossaire 119

Bibliographie 121

Liste des publications 127

Résumé 129

Table des figures 135


viii TABLE DES MATIÈRES
Introduction

J’ai réalisé une thèse CIFRE entre la division Produits Cellulaires de Freescale Semicon-
ducteurs et le Laboratoire Toulousain de Technologie et d’Ingénierie des Systèmes (LATTIS) de
l’INSA de Toulouse. Cette thèse a pour objectif de développer des méthodes de mesure et de
simulation pour étudier la Compatibilité ÉlectroMagnétique (CEM) des circuits intégrés dans
un téléphone portable initialement puis dans les systèmes RF fonctionnant dans la bande ISM.
Le but de ce travail de thèse va être de proposer des solutions pour étudier la CEM dans les
systèmes communicants, d’essayer de proposer des méthodes de mesures pour l’investigation
ainsi que des méthodes de simulation dans le but de prédire un certain nombre de problèmes.
Le domaine des communications sans fil a fortement évolué ces dernières années, en vingt
ans un terminal mobile est passé d’un simple téléphone à un mini-ordinateur de poche intégrant
de nombreuses fonctions comme le GPS, le Wi-Fi, un appareil photo. Tout cela a été possible
grâce l’intégration de plus en plus poussée des circuits intégrés. Au sein de Freescale, les équipes
développant les plateformes de téléphonie mobile ne réalisaient pas de mesures CEM de leurs
plateformes ainsi que des circuits intégrés de la plateforme. Mais avec l’intégration grandissante
des circuits, il est apparu de nombreux problèmes d’interférences aussi bien au niveau plate-
forme qu’au niveau circuit intégré. L’importance de mettre en place des outils de diagnostic et
d’investigation CEM au sein de ces équipes a permis d’ouvrir une thèse sur ce sujet.
Cette thèse s’inscrit dans la continuité des travaux réalisés précédemment à l’INSA de Tou-
louse ainsi qu’à Freescale dans le domaine de la compatibilité électromagnétique des circuits
intégrés. La figure 1 présente les travaux de l’INSA et les avancés au niveau mondial de la CEM
des composants.
Afin de répondre aux besoins de l’équipe de développement des plateformes, les mesures
champ proche se sont imposées comme méthodes de mesures idéales pour les plateformes. En
effet, avec le rapprochement des circuits les couplages parasites champ proche sont présents dans
les plateformes. De plus ces mesures contiennent beaucoup d’informations sur l’activité interne
du circuit.
Ensuite lors de mon passage au sein de l’équipe de conception des circuits communicants
sans fil dans la bande ISM (Industrial, Scientific and Medical ), il est apparu un manque de
solution pour l’étude de la CEM lors de la conception, au niveau des puces électroniques. Il
existe beaucoup d’outils mais il faut pouvoir préserver la compatibilité entre ces outils afin de
pouvoir les intégrer dans le flot de simulation de conception des circuits intégrés.

ix
x INTRODUCTION

Figure 1 – Présentation de l’activité CEM composants à l’INSA de Toulouse

Le premier chapitre présente le contexte dans lequel cette thèse s’est déroulée, les systèmes
communicants RF : de la téléphonie mobile aux systèmes RF de la bande ISM.
Une introduction la compatibilité électromagnétique est exposée dans le chapitre 2 avec une
présentation rapide des mesures normalisées et des modèles existants.
Dans le troisième chapitre, la méthode champ proche est présentée. Les différents types de
mesures possibles avec le banc de mesure champ proche sont illustrés puis une étude des sondes
magnétiques champ proche est présentée. Enfin une méthode de modélisation des cartographies
d’émission champ proche est présentée basée sur l’extraction des inductances principales de
rayonnement.
La méthodologie développée pendant la thèse est présentée dans le chapitre quatre. Cette
méthodologie vise à pouvoir étudier les interférences électromagnétiques à chaque phase de
conception d’un circuit ou d’un système c’est-dire pendant la conception ou pendant la valida-
tion.
Le chapitre 5 applique la méthodologie l’étude des interférences dans un téléphone portable,
le couplage rayonné champ proche est étudié entre un amplificateur de puissance 3G et un
transceiver. Pour cette étude une sonde émulatrice du rayonnement champ proche est réalisée
puis nous mesurons le couplage entre cette sonde et le transceiver. C’est une méthode de mesure
mise en place pour évaluer les couplages entre le PA et le transceiver en vue de l’intégration
dans le même boı̂tier de ces deux puces. Ensuite un modèle reproduisant le couplage entre la
sonde et le transceiver est réalisé.
Le chapitre 6 présente une étude des interférences rayonnées au niveau des blocs d’une puce
électronique, un transceiver 315/434 MHz. Dans ce cas, nous étudions le couplage entre une in-
ductance intégrée d’un bloc et les structures environnantes (rails d’alimentation, bus numérique).
xi

Cette étude permet d’étudier les couplages pendant la phase de conception des circuits ce qui
n’était pas réalisé au sein des équipes de conception des circuits RF Freescale. Puis un modèle
d’émission champ proche du transceiver de cette étude est réalisé l’aide du logiciel IC-EMC.
xii INTRODUCTION
Chapitre 1
Contexte industriel : les systèmes
communicants

1
2 CHAPITRE 1. CONTEXTE INDUSTRIEL : LES SYSTÈMES COMMUNICANTS

Ce chapitre présente le contexte industriel dans lequel s’est déroulée la thèse : tout d’abord
au sein d’une équipe de développement de plateformes destinées à la téléphonie mobile puis au
sein d’une équipe réalisant des émetteurs/récepteurs sans fil. La première partie de ce chapitre
présente le domaine des télécommunications cellulaires en exposant les principales caractéris-
tiques techniques des réseaux de téléphonies mobiles de 2ième et de 3ième génération. Ensuite
la seconde partie est dédiée à la présentation des systèmes communicants dans la bande ISM
(Industrial, Scientific and Medical ).

1.1 Contexte général

Depuis les années 90, le domaine des systèmes cellulaires et sans fil a connu une forte crois-
sance, au point de devenir le premier marché, en terme de volume de l’industrie des semi-
conducteurs (figure 1.1). Cette révolution résulte du développement des technologies CMOS
(Complementary Metal Oxide Semiconductor ) dont les performances ont été découplées en terme
d’intégration, de rapidité, d’efficacité énergétique et dont le coût n’a cessé de diminuer. Ce qui
autorise l’intégration de fonctions numériques complexes et analogiques sur une même puce. Le

Figure 1.1 – Télécommunications multi-standard

développement important des différents standards et systèmes de télécommunication sans fil a


commencé par la téléphonie mobile et a conduit à un engorgement du spectre fréquentiel dispo-
nible (figure 1.2). De plus en 1985, la FCC (Federation Communication Commission)américaine
a défini les bandes de fréquences ISM (Industrial, Scientific and Medical ) autorisant les commu-
nications non licenciées. Ceci a eu pour conséquence le développement de nouvelles applications
fonctionnant dans ces bandes de fréquences, telles que le TPMS (Tire Pression Monitoring Sen

Céline Dupoux – Université de Toulouse


1.2. SYSTÈMES COMMUNICANTS CELLULAIRES 3

Figure 1.2 – Bandes de fréquences des standards de télécommunication sans fil

sor ) ou le WiFi...

1.2 Systèmes communicants cellulaires

Depuis leur invention, les communications sans fil entre deux éléments mobiles étaient limitées
à des applications professionnelles et ce, jusqu’à la fin des années 70. Il a fallu attendre les
années 80 avant de voir la naissance des systèmes de téléphonie mobile, de 1ère génération,
entièrement analogiques comme le NMT (Nordic Mobile Telephony), l’AMPS (Advanced Mobile
Phone Service), le TACS (Total Access Cellular System) ou le Radiocom2000. Cependant, les
ressources spectrales réduites, la courte durée de vie des batteries et le coût du terminal ont
restreint le développement des téléphones portables de 1ère génération. La 2nde génération de
téléphonie mobile est apparue au début des années 90 avec le DECT (Digital Enhanced Cordless
Telecommunications), le GSM (Global System for Mobile communications, Europe), le PDC
(Japon) et le PCS (États-Unis). Prévue initialement pour des applications de transport de la
parole et de données à faible débit (9600 bits/s) autour des fréquences (935-960 MHz) ou (890-915
MHz), cette norme a permis l’essor des communications mobiles. La modification de la méthode
d’accès aux données a donné lieu à la naissance de la 2.5G, incarnée par le système GPRS
(General Packet Radio Service) ou sous une autre forme par les systèmes EDGE (Enhanced Data
rate for GSM Evolution). Ces systèmes utilisent une nouvelle modulation optimisant le débit avec
384 kb/s au maximum. Pour bénéficier d’un débit plus élevé (1 Mb/s), et afin d’éviter que chaque
continent ne développe son propre système, l’idée d’une 3ième génération de systèmes cellulaires
est née. La 3G souvent assimilée en Europe à l’UMTS (Universal Mobile Telecommunication
Service) a été principalement conçue pour satisfaire le transfert de données multimédia (accès à
internet, aux réseaux d’entreprise...).

Céline Dupoux – Université de Toulouse


4 CHAPITRE 1. CONTEXTE INDUSTRIEL : LES SYSTÈMES COMMUNICANTS

1.2.1 Concept cellulaire

Un réseau cellulaire est un réseau de télécommunications mobiles permettant de répondre


aux contraintes imposées par la mobilité du terminal. Une communication à partir d’un télé-
phone mobile est établie à travers une station de base qui couvre la cellule dans laquelle se
trouve le téléphone mobile. Afin d’assurer la meilleure communication possible, le téléphone mo-
bile communique avec les stations de base des cellules voisines et mesure régulièrement la qualité
de réception. Le téléphone doit être capable de changer de station de base s’il se déplace dans
une autre cellule. Le téléphone mobile est un moyen de télécommunication par téléphone sans
fil. Ce moyen de communication s’est largement répandu à la fin des années 1990. La technologie
associée bénéficie des améliorations des circuits électroniques, notamment leur miniaturisation,
ce qui permet aux téléphones d’acquérir des fonctions jusqu’alors réservées aux ordinateurs.
La téléphonie mobile est fondée sur la radiotéléphonie, c’est-à-dire la transmission de la voix à
l’aide d’onde radioélectrique (fréquences dans la bande des 900, 1800 et 1900 MHz) entre une
base relais qui couvre une zone de quelques dizaines de mètres (pico-cellules) à plusieurs dizaines
de kilomètres (macro-cellules) de rayon et le téléphone mobile de l’utilisateur. Les premiers sys-
tèmes mobiles fonctionnaient en mode analogique. Les terminaux étaient de taille importante,
seulement utilisable dans les automobiles où ils occupaient une partie du coffre et profitaient de
l’alimentation électrique du véhicule. Les systèmes mobiles actuels fonctionnent en mode numé-
rique : la voix est échantillonnée, numérisée et transmise sous forme de bits, puis re-synthétisée
au niveau de la réception. Les progrès de la micro-électronique et des technologies de stockage
d’énergie ont permis de réduire la taille des téléphones mobiles à un format de poche. Chaque
nouvelle génération technologique a permis une baisse du prix des terminaux, l’augmentation des
services ainsi que l’augmentation du nombre d’abonnés. Les bases de transmission sont réparties
sur le territoire selon un schéma de cellules. En téléphonie 2G, chaque base utilise un groupe de
fréquences différent de ses voisines. Les mêmes fréquences ne sont réutilisées qu’à une distance
suffisante afin de ne pas créer d’interférences (figure 1.3).

Figure 1.3 – Découpage du territoire en cellule (gauche). Structure d’un réseau cellulaire (droite)
[10]

Céline Dupoux – Université de Toulouse


1.2. SYSTÈMES COMMUNICANTS CELLULAIRES 5

1.2.2 Techniques d’accès à la radio

Le principal problème de transmission en téléphonie mobile est le partage des canaux de


transmission. En effet, l’environnement est le même pour tous les utilisateurs, l’espace des fré-
quences disponibles est restreint avec un milieu particulièrement bruité. La première méthode
utilisée par les systèmes analogiques est la répartition en fréquence FDMA. Par la suite, avec les
systèmes numériques apparait la répartition dans le temps TDMA. Puis l’apparition du CDMA
avec les systèmes de 3ième génération. Nous donnons ci-après une illustration de ces concepts.

FDMA (Frequency Division Multiple Access) Le FDMA divise la gamme de fré-


quences disponibles en canaux d’une largeur de bande spécifique. Durant toute la durée d’une
communication, un abonné unique dispose d’une de ces bandes sans restriction. Chaque utili-
sateur dans une cellule emploie donc une bande de fréquences différente des autres utilisateurs
(voir figure 1.4).

Figure 1.4 – Trame FDMA

TDMA (Time Division Multiple Access) Une simple bande de fréquences est à la
disposition d’un certain nombre d’utilisateurs. La bande de fréquences est divisée en trame de
TDMA de longueur finie. Chaque trame est divisée en n timeslots pouvant être assignés à un
utilisateur différent. De cette façon, une simple bande de fréquences peut contenir jusqu’à n
utilisateurs (voir figure 1.5).

CDMA ou W-CDMA(3G) Contrairement aux précédents, des utilisateurs différents


sont empilés sur un même canal, en garantissant la non-interférence en affectant à chaque utili-
sateur un code unique dans la cellule. L’émetteur lie l’information originale avec le code, qui est
alors transmise au-travers de l’interface par radio.

1.2.3 Architecture réseau

L’architecture de l’interface radio comporte trois couches :

Céline Dupoux – Université de Toulouse


6 CHAPITRE 1. CONTEXTE INDUSTRIEL : LES SYSTÈMES COMMUNICANTS

Figure 1.5 – Trame TDMA

– la couche 1 ou couche physique a pour fonction la transmission et le traitement physique


de l’information ;
– la couche 2 ou couche de liaison de données, elle contrôle les liaisons de signalisation et
s’occupe du transfert en bloc des données de signalisation ;
– la couche 3 ou la couche réseau gère la connexion des liaisons de communication.

Figure 1.6 – Couches de l’interface radio norme OSI/ISO

La figure 1.6 présente les couches de la norme OSI/ISO.

1.2.4 Technologie 2G - Cas du GSM

Le GSM est une norme numérique de seconde génération pour la téléphonie mobile [11]. Le
GSM a connu différentes évolutions en Europe (E-GSM, DCS-1800 et PCS-1900), souvent vers
des fréquences plus élevées et vers des spectres plus larges. Hormis ces variations en fréquence

Céline Dupoux – Université de Toulouse


1.2. SYSTÈMES COMMUNICANTS CELLULAIRES 7

et en bande de fonctionnement, les spécifications techniques sont similaires à celle du GSM-900.


La bande dédiée au système GSM est divisée en canaux fréquentiels de largeur 200 kHz. Sur
une bande de fréquences sont émis des signaux modulés autour d’une fréquence porteuse qui
siège au centre de la bande. Chaque porteuse est divisée en intervalles de temps appelés slots,
qui accueillent un élément de signal radioélectrique appelés burst.

Figure 1.7 – Exemples de burst en technologie 2G : a) GSM b) EDGE

La figure 1.7 illustre des burst, pour la partie a) c’est un burst avec modulation GMSK
(Gaussian -filtered Modulation Shift Keying) dans le cas du GSM et la partie b) présente un
burst modulé avec 8-PSK dans le cas de EDGE.
Les caractéristiques de la technologie 2G sont listées dans le tableau 1.1.

Caractéristiques Valeurs
Largeur d’un canal 200 kHz
Puissance émise par la station de base de 30 W à 100 W
Niveau émission Tx max (téléphone) 33 dBm
Niveau émission Tx min (téléphone) 0 dBm
Sensibilité récepteur -102 dBm
Modulation GMSK
Durée de la trame 4,6 ms
Protocole d’accès à la radio FDMA/TDMA
Débit sur voie radio 270 kbit/s

Tableau 1.1 – Caractéristiques des transmissions 2G

La modulation GMSK est une modulation de fréquence à enveloppe constante, elle est le
résultat du filtrage par un filtre Gaussien d’une modulation MSK. La GMSK emprunte à la
MSK le principe de déphasage de ± pi
2 à chaque transmission d’un symbole binaire.

1.2.5 La technologie 3G

L’UMTS (Universal Mobile Telecommunications Systeme) désigne une norme cellulaire de


3ième génération [12]. Atteignant 2 Mb/s, les vitesses de transmission offertes par UMTS seront

Céline Dupoux – Université de Toulouse


8 CHAPITRE 1. CONTEXTE INDUSTRIEL : LES SYSTÈMES COMMUNICANTS

nettement plus élevées que celles des réseaux GSM qui sont autour de 150 kb/s avec GPRS.

Figure 1.8 – Comparaison des débits selon les différents réseaux

L’évolution « GSM-GPRS-EDGE » est principalement une évolution logicielle tandis que 3G


est basée sur la technologie CDMA, totalement différente. Les systèmes 3G utilisent une bande de
fréquences plus élevée autour de 1900 MHz. L’UMTS fonctionne suivant le mode d’accès multiple
à répartition par les codes (CDMA). Les signaux provenant de différents mobiles coexistent dans
un même canal mais la technique d’étalement de spectre permet de leur attribuer des codes dif-
férents. Le principe consiste à multiplier les signaux par des séquences binaires pseudo-aléatoires
différentes, à haut-débit. L’information est étalée sur une bande de fréquences de 5 MHz d’où le
nom de Wideband CDMA. La transmission émission et réception est continue c’est-à-dire que
l’émission et la réception se font simultanément [13]. L’UMTS Terrestrial Radio Acces (UTRA)
possède deux modes de duplexage, FDD (Frequency Division Duplex ) et TDD (Time Division
Duplex ). Le CDMA ou le W-CDMA (3G), après allocation FDMA également, consiste à empiler
des utilisateurs différents sur un même canal, en garantissant la non-interférence, par orthogona-
lité des codes de cryptage. En d’autres termes, on garde les fréquences instantanées de chaques
signaux, différentes à chaque instant T, grâce à la modulation du signal utile de base, par une
modulation d’étalement, appelé code orthogonal, utilisé par un seul couple d’émetteur/récepteur,
les autres codes étant considérés comme du bruit. Les principales caractéristiques de l’UMTS
sont listées dans le tableau 1.2.

La figure 1.9 illustre, un signal de réception à la fréquence de 1920 MHz.

Céline Dupoux – Université de Toulouse


1.2. SYSTÈMES COMMUNICANTS CELLULAIRES 9

Caractéristiques Valeurs
Largeur d’un canal 5 MHz
Niveau émission Tx max (téléphone) 24 dBm
Niveau émission Tx min (téléphone) -50 dBm
Sensibilité récepteur -102 dBm
Modulation QPSK
Durée de la trame 10 ms
Protocole d’accès à la radio CDMA
Débit sur voie radio 3.84 Mchips/s

Tableau 1.2 – Caractéristiques des transmissions 3G

Figure 1.9 – Exemple d’un signal de réception 3G

1.2.6 Description d’une plateforme

Afin de pouvoir valider le comportement des circuits intégrés dans un téléphone portable,
il est nécessaire de réaliser des plateformes dans lesquelles tous les circuits nécessaires au fonc-
tionnement du téléphone sont intégrés. Ce qui nous donne un téléphone éclaté qui nous permet
de faire du diagnostic et de l’investigation. La figure 1.10 illustre un exemple de plateforme de
téléphonie 2G et 3G. Ces plateformes disposent de tous les éléments nécessaires à un téléphone
portable comme par exemple le clavier, l’écran.

Céline Dupoux – Université de Toulouse


10 CHAPITRE 1. CONTEXTE INDUSTRIEL : LES SYSTÈMES COMMUNICANTS

Figure 1.10 – Illustration d’une plateforme de téléphonie mobile 2G et 3G

1.3 Les systèmes de communication sans fil

Les technologies sans fil, de même que les liaisons filaires, se regroupent en trois catégories
suivant la portée de ces liaisons :
– les WWAN (Wireless Wide Area Network) : GSM, GPRS, UMTS
– les WLAN (Wireless Local Area Network) RLAN (RadioLan) :IEEE 802.11, Hiperlan
– les WPAN (Wireless Personal Area Network) : Bluetooth, HomeRF
Le WPAN couvre quelques mètres, le WLAN se mesure en dizaines et en centaines de mètres,
le WWAN en centaines et en milliers de mètres [14]. Le tableau 1.1 présente les différents
standards existants. L’intérêt pour ce type de communication n’a cessé d’augmenter au cours
des dernières années et leurs applications sont en constant développement. La figure 1.4 illustre
le débit de ces standards de communication sans fil.
Les réseaux locaux sans fil connaissent actuellement d’importants développements du fait
de la flexibilité de leur interface, ce qui permet à un utilisateur de se déplacer tout en restant
connecté. Plusieurs tendances se dégagent : les réseaux sans fil qui desservent un seul utili-

Céline Dupoux – Université de Toulouse


1.3. LES SYSTÈMES DE COMMUNICATION SANS FIL 11

Standard Bluetooth Wi-Fi (802.11g) UWB Zigbee


(802.15.1) (802.11b) (802.15.3) (802.15.4)
Distance max. 10 - 100 m 100 m 100 m 10 m 20 m
Fréquence 2,4 GHz 2,4 GHz 2,4 GHz 3,1-10,6 2,4 GHz
GHz
Nombre de ca- 79 14 14 1 - 15 16
naux
Modulation GFSK QPSK OFDM BPSK, O-QPSK
QPSK
Puissance maxi- 0 - 20 dBm 30 dBm 30 dBm - 41,3 0 dBm
mum (US), 20 (US), 20 dBm/MHz
dBm (UE), dBm (UE),
10 dBm 10 dBm
(Japan) (Japan)
Sensibilité du ré- -70 dBm -76 dBm @ -74 dBm @ -85 dBm
cepteur 11 Mbits/s 33 Mbits/s

Tableau 1.3 – Caractéristiques des standards de communication sans fil courte distance

Figure 1.11 – Illustration des débits des technologies sans fil

sateur, ceux qui desservent un bâtiment et ceux qui connectent des utilisateurs sur une zone
métropolitaine [15].

1.3.1 Les bandes ISM

Les bandes ISM (Industriel, Scientifique et Médical) ne sont pas soumises à des règlementa-
tions nationales et elles peuvent être utilisées librement et gratuitement pour des applications
industrielles, scientifiques et médicales. Les seules contraintes sont :
– la puissance d’émission

Céline Dupoux – Université de Toulouse


12 CHAPITRE 1. CONTEXTE INDUSTRIEL : LES SYSTÈMES COMMUNICANTS

– les excursions en fréquence, ou la perturbation des fréquences voisines


Le tableau 1.4 liste les fréquences disponibles de la bande ISM.

Début de bande Fin de bande


6.765 MHz 6.795 MHz
13.553 MHz 13.567 MHz
26.957 MHz 27.283 MHz
40.660 MHz 40.7 MHz
433.05 MHz 434.79 MHz
868 MHz 870 MHz
902 MHz 928 MHz
2.4 GHz 2.5 GHz
5.725 GHz 5.875 GHz
24 GHz 24.25 GHz
61 GHz 61.5 GHz
122 GHz 123 GHz
244 GHz 246 GHz

Tableau 1.4 – Listes des fréquences ISM publiques publiées

Les applications sans fil fonctionnant sur ces bandes de fréquences sont de plus en plus
nombreuses [16], les fabricants de circuits proposent beaucoup de transceiver fonctionnant dans
ces bandes de fréquences [17].

Bluetooth (IEEE 802.15.1)

Bluetooth est une spécification de l’industrie des télécommunications, elle utilise une techno-
logie radio courte distance destinée à simplifier les connexions entre les appareils électroniques
par exemple communication entre une imprimante et un ordinateur. Cette norme fonctionne
dans la bande ISM entre 2,4 GHz et 2,48 GHz utilisable librement (sans licence ni autorisa-
tion) et est divisée en 79 canaux séparés de 1 MHz. Concernant le protocole de communication,
l’utilisation de la technique TDD (Time Domain Duplex ) permet un fonctionnement en duplex.
L’information est modulée en GFSK (Gaussian Frequency Shift Keying). Elle permet d’atteindre
des débits pouvant aller jusqu’à 3 Mbits/s dans un rayon de moins de 100 m. La technologie
Bluetooth est de plus en plus utilisée dans les téléphones portables, afin de leur permettre de
communiquer avec des ordinateurs portables ou des dispositifs mains-libres.

ZigBee IEEE et 802.15.4

ZigBee est une norme caractérisée par un faible débit et un faible coût, avec pour atout
majeur une faible consommation. Le type d’application visée est le même que pour le système
propriétaire, c’est-à-dire des applications ne nécessitant pas des échanges de données en perma-
nence, ni un débit important. Cette norme a donc pour objectif de définir un standard adapté
à la réalisation d’un réseau sans fil faible coût (prix de production des puces < 2 $), disposant
d’une autonomie importante (durée de vie des batteries > 1 an). Elle fonctionne dans la bande
2,4 GHz. Une confusion est souvent faite entre ZigBee et IEEE 802.15.4. Le standard ZigBee

Céline Dupoux – Université de Toulouse


1.4. SYNTHÈSE 13

[18] est une alliance qui profite de la couche physique de radiocommunications définie par le
standard IEEE 802.15.4, le ZigBee rajoute une couche réseau. La figure ?? décrit les couches
physiques de ZigBee.

Wi-Fi (802.11.x)

C’est un ensemble de normes concernant les réseaux locaux sans fil (WLAN) qui offrent des
débits pouvant atteindre 54 Mbit/s autour de la fréquence 2,4 GHz. Le Wi-Fi est très souvent
utilisé pour des applications domestiques.

