UNIVERSIDAD

NACIONAL
MAYOR DE SAN
MARCOS
(Universidad del Perú, Decana De América)

Curso :

Laboratorio de Dispositivos y componentes electrónicos

Profesor :

Luis Alberto Paretto Quispe

Alumno :

Ramos Castellanos Jesus Daniel (19190138)

Turno :

Viernes de 6:00 PM.- 8:00 PM.

Ciudad Universitaria, 11 de julio del 2020

EXPERIMENTO Nº3:

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 CARACTERÍSTICAS BASICAS DEL DIODO
SEMICONDUCTOR (Silicio y Germanio)
I. INFORME PREVIO:
1. Buscar en los manuales y detallar las características de los diodos a utilizar (6A6,
P600B, BY127, ECG109 y ECG110A y 72477T).

Diodo 6A6:

 Voltaje-CC inverso (Vr) (Max.) [V RRM ]: 600v.

 Corriente Promedio rectificado (Io):6 A.
 Voltaje Directo (Vf) (Max.) a If: 900mV a 6 A.
 Corriente-Fuga inversa a Vr : 10µA a 600V.
 Temperatura de trabajo máximo: -65°c 175°c.
 Estilo de la carcasa del diodo: Axial
 Encapsulado R-6

Diodo P600B:

 Voltaje-CC inverso (Vr) (Max.) [V RRM ]: 100V.

 Corriente Promedio rectificado (Io):6 A.
 Voltaje Directo (Vf) (Max.) a If: 900mV a 6 A.
 Corriente-Fuga inversa a Vr: 5µA a 100V.
 Estilo de la carcasa del diodo: Axial
 Encapsulado P600
 Temperatura de funcionamiento: -50°c 150°c.

Diodo BY127:

 Máxima tensión inversa pico recurrente [V RRM ]: 1250v.

 Tensión RMS máxima (VRMS): 875V.
 Voltaje máximo de bloqueo de CC: 1250 V.
 Corriente rectificada directa máxima promedio ( I AV ): 1.0 A.
 Corriente de pico de sobretensión ( I FSM ):30.0 A.
 Corriente directa instantánea máxima a 6.0A DC (V F):1.1V

Diodo ECG109:

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  Posee alta Resistencia y alta conductancia para un acoplamiento eficiente.
 Servicio de matriz y fijador.
 Recuperación ante impulso inverso y directo para aplicaciones de impulsos críticos.
 Corriente directa recurrente máxima: 325mA.
 Voltaje invertido máximo: 100v.
 Corriente de fuga inversa máxima: 100µA.
 Disipación de potencia promedio: 80mW.

Diodo ECG110A:

 Baja caída de voltaje delantero.

 Bajo consumo de energía.
 Nivel de ruido muy bajo.
 Voltaje máximo inverso: 30v.
 Corriente delantera de pico: 150ma.
 Disipación de potencia media: 80mW.

Diodo 72477T:

 Disipación de potencia promedio (P): 1.0W

 Temperatura de unión (Tj): -40°c 150 ° c .

2. Explicar los conceptos de Resistencia Dinámica, Corriente de Polarización Directa,

Corriente de Polarización Inversa y Tensión de Pico Inversa.

Resistencia Dinámica:

Es la oposición que presenta el diodo al paso de una señal alterna o variable en el tiempo.

Corriente de polarización directa:

Se produce cuando el polo positivo del generador eléctrico se une al ánodo del diodo y el
polo negativo se une al cátodo. En este caso el diodo se comporta como un conductor y deja
pasar la corriente.

Corriente de Polarización Inversa:

Se produce cuando el polo positivo del generador eléctrico se une al cátodo del diodo y el
negativo al ánodo. En este caso el diodo no permite el paso de la corriente.

Tensión de Pico Inversa:

Es el máximo voltaje que pueda soportar la juntura cuando la fuente o corriente está
conectada en “polarización inversa “o de alta resistencia.

IV. Cuestionario Final:

3
1. Construir el grafico Id=F (Vd) con los datos de las tablas 2 y 3 (Si).Calcular la
resistencia dinámica del diodo.

Valores
X
Id (mA)
45

40

35

30

25

Id (mA)
Axis Title 20

15

10

0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2
-5

Axis Title

Valores Y
0.01 -0.008
0.063 -0.007
0.111 -0.007
0.164 -0.007
0.211 -0.008
0.265 -0.007
0.312 -0.006
0.367 -0.002
0.413 0.013
0.464 0.063
0.505 0.172
0.546 0.415
0.589 0.942
0.64 2.248
0.687 4.343
0.738 7.714

4
 0.786 11.723
0.835 16.281
0.883 21.081
0.932 25.994
0.982 30.862
1.031 35.288
1.078 39.003

2. Construir el gráfico
Valores Y Id = F (Vd) con los
datos de las Tablas 5 y
40
35
6 (Ge). Calcular la
30
resistencia dinámica
25 del diodo.
20 Valores Y
Valores X
Axis Title Valores Y
15
0.01 -0.007
10 -0.001
0.063
0.109 5 0.02
0.159 0 0.096
0.198 -5 0 0.248
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7

0.246 0.693 Axis Title

0.297 1.812
0.345 3.975
0.393 7.618
0.441 12.776
0.49 19.417
0.539 27.285
0.588 35.888

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3. Interpretar los datos obtenidos en las tablas.