1.4 Synthèse

Les besoins dans les domaines des communications sans fil sont grandissants mais tous les
systèmes ne connaissent pas forcement de succès. Pour garantir la réussite d’un système il faut
avoir une killer application [19]. Le terme killer application désigne un service dont la valeur per-
çue par l’utilisateur est suffisamment importante pour entraı̂ner une adoption massive. La 4ième
génération de téléphonie mobile et les nouveaux services de communication sans fil (comme ceux
cités précédemment) n’échappent pas à cette contrainte. La figure 1.12 illustre l’évolution des
systèmes de communication sans fil. La figure 1.13 présente de possibles nouvelles applications

Figure 1.12 – Évolution des communications sans fil

sans fil.

Céline Dupoux – Université de Toulouse


14 CHAPITRE 1. CONTEXTE INDUSTRIEL : LES SYSTÈMES COMMUNICANTS

Figure 1.13 – Exemples de nouvelles applications sans fil

1.5 Conclusion
Ce chapitre est une présentation succincte des différents systèmes de communications sans
fil, qui est le contexte industriel de ma thèse. Nous avons présenté les systèmes cellulaires de la
seconde et troisième génération ainsi que les systèmes communicants fonctionnant sur les bandes
ISM. Il s’agit donc d’étudier les circuits intégrés permettant les communications sans fil.

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Chapitre 2
État de l’art : CEM des circuits intégrés

15
16 CHAPITRE 2. ÉTAT DE L’ART : CEM DES CIRCUITS INTÉGRÉS

Ce chapitre présente une introduction à la Compatibilité ÉlectroMagnétique des circuits


intégrés, domaine de plus en plus important dans la conception des systèmes embarqués. Puis
les méthodes de mesure normalisées de l’émission des composants sont présentées, ainsi que le
modèle d’émission. Par la suite de ce chapitre une présentation des mesures et modèle d’immunité
des circuits intégrés est réalisée. Enfin la dernière partie de ce chapitre est consacrée à l’étude
des interférences dans les systèmes communicants.

2.1 La CEM des circuits intégrés

2.1.1 La Compatibilité ÉlectroMagnétique (CEM)

La CEM peut être définie comme la capacité d’un dispositif, équipement ou système à fonc-
tionner de façon satisfaisante dans son environnement électromagnétique sans introduire lui-
même de perturbations électromagnétiques de nature à créer des troubles susceptibles de nuire
au bon fonctionnement des appareils ou des systèmes situés dans son environnement.
Les études CEM au niveau équipement sont très largement traitées aussi bien du point de vue
mesure que simulation. Les concepteurs de systèmes embarqués des domaines automobile [20],
aéronautique [21] traitent communément ces problèmes, avec une tendance à la modélisation
prédictive [22]. Cette prise en compte de la CEM au niveau équipement se répercute de plus en
plus au niveau des circuits intégrés [23], qui peuvent être les éléments sensibles voire critiques
du système. En effet l’intégration de fonctions de plus en plus nombreuses au sein des circuits
intégrés en font un élément essentiel dans le bon fonctionnement d’un équipement. L’étude CEM
des circuits intégrés [24] devient donc importante dans la conception des systèmes [25]. Comme
pour les équipements, lors d’une étude CEM il faut identifier les trois acteurs : la source, le
chemin de couplage et la victime (figure 2.1).

Figure 2.1 – Illustration du schéma source/chemin de couplage/victime

2.1.2 Les perturbations électromagnétiques

La Communauté Européenne [26] définit de la manière suivante les perturbations électroma-


gnétiques : « ce sont des phénomènes électromagnétiques susceptibles de créer des troubles de
fonctionnement d’un dispositif, d’un appareil ou d’un système. Une perturbation électromagné-
tique peut être un bruit électromagnétique, un signal non désiré ou une modification du milieu
de propagation lui même ». Les perturbations électromagnétiques peuvent provenir de source
d’énergie électrique, de source transitoire comme la foudre mais aussi de rayonnements hautes
fréquences issus des émetteurs radio ou des systèmes radar. Elles peuvent ainsi atteindre des équi-
pements électroniques, qu’ils soient fixes ou bien embarqués à bord de véhicules. L’effet d’une

Céline Dupoux – Université de Toulouse


2.1. LA CEM DES CIRCUITS INTÉGRÉS 17

perturbation si elle est suffisamment intense, peut provoquer dans le pire cas, la destruction d’un
circuit intégré. Dans le cas où ce circuit est critique au niveau fonctionnalité de l’équipement,
celui-ci est alors « hors service ». Pour une amplitude plus modeste, la perturbation peut induire
des tensions et courants parasites entraı̂nant à leurs tours des dysfonctionnements au sein de
l’équipement. Les champs rayonnés vont ensuite se coupler avec la structure du système par
différents modes de couplages et générer des parasites électriques pouvant se propager jusqu’aux
composants critiques.
Les parasites transitoires peuvent créer pendant une durée très brève des surtensions ou sur-
intensités pouvant entrainer des dysfonctionnements et parfois même la destruction des circuits.
La foudre, par exemple, peut agresser un système par foudroiement direct ou par rayonnement du
canal de décharge. De même l’Impulsion Électromagnétique Nucléaire (IEMN) est une explosion
nucléaire à haute altitude provoquant un champ électromagnétique de très forte puissance.

2.1.3 Mode de couplage

Le couplage est le processus par lequel la perturbation atteint le circuit victime. Il existe
deux modes de couplages : le couplage rayonné et le couplage conduit.

Figure 2.2 – Illustration des modes de couplage

Couplage rayonné

Dans le cas d’un couplage rayonné, les pistes des circuits peuvent jouer le rôle d’antennes ainsi
que les éléments du boı̂tier d’un circuit intégré. Lorsqu’un courant circule dans un conducteur,
celui-ci génère un champ magnétique qui peut engendrer la génération d’une tension parasite
dans le circuit victime. Dans ce cas, il s’agit de couplage inductif et il existe une mutuelle
inductance entre le système perturbateur et le système victime. Le couplage capacitif entre deux
structures est lié au fait qu’il existe toujours une capacité entre des éléments conducteurs.

Céline Dupoux – Université de Toulouse


18 CHAPITRE 2. ÉTAT DE L’ART : CEM DES CIRCUITS INTÉGRÉS

Couplage conduit

Dans le couplage conduit la perturbation est acheminée à travers les câbles du système, les
pistes de la carte électronique ou les rails d’une puce électronique. Au niveau du circuit intégré,
il peut y avoir propagation du bruit :
– par les réseaux d’alimentation à cause des fluctuations des alimentations aux commutations
des blocs numériques
– au niveau des interconnexions des puces électroniques
– à travers le substrat
– à travers les éléments du boı̂tier

2.1.4 Émission parasite des circuits intégrés

Les émissions parasites désignent les signaux volontaires ou non dont la propagation pourrait
nuire au bon fonctionnement d’un système ou à la santé des êtres vivants situés au voisinage.
Les émissions électromagnétiques des systèmes trouvent leur origine dans l’activité des circuits
intégrés. Par exemple les circuits comportant des cœurs numériques génèrent une émission pa-
rasite causée par les appels de courants sur les alimentations lors de la commutation des dif-
férentes portes logiques du circuit. La variation d’amplitude rapide du courant traversant les
rails d’alimentation provoque d’importantes fluctuations de la tension d’alimentation à cause
des inductances parasites des éléments du boı̂tier et de la carte électronique (pistes du circuit
intégré, fils de bonding, lead du boı̂tier, piste de la carte électronique) figure 2.3. Ces fluctuations

Figure 2.3 – Description des éléments parasites des circuits intégrés

au niveau des alimentations sont à l’origine de plusieurs phénomènes parasites :


– l’émission conduite. Les pics de courant consommés, dont une partie peut être atténuée
par des capacités de découplage, se propagent à l’extérieur du circuit et vers d’éventuels
équipements connectés aux mêmes alimentations.
– l’émission rayonnée. Les fluctuations de courant sur les alimentations provoquent l’ap-
parition de champs magnétiques au-dessus de la puce. Ces champs peuvent générer des
perturbations sur les circuits voisins.
Une autre source de bruit dans les circuits intégrés est l’arbre d’horloge, qui permet de syn-
chroniser le fonctionnement des différents blocs du circuit, nous observons d’importants pics
d’émission à la fréquence d’horloge et ses harmoniques. Les perturbations électromagnétiques

Céline Dupoux – Université de Toulouse


2.1. LA CEM DES CIRCUITS INTÉGRÉS 19

générées au niveau des blocs bruyants risquent alors de se propager jusqu’aux blocs les plus
critiques et perturber leurs fonctionnements. Il existe différents mécanismes de propagation du
bruit : propagation conduite (par exemple, à travers les réseaux d’alimentation, par le substrat)
et propagation par rayonnement électromagnétique (par exemple, couplage parasite entre deux
pistes métalliques).

Les techniques de mesures de l’émission

Il est important de connaı̂tre l’émission rayonnée et conduite d’un circuit en vue de connaı̂tre
les performances CEM au niveau sous-système. Pour ce faire les mesures normalisées sont un bon
moyen de caractériser, de façon reproductible et avec une configuration donnée, les émissions
parasites des circuits intégrés. Le tableau 2.1 liste les différentes normes de mesures de l’émission
rayonnée et conduite des circuits intégrés [27]. Dans le cadre de mes travaux, j’ai principalement
utilisé les mesures de cartographies champ proche, qui sont détaillées dans le chapitre 3.

Méthode Mode Fréquences Référence


1 Ω/150 Ω Conduit 1 MHz - 1 GHz IEC 61967-4
Cage de Faraday (WBFC) Conduit 150 kHz - 1 GHz IEC 61967-5
Sonde magnétique Conduit 150 kHz - 1 GHz IEC 61967-6
Chambre à brassage de modes Rayonné > 100 MHz IEC 61967-7 (NP)
Cellule TEM Rayonné 1 MHz - 1 GHz IEC 61967-2
Cellule GTEM Rayonné 1 MHz - 18 GHz -
IC-Stripline Rayonné 150 kHz - 3 GHz IEC 61967-8 (NP)
Cartographie champ proche Rayonné 1 MHz - 3 GHz IEC 61967-3

Tableau 2.1 – Méthodes normalisées de mesure de l’émission

Modèle d’émission pour les circuits intégrés (ICEM)

Le modèle ICEM [28](Integrated Circuit Emission Model ) permet de modéliser, à partir de


mesures ou de simulations, les émissions conduites et rayonnées d’un circuit intégré dans son
environnement d’application. Le formalisme du modèle ICEM (2.4) est basé sur l’architecture
interne d’un circuit intégré. Le bruit est généré par l’activité interne du circuit. Il se propage
le long des rails d’alimentation et d’autres éléments du boı̂tier, pour atteindre enfin la carte.
Ce bruit peut également perturber d’autres blocs de la puce par couplage substrat. Ce modèle
permet aux fabricants de semi-conducteurs de fournir un modèle non-confidentiel aux équipe-
mentiers qui intègrent ce circuit dans leur système afin de réaliser des simulations CEM au
niveau système [29]. La figure 2.4 présente la structure générique d’un modèle ICEM. Le bloc
Inter Block Coupling Path permet d’inclure dans le modèle les couplages entre les blocs du cir-
cuit comme par exemple le couplage substrat. Le modèle présenté dans l’article [30] de Jean-Luc
Levant expose un modèle d’émission d’un cœur numérique et d’une PLL (Phase Locked Loop,
Boucle à Verrouillage de Phase) intégrés sur une même puce avec un couplage substrat entre ces
deux fonctions.

Céline Dupoux – Université de Toulouse


20 CHAPITRE 2. ÉTAT DE L’ART : CEM DES CIRCUITS INTÉGRÉS

Figure 2.4 – Description d’un modèle ICEM

La figure 2.5 présente un modèle ICEM d’un cœur logique, à base d’éléments simples, repré-
sentant un circuit intégré. Dans ce modèle, on retrouve la source reproduisant l’activité interne
du circuit, appelée Ib, le modèle des rails d’alimentation sous forme d’inductances (LV dd ) ainsi
que le modèle des broches du boı̂tier[31] sous forme d’inductances (LpckV ss ). On peut égale-
ment intégrer un couplage magnétique entre les broches du boı̂tier en ajoutant une mutuelle
inductance (M ).

Figure 2.5 – Modèle ICEM d’un cœur logique [32]

2.1.5 Susceptibilité des circuits intégrés

La susceptibilité des composants est l’aptitude d’un circuit à fonctionner correctement dans
un environnement électromagnétique sévère. Le niveau de susceptibilité est le niveau de la per-
turbation induisant une défaillance du système. La susceptibilité des circuits analogiques est
plus élevée que celle des circuits numériques. En effet, l’injection d’une perturbation de quelques
millivolts pourra engendrer une perturbation sur le fonctionnement du circuit analogique comme
l’a démontré Sébastien Bazzoli dans ses travaux de thèse [33]. Par exemple, les blocs analogiques
tels que les PLL sont susceptibles aux perturbations électromagnétiques, le signal perturbateur
peut induire un décrochage de la PLL. Les travaux réalisés par Tristan Dubois durant sa thèse

Céline Dupoux – Université de Toulouse


2.1. LA CEM DES CIRCUITS INTÉGRÉS 21

[34] portent sur l’évaluation des niveaux de susceptibilité de chaque bloc d’une PLL ainsi que
les phénomènes parasites provoqués par la perturbation. Par exemple pour le VCO (Voltage
Controlled Oscillator, oscillateur commandé en tension), des phénomènes d’intermodulation et
de synchronisation de la fréquence d’oscillation du VCO avec la fréquence du signal d’agression
sont observés.

Les techniques de mesures de susceptibilité

Les méthodes de mesures normalisées sont essentielles pour la caractérisation de l’immunité


des composants. D’un côté, les fabricants de circuits ont besoin de méthodes reproductibles
pour évaluer, valider et qualifier leurs circuits. D’un autre coté, les utilisateurs doivent connaitre
les performances face à une agression de ces circuits afin de les intégrer au mieux dans leur
équipement ou de faire un choix entre fournisseurs sur la base de performances CEM. Le tableau
2.2 liste les méthodes de mesure d’immunité.

Méthode Mode Fréquences Référence


DPI (Direct Power Injection) Conduit 150 kHz - 1 GHz IEC 62132-4
BCI (Bulck Courant Injection) Conduit 150 kHz - 400 MHz IEC 62132-3
Cage de Faraday (WBFC) Conduit 1 MHz - 1 GHz IEC 62132-5
Cellule TEM Rayonné 1 MHz - 1 GHz IEC 62132-2
Cellule GTEM Rayonné 1 MHz - 18 GHz -
LIHA Rayonné 1 MHz - 10 GHz IEC 62132-6 (NP)
IC-Stripline Rayonné 150 kHz - 3 GHz IEC 62132-8 (NP)
Cartographie champ proche Rayonné 1 MHz - 3 GHz IEC 62132-9 (NP)
Chambre à brassage de modes Rayonné > 1 MHz IEC 62132-7 (NP)

Tableau 2.2 – Méthodes normalisées de mesure de l’immunité

Modèle d’immunité pour les circuits intégrés (ICIM)

Le modèle ICIM (Integrated Circuit Immunity Model ) est une proposition de modèle per-
mettant de simuler l’immunité d’un circuit intégré [9]. La figure 2.4 illustre les blocs principaux
constituant le modèle. Comme pour le modèle ICEM, le chemin d’injection de la perturbation
et les réseaux passifs sont modélisés dans le bloc PDN (Passive Distribution Network ). Ensuite
le bloc IB (Internal Behaviour ) décrit le comportement fonctionnel du circuit lorsque ce dernier
est soumis à une perturbation EM. La modélisation du bloc IB peut nécessiter l’utilisation de
composants actifs afin de reproduire les effets non-linéaires. Pour un modèle d’immunité, il est
nécessaire de rajouter un bloc en amont du PDN qui décrit le chemin d’injection de la perturba-
tion, nommé Injection Path. Toutefois ce bloc n’est pas lié au composant et ne peut être intégré
directement dans ICIM.

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22 CHAPITRE 2. ÉTAT DE L’ART : CEM DES CIRCUITS INTÉGRÉS

Figure 2.6 – Description du modèle ICIM

2.2 Interférences dans les systèmes intégrés RF

Cette partie traite des problèmes CEM qui peuvent être rencontrés dans les systèmes intégrés
RF [35]. Ces circuits sont destinés au marché grand public et sont soumis à des exigences de
performances et d’intégration de plus en plus forte. La tendance est de regrouper un nombre de
fonctions croissant dans un boı̂tier de plus en plus petit. Les téléphones portables illustrent bien
cet exemple, intégrant au fil des générations de nombreuses fonctionnalités nouvelles comme le
GPS, le Wi-Fi, le bluetooth, la télévision. Tout cela a pu être intégré dans un téléphone qui tient
dans une main, permettant des communications de plusieurs heures. Les circuits constituant
les téléphones sont difficiles à réaliser car un des principaux objectifs est de consommer peu de
courant afin que les terminaux soient transportables et les plus autonomes possibles. De plus
les performances en tolérance aux bruits sont importantes car le système doit faire cohabiter un
grand nombre d’utilisateurs pour des canaux d’émission/réception étroits.
Les problèmes rencontrés lors de la conception de plateformes de communication sans fil
peuvent être dus à des interférences électromagnétiques [36]. En effet ces plateformes doivent
être capables de recevoir des signaux de faible puissance mais aussi émettre des signaux de
plus forte puissance. Le livre de Kevin Sattery[37] est une bonne introduction aux problèmes
rencontrés dans les plateformes RF. En effet il explique comment le bruit généré par la plateforme
peut dégrader les performances de la plateforme de 75%. Les parties qui génèrent le plus de bruit
sont les parties numériques telles que les horloges, les écrans LCD, les E/S rapides, les réseaux
d’alimentation. Et la partie la plus susceptible est la partie radio, dont le niveau de sensibilité
se situe généralement autour des -90 dBm. Le bruit créé par la plateforme peut se trouver 20
dB au-dessus de ce seuil, ce qui peut dégrader directement le RSB (Rapport Signal sur Bruit)
du récepteur radio. Le problème de l’étude des RFI dans les plateformes est la considération
uniquement du bruit Gaussien dans leur conception. Or le bruit des plateformes est aussi un
bruit non-Gaussien. Il identifie plusieurs catégories de bruit : le bruit bande étroite, le bruit
large bande et le bruit quasi-bande. Ce livre dresse un état de l’art des problèmes rencontrés
ainsi qu’une présentation des moyens dont nous disposons, aussi bien au niveau analytique
qu’au niveau des mesures, pour mieux étudier les RFI dans les plateformes RF. Ce domaine

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2.2. INTERFÉRENCES DANS LES SYSTÈMES INTÉGRÉS RF 23

d’investigation intéresse de plus en plus les fabricants de plateformes RF. L’article de Timo
Tarvainent de Nokia [38] présente une étude permettant de réduire le couplage parasite entre
des interconnexions rapides et les composants de la partie RF.

2.2.1 Les boı̂tiers

La mise en boı̂tier des circuits devient de plus en plus complexe. La diminution de la taille
des boı̂tier devient une contrainte toujours plus poussée en vue d’une intégration toujours plus
poussée, comme dans les téléphones portables. Pour répondre à ces nouveaux besoins, la tendance
est de regrouper les puces électroniques dans un même boı̂tier afin de miniaturiser les composants
et de gagner de la place sur le circuit imprimé [39]. Les technologies SiP (System-in-Package) [40]
et SoP (System on Package) [41] [42] ont pour objectif d’intégrer plusieurs puces électroniques,
des composants passifs, des connecteurs et des antennes à l’intérieur d’un seul et même boı̂tier
pour créer des sous-systèmes radio-fréquences fonctionnels. La figure 2.7 présente deux exemples
d’application intégrant plusieurs puces dans le même boı̂tier.

Figure 2.7 – Exemple de boı̂tiers multi-puces

Le rapprochement des circuits au sein d’un même boı̂tier peut induire des interférences [43],
qu’il faudrait pouvoir prédire par simulation afin d’anticiper les problèmes CEM [44][45]. Les
études CEM sur ce type de boı̂tier sont difficiles à réaliser de par la complexité des circuits et
la taille de ces circuits. L’annonce faite par Freescale du lancement de sa nouvelle technologie
RCP [46](Redistributed Chip Packaging) est un parfait exemple d’intégration poussée [47]. Ce
nouveau type de boı̂tier permet de réaliser un composant qui contient toute l’électronique d’un
téléphone 2G dans un boı̂tier carré de 25 mm de côté (figure 2.8), remplaçant l’approche flip-
chip conventionnelle. Cela permet d’améliorer les performances du SiP. On s’aperçoit alors que le
système de la figure 2.8 est à peine plus grand qu’une pièce de 2 euro, entraı̂nant des contraintes
CEM encore plus fortes. En effet, la distance moyenne entre les circuits intégrés est de seulement

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24 CHAPITRE 2. ÉTAT DE L’ART : CEM DES CIRCUITS INTÉGRÉS

quelques millimètres.

Figure 2.8 – Vue en coupe d’un composant RCP [48] (gauche) et moldule 2G en RCP (droite)

2.2.2 Les circuits mixtes

Le nombre de fonctions intégrées sur un même morceau de silicium ne cesse d’augmenter,


au point d’implémenter de véritables systèmes sur puce. Les circuits intégrés dédiés aux com-
munications sans fil doivent être en mesure de présenter un nombre sans cesse croissant de
fonctionnalités, du domaine logique combiné avec de l’analogique de très hautes performances,
ce qui implique des niveaux d’intégration de plus en plus sévères. Le problème du couplage entre
les blocs numériques et analogiques qui partagent le même substrat [49] et le même boı̂tier est
susceptible de causer de nombreux problèmes de compatibilité électromagnétique.
D’une part, l’intégration croissante de composants numériques implique des niveaux d’émis-
sion parasite large bande de plus en plus élevés, liés aux commutations synchrones des blocs
numériques complexes de type micro-contrôleur, DSP (Digital Signal Processor ) et mémoires.
D’autre part, les dispositifs analogiques sont de plus en plus sensibles de par la diminution de
la taille des transistors et des tensions d’alimentation très réduites qui diminuent les marges
CEM. Malgré toutes les précautions prises, il est très fréquent d’observer des phénomènes de
perturbation électromagnétique sur les circuits sortant de fabrication, impliquant des dysfonc-
tionnements ou des dégradations de performances du système. Plusieurs versions d’un même
circuit sont généralement nécessaires pour résoudre ce genre d’interférence. Le temps perdu à
corriger les dysfonctionnements constitue un retard de mise sur le marché du produit, ainsi que
l’argent dépensé en manipulations et investigations afin de comprendre et de corriger le pro-
blème. Il serait préférable de réaliser des études amont lors de la conception de circuits mixtes
afin de réduire et d’anticiper les problèmes d’interférences électromagnétiques au sein d’un cir-
cuit. L’article [30] présente le couplage parasite entre le bloc numérique et la PLL d’un circuit
mixte. Cette étude reproduit le « jitter » en sortie de la PLL dû à un couplage de type substrat.

2.2.3 Couplages champ proche

Le couplage puce-puce est le couplage entre deux puces d’un même circuit ou entre deux
circuits intégrés au sein d’une carte électronique. Ce couplage est dû au rapprochement des

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2.3. CONCLUSION 25

circuits dans les systèmes. Les travaux réalisés par Alexandre Boyer [6] et Samuel Akue Boulingui
[8] dans le cadre de leurs thèses présentent une étude de couplage entre composants. Ils présentent
les conséquences du rapprochement entre un circuit de puissance et un micro-contrôleur. L’article
[50] présente une méthode pour optimiser le placement routage des composants afin de minimiser
les couplages parasites qui pourraient dégrader les performances du système, ici un téléphone
portable. Nous voyons bien à quel point il est important de développer des méthodes de mesures
ou de simulations qui permettent de réduire et de prédire les couplages entres composants d’un
même système.

2.3 Conclusion
Ce chapitre a permis de présenter la CEM des circuits intégrés. La garantie de la bonne
coexistence entre les systèmes électroniques embarqués dans toutes sortes d’applications est
essentielle. Une rapide présentation des standards de mesures qui ont été mis en œuvre dans le
but de mieux caractériser le comportement des circuits intégrés que ce soit en émission ou en
immunité. La deuxième partie de ce chapitre a été consacrée à la présentation des problèmes
CEM rencontrés dans les systèmes communicants, de part l’intégration de plus en plus poussée
des circuits au sein du systèmes.

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26 CHAPITRE 2. ÉTAT DE L’ART : CEM DES CIRCUITS INTÉGRÉS

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Chapitre 3
La méthode champ proche

27
28 CHAPITRE 3. LA MÉTHODE CHAMP PROCHE

Ce chapitre est consacré à la présentation de la méthode champ proche. Tout d’abord une
présentation du champ proche est faite. Puis une présentation des mesures faites en champ
proche est réalisée aussi bien pour l’émission que pour l’immunité. Ensuite une étude des sondes
magnétiques est réalisée pour déterminer le facteur de performance et leur résolution spatiale.
Puis une méthode de modélisation du champ proche va être décrite.

3.1 Le champ proche


Le champ électromagnétique mesuré en un point donné dépend de deux facteurs : la source
de ce champ et le milieu dans lequel il est observé. Ces deux facteurs prennent un rôle plus
ou moins important en fonction de la distance qui sépare le point d’observation et la source de
l’onde. En effet, lorsqu’un élément rayonne, il émet des ondes progressives qui correspondent au
rayonnement en champ lointain mais il émet également des ondes évanescentes présentes dans la
zone de champ proche. Ainsi, deux espaces peuvent être mis en évidence, la zone dite de champ
λ
proche, qui se situe à proximité de la source jusqu’à une distance de 2.π où λ est la longueur
d’onde du champ, et la zone dite de champ lointain située au-delà de cette limite [51] .

Figure 3.1 – Définition zones champ proche et champ lointain

En champ lointain les champs électriques et magnétiques sont orthogonaux et en phase, la


1
puissance contenue est véhiculée dans l’espace libre. L’amplitude des champs décroit en r et
l’impédance d’onde est constante et égale à 120π soit environ 377 Ω [7].
λ
Fréquences λ dans le vide limite 2.π
100 kHz 3 km 480 m
1 MHz 300 m 48 m
10 MHz 30 m 4,8 m
100 MHz 3m 48 cm
1 GHz 30 cm 48 mm
10 GHz 3 cm 4,8 mm

Tableau 3.1 – Frontière entre champ proche et champ lointain en fonction de la fréquence

Le tableau 3.1 donne la valeur de la limite champ proche champ lointain pour quelques

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3.2. LES MESURES CHAMP PROCHE 29

fréquences.

3.2 Les mesures champ proche

Les mesures champ proche sur des cartes électroniques ou des circuits intégrés constituent un
bon outil de diagnostic CEM aussi bien pour étudier l’émission que pour l’étude de l’immunité
[52]. En émission ces mesures permettent de localiser les points chauds ou froids d’une carte
ou d’un circuit, informations importantes lors de la conception d’un circuit [53]. De même en
immunité, l’injection localisée permet de détecter les zones sensibles d’un circuit ou d’une carte
[54].

3.2.1 Le banc de mesure champ proche

Afin de réaliser les mesures champ proche, j’ai eu accès au banc de mesure champ proche du
laboratoire CEM de Freescale. Ce banc de mesure champ proche permet de réaliser des mesures
directes sur les circuits intégrés et les cartes électroniques, à l’aide de sondes électriques et
magnétiques sélectives afin de capturer les différentes composantes du champ électromagnétique
au dessus du dispositif sous test [55]. Le déplacement de la sonde au-dessus du circuit sous test
est assuré par un robot comportant trois axes de translation x, y et z. La figure 3.2 est une
représentation du dispositif de déplacement de la sonde. Les bras mécaniques se déplacent grâce
à des moteurs pas à pas dont la résolution mécanique est de 0.1 µm, le pas usuel varie entre
100 µ et 1 mm. L’excursion est de 20 cm pour les axes x et y ce qui équivaut à la possibilité de
cartographier une surface de 400 cm2 . L’excursion de l’axe z est de 30 cm. Le contrôle des moteurs

Figure 3.2 – Description du bras équipant le banc de mesure champ proche

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30 CHAPITRE 3. LA MÉTHODE CHAMP PROCHE

Figure 3.3 – Description du banc de mesure champ proche

et la récupération des données géométriques sont réalisés à l’aide d’une unité de commande reliée
à un ordinateur grâce à une liaison GPIB. La figure 3.3 présente le banc de mesure champ proche,
montrant les supports mécaniques permettant de fixer la carte électronique sous test. Ces pieds
se vissent sur le support du banc de mesure ce qui nous offre la possibilité de mesurer des cartes
électroniques de tailles et d’architectures variées. Les déplacements de la sonde, le dialogue
avec les instruments de mesures ainsi que l’exportation des résultats sont réalisés à l’aide d’une
interface dédiée développée en langage Labview. Le logiciel permet le contrôle des translations
des axes ainsi que la mesure automatique de cartographie de l’émission champ proche que je
détaillerai plus tard. La figure 3.4 présente l’interface de contrôle du banc de mesure champ
proche. Cette interface nous permet également de visualiser, importer et exporter des fichiers de
mesure champ proche au format standard de fichiers XML [56].
Ce format permet l’échange des fichiers de mesures champ proche et contient des informations
détaillées sur le protocole de mesure et les données des mesures.

3.2.2 Les sondes champ proche

Afin de caractériser avec précision le rayonnement ou l’immunité d’un circuit intégré ou


d’une carte, il est nécessaire de connaı̂tre les différentes composantes du champ électromagné-

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3.2. LES MESURES CHAMP PROCHE 31

Figure 3.4 – Interface de contrôle du banc de mesure

tique. Les sondes champ proche doivent être capables de réaliser l’acquisition ou l’émission de
signaux sur une large bande de fréquences avec un comportement le plus linéaire possible. Pour
cela, il suffit de réaliser des sondes suffisamment petites pour que leurs fréquences de résonance
soient supérieures à la fréquence maximale d’utilisation. Deux types de sondes champ proche
sont principalement utilisées : les sondes qui privilégient la capture et l’émission d’un champ
magnétique et les sondes qui capturent et émettent préférentiellement un champ électrique [57].

3.2.2.1 Les sondes classiques de champ magnétique

Les fluctuations de courant génèrent l’émission d’un champ magnétique. Les sondes magné-
tiques se présentent généralement sous forme de boucle, en effet lorsqu’un champ magnétique
traverse la boucle, une force électromotrice (fém) induite apparaı̂t à ses bornes (équation 3.1) et
réciproquement pour l’émission.

∂φB
e=− (3.1)
∂t
Pour une longueur de boucle très petite devant la longueur d’onde, la tension induite en sortie
de la boucle est directement proportionnelle à la composante du champ magnétique normal à la
boucle de surface S et s’écrit :
�� →
− ��
∂B → →
− →
V =− .−
n .∂S = −j.ω.µ0 . B .−
n .∂S (3.2)
S ∂t S

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32 CHAPITRE 3. LA MÉTHODE CHAMP PROCHE

Figure 3.5 – Sondes typiques de mesures du champ magnétique proche

Ainsi plus la boucle est petite plus l’effet d’intégration diminue, ce qui augmente la résolution
spatiale de la sonde. En contrepartie l’amplitude du signal généré dans la sonde diminue car elle
est directement proportionnelle à la surface de la sonde, ce qui a pour conséquence de diminuer
la sensibilité de la sonde.

3.2.2.2 Les sondes classiques de champ électrique

Les sondes de champ électrique sont sensibles aux variations de tension. Lorsqu’elles sont
soumises à un champ électrique, une différence de potentiel apparait à leurs bornes. La figure
3.6 présente des sondes typiques de champ électrique. Aussi le courant induit dans la sonde est

Figure 3.6 – Sondes typiques de mesures du champ électrique proche

lié au champ électrique existant entre la sonde et le DST (Dispositif Sous Test) par la relation
suivante :
∂u
i = C. (3.3)
∂t
où i est le courant traversant la sonde, u la tension récoltée par celle-ci et C la valeur de la capacité
équivalente entre la sonde et le dispositif sous test. La tension u est quant à elle directement liée

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3.2. LES MESURES CHAMP PROCHE 33

au champ électrique E par la relation suivante où K est un coefficient :

u(t) = K.E(t) (3.4)

Comme pour les sondes magnétiques, la taille de la sonde joue un rôle important dans le rap-
port sensibilité résolution spatiale. En effet en diminuant la taille du brin, nous améliorons la
résolution spatiale et nous dégradons la sensibilité. Toutefois les travaux de Cécile Labussière
[7] ont montré que les sondes de champ électrique sont intrusives, elles modifient les lignes du
champ électrique par un couplage parasite entre les éléments métalliques de la structure rayon-
nante et les conducteurs en circuit ouvert des sondes de champ électrique. Ceci rend difficile
l’interprétation des cartographies de champ électrique.

3.2.2.3 La sonde « Cubeprobe » : sonde de mesure du champ magnétique total

La « Cubeprobe » est une boucle 3D permettant de capturer simultanément les trois com-
posantes du champ magnétique. La « Cubeprobe » capture la somme des contributions des
composantes Hx , Hy et Hz . Le signal mesuré à l’analyseur de spectre est proportionnel au
champ magnétique total.

Figure 3.7 – Présentation de la « Cubeprobe » [7]

3.2.3 Mesures d’émission champ proche

La mesure de cartographie champ proche [58] est réalisée en déplaçant une sonde champ
proche au-dessus du dispositif sous test comme l’explique Kevin Slattery [59]. Cette sonde est
une antenne miniature qui en présence d’un champ électromagnétique génère une tension pro-
portionnelle à celui-ci. Le signal capturé peut-être mesuré soit dans le domaine fréquentiel avec
par exemple un analyseur de spectre soit dans le domaine temporel avec un oscilloscope. Le
banc de mesure de Freescale, dont la figure 3.8 illustre le protocole de mesure, permet de réa-
liser uniquement des mesures de cartographie fréquentielle. Nous avons placé un amplificateur

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34 CHAPITRE 3. LA MÉTHODE CHAMP PROCHE

faible bruit (LNA) de 30 dB de gain entre la sonde et l’analyseur de spectre afin d’améliorer la
dynamique de nos mesures.
La mesure de l’émission champ proche se fait de manière automatique à l’aide d’une interface
de contrôle. Le principe de la mesure d’émission champ proche est décrit sur la figure 3.9. Cette
méthode de mesure offre la possibilité de pouvoir mesurer l’émission champ proche sur des
supports pas toujours parfaits avec le calcul de l’inclinaison de la carte ainsi que la possibilité
de définir plusieurs zones à cartographier.
L’étape importante de cette mesure est la définition du point de référence (point (0,0,0)),
cette étape définit la référence de toutes les mesures. Le point de référence est précisé de façon
manuelle en plaçant la sonde sur le point de référence de la carte défini par l’utilisateur. L’altitude
zéro (0) correspond au contact de la sonde avec la carte au point de référence. Ce contact est
défini visuellement ce qui induit une erreur non négligeable dans le cas de mesure de circuit de
petite taille, l’erreur de positionnement est l’erreur de l’œil humain. Ensuite pour définir le plan
d’inclinaison de la carte, nous plaçons la sonde au contact de la carte (comme pour la définition
du point (0,0,0)) en trois points suffisamment éloignés. Ceci nous permet de calculer l’inclinaison
de la carte et de maintenir la sonde à une altitude constante au-dessus de la carte.
L’altitude réelle de la sonde est simple à calculer pour la sonde Hz en revanche pour les
sondes Hx et Hy le calcul est bien plus complexe car l’altitude se situe entre le centre de la
boucle et l’extrémité intérieure de la boucle (voir figure 3.10).
L’extrémité de la sonde est connectée à des amplificateurs faible bruit (allant de 9 kHz à
26 GHz) puis à un analyseur de spectre permettant des mesures jusqu’à 26 GHz. Les données
mesurées à partir de l’analyseur de spectre sont ensuite envoyées à un ordinateur via une liaison
GPIB. Le banc est calibré jusqu’à la fréquence de 4 GHz c’est-à-dire que nous tenons compte

Figure 3.8 – Protocole de mesure d’émission champ proche

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3.2. LES MESURES CHAMP PROCHE 35

Figure 3.9 – Principe d’une mesure de cartographie d’émission champ proche

Figure 3.10 – Définition de l’altitude des sondes lors des mesures de cartographie champ proche

des pertes dans les câbles, du facteur de performance de la sonde et du gain des amplificateurs
qui varient en fonction de la fréquence de mesure.
Afin d’illustrer la mesure d’émission champ proche, je vais présenter des mesures réalisées

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36 CHAPITRE 3. LA MÉTHODE CHAMP PROCHE

sur un circuit permettant le contrôle de la pression des pneus (TPMS Tire Pessure Monitoring
Sensor ). Ce circuit mesure la pression à l’intérieur de chaque pneu d’un véhicule à l’aide d’un
capteur, puis communique l’information par liaison RF à l’unité de contrôle de la voiture. Les
fréquences de communication de ce circuit sont 315 MHz ou 434 MHz en émission et 125 kHz
en réception. La mesure est réalisée sur une carte d’application et le produit est configuré en
mode émission continue à la fréquence de 434 MHz et à une puissance de 1,5 dB. L’altitude de la
sonde Hz est fixée à 2 mm et la zone à cartographier est une partie de la puce silicium intégrée
dans ce module (figure 3.11).

La figure 3.12 présente les cartographies champ proche du module à la fréquence de 26


MHz qui est l’horloge de référence du module. Dans les circuits RF la fréquence de référence
est souvent responsable de dégradations des performances RF du circuit par couplage parasite.
Les cartographies montrent principalement le rayonnement des fils de bonding ; en effet leurs
longueurs sont non négligeables et permettent donc un couplage privilégié avec la sonde. Grâce à
ces cartographies nous pouvons faire de l’investigation et du diagnostic sur des circuits intégrés ou
des cartes sur lesquels les tests CEM classiques ont soulevé des interrogations. Ces cartographies
révèlent les broches les plus bruyantes et permettent d’identifier les chemins de propagation
principaux ou la mise en valeur de fuites telles que le couplage substrat.

Durant les travaux de thèse de Ali Alaeldine [60], des cartographies d’émission champ proche
ont été réalisées pendant une injection DPI (Direct Power Injection), ce qui a permis d’identifier
les chemins de propagation dans le circuit sous test lors d’un test DPI.

Nous pouvons également faire des cartographies en mode temporel, nous faisons l’acquisition
du signal à l’aide d’un oscilloscope pour chaque point de la cartographie.

Figure 3.11 – Présentation du module sous test

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3.2. LES MESURES CHAMP PROCHE 37

Figure 3.12 – Exemple d’une cartographie champ proche à la fréquence de 26 MHz

3.2.4 Mesure d’immunité champ proche

Nous pouvons également réaliser des mesures d’immunité champ proche avec le banc de
mesure comme Didier Castagnet durant ses travaux de thèse [61]. Le principe cette fois consiste
à injecter un signal sur la sonde et à la déplacer au-dessus du dispositif sous test en contrôlant
le bon fonctionnement de celui-ci. La figure 3.13 présente le montage d’une mesure d’immunité
champ proche, dans cet exemple le critère de susceptibilité est observé à l’aide d’un oscilloscope.
L’un des problèmes de ce type de mesures est la définition du critère de susceptibilité qui
diffère en fonction du circuit ou du système étudié. Dans le cas de l’étude d’immunité des produits
RF, le critère de susceptibilité peut porter sur le spectre de sortie en définissant un gabarit. Alors
que pour l’étude d’un micro-contrôleur le critère portera plutôt sur un signal de sortie avec la

Figure 3.13 – Montage d’une mesure d’immunité champ proche

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38 CHAPITRE 3. LA MÉTHODE CHAMP PROCHE

définition d’un masque. La figure 3.14 donne quelques exemples de critère de susceptibilité.

Figure 3.14 – Exemples de critères de susceptibilité

Le principe d’une mesure d’immunité champ proche est décrit dans la figure 3.15. Comme
pour l’émission la sonde d’injection peut être de type magnétique ou électrique. Les premières
étapes sont les mêmes que pour la mesure d’émission champ proche en revanche la suite de
la mesure est plus complexe car elle nécessite la définition d’un critère de susceptibilité. Pour
l’instant cette mesure est réalisée manuellement, l’interface de contrôle ne permet pas encore de
pouvoir faire ce type de mesure de façon automatique.
Je présente une mesure d’immunité champ proche, réalisée durant les travaux de thèse
d’Alexandre Boyer [62], d’un micro contrôleur HCS12X. La méthode d’immunité champ proche
permet de réaliser des injections localisées sur un seul bloc du circuit intégré lorsque la résolution
spatiale des sondes le permet. Dans cet exemple, le bloc PLL interne au circuit est choisi comme
victime. Le critère de susceptibilité est une variation de plus de 10% de la période du signal d’hor-
loge et un déclenchement des interruptions liées à la génération du circuit d’horloge. La figure
3.16 illustre un exemple de résultat. Sur la figure 3.16 (gauche) est présentée la courbe du seuil
de susceptibilité du micro contrôleur. Pour cette mesure, la sonde est positionnée en un point
fixe au dessus du circuit d’horloge du micro contrôleur. La fréquence du signal du synthétiseur
de signal varie de 100 MHz à 2 GHz. Pour chaque point de fréquence, un balayage en puissance
est réalisé de Pmin à Pmax = 50 dBm. Si une défaillance est observée avant Pmax , la puissance
est enregistrée comme seuil de susceptibilité. Cette mesure permet de tracer la puissance inci-
dente, nécessaire pour induire une défaillance, aux bornes de la sonde d’injection en fonction de
la fréquence. La courbe résultante correspond au seuil de susceptibilité champ proche d’un bloc
du micro contrôleur en fonction de la fréquence. Sur la figure 3.16 (droite) la cartographie de la
susceptibilité en champ proche du micro contrôleur est présentée. Pour effectuer cette mesure,
la fréquence du synthétiseur de signal est maintenant fixée à 490 MHz. La sonde d’injection est
déplacée dans la zone à cartographier (au dessus du composant) pour relever plusieurs points de
mesure. Pour chaque position de la sonde, nous réalisons un balayage en puissance dans le but
de relever la puissance minimale nécessaire à la dégradation des performances du circuit. Ces
données permettent de représenter sous forme de cartographie, le seuil de susceptibilité champ

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3.2. LES MESURES CHAMP PROCHE 39

Figure 3.15 – Principe d’une mesure de cartographie d’immunité champ proche

Figure 3.16 – Exemple d’une cartographie de la susceptibilité champ proche du circuit d’horloge
d’un micro contrôleur [6]

proche de l’ensemble du micro contrôleur à la fréquence de 490 MHz ainsi que de localiser la
zone sensible du circuit intégré.

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40 CHAPITRE 3. LA MÉTHODE CHAMP PROCHE

3.3 Étude des sondes magnétiques champ proche

Dans cette section je m’intéresse particulièrement aux sondes magnétiques car elles sont peu
intrusives et elles sont faciles à fabriquer. Les sondes magnétiques utilisées sont fabriquées à
partir de câble coaxial semi-rigide de différentes épaisseurs. La conception de ces sondes consiste
à relier le brin conducteur du câble au blindage extérieur en formant une boucle la plus petite
artisanalement possible.

3.3.1 Calibrage des sondes

Le coefficient PF, appelé facteur de performance caractérise l’aptitude de la sonde à capturer


une composante du champ électromagnétique [63]. Ce coefficient est indépendant de la structure
rayonnante et de la position de la sonde au-dessus de la source de rayonnement. Calibrer une
sonde consiste à déterminer son facteur de performance en fonction de la fréquence, en s’assurant
au préalable que les trois points suivants sont bien vérifiés :
– le diamètre de la sonde est très petit devant la longueur d’onde du champ (la sonde est
considérée comme récepteur ponctuel),
– la sonde capture une seule composante du champ électromagnétique (uniquement le champ
magnétique),
– la sonde ne perturbe pas le rayonnement de la source produisant le champ à mesurer.
Une fois le facteur de performance caractérisé, nous calculons le rayonnement de notre struc-
ture en dBA/m en utilisant l’équation (3.5) [64].

Pmesurée (x, y, z, f )|dBm = H(x, y, z, f )|dBA/m + P F (f ) (3.5)

La sonde est connectée directement à un appareil de mesure, bien souvent un analyseur


de spectre, les résultats sont donc exprimés en tension (dBµV) ou en puissance (dBm). C’est
pourquoi les sondes sont calibrées afin de pouvoir extraire la valeur du champ magnétique en
dBA/m. Le principe est de mesurer, à l’aide de la sonde à calibrer, le champ magnétique émis
par une structure de référence dont le rayonnement peut être déterminé de manière théorique.
Soit en utilisant une formule analytique, soit à l’aide d’un outil de simulation numérique. Nous
choisissons une ligne microruban d’impédance caractéristique 50 Ω comme structure de référence.
D’un coté de la ligne nous connectons un générateur de signal sinusoı̈dal d’amplitude 10 dBm,
de l’autre nous connectons une charge 50 Ω. Nous faisons varier la fréquence du générateur de
signal de 10 MHz à 5 GHz, pour chaque fréquence nous réalisons une mesure de rayonnement
transverse à la ligne soit avec la sonde Hx soit avec la sonde Hz (voir figure 3.17). L’altitude de
la sonde est fixée à 2 mm pour nos mesures. La sonde est connectée à un amplificateur faible
bruit (gain ≈ 30 dB) puis à un analyseur de spectre. Pour obtenir le rayonnement théorique de la
ligne, nous réalisons un modèle de la ligne sous le logiciel électromagnétique FEKO. Les résultats
obtenus avec ce logiciel sont basés sur la méthode des moments et le type de maillage utilisé est
du 3D surfacique. Nous pouvons extraire facilement les composantes du champ magnétique à

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3.3. ÉTUDE DES SONDES MAGNÉTIQUES CHAMP PROCHE 41

Figure 3.17 – Présentation du protocole de mesure du calibrage des sondes

l’altitude voulue en tout point de l’espace. La difficulté de ces simulations est de définir l’altitude
réelle de la sonde qui est plus grande que l’altitude de mesure. Les simulations sont réalisées
avec les mêmes points de fréquences et la même puissance injectée sur la ligne [7].

Figure 3.18 – Détermination de la valeur du facteur de performance à une fréquence donnée

La valeur du facteur de performance est déduite (figure 3.18) : c’est l’écart moyen entre les
valeurs théoriques du champ Hx (en dBA/m) et les valeurs mesurées (en dBm) à l’analyseur
de spectre. Ce calcul tient compte des pertes induites par les câbles lors de la mesure du champ
magnétique.
Le facteur de performance de la sonde Hxy croit de façon linéaire avec une pente de 20
dB/décade jusqu’à 4 GHz. Nous faisons de même pour calibrer la sonde Hz , le même protocole
de mesure et les mêmes simulations, cette fois l’altitude réelle de la sonde est proche de celle de
la mesure (figure 3.19).
La figure 3.19 présente la courbe représentant le facteur de performance pour la sonde Hz .

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42 CHAPITRE 3. LA MÉTHODE CHAMP PROCHE

Figure 3.19 – Détermination du facteur de performance pour la sonde Hz à une fréquence


donnée

3.3.2 Étude de la résolution des sondes

Afin de vérifier la relation entre la taille de la boucle magnétique et la résolution géométrique


de la sonde, nous avons réalisé une carte avec plusieurs pistes adaptées 50 Ω. Cette carte présente
un réseau de pistes avec un espacement variable entre elles. Le but est de faire une mesure de
champ émis transverse aux pistes et d’essayer de reconnaitre la signature du rayonnement de
deux pistes.

Figure 3.20 – Présentation de la carte avec plusieurs pistes et du protocole de mesure

La figure 3.20 présente la carte avec le réseau de pistes ainsi que le protocole de mesure
utilisé. Nous plaçons la sonde à différentes altitudes et nous relevons l’altitude critique qui ne
nous permet plus de distinguer les deux pistes.
Ensuite, nous réalisons des simulations sous le logiciel Feko, de deux pistes distantes de 1
mm l’une de l’autre, en observant le champ magnétique à différentes altitudes.

Céline Dupoux – Université de Toulouse


3.3. ÉTUDE DES SONDES MAGNÉTIQUES CHAMP PROCHE 43

Ces résultats permettent de connaitre l’altitude critique à laquelle nous ne distinguons plus
la forme typique de deux pistes mais la forme d’une seule piste. Nous allons pouvoir comparer
ces résultats avec nos résultats de mesures. La figure 3.21-a présente les résultats de la simulation

Figure 3.21 – Résultat de simulation du champ magnétiques transverse aux pistes distantes de
1 mm pour différentes altitudes

numérique pour deux pistes distantes de 1 mm. Nous constatons que la hauteur critique est de 1,2
mm c’est-à-dire que si la sonde se trouve à une altitude supérieure à 1,2 mm nous ne sommes pas
capables d’interpréter correctement la mesure de champ proche. La figure 3.21-b est le résultat
des mesures ; nous observons que lorsque la sonde est à la hauteur de 1 mm nous ne distinguons
pas le rayonnement typique de deux pistes mais plutôt celui d’une seule. Pour la mesure à 500
µm nous obtenons bien la signature de l’émission de deux pistes. Lorsque notre sonde est placée à
l’altitude de 500 µm, le centre de la sonde se trouve autour de 1 mm d’altitude, ce qui correspond
à nos résultats de simulation. La dissymétrie que nous remarquons sur la mesure est provoquée
par les pistes voisines non connectées qui modifient les lignes de champ. Donc plus les sondes sont
petites, plus elles nous permettent de nous rapprocher de la structure à mesurer, ce qui nous
apporte des informations plus précises pour la bonne interprétation des cartographies champ
proche. Nos sondes permettent de détecter des pistes éloignées de 1 mm à une altitude de 500
µm. C’est une limitation de notre banc de mesure, nous n’avons pas une résolution nécessaire
pour dissocier des structures internes au composant (rails d’alimentation, bus numérique). Nous
avons donc atteint la résolution maximale avec des sondes fabriquées à partir de câbles coaxiaux.
Pour améliorer la résolution, il faudrait fabriquer les sondes à partir de structures plus fines par
exemple intégrer les sondes sur une puce en silicium. Seulement, si nous diminuons la taille de la
boucle nous réduisons sa sensibilité ce qui dégrade considérablement le rapport signal sur bruit.
Une autre solution pourrait être d’améliorer la résolution des sondes par traitement numérique
des données afin d’extraire le champ émis à un point donné.

3.3.3 Pistes pour l’amélioration de la résolution des sondes

En vue de mesurer le champ électromagnétique émis par des circuits intégrés il devient
important de trouver un moyen d’améliorer la résolution spatiale des sondes en maintenant leur

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44 CHAPITRE 3. LA MÉTHODE CHAMP PROCHE

sensibilité. L’article [65] présente une sonde différentielle développée en technologie SOI-CMOS.
La puce où cette sonde est intégrée contient des amplificateurs, des convertisseurs permettant
de conserver une bonne sensibilité de la sonde.
Il existe également des moyens de traiter les données mesurées par la sonde et d’extraire le
champ rayonné en un point donné en vue de s’affranchir de la présence de la sonde.

3.4 Modélisation du champ proche

3.4.1 État de l’art

Il existe plusieurs moyens de modéliser le rayonnement électromagnétique proche. Les travaux


du laboratoire IRSEEM de Rouen se servent de la méthode des réseaux de neurones pour mo-
déliser le champ proche. L’article [66] présente une méthode de modélisation du champ proche
par extraction de dipôles rayonnants. Cette méthode montre de bonnes corrélations entre les
mesures et les simulations.
L’article [67] présente une méthode d’extraction des sources d’émission champ proche en utili-
sant un simulateur 2,5D pour les simulations champ proche du boı̂tier et de la carte électronique.
Avec cette méthode les simulations et les mesures sont similaires.