Para ambos casos (diodo de silicio y diodo de germanio) se dan dos situaciones cuando se
encuentran polarizados directamente e inversamente.

 Cuando se encuentran polarizados directamente la resistencia dinámica es pequeña

por lo que se comportara como un circuito cerrado dejando que fluya la corriente.

 Cuando se encuentran polarizados inversamente la resistencia dinámica es grande

por lo que se comportara como un circuito abierto impidiendo el paso de la
corriente.

4. Explicar los Controles de Operación de la Fuente DC utilizada.

5. Exponer sus conclusiones del experimento.

 El diodo de Si es más robusto y más ideal en lo que a corrientes se refiere. Es mejor

para función de rectificación.

 El diodo de Germanio al tener menos capacidad será de conmutación más rápida

por tener menos capacidad y funcionará mejor en frecuencias muy altas. 
La estabilidad térmica del de Silicio es mejor que la del de Germanio. El Germanio
apenas se utiliza en la actualidad por esta causa, y por qué tienen un competidor entre
los de Silicio, los llamados Diodos Schotfky 

 Un diodo permitirá la conducción de corriente cuando se encuentra polarizado

directamente. Se comportara como un circuito cerrado.

 Un diodo impedirá la conducción de corriente cuando se encuentre polarizado

inversamente. Se comportara como un circuito abierto.

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7
8
9
10
EXPERIMENTO Nº4:

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 EL DIODO ZENER. CARACTERÍSTICAS BASICAS
III. CUESTIONARIO PREVIO:
1. Buscar en los manuales y detallar las características del diodo zener a ser utilizado
en el experimento (1N4735A, 1N4742A, BZX85C).

Diodo Zener 1N4735A:

 Vz-Tensión del zener: 6.2 V.

 Corriente Zener: 10 µA
 Corriente de prueba :41 mA
 Tolerancia de voltaje : 5%
 Potencia Máxima: 1 W.
 Impedancia del zener (Max.) (Zzt):2 Ohms.
 Corriente – Fuga inversa a Vr : 10 µA a 3 V.
 Voltaje – Directo (Vf) (max.) a If: 1.2V a 200 mA.
 Temperatura de funcionamiento : -65°C 200 ° c .
 Tipo de montaje : Orificio pasante
 Paquete/cubierta : DO-41

Diodo Zener 1N4742A:

 Vz-Tensión del Zener: 12 V.

 Corriente Zener: 5.0 µA
 Corriente de prueba: 21mA
 Tolerancia de voltaje :5%
 Potencia Máxima: 1 W.
 Zz-Impedancia del Zener : 9 Ohms
 Corriente – Fuga inversa a Vr : 5.0 µA a 9.1 V
 Temperatura de funcionamiento : -65°C 200 ° c .
 Estilo de terminación : Axial
 Paquete/ cubierta : DO-41

Diodo Zener BZX85C:

 Vz-Tensión del zener: 39 V.

 Corriente Zener: 28 mA

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  Corriente de prueba :6mA
 Tolerancia de voltaje : 5%
 Coeficiente de T° de voltaje :0.078%/C
 Potencia Máxima: 1.3 W.
 Impedancia del zener (Max.) (Zzt):50 Ohms.
 Ir - Corriente inversa : 500 nA
 Temperatura de funcionamiento : -55°C 175 ° c .
 Estilo de terminación : Axial
 Paquete/cubierta : DO-41

2. Explicar la curva característica del diodo zener y su utilidad como regulador de

voltaje.

Analizando la curva del diodo zener se ve que conforme se va aumentando negativamente

el voltaje aplicado al diodo, la corriente que pasa por el aumenta muy poco.

Pero una vez que se llega a un determinado voltaje, llamado voltaje o tensión de Zener
(Vz), el aumento del voltaje (siempre negativamente) es muy pequeño, pudiendo
considerarse constante.

Para este voltaje, la corriente que atraviesa el diodo zener, puede variar en un gran rango de
valores. A esta región se le llama la zona operativa.

Esta es la característica del diodo zener que se aprovecha para que funcione como regulador
de voltaje, pues el voltaje se mantiene prácticamente constante para una gran variación de
corriente.

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