3.4.2 Modélisation sous IC-EMC

Le logiciel IC-EMC [68] développé à l’INSA de Toulouse est doté d’un outil permettant de
simuler l’émission rayonnée champ proche des circuits ou des cartes électroniques. Cet outil a
été développé durant les travaux de thèse d’Alexandre Boyer [6] et peut-être considéré comme
un outil de post-traitement puisque les résultats découlent d’une simulation électrique de type
SPICE. L’idée est d’assigner à chaque éléments (pistes, bondings, broches boı̂tier) une induc-
tance rayonnante qui apparaisse dans le modèle électrique équivalent du circuit ou de la carte.
Le principe de la simulation est le suivant : une netlist SPICE est générée à partir de la sché-
matique électrique du modèle puis une simulation transitoire est lancée, ensuite une sauvegarde
des courants circulant à travers les inductances rayonnantes est réalisée enfin l’algorithme d’ex-
traction du champ proche rayonné est lancé. La figure 3.22 présente la méthode de calcul du
champ proche émis par les inductances rayonnantes.
Nous souhaitons modéliser les mesures champ proche, pour cela nous reproduisons le champ
émis à l’aide d’inductances rayonnantes. Ces dipôles rayonnants sont extraits à partir des car-
tographies champ proche. Les cartographies sont analysées dans le but de définir une structure
à base de lignes rayonnantes simples dont le nombre sera réduit au minimum nécessaire à la
reproduction du champ émis par le circuit. Il nous faut donc analyser les trois composantes
(Hx , Hy , Hz ) du champ émis :
– Pour les composantes Hx et Hy les maximums correspondent au positionnement de la piste
principale rayonnante ;

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3.4. MODÉLISATION DU CHAMP PROCHE 45

Figure 3.22 – Principe des simulations électromagnétiques sous IC-EMC

– Pour la composante Hz , à l’inverse ce sont les minimums qui correspondent au position-


nement de la piste, et les maximums de rayonnement sont observés autour de la ligne
rayonnante ;
De plus le logiciel IC-EMC nous permet de reconstruire la géométrie 3D d’un boitier de
circuit intégré en lisant un fichier IBIS contenant des informations supplémentaires sur le posi-
tionnement de la puce à l’intérieur du boitier, la longueur des fils de bonding. Cet outil permet
par exemple d’affecter des inductances d’un circuit électrique à un lead du boitier. Nous pouvons
maintenant relier les inductances présentes dans notre modèle circuit à des fils de bonding du
boitier dans le but de simuler le rayonnement champ proche du circuit. Cette méthode est donc
rapide car elle ne nécessite pas de maillage 3D de plus elle nous donne des résultats satisfaisants
comme nous pouvons le voir sur la figure 3.24 qui montre les comparaisons entre la mesure et
la simulation du rayonnement champ proche d’un amplificateur de puissance 3G. Ces résultats
montrent une bonne corrélation entre les mesures et les simulations, aussi bien pour la répartition
que pour les niveaux de champ émis. Ainsi, nous reproduisons la cartographie du rayonnement
champ proche de l’amplificateur de puissance 3G en plaçant deux inductances rayonnantes.
La figure 3.25 est un autre exemple de modélisation du rayonnement champ proche d’un
microcontrôleur lorsque la PLL et le cœur sont activés. La fréquence de la cartographie est à
32 MHz, fréquence d’horloge du circuit. Ces résultats montrent une bonne corrélation entre la
mesure et la simulation du champ magnétique rayonné. La forme générale de la cartographie est
reproduite en simulation et les niveaux maxima sont prédits avec une erreur inférieure à 2 dB.

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46 CHAPITRE 3. LA MÉTHODE CHAMP PROCHE

Figure 3.23 – Reconstruction du boitier d’un composant à l’aide des mots cachés du fichier
IBIS à l’aide du logiciel IC-EMC

Figure 3.24 – Exemple de résultats obtenus avec le logiciel IC-EMC pour la modélisation d’un
amplificateur de puissance 3G

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3.4. MODÉLISATION DU CHAMP PROCHE 47

Figure 3.25 – Exemple de résultats obtenus avec le logiciel IC-EMC pour la modélisation champ
proche d’un microcontrôleur [6]

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48 CHAPITRE 3. LA MÉTHODE CHAMP PROCHE

3.5 Conclusion
Ce chapitre a présenté les moyens de mesure champ proche dont nous pouvons disposer pour
réaliser l’investigation et le diagnostic CEM sur les circuits intégrés ou les cartes. Nous avons
décrit le protocole des mesures d’émission ainsi que des mesures d’immunité. Ces mesures sont
un bon outil d’investigation et de diagnostic CEM. L’étude des sondes magnétiques utilisées
lors de ces travaux a été présentée ainsi que la méthode de calibrage de ces sondes. De plus
nous avons présenté une méthode de modélisation de l’émission champ proche qui est simple et
rapide à réaliser. Cette méthode modélise les cartographies champ proche par le rayonnement
de dipôles.

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Chapitre 4
Méthodologie de l’étude des interférences
électromagnétiques

49
CHAPITRE 4. MÉTHODOLOGIE DE L’ÉTUDE DES INTERFÉRENCES
50 ÉLECTROMAGNÉTIQUES
Ce chapitre présente la méthodologie développée durant la thèse pour l’étude des interférences
au sein des systèmes électroniques aussi bien au niveau de la carte électronique que des circuits
intégrés constituant le système.
Depuis quelques années pour éviter une phase couteuse de « redesign » des circuits intégrés ou
des cartes, les concepteurs cherchent à modifier leur flot de conception en vue de tenir compte
des problèmes d’interférences électromagnétiques. La figure 4.1 présente le flot de conception
avec et sans la prise en compte des études CEM pour les systèmes intégrés. Cette figure illustre
bien la nécessité de mettre en œuvre des méthodes, outils et formations au sein des équipes de
conception.

Figure 4.1 – Flot de conception des systèmes intégrés visé [69]

En outre, l’intégration de circuits de plus en plus complexes s’accompagne d’une augmen-


tation des problèmes de CEM, qui pourraient être évités par des études préliminaires. C’est
pourquoi nous avons mis en place une méthodologie, permettant l’étude des interférences élec-
tromagnétiques, applicable autant au niveau des circuits intégrés que des cartes électroniques.
Cette méthode se décompose en quatre étapes décrites sur la figure 4.2. La première étape
consiste à identifier les sources et les victimes au niveau CEM du système, puis à étudier l’élé-
ment perturbateur. Ensuite Il faut réaliser une étude du couplage entre le perturbateur et la
victime. Enfin il reste à analyser les résultats et à conclure sur les risques potentiels d’interfé-
rences entre ces éléments.
Dans chaque étape il apparait une procédure expérimentale qui s’applique aux cartes et
circuits déjà conçus ainsi qu’une procédure basée sur des simulations qui permet d’effectuer
l’étude CEM dans les phases amont de conception du circuit ou de la carte. Ces deux visions
sont complémentaires et permettent de réaliser une étude CEM à chaque phase de la conception.

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4.1. IDENTIFICATION DES ÉVENTUELS PROBLÈMES D’INTERFÉRENCES
ÉLECTROMAGNÉTIQUES 51

Figure 4.2 – Description de la méthodologie

4.1 Identification des éventuels problèmes d’interférences élec-


tromagnétiques

La première étape consiste à identifier, parmi tous les phénomènes d’interférences possibles
ceux qui nous paraissent être les plus critiques. Différents moyens permettent d’évaluer les parties
ou les circuits qui sont susceptibles de générer des perturbations et d’engendrer des dysfonction-
nements dans les circuits voisins. Les tests de CEM « classiques » (DPI, BCI, TEM, émission
conduite...) peuvent être réalisés mais ils nécessitent souvent la fabrication d’une carte spécifique
ne contenant qu’un seul circuit. Dans certains domaines comme par exemple dans le cas d’une
plateforme de téléphonie mobile, il est très difficile de dissocier les circuits les uns des autres. De
plus nous ne disposons pas du temps et des moyens nécessaires à la réalisation de ces mesures du
fait des cycles de conception très courts et de la difficulté d’application des approches standards
à des circuits aussi complexes. C’est pourquoi je présente l’intérêt des mesures champ proche.

4.1.1 Mesures champ proche

Les mesures champ proche présentent de nombreux avantages puisqu’elles sont réalisables sur
tout type de support et ne nécessitent donc pas la conception d’une carte CEM spécifique. Pour
ce faire il suffit de disposer d’une carte permettant la mise en œuvre du circuit ou d’une partie

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CHAPITRE 4. MÉTHODOLOGIE DE L’ÉTUDE DES INTERFÉRENCES
52 ÉLECTROMAGNÉTIQUES

Figure 4.3 – Cartographie Hz de l’émission champ proche d’un transceiver 2G/3G à la fréquence
de 936 MHz

du circuit de manière nominale. Les mesures champ proche contiennent beaucoup d’informations
sur les couplages CEM (conduits ou rayonnés) et sur l’activité interne du circuit.

4.1.1.1 Mesure de cartographie champ proche

La cartographie d’émission rayonnée est réalisée à partir d’un scanner champ proche(voir
Chapitre 3). Afin de mieux comprendre comment la mesure de cartographie champ proche permet
d’identifier les zones victimes ou coupables de dysfonctionnement, je propose de présenter un
exemple d’identification d’un couplage parasite grâce à cette méthode. Le problème rencontré est
le suivant : sur une plateforme de téléphonie mobile, nous remarquons une forte désensibilisation
dans le canal de réception à la fréquence de 936 MHz (bande EGSM 900). Les équipes de
validation des plateformes suspectent le transceiver comme responsable de cette perte du signal
de réception. Nous proposons donc de faire une mesure de cartographie champ proche à la
fréquence 936 MHz, au dessus du transceiver lorsque la plateforme est en mode réception.
La figure 4.3 est la cartographie de l’émission de champ magnétique selon la composante
Hz du transceiver, nous observons un rayonnement de -54 dBm. C’est un transceiver 2G/3G
monté dans un boitier de type flip chip LGA. Nous pouvons voir sur la partie gauche de la figure
4.3 le routage de la couche haute du boitier sur laquelle nous remarquons la présence de deux
inductances intégrées sous le spot d’émission. Ce sont les inductances du bloc VCO servant pour
l’émission et la réception des signaux 2G. Nous réalisons des mesures d’émission complémentaires
en changeant des paramètres de configuration de la plateforme. Dans un premier temps, nous
mesurons l’émission du transceiver en changeant la fréquence de réception de la plateforme de
sorte que nous observons toujours le même rayonnement parasite à 936 MHz. Ensuite, nous

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4.1. IDENTIFICATION DES ÉVENTUELS PROBLÈMES D’INTERFÉRENCES
ÉLECTROMAGNÉTIQUES 53
mesurons le rayonnement du transceiver lorsque la plateforme est en mode veille (stand by) en
vue de connaitre le rayonnement parasite du à l’horloge de référence qui est un multiple de 936
MHz. Enfin, nous changeons des paramètres internes de la fonction PLL du transceiver :
– La PLL de la partie RF est programmée à la fréquence de 935,881 MHz.
– La PLL de la partie numérique est programmée à la fréquence de 936,118 MHz.
– Il reste la contribution harmonique de la fréquence de référence à 936 MHz.
La figure 4.4 présente les cartographies Hz du transceiver aux trois fréquences de fonctionnement
des PLLs, nous voyons que la contribution de la PLL numérique est la plus forte (-57 dBm). Le
bloc numérique de la PLL est responsable de la remontée de bruit à 936 MHz.

Figure 4.4 – Cartographie Hz de l’émission champ proche du transceiver avec différentes confi-
gurations des PLLs

Cependant cette mesure ne nous permet pas de conclure sur la nature du couplage c’est-à-dire
conduit ou rayonné. Grâce à ces mesures, nous connaissons le bloc responsable de la perturbation
et ceci permet aux concepteurs de la plateforme d’avoir des pistes d’investigations pour résoudre
le problème, dans ce cas là c’est une résolution sofware qui a été choisie.

4.1.1.2 Mesure de spectre champ proche

Le protocole de la mesure de spectre champ proche est similaire à celui de la cartographie


champ proche. Dans cette mesure, nous nous intéressons plus à l’activité fréquentielle d’une
partie du circuit. Nous relevons alors le rayonnement magnétique émis par une partie du circuit
sur une large bande de fréquence en un point du circuit ou de la carte. Cette mesure permet
d’identifier des couplages entre blocs ou circuits si nous observons sur le spectre relevé des
fréquences générées par le bloc ou circuit voisin. La figure 4.5 illustre le résultat de la mesure
de 1 MHz à 5 GHz spectre au-dessus du bloc VCO, fonctionnant à 1735 MHz, d’un transceiver
315/434 MHz. Cette mesure présente des harmoniques du 26 MHz qui est l’horloge de référence

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CHAPITRE 4. MÉTHODOLOGIE DE L’ÉTUDE DES INTERFÉRENCES
54 ÉLECTROMAGNÉTIQUES

Figure 4.5 – Mesure du rayonnement au-dessus du VCO d’un transceiver 315/434 MHz de 1
MHz à 5 GHz

du circuit qui ne devrait pas apparaitre dans le spectre rayonné au-dessus du VCO. Ensuite
l’hypothèse de couplage parasite se fait par une analyse des niveaux d’émission des signaux
parasites présents ainsi que par une étude du bloc étudié afin de savoir si la présence de ces
signaux induit des défaillances.
Ainsi la mesure de spectre nous permet d’observer l’activité fréquentielle interne d’un bloc
ou d’un circuit en vue d’identifier les signaux parasites qui transitent à travers le composant.
Cependant comme pour la mesure de cartographie, nous ne pouvons conclure sur la nature du
couplage qui induit les signaux parasites.

4.1.1.3 Mesure d’immunité champ proche

La mesure d’immunité champ proche est complémentaire des mesures précédemment citées
car elle permet de tester la susceptibilité d’un circuit face à une perturbation rayonnée localement
à l’aide de la sonde champ proche. Grâce à cette méthode, nous pouvons agresser une partie
d’un circuit intégré et évaluer sa susceptibilité. Je prends comme exemple le cas d’une carte RF,
comprenant un transceiver 2G/3G, des amplificateurs de puissance, des amplificateurs faible
bruit. Cette carte est destinée à être intégrée dans un téléphone portable avec un blindage
unique pour la partie RF seulement en présence de ce blindage, le spectre d’émission Tx présente
des signaux parasites proches de la porteuse trop élevés. La figure 4.6 présente la carte RF
étudiée, elle comporte tous les composants RF d’un téléphone portable. Cette carte possède un

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4.1. IDENTIFICATION DES ÉVENTUELS PROBLÈMES D’INTERFÉRENCES
ÉLECTROMAGNÉTIQUES 55

Figure 4.6 – Description de la carte RF d’un téléphone portable 2G et 3G

amplificateur de puissance pour la 2G et trois amplificateurs de puissance pour la 3G, un pour


chaque bande adressée.

Nous décidons de faire une mesure d’immunité champ proche de la carte RF en injectant le
signal de sortie sur la sonde car nous soupçonnons le PA 2G de rayonner des interférences qui
avec le blindage se couplent sur une partie de la carte (pistes, transceiver, LNA, composants
passifs...). En effet ce problème n’est observé que lors de l’émission 2G d’un signal, c’est pour
cela que nous supposons que le PA 2G perturbe un des composants de la carte. Le protocole de
cette mesure est présenté sur la figure 4.7. Afin d’identifier la victime de ce couplage parasite,
nous déplaçons la sonde champ proche au dessus de la carte et nous constatons l’apparition des
signaux parasites sur le spectre lorsque la sonde se trouve au-dessus du transceiver. La figure 4.8
illustre les résultats des mesures du spectre de sortie de la plateforme pour différentes positions
de la sonde au-dessus du transceiver. Nous observons une position critique qui induit un signal
parasite à -32 dBm, ce qui équivaut à 47 dBc. Ces résultats sont similaires au mesures réalisées
en présence du blindage au-dessus de la partie RF. Cette mesure permet donc d’identifier la
zone critique de cette carte RF sur laquelle le couplage parasite du PA induit des dégradations
de performances sur le spectre d’émission Tx 2G.

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CHAPITRE 4. MÉTHODOLOGIE DE L’ÉTUDE DES INTERFÉRENCES
56 ÉLECTROMAGNÉTIQUES

Figure 4.7 – Protocole de mesure de l’immunité champ proche d’une RF de téléphone portable
face au signal émis par l’amplificateur de puissance

4.1.2 Étude du circuit

Nous pouvons également réaliser une étude amont du layout et du circuit pour essayer d’an-
ticiper les problèmes CEM. L’étude du routage du réseau d’alimentation nous permet d’émettre
des hypothèses sur les couplages possibles avec d’autres structures. Par exemple, la présence
d’une inductance intégrée nécessite une étude approfondie des signaux qui transitent autour
car elle peut être une excellente antenne pour coupler les perturbations. En effet il faut être
vigilant au routage des alimentations des blocs numériques car ces pistes émettent généralement
des signaux parasites large bande qui sont susceptibles de perturber les fonctions voisines. Le
tableau 4.1 présente une analyse des niveaux d’émission et de susceptibilité de plusieurs types
de fonctions.
Type de fonction Emission Susceptibilité
Bloc numérique rapide ++ −
Alimentation numérique + −
Alimentation analogique −− ++
Fonction analogique −− ++
Fonction amplificateur de puissance ++ −−
Fonction amplificateur faible bruit −− ++
Fonction synthèse de fréquence − ++

Tableau 4.1 – Émission et susceptibilité de différentes fonctions [6]

Avec l’aide de ce tableau, nous étudions le routage autour des zones sensibles et des zones

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4.2. ÉTUDE DE L’ÉLÉMENT OU DES ÉLÉMENTS SUPPOSÉS PERTURBATEURS 57

Figure 4.8 – Résultats des mesures de couplage champ proche entre l’amplificateur de puissance
et le transceiver

perturbatrices et nous pouvons dresser une liste d’hypothèses de couplages parasites.

4.2 Étude de l’élément ou des éléments supposés perturbateurs

Cette partie décrit les différents moyens permettant l’étude de l’élément perturbateur.

4.2.1 Caractérisation champ proche

Nous pouvons caractériser l’émission champ proche du perturbateur en faisant une cartogra-
phie champ proche aux fréquences dites normales, présentes dans le circuit, et aux fréquences
parasites. Ces fréquences parasites peuvent être identifiées avec la mesure de spectre champ
proche. Cette caractérisation nous permet de connaitre les niveaux d’émission du perturbateur
ainsi que la répartition géographique du champ. Cette méthode concerne plus les couplages entre
les circuits intégrés d’une carte électronique compte tenu de la taille de la sonde qui ne nous
permet pas d’identifier un élément de la puce au niveau du silicium. Avec nos sondes, nous
pouvons analyser des blocs de la puce et non des éléments de la puce.

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CHAPITRE 4. MÉTHODOLOGIE DE L’ÉTUDE DES INTERFÉRENCES
58 ÉLECTROMAGNÉTIQUES
4.2.2 Simulation de l’agresseur

Cette partie simulation de l’agresseur est facilitée que si nous avons à disposition un cer-
tain nombre d’informations, comme le layout d’un circuit intégré, la technologie utilisée pour
la fabrication du circuit intégré, les schématiques des circuit intégrés et le layout de la carte
électronique.

4.2.2.1 Simulations électromagnétiques

Afin de connaitre les caractéristiques de l’agresseur, nous pouvons réaliser des simulations
de rayonnement électromagnétique à l’aide d’un simulateur électromagnétique tel que HFSS ou
FEKO. Nous obtenons le rayonnement d’une structure géométrique ainsi que des paramètres
S de cette structure. Ceci nous permet de connaitre les caractéristiques de nos structures, les
niveaux et la répartition du champ électromagnétique émis. Néanmoins cette méthode requiert
la connaissance d’informations géométriques sur le layout, d’informations sur la technologie. En
effet il faut connaitre les paramètres physiques des niveaux de métaux (résistivité des métaux,
épaisseur, largeur...) ainsi que les caractéristiques du substrat (permittivité diélectrique, hauteur,
largeur...). Dans un bon nombre de cas nous ne disposons que d’informations incomplètes. De
plus les simulations électromagnétiques nécessitent un temps de calcul important pour avoir
un résultat correct car elles nécessitent souvent de réaliser un maillage de la structure en trois
dimensions.

4.2.2.2 Simulations électriques

Les simulations électriques de type Spice nous permettent d’évaluer les formes d’ondes, les
niveaux en tension et courant d’un signal circulant sur l’alimentation ou sur le signal de sortie
du bloc perturbateur. Ainsi nous connaissons les caractéristiques électriques de notre perturba-
teur. En plus des simulations électriques, nous pouvons également réaliser des simulations de
paramètres S ou Z afin de connaitre les profils d’impédance de l’agresseur. A l’aide de toutes ces
informations, nous pouvons réaliser un modèle électrique simplifié de l’agresseur en se basant
sur le modèle ICEM.

4.3 Étude du couplage entre les éléments perturbateurs et les


éléments victimes

Cette partie développe les idées que je propose pour l’étude du couplage entre les éléments
perturbateurs et victimes.

4.3.1 Mesure de couplage

Je présente une méthode expérimentale d’étude du couplage puce à puce proposée par
Alexandre Boyer [6] dans sa thèse puis je présente une méthode innovante que j’ai dévelop-

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4.3. ÉTUDE DU COUPLAGE ENTRE LES ÉLÉMENTS PERTURBATEURS ET LES
ÉLÉMENTS VICTIMES 59

Figure 4.9 – Description de la mesure de couplage entre deux circuits intégrés

pée en collaboration avec Samuel Akue Boulingui [70].

4.3.1.1 Mesure de couplage puce à puce

L’étude du couplage entre deux circuits intégrés se fait en les rapprochant et en vérifiant qu’ils
fonctionnent correctement. Le fonctionnement correct des circuits est vérifié par l’évaluation d’un
critère de susceptibilité sur le composant victime.
La figure 4.9 décrit le principe de la mesure de couplage puce à puce. Les consignes permettent
de contrôler le mode de fonctionnement des circuits. Nous observons le comportement de la
victime en présence du circuit perturbateur [71]. Cette méthode nécessite la fabrication de deux
cartes spécifiques permettant le fonctionnement des circuits. En effet il faut réaliser une carte
qui intègre sur la face avant uniquement le circuit sous test en vue de n’avoir que le couplage
entre les deux circuits. Cette mesure est donc longue et coûteuse à mettre en œuvre. De plus,
elle permet seulement d’étudier le couplage global entre deux circuits intégrés, nous ne pouvons
pas analyser précisément quelle partie du circuit induit les perturbations.

4.3.1.2 Mesure de couplage à l’aide d’une SkateProbe

Pour remplacer les mesures de couplage puce à puce, nous proposons de faire des mesures
de couplage avec une sonde qui émule l’émission champ proche de notre perturbateur, nommée
SkateProbe. Cette sonde permet de reproduire le rayonnement champ proche d’un circuit intégré
ou d’une partie d’un circuit intégré. Nous pouvons même imaginer faire une mesure de couplage
entre deux blocs d’une puce électronique. La SkateProbe est réalisée à partir des mesures de
cartographie champ proche [72]. Cette sonde présente de nombreux avantages :
– elle est peu coûteuse car elle ne requiert que la réalisation d’un PCB classique,
– elle est rapide à fabriquer grâce à l’algorithme d’extraction des inductances rayonnantes
développé par Samuel Akue Boulingui [8],

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CHAPITRE 4. MÉTHODOLOGIE DE L’ÉTUDE DES INTERFÉRENCES
60 ÉLECTROMAGNÉTIQUES
– la SkateProbe peut émuler le rayonnement d’un circuit intégré ou d’une fonction sur une
puce silicium.
La figure 4.10 illustre les étapes d’extraction des inductances rayonnantes en vue de concevoir
une SkateProbe à partir d’une mesure de cartographie champ proche. Lorsque la SkateProbe est
fabriquée, il faut valider son comportement électromagnétique champ proche en réalisant une
cartographie champ proche de la SkateProbe. Nous comparons ces cartographies aux cartogra-
phies du composant agresseur.
Une fois cette sonde validée, nous la plaçons au-dessus de notre circuit victime (voir la figure
4.11)et nous observons le comportement du circuit victime. Ensuite, nous modifions la position
de la SkateProbe afin d’observer la position critique qui induit le plus de perturbation.
L’inconvénient de ces deux mesures est que l’on mesure seulement des couplages entre cir-
cuits mis en regard (applicable pour les packages où les puces sont stackées) et non entre des
circuits rapprochés dans le même plan (packages où les puces sont placées l’une à coté de l’autre).
Cependant ces mesures apportent une bonne connaissance des effets indésirables du rapproche-
ment d’ailleurs ces mesures présentent le cas le plus favorable au niveau du couplage ce qui nous
permet de garantir une marge de sécurité.

4.3.2 Évaluation du couplage par simulation

Nous pouvons également évaluer le couplage entre deux structures à l’aide d’un logiciel de
simulation électromagnétique. Cette méthode permet de réaliser des études amont de placement
layout avant la phase de fabrication. Nous choisissons d’utiliser la suite d’outils ADS développés
par Agilent car ils nous permettent d’importer des fichiers de format GDS II pour les layouts et

Figure 4.10 – Méthode de conception d’une SkateProbe [8]

Céline Dupoux – Université de Toulouse


4.3. ÉTUDE DU COUPLAGE ENTRE LES ÉLÉMENTS PERTURBATEURS ET LES
ÉLÉMENTS VICTIMES 61

Figure 4.11 – Couplage entre une SkateProbe et une circuit intégré victime

des fichiers de type BRD pour les cartes électroniques. Le GDS II est un format de fichier binaire
utilisé pour représenter le dessin physique d’un circuit intégré (le layout). Il code une base de
données contenant des formes géométriques planes, des labels textuels, et des informations sur
l’organisation hiérarchique du dessin. Ce format est devenu de fait un standard quasi-universel
de représentation et d’échange des layouts, pour les échanges entre outils de conception et de
vérification physique, et pour l’envoi des circuits à la fabrication. Ceci nous permet de ne pas avoir
à dessiner la géométrie de notre structure dans le logiciel de simulation électromagnétique. De
plus le pack ADS permet d’intégrer le modèle électromagnétique dans une simulation électrique.
La version d’ADS dont nous disposons inclut deux simulateurs électromagnétiques :
– Momentum basé sur la méthode des moments avec un maillage 3D planaire (2,5D). La
méthode des moments est une technique de résolution des équations intégrales complexes,
par leur réduction à un système de simples équations linéaires. Elle permet de déterminer
directement, et de manière précise, la distribution du courant dans les structures métal-
liques étudiées et de remonter ensuite au champ électromagnétique rayonné en tout point
de l’espace.
– EMDS basé sur la méthode des éléments finis avec un maillage 3D. La méthode FEM est
particulièrement efficace pour résoudre des problèmes autour des géométries complexes
mettant en œuvre des matériaux aux propriétés différentes. Dans chaque élément fini,
on suppose une variation linéaire de la valeur des champs. La résolution du problème
s’effectue en minimisant une expression variationnelle du champ électromagnétique sur
chaque nœud du maillage. Ainsi, pour obtenir une solution acceptable, il est nécessaire
d’affiner le maillage au niveau des discontinuités, ce qui augmente considérablement le
temps de calcul.
Nous optons pour le moteur de simulation Momentum afin d’obtenir des résultats plus ra-
pidement, de plus la méthode des moments est bien adaptée à la simulation des structures
multi-couches, comme les cartes électroniques ou les layout de circuits.

Céline Dupoux – Université de Toulouse


CHAPITRE 4. MÉTHODOLOGIE DE L’ÉTUDE DES INTERFÉRENCES
62 ÉLECTROMAGNÉTIQUES
La figure 4.12 illustre une simulation permettant d’extraire le couplage entre deux pistes sur
une carte électronique. Cette simulation nous donne les paramètres S résultants. A partir des
paramètres S, nous déduisons le facteur de couplage entre les deux lignes, ce qui nous permet de
construire un modèle circuit équivalent qui tient compte de ce couplage. En revanche cet outil
ne permet pas de connaitre la valeur du champ électromagnétique rayonné à la surface de notre
structure, pour cela il faudrait être équipé d’une version plus complète du logiciel de simulation
électromagnétique.

4.4 Analyse des interférences

4.4.1 Analyse expérimentale

Pour analyser les interférences, nous définissons un critère de susceptibilité du circuit victime
et nous déplaçons la SkateProbe suivant les axes x, y, z mais aussi en effectuant des rotations
de la SkateProbe selon l’axe z. Cette analyse permet d’identifier on non une zone critique de
couplage qui provoque une défaillance du circuit victime. Nous en déduisons des règles de layout
ou de placement des circuits. Une fois la zone critique de couplage identifiée, il faut comprendre
les phénomènes mis en jeu afin de capitaliser cette expérience. La figure 4.13 illustre un résultat
obtenu pour le couplage entre une SkateProbe et des circuits intégrés d’une carte électronique.
Grâce à cette mesure nous identifions les zones critiques où la présence du circuit émulé par la
SkateProbe induit des défaillances du système. A condition de disposer d’outils d’investigation

Figure 4.12 – Simulation du couplage entre deux pistes sur une carte électronique

Céline Dupoux – Université de Toulouse


4.4. ANALYSE DES INTERFÉRENCES 63

Figure 4.13 – Résultat de l’étude de couplage entre une SkateProbe et les composants d’une
carte

supplémentaires nous pouvons analyser les raisons du couplage et comprendre les phénomènes
produit par ce couplage.

4.4.2 Analyse par simulation

Le but de l’analyse par la simulation est d’intégrer les phénomènes de couplage dans les
phases de conception. Nous obtenons un modèle circuit équivalent ou un fichier de paramètres S
qui reproduit le couplage que nous insérons dans le flot de simulation de conception d’un circuit
ou d’une carte. Pour cela nous réalisons un modèle équivalent de l’agresseur que nous insérons
dans une simulation de la victime en intégrant le couplage entre les deux structures (couplage
substrat, inductif ou capacitif). Nous obtenons une simulation intégrant le couplage parasite
ainsi en changeant le facteur de couplage nous pouvons connaitre la marge dont nous disposons
sur notre circuit.

Céline Dupoux – Université de Toulouse


CHAPITRE 4. MÉTHODOLOGIE DE L’ÉTUDE DES INTERFÉRENCES
64 ÉLECTROMAGNÉTIQUES
4.5 Conclusion
Dans ce chapitre, j’ai proposé une méthode permettant l’étude des interférences électroma-
gnétiques dans les circuits intégrés ou les cartes. L’étude de ces interférences peut être réalisée
en début du projet pendant la conception afin de valider le placement routage des éléments
ainsi que pendant la phase de production dans le but d’améliorer les performances. Cette mé-
thode permet d’établir des règles de layout et de mieux comprendre les phénomènes de couplage
présents lors du rapprochement de deux circuits ou lors de la mise sur puce silicium de deux
fonctions. En effet, je propose une méthode de mesure innovante permettant de mesurer l’im-
pact du rapprochement de deux structures en réalisant l’émulation de l’émission rayonnée de
l’agresseur.

Céline Dupoux – Université de Toulouse


Chapitre 5
Étude des interférences électromagnétiques
dans une plateforme de téléphonie 3G

65
CHAPITRE 5. ÉTUDE DES INTERFÉRENCES ÉLECTROMAGNÉTIQUES DANS UNE
66 PLATEFORME DE TÉLÉPHONIE 3G
5.1 Contexte et problématique

Les téléphones de troisième génération doivent non seulement supporter des débits de com-
munication élevés, mais aussi supporter des applications supplémentaires, telles que Bluetooth,
MP3, GPS, une caméra vidéo ou la télévision numérique. Pour répondre à ces nouveaux besoins,
la tendance est de regrouper les puces électroniques dans un même boı̂tier afin de miniaturiser
les composants et de gagner de la place sur le circuit imprimé. La technologie SiP (System-
in-Package) a pour objectif d’intégrer plusieurs circuits intégrés, des composants passifs, des
connecteurs et des antennes à l’intérieur d’un seul et même boı̂tier pour créer des sous-systèmes
radio-fréquences entièrement fonctionnels. A la différence des SoC (System-on-Chip) qui s’ap-
puient sur une seule technologie, les SiP peuvent renfermer différents semi-conducteurs de tech-
nologies différentes dans un seul boı̂tier. Ainsi, la demande des SiP dans la téléphonie mobile
réside dans sa capacité intrinsèque à réduire les dimensions des sous-systèmes [73]. Par ailleurs,
les SiP ont comme autres avantages d’avoir un temps de fabrication plus court comparé aux
SoC et de réduire la complexité des cartes électroniques tout en améliorant leurs performances
[74]. La figure 5.1 est un téléphone intégrant des circuits SiP. Cependant, le rapprochement des

Figure 5.1 – Téléphone éclaté renfermant des SiP

puces dans un même boı̂tier augmente les problèmes de couplage électromagnétique entre circuits

Céline Dupoux – Université de Toulouse


5.2. DESCRIPTION DE LA PLATEFORME DE TÉLÉPHONIE MOBILE 67

par rayonnement champ proche ainsi que par couplage conduit par les réseaux d’alimentation.
Pour assurer la compatibilité électromagnétique, il est nécessaire de connaitre les caractéristiques
CEM conduites et rayonnées de chaque circuit intégré du système. Par ailleurs, il est nécessaire
d’avoir une bonne connaissance des couplages entre les circuits intégrés en vue de recommander
des règles de design.

5.2 Description de la plateforme de téléphonie mobile


Notre étude est menée sur une plate-forme de téléphonie mobile 3G développée par Freescale.
Elle supporte les techniques de communication 2G et 3G avec de nombreuses autres applications
telles que le GPS, Wi-fi... Nous détaillerons ci-après les principaux circuits constituant une
plateforme de téléphonie 2G et 3G.

5.2.1 Description générale

Les téléphones portables sont soumis à des contraintes d’intégration de plus en plus grandes
avec de nombreuses fonctions. Malgré la complexité de ces systèmes, nous considérons qu’un
téléphone peut être découpé en trois grandes parties : la partie processeur bande de base (Base-
band ), la gestion des alimentations (Power Management) et la partie RF. L’architecture et les
principaux blocs constituant la plateforme sont décrits dans la figure 5.2.

Figure 5.2 – architecture de la plateforme

5.2.1.1 Processeur bande de base (Baseband)

Le circuit intégré Baseband (bande de base), correspond à la partie de traitement et de


gestion du système et communique avec les différents périphériques de la plateforme. C’est un
circuit possédant deux cœurs : un DSP (Digital Signal Processor ), un MCU (Micro Control

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CHAPITRE 5. ÉTUDE DES INTERFÉRENCES ÉLECTROMAGNÉTIQUES DANS UNE
68 PLATEFORME DE TÉLÉPHONIE 3G
Unit) et de la mémoire embarquée. Le DSP est utilisé pour la génération et le traitement des
signaux en lien avec la partie radio fréquence. Le MCU gère les différents périphériques de la
plateforme, on peut citer comme exemple : les écrans, la caméra, le clavier...

5.2.1.2 Gestion des alimentations

La gestion de l’énergie est un enjeu stratégique des systèmes portables, qui, bien que de plus
en plus complexes, doivent répondre aux besoins d’autonomie croissants. Pour résoudre cette
difficulté, la solution la plus évidente est de réduire la consommation de chacun des composants,
ce qui est en partie possible par les progrès en lithogravure et en intégration. Cependant, la
nécessité d’augmenter les puissances de calcul et les performances des liaisons radio ne permet
pas d’utiliser exclusivement cette méthode. Si nous ne pouvons pas gagner sur la consommation
des composants, il faut chercher à mieux la gérer, par exemple en n’alimentant que ce qui est
nécessaire dans un mode de fonctionnement donné. C’est pourquoi Freescale a développé un
circuit intégré dédié à la gestion de la consommation électrique (mise en veille de certains blocs
du système) et des CODEC (COde-DECode) audio.

5.2.1.3 Partie radio fréquence

Dans la partie radio, on distingue le circuit intégré transceiver 3G qui gère l’émission et la
réception des signaux 3G, il assure également la synthèse des fréquences radios. On distingue
également le transceiver 2G qui gère l’émission et la réception des signaux 2G. On trouve des
LNAs externes destinés à apporter du gain dans les chaines de réception, des filtres externes et
enfin des PAs pour fournir de la puissance aux signaux émis.

5.3 Étude du couplage entre un PA et un transceiver

L’objectif de l’équipe de développement des plateformes 2G et 3G est de pouvoir quantifier


et comprendre les problèmes CEM engendrés par le rapprochement de composants dans un
même boı̂tier ou sous un même blindage. En effet, la tendance est de regrouper plusieurs puces
électroniques dans un même boı̂tier soit en les plaçant les unes au dessus des autres, soit en
les disposant sur le même substrat les unes à coté des autres. C’est pour cela que nous allons
étudier le couplage entre deux circuits d’une plateforme de téléphonie mobile. Nous utilisons la
méthode développée dans le chapitre précédent. La figure 5.3 illustre les étapes de l’étude. Le
but de cette étude est d’évaluer le couplage entre ces circuits intégrés pour connaı̂tre les effets
indésirables que pourrait provoquer le rapprochement de ces composants dans un même boı̂tier.

5.3.1 Identification des perturbateurs et des victimes

La première étape de l’étude consiste à identifier les victimes et agresseurs potentiels présents
sur la plateforme de téléphonie 3G. Pour cela, nous nous sommes appuyés sur l’expérience des

Céline Dupoux – Université de Toulouse


5.3. ÉTUDE DU COUPLAGE ENTRE UN PA ET UN TRANSCEIVER 69

Figure 5.3 – Description de la méthode appliquée à la plateforme 3G

Figure 5.4 – Photo de la plateforme

concepteurs de plateformes afin de connaitre les problèmes existants rencontrés sur les plate-
formes précédentes.
Nous listons les principales hypothèses CEM de chaque module de la plateforme dans le
tableau 5.1 en essayant d’identifier les raisons pour lesquelles les modules sont agresseurs ou
victimes.

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CHAPITRE 5. ÉTUDE DES INTERFÉRENCES ÉLECTROMAGNÉTIQUES DANS UNE
70 PLATEFORME DE TÉLÉPHONIE 3G
Modules de la plateforme Agresseur victime
Amplificateur de puissance Puissance des signaux émis Gabarit d’émission strict
(PA) (27 dBm)
Processeur (bande de base) Émission large bande (10 Système d’horloge, mémoires
MHz - 5 GHz)
Transceiver Entrées/sorties rapides Etage de haute sensibilté (mé-
langeurs, amplificateurs faible
bruit)
Gestion des alimentations Horloges basse fréquence Audio analogique, tensions de
référence

Tableau 5.1 – Hypothèses sur les potentiels agresseurs et victimes de la plateforme

Avec l’aide de ce tableau et l’étude du placement routage de la plateforme, nous choisissons


le PA comme agresseur et le transceiver comme victime. Notre choix s’est porté sur le PA car il
est proche du transceiver sur la plateforme comme nous pouvons le voir sur la figure 5.4.

5.3.1.1 L’amplificateur de puissance

L’amplificateur de puissance est conçu en technologie InGaP (Indium Gallium Phosphide)


HBT (Hétérojunction Bipolar Transistor ), monté dans un boı̂tier de type LGA (Land Grid
Array) de dimension 4 x 4 x 1.2 mm. Ce PA fonctionne sur la bande UMTS 1920-1980 MHz et
sa puissance de sortie maximum est de 27 dBm.

Le PA étudié, de référence MMM6032 est un module émetteur simple bande W-CDMA qui
intègre un amplificateur de puissance et un détecteur de puissance qui permet de mesurer avec
précision sa puissance de sortie. Le module contient deux puces l’une est l’amplificateur de
puissance conçu en technologie InGaP HBT et l’autre est le détecteur de puissance conçu en
technologie combinant les dispositifs SiGe, bipolaire et CMOS (voir figure 5.5).

Figure 5.5 – Vue layout de l’amplificateur de puissance (PA 3G)

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5.3. ÉTUDE DU COUPLAGE ENTRE UN PA ET UN TRANSCEIVER 71

Figure 5.6 – Photo du transceiver 3G

5.3.1.2 Le transceiver 3G

Nous avons identifié le transceiver comme victime, il doit être capable de traiter des signaux
de très faibles puissances (autour de -100 dBm) et en même temps d’émettre des signaux dont
les puissances peuvent atteindre jusqu’à 10 dBm. De plus, dans le standard de communication
UMTS l’émission et la réception se font simultanément. Le transceiver étudié est un transceiver
3G permettant la réception et l’émission sur trois bandes UMTS2100, PCS1900, Cell850. C’est
un Multi Chip Module (MCM) avec un substrat à haute densité d’intégration (HDI), dont une
photo est reportée figure 5.6.

Le transceiver est composé principalement de deux puces :

– l’une (figure 5.6 gauche) intègre les fonctions analogiques, pour la réception : de l’antenne
à l’entrée du convertisseur analogique numérique ; et pour l’émission : de la sortie du
convertisseur numérique analogique à l’antenne.
– l’autre (figure 5.6 droite) les fonctions numériques et la génération des fréquences.
– le transceiver intègre aussi plus de cinquante composants passifs, principalement pour le
découplage et l’adaptation d’impédance.

Le schéma bloc du transceiver est présenté dans la figure 5.7, on distingue dans la partie
supérieure la chaine de réception et la chaine de transmission sur la partie inférieure. Nous
pouvons isoler un troisième bloc sur la partie analogique, servant à la génération des fréquences
radios. La partie numérique contient un bloc qui génère les horloges de références de la plateforme
(26 MHz, 15.36 MHz...).

Ce transceiver est monté dans un boı̂tier de type LGA (Land Grid Array)de 165 pins espacées
de 1 mm. La différence avec un BGA est que l’on remplace les billes par des pistes de métal afin
de pouvoir gagner de la hauteur pour l’intégration dans les systèmes.

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CHAPITRE 5. ÉTUDE DES INTERFÉRENCES ÉLECTROMAGNÉTIQUES DANS UNE
72 PLATEFORME DE TÉLÉPHONIE 3G

Figure 5.7 – Schéma bloc simplifié du transceiver 3G

5.3.2 Caractérisation de l’émission champ proche du PA

Nous souhaitons connaitre l’émission rayonnée champ proche du PA, pour cela nous réalisons
des mesures champ proche qui nous donnent la cartographie d’émission champ proche du com-
posant considéré ici comme agresseur. Nous mesurons l’émission champ proche du PA à l’aide
du scanner champ proche décrit au chapitre 3.5. L’altitude de la sonde est de 2 mm (due à la
taille de nos sondes) et le pas de mesure sur les axes x et y est de 200 µm. Nous configurons la
plateforme en mode émission à la fréquence de 1950 MHz et la puissance du signal de sortie est
de 22 dBm, ce qui correspond à une puissance maximum de sortie du PA.
La figure 5.8 présente les cartographies du rayonnement champ proche des trois composantes
du champ magnétique. Le carré noir représente le contour du boı̂tier du PA. Nous constatons
une zone d’émission principale en Hx à une valeur de - 15 dBA/m. En Hz, nous observons deux
zones d’émission avec un minimum entre les deux.
Nous faisons la même mesure à d’autres fréquences d’émission de la plateforme 1920 MHz
(le début de la bande), 1950 MHz (milieu de la bande) et 1980 MHz (fin de la bande) afin de
quantifier les possibles variations de rayonnement champ proche du PA dans sa bande d’émission.
Nous constatons bien que les cartographies ont des formes et des niveaux d’émission similaires
avec une variation inférieure à 5 dB.

Figure 5.8 – Cartographie du rayonnement champ proche du PA

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5.3. ÉTUDE DU COUPLAGE ENTRE UN PA ET UN TRANSCEIVER 73

Figure 5.9 – Extraction des inductances de rayonnement pour chaque composante du champ
magnétique

5.3.3 Émulation de l’émission champ proche du PA

Dans le but d’étudier le couplage entre deux circuits intégrés, Samuel Akue Boulingui [8] a
eu l’idée d’émuler le rayonnement champ proche d’un circuit intégré avec une sonde nommée
SkateProbe. En effet, le seul autre moyen de réaliser cette étude est de développer une carte
de test contenant le circuit agresseur, et d’étudier le couplage entre les deux cartes. Seulement
cette méthode [71] est longue et coûteuse à mettre en œuvre, ce qui n’est pas réalisable dans le
cas du développement d’une plateforme de téléphonie mobile.
Nous nous servons de la cartographie d’émission champ proche du PA afin de concevoir un
élément de rayonnement équivalent. L’extraction des caractéristiques géométriques et du courant
excitant l’élément rayonnant est réalisée à l’aide d’une méthode développée par S.Akue Boulingui
[75]. La figure 5.9 illustre la construction des éléments rayonnants. En effet en se basant sur les
cartographies Hx et Hy, nous pouvons extraire la forme géométrique des éléments rayonnants
situés au niveau des maximums. La cartographie Hz nous permet de valider la géométrie de ces
éléments, car cette fois ils sont situés au niveau des minimums entourés de maximums.
Les éléments rayonnants sont dans un premier temps validés à l’aide du logiciel IC-EMC
avec le modèle électrique équivalent de l’amplificateur. Puis ils sont simulés avec un simulateur
électromagnétique afin de les valider en tenant compte de la structure complète de la SkateProbe.
Le modèle électromagnétique de la sonde SkateProbeP A , dessiné à l’aide du logiciel FEKO, est
présenté à la figure 5.10. Il se compose de deux lignes rayonnantes intégrées sur un substrat avec
en bout un câble coaxial permettant l’injection d’un signal d’excitation.

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CHAPITRE 5. ÉTUDE DES INTERFÉRENCES ÉLECTROMAGNÉTIQUES DANS UNE
74 PLATEFORME DE TÉLÉPHONIE 3G

Figure 5.10 – Modèle électromagnétique de la SkateProbeP A

Figure 5.11 – Description de la SkateProbeP A

Une fois le dessin des éléments rayonnants validés, nous fabriquons la SkateProbe en utilisant
du PCB de type FR4. La figure 5.11 présente la SkateProbeP A que nous avons réalisée, cette
sonde présente une charge 50 Ω à son extrémité afin de conserver l’adaptation d’impédance.
Il reste à confirmer que le rayonnement champ proche de cette sonde est bien équivalent à celui
du PA. Pour cela nous faisons une mesure de rayonnement champ proche de la SkateProbeP A à
une altitude de 2 mm comme pour la cartographie du PA. La figure 5.12 présente sur sa partie
supérieure la cartographie de rayonnement champ proche de la SkateProbeP A . On remarque
que la répartition et la valeur du champ émis corrèle bien avec l’émission du PA. La partie
inférieure de la figure présente des coupes le long de la diagonale AA’. Nous constatons que les
deux mesures ont la même allure avec une erreur inférieure à 5 dB.
Ces comparaisons nous permettent de valider la SkateProbeP A comme une émulation satis-
faisante du rayonnement champ proche du PA.

5.3.4 Mesure de couplage entre l’émulateur et le transceiver

Pour évaluer le couplage entre le PA et le transceiver, nous faisons une mesure de couplage
entre l’émulateur et le transciever. Nous configurons la plateforme dans le test de sensibilité afin
de vérifier que la plateforme reçoit correctement le signal.

5.3.4.1 Mesure de sensibilité d’une plateforme

Cette première mesure de sensibilité de la plateforme nous sert de mesure de référence. Par
définition, la sensibilité est le niveau de signal minimal à l’antenne que la récepteur doit pouvoir
démoduler sans détériorer le BER (Bite Error Rate), il ne doit pas excéder 10−3 , en absence de
tout signal interfèrent ou parasite autre que le bruit thermique. Dans le cas de l’UMTS (bande
I), ce niveau est fixé à -106.7 dBm (valeur définie par la spécification 3GPP [76]). Pour effectuer
cette mesure, on injecte un signal CW (signal sinusoı̈dal non modulé) à l’antenne à une puissance

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5.3. ÉTUDE DU COUPLAGE ENTRE UN PA ET UN TRANSCEIVER 75

de -106.7 dBm. Nous récupérons les données I-Q numérisées en bout de chaine (bande de base),
puis nous mesurons le rapport signal sur bruit de ce signal sur une période d’intégration de 3.84
MHz. Nous considérons que ce signal est correctement détecté lorsque le rapport signal sur bruit
RSB est supérieur à -7.7 dB. Cette valeur de (RSB) correspond à une valeur de BER de 10−3 .
La valeur du RSB est négative car le signal est étalé par un code sur une bande de 5 MHz ce qui
permet de transmettre du signal en dessous du niveau de bruit. La figure 5.13 illustre la valeur
du RSB pour les spectres avec et sans étalement.
Cette analyse est réalisée grâce à un outil interne de Freescale fonctionnant sous Labview,
qui nous permet de configurer la plateforme et de réaliser toutes sortes de mesures.
Le protocole de la mesure de sensibilité est présenté sur la figure 5.14. A la fin de ce test, nous
récupérons une courbe représentant la valeur du RSB sur toute la bande de réception (5.15).
Nous obtenons une courbe de référence de la qualité de réception de la plateforme sur toute la
bande 3G. Cette courbe présente une faiblesse en début de bande à 2115 MHz, le RSB est a
-7,5 dB juste au-dessus de la limite. Ensuite le reste de la courbe se trouve bien au dessus de la
limite fixée par la norme 3GPP.
Le programme de test nous permet de visualiser le canal de réception et notre signal utile
non modulé. Sur le graphe de la figure 5.16 le ’0’ correspond à la fréquence de réception, le
signal utile apparait à 1 MHz de décalage afin de ne pas être supprimé lors de la réception. En
effet, l’architecture du récepteur permet de transposer la bande de réception (2110-2170 MHz)
directement en bande de base c’est une réception à conversion directe, appelée aussi conversion
homodyne.

Figure 5.12 – Comparaison entre la mesure de l’émission champ proche du PA et celle de la


SkateProbeP A

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CHAPITRE 5. ÉTUDE DES INTERFÉRENCES ÉLECTROMAGNÉTIQUES DANS UNE
76 PLATEFORME DE TÉLÉPHONIE 3G

Figure 5.13 – Calcul du RSB avec ou sans étalement du spectre

Figure 5.14 – Présentation du protocole de mesure de la sensibilité

Figure 5.15 – Courbe du RSB en fonction de la fréquence de réception

Les amplitudes sur l’outil de visualisation ne sont pas absolues, elles nous permettent d’ef-
fectuer des comparaisons entre le niveau de bruit et le niveau du signal utile.

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5.3. ÉTUDE DU COUPLAGE ENTRE UN PA ET UN TRANSCEIVER 77

Figure 5.16 – Visualisation du canal de réception à l’aide de l’outil de Freescale

5.3.4.2 Mesure de sensibilité d’une plateforme en présence du perturbateur

Maintenant afin de connaitre les perturbations engendrées par le rapprochement ou l’em-


pilement du PA et du transceiver, nous allons faire une mesure de sensibilité en déplaçant la
SkateProbeP A au dessus du transceiver. Nous vérifions le bon fonctionnement de la plateforme
pour différentes positions de la SkateProbeP A . L’idéal serait d’obtenir le même niveau de RSB
sur toute la bande de réception que celui obtenu sans perturbation.

Figure 5.17 – Présentation de la mesure de couplage entre la SkateProbeP A et le transceiver


3G

La figure 5.17 illustre la mesure de couplage entre le transceiver 3G et la SkateProbeP A . Afin


de connaitre la position la plus critique de la SkateProbeP A , nous la déplaçons au-dessus du

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CHAPITRE 5. ÉTUDE DES INTERFÉRENCES ÉLECTROMAGNÉTIQUES DANS UNE
78 PLATEFORME DE TÉLÉPHONIE 3G
transceiver. Nous estimons que la plateforme est perturbée lorsque le RSB obtenu en présence
de la perturbation est inférieur au niveau de référence. Lorsque le RSB devient inférieur à -7.7
dB alors la plateforme ne satisfait plus à la norme 3GPP, elle est hors spécification. Ce test nous
donne une courbe de RSB pour chaque position selon la puissance émise par la SkateProbeP A .
La figure 5.18 illustre un résultat obtenu pour la position critique de la SkateProbeP A avec deux
puissances injectées à son entrée.

Figure 5.18 – Résulat du RSB (courbe de référence et pour deux puissances injectée sur la
SkateProbeP A )

Lorsque nous injectons 20 dBm à l’entrée de la SkateProbeP A , nous observons une chute du
RSB en début de bande, les performances de la plateforme sont significativement dégradées. De
plus nous n’avons pas atteint le niveau maximum d’émission du PA, en effet il peut émettre
jusqu’à 27 dBm.
L’objectif est de connaitre les positions les plus défavorables de la SkateProbeP A par rapport
au transceiver. Pour ce faire nous répétons les mesures en changeant le positionnement en x, y
et en effectuant des rotations de la sonde autour de l’axe z (voir figure 5.19).
Nous observons le maximum de perturbations lorsque la SkateProbeP A est placée au dessus
de la puce analogique du transceiver en P1 (voir figure 5.20). En étudiant le layout du boı̂tier
du transceiver, nous remarquons que le transceiver est très sensible lorsque la SkateProbeP A
est placée au-dessus des entrées des signaux de réception 3G. Nous en déduisons que le chemin
critique de couplage se fait sur le chemin Rx au niveau du boı̂tier.
Ces mesures nous permettent de mettre en évidence que le rapprochement de ces deux circuits
induit des dégradations des performances de la plateforme. Nous savons également que la partie

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5.3. ÉTUDE DU COUPLAGE ENTRE UN PA ET UN TRANSCEIVER 79

Figure 5.19 – Positionnement et orientation de la SkateProbeP A

Figure 5.20 – Position critique P1 de la SkateProbeP A au dessus du transceiver

du transceiver la plus sensible aux perturbations du PA est la fonction réception des signaux
3G.

5.3.5 Analyse des interférences

Nous connaissons les positions de la SkateProbeP A qui induisent le plus de défaillances et


nous identifions la fonction réception comme extrêmement sensible ; nous souhaitons maintenant
analyser les phénomènes mis en jeu. Nous nous servons de l’outil de visualisation développé par
Freescale, qui nous permet d’observer le signal utile dans une bande de 5 MHz de large.

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CHAPITRE 5. ÉTUDE DES INTERFÉRENCES ÉLECTROMAGNÉTIQUES DANS UNE
80 PLATEFORME DE TÉLÉPHONIE 3G
5.3.5.1 Mesures complémentaires

Le dispositif de test de ces mesures est le même que précédemment mais nous fixons la
fréquence de réception à 2160 MHz et nous observons à l’aide du viewer la bande de réception.
Nous faisons varier la fréquence d’agression de la SkateProbeP A afin d’observer si le signal
agresseur est transposé dans la bande de réception.

Figure 5.21 – Visualisation du signal utile et du signal agresseur transposé dans la bande de
réception (mélange harmonique 9 de Fref )

Nous faisons varier la fréquence du signal injecté sur la SkateProbeP A , lorsque le signal de
la SkateProbeP A varie de 1 MHz le signal transposé varie lui aussi de 1 MHz (voir figure 5.21).
Nous constatons que la différence entre le signal transposé et le signal agresseur est de 234
MHz, ce qui correspond à l’harmonique 9 de Fref = 26 MHz (signal d’horloge de référence de la
plateforme).

Figure 5.22 – Visualisation du signal utile et du signal agresseur transposé dans la bande de
réception (mélange harmonique 7 de Fref )

Nous observons le même phénomène mais cette fois-ci la différence entre la fréquence du
signal transposé et celle du signal agresseur est de 182 MHz, qui est l’harmonique 7 du 26 MHz

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5.3. ÉTUDE DU COUPLAGE ENTRE UN PA ET UN TRANSCEIVER 81

(voir figure 5.22). Nous découvrons un phénomène plus complexe lorsque nous injectons sur la
SkateProbeP A un signal à la fréquence de 1943 MHz. Nous changeons la fréquence du signal
agresseur de 1 MHz et nous constatons que le signal transposé dans la bande de réception varie
de 2 MHz.

Figure 5.23 – Visualisation du signal utile et du signal agresseur transposé dans la bande de
réception

Nous pensons alors à un produit d’intermodulation d’ordre 3. Un produit d’intermodulation


d’ordre 3 peut être la multiplication par 3 de la fréquence f0 d’un signal (Figure 5.24.) lorsqu’il
fait intervenir une seule harmonique. Il peut aussi être le double de la fréquence f1 d’un signal
retranché de la fréquence f2 d’un autre signal lorsqu’il fait intervenir deux harmoniques (Figure
5.24).
Sachant que la fréquence parasite induite (2160 MHz) est supérieure à la fréquence source
(1944 MHz), nous en déduisons que l’opération à l’origine de cette transformation n’est pas

Figure 5.24 – Répartition des différents produits de distorsions et d’intermodulations de deux


signaux

Céline Dupoux – Université de Toulouse


CHAPITRE 5. ÉTUDE DES INTERFÉRENCES ÉLECTROMAGNÉTIQUES DANS UNE
82 PLATEFORME DE TÉLÉPHONIE 3G
2f1 − f2 (car inférieure à f1 et à f2 ), mais 2f2 − f1 . Il apparait que f2 = 1944 MHz. Nous
calculons que s’il y a produit d’intermodulation d’ordre 3 ce serait avec un signal de fréquence
1728 MHz. Cette fréquence ne correspond à aucune fréquence ou harmonique identifiée sur la
plateforme.
Ces mesures nous permettent de mieux comprendre ce qui se passe à l’intérieur du transceiver
lorsque celui-ci est en présence de la SkateProbeP A .

5.3.5.2 Mesures de spectre au dessus du transceiver

Grâce à l’analyse précédente nous avons identifié des fréquences parasites avec lesquelles se
mélangent le signal de la SkateProbeP A . Nous souhaitons vérifier que ces fréquences sont bien
générées à l’intérieur du transceiver, pour cela nous relevons le rayonnement champ proche sur
une large bande de fréquences en plaçant la sonde au dessus du transceiver.

Figure 5.25 – Protocole des mesures de rayonnement champ proche

Le protocole de mesure est expliqué sur la figure 5.25, nous relevons le spectre au-dessus de
la puce analogique et de la puce numérique sur une large bande de fréquences de 10 MHz à 3
GHz. La plateforme est configurée en mode réception à la fréquence de 2160 MHz.
La figure 5.26 est le spectre relevé au-dessus de la puce numérique lorsque la plateforme est
en mode réception à la fréquence de 2160 MHz. Nous observons bien les harmoniques de Fref =
26 MHz qui est l’horloge de référence de la plateforme. On remarque que le spectre comporte 2
zones d’émission :
– une zone de résonance 10 à 100 MHz assez plate et probablement liée à la capacité sur
puce (1nF) et aux inductances parasites (1nH).
– une autre zone vers le GHz nous constatons une remontée du spectre.
La figure 5.27 est le spectre relevé au niveau de la puce analogique lorsque la plateforme
est en mode réception à la fréquence de 2160 MHz. Nous constatons principalement la présence
de Fref et de ses harmoniques et nous remarquons également un pic à 1728 MHz (fréquence

Céline Dupoux – Université de Toulouse


5.3. ÉTUDE DU COUPLAGE ENTRE UN PA ET UN TRANSCEIVER 83

Figure 5.26 – Spectre relevé à la position 1 au-dessus de la puce numérique

Figure 5.27 – Spectre relevé à la position 2 au-dessus de la puce analogique

responsable du produit d’intermodulation d’ordre 3), cette mesure confirme bien la présence de
cette fréquence au niveau de la puce analogique. Nous avons fait la même mesure de spectre mais
en changeant la fréquence de réception de la plateforme et nous remarquons que cette fréquence
parasite n’est pas fixe.

La figure 5.28 illustre le phénomène observé lorsque la fréquence de réception de la plateforme


est modifiée. Ce signal parasite varie dans un rapport 4/5 par rapport à la fréquence de réception.
Nous en déduisons que ce signal parasite est généré au niveau du bloc de synthèse des fréquences.

Céline Dupoux – Université de Toulouse


CHAPITRE 5. ÉTUDE DES INTERFÉRENCES ÉLECTROMAGNÉTIQUES DANS UNE
84 PLATEFORME DE TÉLÉPHONIE 3G

Figure 5.28 – Spectre relevé pour différentes fréquences de réception

5.4 Modélisation du couplage entre le PA et le transceiver


Nous souhaitons réaliser un modèle du couplage entre le transceiver et le PA, qui nous
permette de reproduire le comportement du transceiver lorsque celui-ci est soumis à l’agression
du PA. Ce modèle nous permettra de mieux comprendre les phénomènes parasites présents dans
la plateforme.

5.4.1 Modélisation du transceiver

Notre but est de réaliser dans un premier temps un modèle du transceiver, cette étude a
fait l’objet d’une présentation orale durant la conférence EMC Compo 09 [77]. Le module étant
complexe nous n’allons pas modéliser l’intégralité du transceiver. Nous devons donc faire un choix
sur la partie que nous supposons sensible, dans notre cas la partie réception. Pour commencer,
nous identifions la fonction réception Rx sur le schéma électrique du module (Figure 5.29 ), nous
trouvons deux entrées différentielles. Les signaux en provenance du LNA arrivent au niveau du
transceiver avec un déphasage de π passent par des composants passifs intégrés dans le boı̂tier
avant d’arriver sur la puce analogique (voir figure 5.30). L’empreinte des composants intégrés
dans le module est du type 0201 (0.6 mm x 0.3 mm), ce qui nous permet d’estimer la longueur
des fils de bonding. En visualisant le module à l’aide du logiciel Allegro, on extrait les longueurs
et largeurs des pistes du chemin Rx à l’intérieur du boı̂tier (figure 5.31). Avec ces dimensions
physiques nous pouvons estimer les grandeurs des inductances, résistances et capacités parasites
que nous allons intégrer dans notre modèle.
Notre modèle doit prendre en compte tout le chemin passif allant des entrées du transceiver à
l’entrée de la puce analogique. Nous remarquons la présence de composants discrets intégrés dans
le boı̂tier du transceiver. Puis nous calculons les éléments parasites du boı̂tier en nous servant
des équations de Delorme [78]. Ces éléments parasites sont dus aux pistes du boı̂tier LGA, aux
bondings ou aux inter-connections. Pour valider notre modèle nous réalisons des mesures de
paramètres S sur les pins d’entrées à l’aide de pointes RF posées directement sur les pins du
transceiver (voir figure 5.32).

Céline Dupoux – Université de Toulouse


5.4. MODÉLISATION DU COUPLAGE ENTRE LE PA ET LE TRANSCEIVER 85

Figure 5.29 – schématique de la fonction RX dans le boı̂tier du transceiver

Figure 5.30 – Chemin des entrées du transceiver : de l’entrée du boı̂tier à la puce

Le boı̂tier du transceiver est de type LGA avec des écarts de 1 mm entre les pins, il nous
faut des pointes dont l’écartement entre la pointe signal et la pointe GND soit de 1 mm. Nous
mesurons l’impédance d’entrée à l’analyseur de réseau jusqu’à 3 GHz (limité par l’analyseur de
réseau). Nous mesurons l’impédance et les paramètres S sur les entrées différentielles UMTS,
pour cela nous mettons sous tension la partie RF du composant afin que notre étage d’entrée
soit alimenté.
Pour faire des mesures de paramètres S et Z en différentiel, nous faisons une mesures classique

Céline Dupoux – Université de Toulouse


CHAPITRE 5. ÉTUDE DES INTERFÉRENCES ÉLECTROMAGNÉTIQUES DANS UNE
86 PLATEFORME DE TÉLÉPHONIE 3G

Figure 5.31 – Vue layout du chemin des entrées du transceiver : de l’entrée du boı̂tier à la puce

Figure 5.32 – Mesure sous pointes du transceiver

Figure 5.33 – Configuration de la mesure de paramètres S en mode différentiel

de paramètres S, puis nous faisons l’extraction du coefficient de réflexion différentiel à l’aide de


la formule suivante. La configuration de la mesure de paramètres S est illustré sur la figure 5.33.

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5.4. MODÉLISATION DU COUPLAGE ENTRE LE PA ET LE TRANSCEIVER 87

(2S11 − S21 )(1 − S22 − S12 ) + (1 − S11 − S21 )(1 + S22 − 2S12 )
Γ= (5.1)
(2 − S21 )(1 − S22 − S12 ) + (1 − S11 − S21 )(1 + S22 )
De plus, notre but étant de valider un modèle CEM, il n’est pas nécessaire d’extraire les pa-
ramètres S mixtes qui caractérisent le mode différentiel (Sddij ), le mode commun (Sccij ), la
conversion du mode différentiel vers le mode commun (Scdij ) et la conversion du mode commun
vers le mode différentiel (Sdcij ). Nous ne souhaitons pas caractériser précisément les entrées de
notre composant, c’est pour cela qu’une simple mesure de paramètres S nous suffit pour valider
notre modèle.

Figure 5.34 – Mesure de la fonction Rx du transceiver

La figure 5.34 présente le modèle du transceiver, réalisé sous le logiciel ADS, avec les éléments
parasites présents dans le boı̂tier ainsi que les composants passifs intégrés. Ce modèle comprend
deux entrées différentielles, représentées sur le modèle par les ports.

Figure 5.35 – Comparaison entre la mesure et la simulation des impédances d’entrées du trans-
ceiver

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CHAPITRE 5. ÉTUDE DES INTERFÉRENCES ÉLECTROMAGNÉTIQUES DANS UNE
88 PLATEFORME DE TÉLÉPHONIE 3G
La figure 5.35 présente les comparaisons entre la mesure et la simulation d’impédances d’en-
trées du transceiver. Nous obtenons une très bonne corrélation de notre modèle principalement
autour de 2 GHz qui est la bande de réception de la plateforme. Ceci permet de valider le modèle
d’impédance du transceiver.

5.4.2 Modélisation de la SkateProbeP A

Afin de réaliser le modèle de couplage, il nous faut également un modèle électrique de la


SkateProbeP A puisque c’est elle qui a perturbé le circuit. Nous modélisons la SkateProbeP A en
calculant les éléments électriques équivalents. Ces éléments peuvent également être obtenus à
partir du modèle électromagnétique. Le modèle de la sonde est simplement une inductance série
découpée en deux éléments et une capacité parallèle, la figure 5.36 décrit le modèle électrique de
la SkateProbeP A .

Figure 5.36 – Modèle électrique de la SkateProbeP A

Le tableau 5.2 décrit les éléments du modèle de la SkateProbeP A .

Composant Description Valeur


LSKP 1 Demi-valeur de l’induc- 750 pH
tance équivalente de la
SkateProbeP A
LSKP 2 Demi-valeur de l’induc- 750 pH
tance équivalente de la
SkateProbeP A
CSKP Capacité équivalente de la 0.6 pF
SkateProbeP A
Rch Résistance de la charge 50 Ω
Rg Résistance interne du généra- 50 Ω
teur de signal
Vg Générateur de signal RF -

Tableau 5.2 – Description des éléments du modèle de l’amplificateur de puissance

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5.4. MODÉLISATION DU COUPLAGE ENTRE LE PA ET LE TRANSCEIVER 89

5.4.3 Modélisation du couplage

Nous réalisons maintenant le modèle du couplage entre la SkateprobeP A et le transceiver. Il


faut tout d’abord évaluer le couplage, pour cela nous simplifions la structure du tranceiver afin
de faciliter les calculs de couplage. La figure 5.37 illustre le couplage entre le transceiver et la
SkateProbeP A .

Figure 5.37 – Coupage entre la SkateProbeP A et le transceiver

L’évaluation du couplage se fait au cas par cas entre chaque piste/bonding de la zone considé-
rée et la SkateProbeP A . Parmi ces pistes et bondings, certains sont privilégiés car leur orientation
permet un meilleur couplage. Nous utilisons également les formulations de Delorme pour évaluer
le couplage. Nous calculons un couplage inductif de 0.1 entre la SkateProbeP A et le transceiver
qui apparait sous forme du coefficient K. Puis une capacité de couplage de 0.1 pF CcP et CcM
dans le modèle. Nous remarquons que c’est le couplage magnétique entre les fils de bonding de
la puce analogique et la SkateProbeP A qui est prédominant.
Pour simuler le comportement du transceiver vis-à-vis de l’agression de la SkateProbeP A ,
le modèle passif des entrées du transceiver précédemment construit n’est pas suffisant car il ne
reproduit pas les effets non linéaires observés en mesure. Il est nécessaire de le compléter afin
de reproduire son comportement non-linéaire, nous modélisons l’intérieur du transceiver par un
mélangeur à diode simple.

Figure 5.38 – Modèle électrique de la fonction réception du tranceiver

La diode nous permet de reproduire les effets non-linéaires observés sur la transceiver. De
plus, la première fonction sur la chaine de réception est l’étage de mixage des signaux qui est

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CHAPITRE 5. ÉTUDE DES INTERFÉRENCES ÉLECTROMAGNÉTIQUES DANS UNE
90 PLATEFORME DE TÉLÉPHONIE 3G
très fortement non-linéaire. Nous choisissons donc de modéliser le comportement parasite de cet
étage par un mélangeur à diode. Une fois le mélangeur ajouté au modèle du transceiver, nous
vérifions bien que le profil d’impédance est toujours correct.

Figure 5.39 – Niveaux de puissance des signaux à l’entrée du transceiver

La figure 5.39 explique le calcul de la valeur du signal utile à l’entrée du transceiver à intégrer
dans notre modèle. Nous couplons le modèle de la SkateProbeP A avec le modèle du transceiver,
en réalisant un couplage par mutuelle inductance entre les fils de bonding et la piste de la
SkateProbeP A et un couplage capacitif. La figure 5.40 présente le modèle complet incluant la
SkateProbeP A , le transceiver ainsi que le couplage.

Figure 5.40 – Modèle du couplage entre la SkateProbeP A et le transceiver

La puissance du générateur de signal utile de notre modèle est de -91.7 dBm. La puissance
du générateur de signal du modèle de la SkateProbeP A est identique à la mesure, c’est-à-dire
20 dBm. La valeur de la puissance des signaux parasites internes au transceiver est difficile

Céline Dupoux – Université de Toulouse


5.4. MODÉLISATION DU COUPLAGE ENTRE LE PA ET LE TRANSCEIVER 91

à connaitre. Par conséquent elle est fixée approximativement à partir des mesures de spectres
champ proche et du résultat de la simulation. Ce modèle reproduit bien les mélanges de fré-
quences entre la SkateProbeP A et le transceiver. La figure 5.41 présente le résultat obtenu pour
le mélange entre l’harmonique 9 de Fref et le signal d’émission. Ce résultat correspond bien
au phénomène observé lors de nos mesures. Notre modèle reproduit également le mélange avec
l’harmonique 7 de Fref .

Figure 5.41 – Résultat de la simulation du mélange entre l’hamonique 9 du 26 MHz et la


fréquence d’émission

Nous vérifions que notre modèle reproduit correctement le produit d’intermodualtion d’ordre
3, la figure 5.42 illustre le résultat obtenu.

Figure 5.42 – Résultat de la simulation du mélange entre le signal parasite et la fréquence


d’émission

Ce modèle permet de reproduire le comportement non linéaire de la fonction réception du


transceiver en présence d’une perturbation rayonnée du PA. Ces travaux ont fait l’objet d’une
publication dans la revue REE [79].

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CHAPITRE 5. ÉTUDE DES INTERFÉRENCES ÉLECTROMAGNÉTIQUES DANS UNE
92 PLATEFORME DE TÉLÉPHONIE 3G
5.5 Conclusion
Ce chapitre a illustré l’application de la méthode d’étude des interférences sur l’analyse ex-
périmentale des couplages dans une plateforme de téléphonie mobile. Nous avons montré que le
rapprochement du transceiver et du PA présente des risques de dégradations des performances
de la plateforme lorsque le PA est placé à coté de la partie analogique du transceiver. L’utili-
sation de la SkateProbeP A a permis d’identifier les positions les plus défavorables du PA. Nous
avons également validé le concept de la SkateProbeP A et mis en place une méthode de mesure
innovante, qui est facilement réalisable pour des circuits équipant une plateforme. La seconde
partie a présenté la modélisation du couplage entre la SkateProbeP A et les entrées de la chaı̂ne
de réception du transceiver 3G. Le modèle réalisé reproduit bien les phénomènes non linéaires
parasites observés lors des mesures.

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Chapitre 6
Étude de l’auto-compatibilité
électromagnétique d’un circuit intégré radio
fréquence

93
CHAPITRE 6. ÉTUDE DE L’AUTO-COMPATIBILITÉ ÉLECTROMAGNÉTIQUE D’UN
94 CIRCUIT INTÉGRÉ RADIO FRÉQUENCE
Ce chapitre présente l’étude des interférences électromagnétiques sur un circuit RF fonction-
nant sur une bande ISM. La méthodologie présentée au chapitre 4 va être appliquée à ce circuit
en vue d’insérer cette méthodologie dans le flot de conception des circuits. Puis un modèle du
rayonnement champ proche de ce circuit sera présenté.

6.1 Description du circuit

Le circuit qui concerne cette étude est un émetteur-récepteur fonctionnant aux fréquences
de 315 MHz et de 434 MHz. Ce circuit intègre sur une même puce un transceiver UHF et un
cœur numérique, réalisé en technologie CMOS 0,25 µm. Il est dédié à une application médicale
pour être intégré dans un système de pompe à insuline sans fil. La figure 6.1 est une vue interne
du circuit dans son boı̂tier.

Figure 6.1 – Vue interne du transceiver

6.2 Étude des interférences couplées sur le bloc VCO

Cette partie est consacrée à l’étude des interférences pouvant être couplées sur une fonction
VCO dans un transceiver RF. En effet, le VCO est une fonction analogique fortement sensible
aux perturbations [34]. Nous appliquons la méthode développée dans le chapitre 4, la figure 6.2
présente les principales étapes de cette étude.
La première étape va consister à identifier les blocs potentiellement victimes ou agresseurs du
circuit. Ensuite des simulations électromagnétiques entre les blocs victimes et agresseurs vont être
réalisées afin d’évaluer le couplage entre ces blocs. Puis un modèle équivalent de couplage entre
ces blocs sera construit. En suivant nous intégrerons ce modèle sous une simulation Cadence
afin de connaı̂tre l’impact du couplage. Enfin une analyse du couplage sera faite dans le but

Céline Dupoux – Université de Toulouse


6.2. ÉTUDE DES INTERFÉRENCES COUPLÉES SUR LE BLOC VCO 95

Figure 6.2 – Description de la méthode appliquée à l’étude des interférences sur le transceiver

de connaı̂tre les effets indésirables induits par le couplage. Nous allons décrire ces étapes aux
sections suivantes.

6.2.1 Identification des potentiels agresseurs et victimes

Pour l’étude des interférences électromagnétiques, nous réalisons une étude approfondie du
layout du transceiver. Nous nous sommes également basés sur les expériences des équipes de
conception afin de connaı̂tre les problèmes déjà rencontrés sur les produits précédents.
La génération de fréquence est un élément clé dans les architectures de circuits électroniques
de télécommunication. Pour ces systèmes, les signaux à transporter passent par des modulateurs
et des démodulateurs permettant de déplacer le spectre du signal contenant l’information de
la bande de base vers la bande de fréquence RF requise entre l’émetteur et le récepteur. Ces
opérations de transposition en fréquence sont réalisées notamment grâce à l’utilisation d’oscil-
lateurs, qui définissent la fréquence du canal RF utilisé par le système. Ces oscillateurs sont
généralement accordables de manière à pouvoir changer de canal RF. Ils doivent fournir une
valeur de fréquence précise et sont donc intégrés au sein de boucles à verrouillage de phase.
Les oscillateurs à fréquence variable, plus connus sous le nom d’oscillateurs contrôlés en tension
(VCO) sont essentiellement destinés à la synthèse de fréquence. Ils se retrouvent donc insérés
dans une boucle à verrouillage de phase. Lorsque ces oscillateurs sont intégrés, les résonateurs
utilisés sont généralement de type LC avec une inductance fixe et un varactor (capacité accor-
dable variable). En effet, le layout comporte une inductance intégrée dans le bloc du VCO, qui
de par sa géométrie est une excellente antenne. Cependant nous estimons qu’elle serait plus
une victime car la fonction VCO est une fonction particulièrement sensible, le moindre bruit

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CHAPITRE 6. ÉTUDE DE L’AUTO-COMPATIBILITÉ ÉLECTROMAGNÉTIQUE D’UN
96 CIRCUIT INTÉGRÉ RADIO FRÉQUENCE
injecté dans le VCO pourrait induire des perturbations de type spurious sur le signal d’émission
Tx ou un décalage en fréquence du signal d’émission. Nous recensons les signaux qui passent à
proximité de l’inductance afin d’évaluer les plus agressifs pour le VCO.

Figure 6.3 – Layout de la partie Tx du transceiver

La figure 6.3 est le layout de la partie Tx du transceiver, nous étudions les perturbateurs
présents autour de l’inductance. Nous remarquons le bus numérique qui passe à proximité de
l’inductance sur le bas, puis les rails d’alimentation, en particulier celui de l’alimentation du bloc
numérique du diviseur inclus dans la boucle à verrouillage de phase. Nous observons également les
étages de puissances RF qui se trouvent proches du VCO. L’analyse de l’arbre des alimentations
de la partie RF nous permet d’émettre des hypothèses sur les alimentations susceptibles de
provoquer des perturbations. La figure 6.4 illustre l’arbre d’alimentation de la partie RF du
transceiver.
Nous distinguons deux réseaux d’alimentations, l’un pour les blocs analogiques, l’autre pour
les blocs numériques. Nous identifions le rail d’alimentation du diviseur numérique (bloc numé-
rique de la PLL), qui passe à proximité de l’inductance. Pour les alimentations des amplificateurs
de puissance, elles ne sont pas routées proches de l’inductance.

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6.2. ÉTUDE DES INTERFÉRENCES COUPLÉES SUR LE BLOC VCO 97

Figure 6.4 – Distribution des alimentations de la partie RF du transceiver

6.2.1.1 Cartographie d’émission champ proche

Afin d’essayer de valider les hypothèses que nous avons émises, nous réalisons des carto-
graphies d’émission champ proche aux fréquences de fonctionnement du circuit, ainsi que des
mesures de relevé de spectre au-dessus des blocs supposés sensibles ou agresseurs. Les résultats
de ces mesures champ proche sont présentés dans la section 6.3.1. Ces mesures ne donnent pas
d’informations supplémentaires sur les couplages parasites au niveau du silicium. De plus les
mesures de caractérisation du transceiver n’ont pas montré de dégradation des performances
RF.

6.2.2 Étude des agresseurs

Pour l’étude des agresseurs, nous étudions les fonctions proches du VCO pouvant induire des
perturbations. La figure 6.5 est le schéma bloc de la PLL, elle comporte un diviseur numérique.
Nous pensons que ce bloc pourrait induire des perturbations rayonnées qui pourraient se coupler
sur la self du VCO.
En effet nous observons que les bus numériques de ce bloc passe à proximité de l’inductance
ainsi que son rail d’alimentation. Les valeurs des courants de consommation ont été extrait
par simulation. Pour compléter cette étude, des mesures de spectre au-dessus du VCO ont
été réalisées dans le but d’analyser les signaux présents au niveau de l’inductance. La figure
6.6 est le spectre relevé au-dessus de l’inductance du VCO, ce spectre ne donne pas vraiment
d’information sur l’agresseur. En effet le bus numérique est cadencé à la fréquence Fbus de 13

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CHAPITRE 6. ÉTUDE DE L’AUTO-COMPATIBILITÉ ÉLECTROMAGNÉTIQUE D’UN
98 CIRCUIT INTÉGRÉ RADIO FRÉQUENCE

Figure 6.5 – Schéma bloc de la PLL

MHz, qui n’apparait pas sur le spectre. Ceci peut être expliqué par la faible sensibilité de la
sonde à la fréquence de 13 MHz, nous sommes au niveau du plancher de bruit de l’analyseur de
spectre. Nous observons sur le spectre la fréquence de référence du circuit Fref = 26M Hz et ses
harmoniques. Comme le circuit est en mode émission, nous voyons bien la présence du signal à
FT X = 434M Hz, puis la fréquence d’oscillation du VCO FV CO = 1735M Hz qui est présente
sur le spectre. Cette mesure ne permet pas d’avoir plus d’information sur le potentiel agresseur.

Figure 6.6 – Spectre relevé au-dessus de l’inductance VCO

Des relevés de spectre ont également été effectués au-dessus des blocs potentiellement agres-
seurs comme au-dessus de l’amplificateur de puissance ou de l’entrée du signal d’horloge. Ces
mesures n’ont pas permis de mieux identifier le bloc agresseur.

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6.2. ÉTUDE DES INTERFÉRENCES COUPLÉES SUR LE BLOC VCO 99

6.2.3 Évaluation du couplage entre la self du VCO et les pistes proches

Nous souhaitons connaitre le couplage entre l’inductance et les pistes environnantes. Dans
notre hypothèse, le diviseur numérique de la boucle à verrouillage de phase est supposé agresseur
donc nous analysons les pistes de ce bloc qui passent à proximité de l’inductance. Nous avons
identifié deux types de pistes susceptibles d’induire des perturbations dans le VCO (figure 6.7) :
– le bus numérique du diviseur
– le rail d’alimentation du diviseur.
Par expérience, nous savons que les pistes d’alimentations des blocs numériques sont très agres-
sives pour les blocs autour. Les transistors des blocs en commutant créent des appels de courants
sur l’alimentation.

Figure 6.7 – Dispositif de simulation du couplage entre l’inductance et le rail d’alimentation


avec le layout de la partie RF

Nous réalisons une importation de la partie RF de notre layout auparavant simplifié sous le
logiciel de simulation électromagnétique ADS-Momentum (figure 6.7). Les simplifications réali-
sées sur le layout sont illustrées sur la figure 6.8, elles permettent d’éviter le maillage trop fin
de certaines structures comme par exemple les vias et de réduire considérablement le temps de

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CHAPITRE 6. ÉTUDE DE L’AUTO-COMPATIBILITÉ ÉLECTROMAGNÉTIQUE D’UN
100 CIRCUIT INTÉGRÉ RADIO FRÉQUENCE
calcul. La première étape est le paramétrage de la simulation en définissant l’empilement des

Figure 6.8 – Exemples de structures simplifiées

niveaux de métaux, le placement des ports de mesure. La simulation du layout de la partie RF


nécessite un temps de 10 heures par fréquence sachant que cette simulation nécessite plusieurs
fréquences de calcul. La simulation du layout entier serait trop longue, elle nécessiterait plusieurs
jours de simulation. Pour réduire ce temps de simulation, il faut identifier les structures intéres-
santes pour l’étude des couplages et ne réaliser la simulation qu’avec ces structures. Lorsque le
layout est simplifié (figure 6.9), le temps de simulation est descendu à 10 minutes par fréquence
et la simulation est réalisée en un temps de 100 minutes, ce qui est plus acceptable.

Figure 6.9 – Dispositif de simulation du couplage entre l’inductance et le bus numérique (droite)
et le rail d’alimentation (gauche)

Nous obtenons des paramètres S comme résultats de nos simulations. Le logiciel ADS-
Momentum utilisé ne permet pas de simuler le rayonnement champ proche des structures.

6.2.3.1 Construction d’un modèle équivalent de couplage

Les simulations électromagnétiques donnent des résultats de paramètres S, à partir desquels


nous construisons un modèle équivalent à base de sources contrôlées. Ces sources nous permettent
de reproduire le couplage capacitif et inductif. Le calcul des éléments parasites (R,L,C) des pistes
de métal et de l’inductance est réalisé à l’aide des formulations de Delorme [78], les dimensions
géométriques sont extraites à partir du layout. La figure 6.10 est le schéma équivalent de couplage
entre l’inductance du VCO et le rail d’alimentation se trouvant à proximité. Il en résulte un
couplage de 10 % entre le rail d’alimentation et l’inductance et un couplage de 5 % entre le

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6.2. ÉTUDE DES INTERFÉRENCES COUPLÉES SUR LE BLOC VCO 101

Figure 6.10 – Schéma équivalent du couplage entre l’inductance du VCO et le rail d’alimentation

bus numérique et l’inductance. De plus, nous pensons que le rail d’alimentation du diviseur
numérique rayonne des signaux plus agressifs. Afin de valider ce modèle nous réalisons une
simulation de paramètres S du modèle équivalent que nous comparons avec les résultats de la
simulation électromagnétique.

Figure 6.11 – Comparaison entre les résultats de la simulation EM et le modèle équivalent

La figure 6.11 est le résultat de la comparaison entre la simulation électromagnétique et


le modèle équivalent pour les paramètres S11 et S22 . Nous notons une bonne corrélation entre
les deux simulations, ce qui nous permet de valider le modèle au niveau des paramètres de
réflexion. La figure 6.12 est la comparaison entre les deux simulations pour les paramètres de
transmission, ici le couplage entre les deux structures. Nous observons une bonne corrélation
entre les résultats. Ces résultats nous permettent de valider notre modèle tant au niveau du
couplage que des impédances d’entrées. La limitation de ce modèle est que nous n’avons pas la
possibilité de le valider avec des mesures de paramètres S, nous ne pouvons le valider qu’avec

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CHAPITRE 6. ÉTUDE DE L’AUTO-COMPATIBILITÉ ÉLECTROMAGNÉTIQUE D’UN
102 CIRCUIT INTÉGRÉ RADIO FRÉQUENCE

Figure 6.12 – Comparaison entre les résultats de la simulation EM et le modèle équivalent

les simulation électromagnétiques.

6.2.4 Évaluation des performances du circuit en intégrant les couplages pa-


rasites

Un fois le modèle de couplage validé, nous insérons ce modèle dans une simulation du VCO
faite par les designers sous le logiciel Cadence. Il y a deux types de simulation permettant de
visualiser le spectre large bande du VCO mais il faut une résolution suffisante pour l’étude
proche porteuse :
– une simulation transitoire suivie d’une FFT (Fast Fourier Transform)
– une simulation Harmonic Balance

6.2.4.1 Simulation transitoire

La figure 6.13 est le set-up de la simulation transitoire du VCO avec les modèles du bus
numérique et du rail d’alimentation du bloc numérique. Nous réalisons une simulation transitoire
puis nous faisons une FFT du signal de sortie du VCO.
Nous n’avons pas inséré les couplages sur la schématique afin de ne pas modifier le schéma du
VCO. Nous avons choisi de gérer les couplages par des sources de courant contrôlées en courant
disponible sur un outil interne qui permet de configurer les paramètres de simulation (Descover).
Nous choisissons cette option afin de rendre notre méthode plus facilement applicable au sein
d’une équipe de design. Le simulateur choisi est un outil interne développé au sein de Freescale,
il est utilisé par les designers, il est adapté pour les simulations des circuits fabriqués à Freescale.
Les résultats de la simulation sont assez difficiles à obtenir car cette simulation est très longue
et nous n’arrivons pas à atteindre un état d’équilibre (steady state), ce qui complique le calcul
de la FFT et le rend incertain. La figure 6.14 présente les résultats obtenus, nous observons une
remontée de bruit autour de la porteuse.
Nous n’arrivons pas à avoir une précision suffisante pour observer les phénomènes proche
porteuse (quelques MHz autour de la porteuse), la largeur de la raie de la porteuse est trop large
pour pouvoir observer des raies parasites proches porteuse. De plus il est difficile de conclure sur

Céline Dupoux – Université de Toulouse


6.2. ÉTUDE DES INTERFÉRENCES COUPLÉES SUR LE BLOC VCO 103

Figure 6.13 – Simulation Cadence du VCO avec modèle du bus numérique et du rail d’alimen-
tation

Figure 6.14 – Résultats de la simulation

un effet du couplage car on ne peut pas savoir si les raies parasites sont simplement superposées
au spectre du VCO ou si il se produit un mélange ou autre effet entre les raies parasites et le
spectre du VCO. Afin de mieux pouvoir analyser les couplages, nous essayons de refaire cette
simulation en Harmonic Balance, qui nous permettrait de mieux voir les effets entre les deux
signaux. Seulement si l’on garde le bloc VCO en l’état, il n’est pas possible de réaliser une
simulation HB car elle ne converge pas.

6.2.4.2 Simulation Harmonic Balance

La simulation HB permet de faire une simulation en définissant les fréquences et leurs har-
moniques présentes dans le circuit. Pour cette simulation nous n’avons étudié que le couplage
entre le rail d’alimentation et le VCO car c’est celui qui semble être le plus agressif pour le VCO
et qui présente le plus de couplage. La figure 6.15 présente les résultats de la simulation HB avec

Céline Dupoux – Université de Toulouse


CHAPITRE 6. ÉTUDE DE L’AUTO-COMPATIBILITÉ ÉLECTROMAGNÉTIQUE D’UN
104 CIRCUIT INTÉGRÉ RADIO FRÉQUENCE
observation des signaux présents à 26 MHz (Fref ) de la porteuse. Nous observons que pour un
couplage de 10 % le signal parasite à (Fref ) est à 32 dBc, ce qui est correct. Mais lorsque nous
augmentons le couplage à 20 %, nous remarquons que le signal parasite à (Fref ) est à 26 dBc,
ce qui devient critique pour les performances RF du circuit.

Figure 6.15 – Résultats de la simulation HB couplage VCO et alimentation

6.2.5 Analyse des couplages

L’analyse de la simulation transitoire laisse penser qu’il n’y a pas de conséquence sur les
performances du circuit ce qui a été confirmé lors des phases de caractérisation et de validation
du circuit. Il est donc difficile d’obtenir une analyse claire.
L’analyse Harmonic Balance nous donne des informations plus précises sur les phénomènes
proche porteuse, en effet avec un couplage de 10 %, nous constatons que le circuit respecte
les spécifications (≥ 30dBc). Mais en augmentant la valeur du couplage nous remarquons que
nous sommes proches d’avoir des dégradations des performances RF du circuit dues au couplage
parasite entre l’inductance du VCO et le rail d’alimentation du bloc numérique.

6.3 Modélisation de l’émission champ proche


Cette partie est consacrée à la modélisation de l’émission champ proche du transceiver.
Cette modélisation est réalisée à l’aide du logiciel IC-EMC et permet d’analyser les mesures de
cartographies champ proche.

Céline Dupoux – Université de Toulouse


6.3. MODÉLISATION DE L’ÉMISSION CHAMP PROCHE 105

6.3.1 Mesures champ proche

Les mesures de cartographie champ proche sont réalisées lorsque le transceiver est en mode
émission à la fréquence de 434 MHz, la puissance émise par le transceiver est de 13 dBm. Ainsi
nous observons les cartographies du circuit aux fréquences d’intérêts susceptibles d’induire des
interférences :
– 26 MHz (Fref ), fréquence de l’horloge de référence du transceiver
– 434 MHz (FT X ), fréquence d’émission du transceiver
– 1735 MHz (FV CO ), fréquence de fonctionnement du VCO
L’altitude de la sonde est fixée à 500 µm au-dessus du boı̂tier du circuit et nous fixons un pas
de déplacement de la sonde de 200 µm selon l’axe x et l’axe y.

Figure 6.16 – Cartographie du transceiver à la fréquence 26 MHz

La figure 6.16 est une cartographie du transceiver à la fréquence de 26 MHz, signal d’horloge
de référence du circuit. Nous observons des zones de champ émis au niveau des bondings de
l’entrée du XCO, cette cartographie ne présente pas de zone d’émission suspecte.

Figure 6.17 – Cartographie du transceiver à la fréquence 434 MHz

Céline Dupoux – Université de Toulouse


CHAPITRE 6. ÉTUDE DE L’AUTO-COMPATIBILITÉ ÉLECTROMAGNÉTIQUE D’UN
106 CIRCUIT INTÉGRÉ RADIO FRÉQUENCE
La figure 6.17 est la cartographie du transceiver à la fréquence de 434 MHz, fréquence d’émis-
sion du circuit. La principale zone d’émission se trouve au dessus des éléments du boı̂tier au
niveau de la sortie de l’amplificateur de puissance du transceiver.

Figure 6.18 – Cartographie du transceiver à la fréquence 1735 MHz

La figure 6.18 est la cartographie du transceiver à la fréquence de 1735 MHz, fréquence de


fonctionnement du bloc VCO. Nous constatons une zone d’émission forte au dessus de l’induc-
tance du VCO, ce qui est une émission normale.
La figure 6.19 est un récapitulatif des zones d’émission, nous observons que les émissions sont
principalement dues aux éléments du boı̂tier (lead + bonding) ainsi qu’à l’inductance intégrée.
Il nous faut donc réaliser un modèle électrique qui tient compte des éléments du boı̂tier.

6.3.2 Construction du modèle IBIS

Dans le but de modéliser le circuit, la première étape consiste à construire son modèle IBIS
en ajoutant des éléments de dimensionnement physique du boı̂tier et de la puce qui permettent
de faire la reconstruction 3D du boı̂tier du circuit avec IC-EMC. Grâce à cet outil nous avons
la possibilité de visualiser le boı̂tier avec les fils de bonding et la puce et de pouvoir affecter des
inductances rayonnantes aux fils de bondings. La figure 6.20 présente le fichier IBIS du transceiver
avec l’ajout des mots clés correspondant aux caractéristiques géométriques du boı̂tier.
La figure 6.21 gauche est la reconstruction du boı̂tier avec la puce et les fils de bondings
à partir du fichier IBIS. Le logiciel répartit les fils de bondings de façon uniforme autour de
la puce. La figure 6.21 droite est une photo prise au-dessus du circuit avec le boı̂tier ouvert et
nous constatons que les fils de bondings ne sont pas répartis uniformément autour de la puce.
Ce qui induit dans notre reconstruction une erreur sur la longueur et l’orientation des fils de
bondings, cependant cette erreur est faible par rapport à la longueur totale des fils de bondings.
Un ajustement peut être fait manuellement d’après les coordonnées géométriques proposées par
défaut.

Céline Dupoux – Université de Toulouse


6.3. MODÉLISATION DE L’ÉMISSION CHAMP PROCHE 107

Figure 6.19 – Identification des zones provoquant le rayonnement du transceiver aux fréquences
d’intérêts

6.3.3 Construction du modèle d’émission

Maintenant que nous avons reconstruit le boı̂tier du transceiver, nous pouvons commencer à
construire notre modèle d’émission rayonnée. Pour cela, nous repérons le placement des fonctions
identifiées lors des mesures champ proche. Dans un premier temps nous réalisons un modèle
d’émission rayonnée pour chaque fonction, sans les relier les unes aux autres. La figure 6.22
représente le modèle d’émission rayonnée.
Le modèle est constitué d’inductances rayonnantes, dans le cas du modèle du PA, les induc-
tances représentent les éléments du boı̂tier et dans le cas du VCO les 4 inductances modélisent
l’inductance du VCO. Les valeurs des inductances sont extraites à partir de leurs caractéristiques
géométriques (longueur bonding, diamètre bonding, hauteur par rapport au plan de masse...).
La définition des sources d’excitation est extraite, dans un premier temps, à partir des me-
sures de cartographie champ proche. En effet, nous définissons les amplitudes et les formes
d’ondes par interprétation des mesures champ proche.
La figure 6.23 présente le modèle d’émission du XCO en illustrant l’affectation des induc-
tances rayonnantes aux fils de bonding du boı̂tier. La figure 6.24 présente les inductances affec-
tées dans notre modèle complet d’émission champ proche. Nous retrouvons bien les inductances

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CHAPITRE 6. ÉTUDE DE L’AUTO-COMPATIBILITÉ ÉLECTROMAGNÉTIQUE D’UN
108 CIRCUIT INTÉGRÉ RADIO FRÉQUENCE

Figure 6.20 – Fichier IBIS du transceiver

Figure 6.21 – Reconstruction à partie du fichier IBIS sous IC-EMC (gauche) Photo du circuit
avec boı̂tier ouvert (droite)

définies dans le modèle que nous avons placées au niveau de la puce ou du boı̂tier.

6.3.4 Validation du modèle

Afin de valider notre modèle, nous réalisons des simulations des blocs modélisés qui nous
donnent l’amplitude et la forme d’onde des courants traversant les inductances. Nous pouvons
ainsi améliorer notre modèle en ajustant les caractéristiques de nos sources d’excitation.
La figure 6.25 est la comparaison entre la mesure et la simulation des cartographies champ

Céline Dupoux – Université de Toulouse


6.3. MODÉLISATION DE L’ÉMISSION CHAMP PROCHE 109

Figure 6.22 – Modèle de chaque fonction du transceiver sous IC-EMC

Figure 6.23 – Modèle des entrées du XCO correspondant à la connexion entre le quartz externe
et l’oscillateur interne

proche à la fréquence de 26 MHz. Notre modèle reproduit correctement les zones d’émission
principales.
Cependant nous constatons une bonne corrélation des résultats sur les zones d’émission

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CHAPITRE 6. ÉTUDE DE L’AUTO-COMPATIBILITÉ ÉLECTROMAGNÉTIQUE D’UN
110 CIRCUIT INTÉGRÉ RADIO FRÉQUENCE

Figure 6.24 – Affectation des inductances rayonnantes aux trois structures considérées : oscil-
lateur, VCO et amplificateur de puissance

Figure 6.25 – Comparaison entre la mesure et la simulation du rayonnement champ proche du


transceiver à la fréquence de 26 MHz

principales, seulement notre modèle ne reproduit pas les zones d’émission secondaires observées
sur les cartographies. Le tableau 6.1 donne les comparaisons entre les niveaux maximums des

Céline Dupoux – Université de Toulouse


6.3. MODÉLISATION DE L’ÉMISSION CHAMP PROCHE 111

Figure 6.26 – Comparaison entre la mesure et la simulation du rayonnement champ proche du


transceiver à la fréquence de 434 MHz

Figure 6.27 – Comparaison entre la mesure et la simulation du rayonnement champ proche du


transceiver à la fréquence de 1735 MHz

champs émis entre la mesure et la simulation. Nous constatons que les écarts entre les mesures
et les simulations sont inférieurs à 10 dB pour les zones principales d’émission.

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CHAPITRE 6. ÉTUDE DE L’AUTO-COMPATIBILITÉ ÉLECTROMAGNÉTIQUE D’UN
112 CIRCUIT INTÉGRÉ RADIO FRÉQUENCE
Fréquence Fref 26 MHz FT X 434 MHz FV CO 1735 MHz
Hx simulé (dBA/m) -37 -9,8 -25
Hx mesuré (dBA/m) -37 -6,2 -31,4
Écart (dB) 0 3,6 6,4
Hy simulé (dBA/m) -34,5 -13,5 -23
Hy mesuré (dBA/m) -37 -4,4 -30
Écart (dB) 2,5 9,1 7
Hz simulé (dBA/m) -36,9 -9,6 -21
Hz mesuré (dBA/m) -31,6 -1,7 -27
Écart (dB) 5,3 7,9 6

Tableau 6.1 – Comparaison des maximums pour chaque fréquences entre la mesure et la simu-
lation

6.3.5 Amélioration du modèle

Dans le but de reproduire les zones d’émission secondaires, nous ajoutons à notre modèle des
couplages entre les alimentations et les différents blocs. Comme nous n’avons pas d’information
précise sur la nature du couplage nous supposons que c’est un couplage de type substrat que
nous modélisons par des résistances entre les différents blocs du circuit. Le modèle est présenté
sur la figure 6.28, il comporte les alimentations voisines de notre zone d’intérêt comme par
exemple les alimentations du bloc numérique ainsi que les alimentations de blocs RF. Les broches
correspondantes sont les alimentations du bloc numérique et les alimentations RF.
Les résultats des simulations pour les fréquences de cartographie à 26 MHz et à 1735 MHz
donnent les mêmes résultats qu’auparavant (figure 6.29). Nous observons une zone d’émission à
26 MHz au dessus des bondings du PA que nous ne constatons pas en mesure. Nous pensons qu’il
y aurait un défaut dans notre source d’activité interne du PA à 434 MHz qui contiendrait trop
de composante à 26 MHz. La figure 6.30 est la comparaison entre les mesures de cartographie
champ proche et les simulations à la fréquence 434 MHz. Nous observons une amélioration
pour les zones d’émission secondaires, notre modèle reproduit mieux l’émission champ proche.
En effet, il apparait que le bonding d’alimentation du cœur numérique contient du signal à 434
MHz induit par couplage. Ainsi que les alimentations des blocs RF contiennent un signal parasite
à 434 MHz. Il est donc nécessaire de tenir compte des couplages parasites (conduits ou rayonnés)
pour construire un modèle réaliste de l’émission champ proche du circuit.
La modélisation de l’émission champ proche du transceiver permet de mieux connaitre le
comportement de notre circuit afin d’émettre des hypothèses de couplage entre blocs. Si nous
n’avions pas voulu reproduire cette émission, nous n’aurions jamais trouvé que l’alimentation du
bloc numérique contenait un signal à 434 MHz. Malgré le fait d’être placés dans des conditions
où nous ne disposons pas de beaucoup d’informations au sujet du circuit nous avons pu avancer
l’hypothèse d’un couplage substrat entre blocs supposés non connectés. Notre conclusion est
une information importante pour les concepteurs qui pourront corriger cela sur les nouveaux
produits ou pour leur donner une piste d’investigation.

Céline Dupoux – Université de Toulouse


6.3. MODÉLISATION DE L’ÉMISSION CHAMP PROCHE 113

Figure 6.28 – Modèle du transceiver avec couplage substrat

Figure 6.29 – Comparaison entre la mesure et la simulation du rayonnement champ proche du


transceiver

Céline Dupoux – Université de Toulouse


CHAPITRE 6. ÉTUDE DE L’AUTO-COMPATIBILITÉ ÉLECTROMAGNÉTIQUE D’UN
114 CIRCUIT INTÉGRÉ RADIO FRÉQUENCE

Figure 6.30 – Comparaison entre la mesure et la simulation du rayonnement champ proche du


transceiver à la fréquence de 434 MHz

Céline Dupoux – Université de Toulouse


6.4. CONCLUSION 115

6.4 Conclusion
Ce chapitre a illustré une autre application de la méthodologie d’étude des interférences,
cette fois sur un transceiver RF fonctionnant aux fréquences 315/434 MHz. Nous avons utilisé
les outils disponibles à Freescale pour étudier le couplage entre l’inductance de l’oscillateur inté-
gré et les éléments agressifs proches. Cette étude a pour but de pouvoir être intégré dans le flot
de simulation de Freescale en vue d’une mise en place progressive d’une approche d’évaluation
prédictive des interférences. Cette étude a montré que l’étude des couplages rayonnés est com-
plexe et qu’il faut poser des hypothèses au départ sur la nature des couplages dans la mesure où
il est très difficile de tout couvrir avec un seul outil. Dans notre cas, cette étude a montré qu’il
n’y avait pas de couplage pouvant dégrader les performances du transceiver, ce qui corrèle avec
les résultats de caractérisation du transceiver.
La seconde partie du chapitre a été consacrée à la modélisation de l’émission champ proche
du transceiver. Cette partie montre l’importance de l’interprétation des mesures champ proche
qui contiennent énormément d’informations sur le comportement du circuit. La modélisation a
permis de mettre le doigt sur des possibles couplages parasites entre les alimentations et l’am-
plificateur de puissance. Les mesures champ proche sont une très bonne méthode d’investigation
CEM.

Céline Dupoux – Université de Toulouse


CHAPITRE 6. ÉTUDE DE L’AUTO-COMPATIBILITÉ ÉLECTROMAGNÉTIQUE D’UN
116 CIRCUIT INTÉGRÉ RADIO FRÉQUENCE

Céline Dupoux – Université de Toulouse


Conclusion et discussion

Dans un contexte de développement industriel de composants radio fréquence, le but de cette


thèse était de proposer des méthodes permettant d’étudier les problèmes d’interférences électro-
magnétiques tout d’abord dans les plateformes de téléphonie mobile puis dans les transceivers
RF fonctionnant dans les bandes ISM. Plus précisément, ces travaux ont porté sur l’étude des
couplages parasites en champ proche dans les systèmes intégrés RF. Mes travaux proposent des
solutions expérimentales ou par simulations, avec les outils et équipement disponibles à Freescale,
afin de pouvoir réutiliser ces solutions dans la conception des circuits à venir.
Le premier chapitre du manuscrit a été consacré à la présentation du contexte industriel
dans lequel s’est déroulée la thèse. Dans une première partie j’ai fait une courte présentation du
monde de la téléphonie mobile. Puis j’ai introduit le domaine des systèmes de communication
sans fil fonctionnant sur la bande ISM.
Dans le second chapitre j’ai présenté le domaine de la Compatibilité ÉlectroMagnétique
(CEM) qui est le second domaine de ma thèse. Quelques définitions ont été rappelées comme
les sources de perturbations et les principaux modes de couplages. Puis j’ai abordé l’émission
parasite des circuits intégrés, les différents moyens de test permettant de caractériser cette
émission et le modèle d’émission (ICEM). Ensuite j’ai introduit la notion de susceptibilité des
circuits intégrés et j’ai présenté les tests normalisés permettant de qualifier notre circuit, puis le
modèle de susceptibilité (ICIM). Enfin, j’ai présenté un état de l’art de la CEM dans les systèmes
RF. Je me suis intéressée à l’intégration dans les boı̂tiers de ces systèmes puis à la conception
de circuits mixtes associés.
La présentation de la méthode champ proche a été développée dans le troisième chapitre.
Le banc de mesure utilisé pour caractériser l’émission et l’immunité champ proche des circuits
intégrés a été décrit. Puis j’ai présenté une étude des sondes de champ magnétique. Dans une
première partie j’ai présenté la méthode qui permet d’extraire le facteur de performance. Puis
une étude sur la résolution géométrique des sondes a été réalisée afin de connaı̂tre les limites
physiques de ces sondes sans avoir recours à des solutions software. Pour finir, j’ai expliqué
comment modéliser l’émission champ proche d’un circuit intégré avec l’outil IC-EMC qui se
base sur le rayonnement des inductances équivalentes.
Le chapitre 4 a été dédié à la présentation de la méthode développée pour étudier les interfé-
rences électromagnétiques dans les systèmes RF. En effet j’ai présenté les outils de mesures et les
logiciels de simulation dont nous disposons au sein de Freescale pour réaliser ce genre d’étude.

117
118 CONCLUSION ET DISCUSSION

Le chapitre 5 a été consacré à l’étude du couplage entre un amplificateur de puissance 3G et


un transceiver 3G implantés dans une plateforme de téléphonie mobile. Nous avons appliqué la
méthode développée dans le chapitre 4 à cette étude, en réalisant une sonde qui émule le champ
magnétique rayonné par l’amplificateur de puissance. Puis le déplacement de la sonde au-dessus
du transceiver a permis de connaı̂tre les positions les plus critiques et les effets du couplage
entre l’amplificateur de puissance et le transceiver. Enfin, un modèle de couplage a été présenté,
il reproduit correctement les principaux effets observés lors des mesures.
Une autre application de la méthodologie à un transceiver 315/434 MHz a été présentée dans
le chapitre 6. Dans ce cas nous avons essayé d’anticiper les problèmes d’interférences en réalisant
des simulations. La conclusion de cette étude est que le transceiver ne présente pas de couplage
qui pourrait dégrader ses performances tout en évaluant la marge de sécurité par rapport au
risque d’interférence. La caractérisation de ce transceiver a permis de corréler avec les résultats de
notre étude, en effet le circuit respecte les spécifications. Ensuite un modèle d’émission champ
proche du transceiver a été réalisé en se basant sur la méthode d’extraction des inductances
rayonnantes. Pour avoir des résultats satisfaisants avec notre modèle, nous avons réalisé une
analyse des mesures champ proche qui donnent des informations précises sur le comportement
du circuit. Ce modèle illustre l’importance de l’analyse des mesures champ proche et démontre
la quantité d’informations que l’on peut en extraire.
Ces travaux s’inscrivent dans la tendance actuelle de miniaturisation des circuits et de l’in-
tégration totale des systèmes sur une même puce. On assiste au rapprochement de plus en plus
fréquent de fonctions analogiques et numériques, ce qui augmente le risque d’interférence entre
ces blocs. Ces travaux visent donc à donner des outils et des méthodes de travail permettant
d’étudier la CEM à différentes phases de conception d’un système. Durant ces travaux, je me
suis particulièrement intéressée au champ magnétique car les méthodes de mesures du champ
électrique peuvent se révéler invasives, il est difficile de connaı̂tre l’exactitude de ces mesures et
de quantifier l’erreur. Mais il serait intéressant d’améliorer cette méthodologie en tenant compte
des problèmes liés au champ électrique.
Les travaux de cette thèse ont permis de travailler à des fréquences supérieures au GHz,
aux environs de 2 GHz et 3 GHz, aussi bien en mesure qu’en simulation. De plus, les modèles
reproduisant le comportement des circuits intégrés fonctionnent sur trois décades de fréquences
(26 MHz, 434 MHz et 1735 MHz).
La méthode de travail développée pendant la thèse pourra facilement être implémentée dans
le flot de conception des circuits intégrés. En effet, cette méthode est applicable aux nouveaux
systèmes comme par exemple les téléphones de 4ième génération ou les transceivers ZigBee fonc-
tionnant autour de 2.4 GHz.

Céline Dupoux – Université de Toulouse


Glossaire

ADS Advanced Design System


AMPS Advanced Mobile Phone Service
BER Bit Error Rate (taux d’erreur binaire)
BGA Ball Grid Array
BCI Bulk Current Injection
CAN Convertisseur Analogique Numérique
CDMA Code Division Multiple Access
CEM Compatibilité ÉlectroMagnétique
CMOS Complementary Metal Oxyde Semiconductor
CW Continuous wave
DECT Digital Enhanced Cordless Telecommunications
DPI Direct Power Injection
DSP Digital Signal Processor
DST Dispositif Sous Test
EDGE Enhanced Data Rate for GSM Evolution
EM ÉlectroMagnétique
EMDS ElectroMagnetic Design System
FCC Federation Communication Commission
FDD Frequency Division Duplex
FDMA Frequency Division Multiple Access
FEM Finite Element Method
FFT Fast Fourrier Transform
GDS Graphic Database System
GFSK Gaussian Frequency Shift Keying
GMSK Gaussian Minimum Shift Keying
GND Ground (référence)
GPRS General Packet Radio Service
GSM Global System for Module Communication
HDI Haute Densité d’Intégration
HFSS 3D Full-wave Electromagnetic Field Simulation

119
120 GLOSSAIRE

IB Internal Behaviour
IBIS Input/output Buffer Information Specification
ICEM Integrated Circuit Emission Model
ICIM Integrated Circuit Immunity Model
IEMN Impulsion ÉlectroMagnétique Nucléaire
ISM Industrial Scientific Medical
LCD Liquid Crystal Display
LGA Land Grid Array
LNA Low Noise Amplifier
MCM Multi Chip Module
MCU Micro Control Unit
NMT Nordic Mobile Telephony
PA Power Amplifier
PCB Printed Circuit Board
PCS Personal Communication Service
PDN Power Distribution Network
PLL Phase Locked Loop (boucle à verrouillage de phase)
QPSK Quadrature Phase Shift Keying
RCP Redistributed Chip Package
RF Radio Fréquence
RFI Radio Frequency Interference
RSB Rapport Signal sur Bruit
Rx Réception
SiP System in Package
SoC System on Chip
SOP System On Package
TACS Total Access Cellular System
TCXO Temperature Compensated Crystal Oscillator
TDD Time Division Duplex
TDMA Time Division Multiple access
TPMS Tire Pressure Monitoring Sensor
Tx Transmission
UHF Ultra High Frequency
UTRA UMTS Terrestrial Radio Access
UMTS Universal Mobile Telecom System
VCO Voltage Controlled oscillator
WCDMA Wide-band Code Division Multiple Access
WLAN Wireless Local Area Network
WPAN Wireless Personal Area Network
WWAN Wireless Wide Area Network
XCO Crystal Oscillator
Céline Dupoux – Université de Toulouse
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Céline Dupoux – Université de Toulouse


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Bouvier. Measurement and simulation of electromagnetic interference in 3G mobile com-
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[79] Céline Dupoux, Samuel Akue Boulingui, and Etienne Sicard. Mesure et simulation des
interférences électromagnétiques dans les circuits intégrés RF. Revue de l’électricité et de
l’électronique, Juin/Juillet :95–98, 2010.

Céline Dupoux – Université de Toulouse


Liste des publications

Revue
Céline Dupoux, Samuel Akue Boulingui et Etienne Sicard : Mesure et simulation des interférences
électromagnétiques dans les circuits intégrés RF, REE, Revue de l’électricité et de l’électronique,
Juin/Juillet 2010

Conférences internationales
Stéphane Baffreau, Samuel Akue Boulingui, Céline Dupoux, Etienne Sicard, Nicolas Bouvier,
Bertrand Vrignon, Alexandre Boyer : A New Methodology to Measure Electromagnetic Interfe-
rences in 3G Mobile Platform, 2010 Asia-Pacific International Symposium on Electromagnetic
Compatibility, Beijing, China, 2010
Samuel Akuel Boulingui, Céline Dupoux, Stéphane Baffreau, Etienne Sicard, Nicolas Bouvier,
Bertrand Vrignon : An Innovative Methodology for Evaluating Multi-Chip EMC in Advanced
3G Mobile Platforms, IEEE Symposium on EMC Austin, 2009
Céline Dupoux, Samuel Akue Boulingui, Etienne Sicard, Stéphane Baffreau, Nicolas Bouvier :
Measurement and Simulation of Electromagnetic Interference in 3G Mobile Components, EMC
COMPO Toulouse, 2009
Céline Dupoux, Amadou Ndoye, Sébastien Serpaud, Etienne Sicard, Samuel Akue Boulingui :
Méthodologie d’extraction du modèle de couplage d’un système agresseur (ICEM)/ victime
(ICIM) au niveau composants, CEM 2010 Limoges, 2010
Céline Dupoux, Samuel Akue Boulingui, Etienne Sicard, Stéphane Baffreau, Nicolas Bouvier,
Bertrand Vrignon : Evaluation des risques d’interférences par couplage puce puce dans un télé-
phone 3G, Telecom 2009 & 6ieme JFMMA, Agadir, 2009

127
128 LISTE DES PUBLICATIONS

Céline Dupoux – Université de Toulouse


Résumé

Résumé
Les travaux présentés dans ce mémoire proposent une méthodologie d’étude des interférences
électromagnétiques dans les systèmes intégrés RF. Cette thèse se focalise sur les problèmes de
couplage rayonné en champ proche entre différentes parties d’une puce électronique ou entre
circuits intégrés d’une carte.
Ensuite cette méthodologie est appliquée sur deux cas d’études à différentes échelles, dans
le premier cas l’étude du couplage entre un amplificateur de puissance 3G et un transceiver est
présentée puis un modèle de couplage est réalisé reproduisant les effets parasites observés lors
des mesures. Puis une étude pour extraire et évaluer les couplages entre blocs, ici inductance
d’un VCO et structures proches, d’une puce électronique. Ensuite un modèle d’émission champ
proche de ce circuit est proposé.
Ces travaux mettent en évidence l’intérêt de réaliser des études CEM à chaque phase de
conception d’un circuit ou d’un système ainsi que l’intérêt des mesures champ proche qui per-
mettent de réaliser de l’investigation et du diagnostic CEM.

Abstract
The work presented in this PhD suggest a methodology for the study of electromagnetic
interference in RF integrated systems. This thesis focuses on the problems of near-field radiated
coupling between different parts of a chip or between ICs.
Then this methodology is applied to two case studies on different scales, in the first case
study the coupling between a 3G power amplifier and a transceiver is presented then a model
of the coupling is made reproducing parasitic effects observed in measurements . Then a study
to extract and evaluate the coupling between blocks, between a VCO inductor and nearby
structures of a microchip. Then a near-field emission model of this circuit is proposed.
These works demonstrate the interest of EMC studies in all phases of designing a circuit or
system and the interest of near-field measurements that allow the realization of the investigation
and diagnosis of EMC.

129
130 RÉSUMÉ

Céline Dupoux – Université de Toulouse


Table des figures

1 Présentation de l’activité CEM composants à l’INSA de Toulouse . . . . . . . . . x

1.1 Télécommunications multi-standard . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2


1.2 Bandes de fréquences des standards de télécommunication sans fil . . . . . . . . . 3
1.3 Découpage du territoire en cellule (gauche). Structure d’un réseau cellulaire (droite)
[10] . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
1.4 Trame FDMA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
1.5 Trame TDMA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
1.6 Couches de l’interface radio norme OSI/ISO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
1.7 Exemples de burst en technologie 2G : a) GSM b) EDGE . . . . . . . . . . . . . 7
1.8 Comparaison des débits selon les différents réseaux . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
1.9 Exemple d’un signal de réception 3G . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
1.10 Illustration d’une plateforme de téléphonie mobile 2G et 3G . . . . . . . . . . . . 10
1.11 Illustration des débits des technologies sans fil . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
1.12 Évolution des communications sans fil . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
1.13 Exemples de nouvelles applications sans fil . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

2.1 Illustration du schéma source/chemin de couplage/victime . . . . . . . . . . . . . 16


2.2 Illustration des modes de couplage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
2.3 Description des éléments parasites des circuits intégrés . . . . . . . . . . . . . . . 18
2.4 Description d’un modèle ICEM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
2.5 Modèle ICEM d’un cœur logique [32] . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
2.6 Description du modèle ICIM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
2.7 Exemple de boı̂tiers multi-puces . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
2.8 Vue en coupe d’un composant RCP [48] (gauche) et moldule 2G en RCP (droite) 24

3.1 Définition zones champ proche et champ lointain . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28


3.2 Description du bras équipant le banc de mesure champ proche . . . . . . . . . . 29
3.3 Description du banc de mesure champ proche . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
3.4 Interface de contrôle du banc de mesure . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31

131
132 TABLE DES FIGURES

3.5 Sondes typiques de mesures du champ magnétique proche . . . . . . . . . . . . . 32


3.6 Sondes typiques de mesures du champ électrique proche . . . . . . . . . . . . . . 32
3.7 Présentation de la « Cubeprobe » [7] . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
3.8 Protocole de mesure d’émission champ proche . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
3.9 Principe d’une mesure de cartographie d’émission champ proche . . . . . . . . . 35
3.10 Définition de l’altitude des sondes lors des mesures de cartographie champ proche 35
3.11 Présentation du module sous test . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
3.12 Exemple d’une cartographie champ proche à la fréquence de 26 MHz . . . . . . . 37
3.13 Montage d’une mesure d’immunité champ proche . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
3.14 Exemples de critères de susceptibilité . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
3.15 Principe d’une mesure de cartographie d’immunité champ proche . . . . . . . . . 39
3.16 Exemple d’une cartographie de la susceptibilité champ proche du circuit d’horloge
d’un micro contrôleur [6] . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
3.17 Présentation du protocole de mesure du calibrage des sondes . . . . . . . . . . . 41
3.18 Détermination de la valeur du facteur de performance à une fréquence donnée . . 41
3.19 Détermination du facteur de performance pour la sonde Hz à une fréquence donnée 42
3.20 Présentation de la carte avec plusieurs pistes et du protocole de mesure . . . . . 42
3.21 Résultat de simulation du champ magnétiques transverse aux pistes distantes de
1 mm pour différentes altitudes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
3.22 Principe des simulations électromagnétiques sous IC-EMC . . . . . . . . . . . . . 45
3.23 Reconstruction du boitier d’un composant à l’aide des mots cachés du fichier IBIS
à l’aide du logiciel IC-EMC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
3.24 Exemple de résultats obtenus avec le logiciel IC-EMC pour la modélisation d’un
amplificateur de puissance 3G . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
3.25 Exemple de résultats obtenus avec le logiciel IC-EMC pour la modélisation champ
proche d’un microcontrôleur [6] . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47

4.1 Flot de conception des systèmes intégrés visé [69] . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50


4.2 Description de la méthodologie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
4.3 Cartographie Hz de l’émission champ proche d’un transceiver 2G/3G à la fré-
quence de 936 MHz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
4.4 Cartographie Hz de l’émission champ proche du transceiver avec différentes confi-
gurations des PLLs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
4.5 Mesure du rayonnement au-dessus du VCO d’un transceiver 315/434 MHz de 1
MHz à 5 GHz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
4.6 Description de la carte RF d’un téléphone portable 2G et 3G . . . . . . . . . . . 55
4.7 Protocole de mesure de l’immunité champ proche d’une RF de téléphone portable
face au signal émis par l’amplificateur de puissance . . . . . . . . . . . . . . . . . 56
4.8 Résultats des mesures de couplage champ proche entre l’amplificateur de puis-
sance et le transceiver . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57

Céline Dupoux – Université de Toulouse


TABLE DES FIGURES 133

4.9 Description de la mesure de couplage entre deux circuits intégrés . . . . . . . . . 59


4.10 Méthode de conception d’une SkateProbe [8] . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60
4.11 Couplage entre une SkateProbe et une circuit intégré victime . . . . . . . . . . . 61
4.12 Simulation du couplage entre deux pistes sur une carte électronique . . . . . . . . 62
4.13 Résultat de l’étude de couplage entre une SkateProbe et les composants d’une carte 63

5.1 Téléphone éclaté renfermant des SiP . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66


5.2 architecture de la plateforme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67
5.3 Description de la méthode appliquée à la plateforme 3G . . . . . . . . . . . . . . 69
5.4 Photo de la plateforme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69
5.5 Vue layout de l’amplificateur de puissance (PA 3G) . . . . . . . . . . . . . . . . . 70
5.6 Photo du transceiver 3G . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71
5.7 Schéma bloc simplifié du transceiver 3G . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72
5.8 Cartographie du rayonnement champ proche du PA . . . . . . . . . . . . . . . . 72
5.9 Extraction des inductances de rayonnement pour chaque composante du champ
magnétique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 73
5.10 Modèle électromagnétique de la SkateProbeP A . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74
5.11 Description de la SkateProbeP A . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74
5.12 Comparaison entre la mesure de l’émission champ proche du PA et celle de la
SkateProbeP A . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75
5.13 Calcul du RSB avec ou sans étalement du spectre . . . . . . . . . . . . . . . . . . 76
5.14 Présentation du protocole de mesure de la sensibilité . . . . . . . . . . . . . . . . 76
5.15 Courbe du RSB en fonction de la fréquence de réception . . . . . . . . . . . . . . 76
5.16 Visualisation du canal de réception à l’aide de l’outil de Freescale . . . . . . . . . 77
5.17 Présentation de la mesure de couplage entre la SkateProbeP A et le transceiver 3G 77
5.18 Résulat du RSB (courbe de référence et pour deux puissances injectée sur la
SkateProbeP A ) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78
5.19 Positionnement et orientation de la SkateProbeP A . . . . . . . . . . . . . . . . . 79
5.20 Position critique P1 de la SkateProbeP A au dessus du transceiver . . . . . . . . . 79
5.21 Visualisation du signal utile et du signal agresseur transposé dans la bande de
réception (mélange harmonique 9 de Fref ) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80
5.22 Visualisation du signal utile et du signal agresseur transposé dans la bande de
réception (mélange harmonique 7 de Fref ) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80
5.23 Visualisation du signal utile et du signal agresseur transposé dans la bande de
réception . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 81
5.24 Répartition des différents produits de distorsions et d’intermodulations de deux
signaux . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 81
5.25 Protocole des mesures de rayonnement champ proche . . . . . . . . . . . . . . . . 82
5.26 Spectre relevé à la position 1 au-dessus de la puce numérique . . . . . . . . . . . 83
5.27 Spectre relevé à la position 2 au-dessus de la puce analogique . . . . . . . . . . . 83

Céline Dupoux – Université de Toulouse


134 TABLE DES FIGURES

5.28 Spectre relevé pour différentes fréquences de réception . . . . . . . . . . . . . . . 84


5.29 schématique de la fonction RX dans le boı̂tier du transceiver . . . . . . . . . . . 85
5.30 Chemin des entrées du transceiver : de l’entrée du boı̂tier à la puce . . . . . . . . 85
5.31 Vue layout du chemin des entrées du transceiver : de l’entrée du boı̂tier à la puce 86
5.32 Mesure sous pointes du transceiver . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 86
5.33 Configuration de la mesure de paramètres S en mode différentiel . . . . . . . . . 86
5.34 Mesure de la fonction Rx du transceiver . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 87
5.35 Comparaison entre la mesure et la simulation des impédances d’entrées du trans-
ceiver . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 87
5.36 Modèle électrique de la SkateProbeP A . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 88
5.37 Coupage entre la SkateProbeP A et le transceiver . . . . . . . . . . . . . . . . . . 89
5.38 Modèle électrique de la fonction réception du tranceiver . . . . . . . . . . . . . . 89
5.39 Niveaux de puissance des signaux à l’entrée du transceiver . . . . . . . . . . . . . 90
5.40 Modèle du couplage entre la SkateProbeP A et le transceiver . . . . . . . . . . . . 90
5.41 Résultat de la simulation du mélange entre l’hamonique 9 du 26 MHz et la fré-
quence d’émission . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 91
5.42 Résultat de la simulation du mélange entre le signal parasite et la fréquence
d’émission . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 91

6.1 Vue interne du transceiver . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 94


6.2 Description de la méthode appliquée à l’étude des interférences sur le transceiver 95
6.3 Layout de la partie Tx du transceiver . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 96
6.4 Distribution des alimentations de la partie RF du transceiver . . . . . . . . . . . 97
6.5 Schéma bloc de la PLL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 98
6.6 Spectre relevé au-dessus de l’inductance VCO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 98
6.7 Dispositif de simulation du couplage entre l’inductance et le rail d’alimentation
avec le layout de la partie RF . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 99
6.8 Exemples de structures simplifiées . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100
6.9 Dispositif de simulation du couplage entre l’inductance et le bus numérique (droite)
et le rail d’alimentation (gauche) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100
6.10 Schéma équivalent du couplage entre l’inductance du VCO et le rail d’alimentation101
6.11 Comparaison entre les résultats de la simulation EM et le modèle équivalent . . . 101
6.12 Comparaison entre les résultats de la simulation EM et le modèle équivalent . . . 102
6.13 Simulation Cadence du VCO avec modèle du bus numérique et du rail d’alimentation103
6.14 Résultats de la simulation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 103
6.15 Résultats de la simulation HB couplage VCO et alimentation . . . . . . . . . . . 104
6.16 Cartographie du transceiver à la fréquence 26 MHz . . . . . . . . . . . . . . . . . 105
6.17 Cartographie du transceiver à la fréquence 434 MHz . . . . . . . . . . . . . . . . 105
6.18 Cartographie du transceiver à la fréquence 1735 MHz . . . . . . . . . . . . . . . . 106

Céline Dupoux – Université de Toulouse


TABLE DES FIGURES 135

6.19 Identification des zones provoquant le rayonnement du transceiver aux fréquences


d’intérêts . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 107

6.20 Fichier IBIS du transceiver . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 108

6.21 Reconstruction à partie du fichier IBIS sous IC-EMC (gauche) Photo du circuit
avec boı̂tier ouvert (droite) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 108

6.22 Modèle de chaque fonction du transceiver sous IC-EMC . . . . . . . . . . . . . . 109

6.23 Modèle des entrées du XCO correspondant à la connexion entre le quartz externe
et l’oscillateur interne . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 109

6.24 Affectation des inductances rayonnantes aux trois structures considérées : oscil-
lateur, VCO et amplificateur de puissance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110

6.25 Comparaison entre la mesure et la simulation du rayonnement champ proche du


transceiver à la fréquence de 26 MHz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110

6.26 Comparaison entre la mesure et la simulation du rayonnement champ proche du


transceiver à la fréquence de 434 MHz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 111

6.27 Comparaison entre la mesure et la simulation du rayonnement champ proche du


transceiver à la fréquence de 1735 MHz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 111

6.28 Modèle du transceiver avec couplage substrat . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 113

6.29 Comparaison entre la mesure et la simulation du rayonnement champ proche du


transceiver . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 113

6.30 Comparaison entre la mesure et la simulation du rayonnement champ proche du


transceiver à la fréquence de 434 MHz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 114

Céline Dupoux – Université de Toulouse