INTRODUCTION

La mémoire vive, mémoire système ou mémoire volatile, aussi appelée RAM

de l’anglais Random Access Memory (que l’on traduit en français par « mémoire à
accès aléatoire »), est la mémoire informatique dans laquelle un ordinateur place les
données lors de leur traitement. Les caractéristiques de cette mémoire sont : sa rapidité
d’accès qui est essentielle pour fournir rapidement les données au processeur et sa
volatilité qui implique que les données sont perdues dès que l’ordinateur cesse d’être
alimenté en électricité. En effet la mémoire RAM est dans un état indéterminé lors du
démarrage. Il existe plusieurs sortes de RAM qui se distinguent par leurs types et
formats.

Définitions :

 Random Access memory, utilisé par l'ordinateur pour effectuer ses calculs au
profit du dispositif d'exploitation, des éléments de l'ordinateur et des logiciels.
Sa mémoire est volatile, c'est-à-dire n'est pas conservé lors de l'extinction de
l'appareil.
 Mémoire donnant la possibilité le stockage de données pour la lecture et
l'écriture. C'est là que viennent se charger les données stockées en permanence
sur le disque dur, afin qu'elles puissent être traitées. La mémoire vive est
volatile : elle se décharge lorsque l'ordinateur est éteint (dessin).

I-Comment les mémoires RAM ont été fabriquées ?

Les puces de mémoire sont composées de circuits intégrés comportant plusieurs
transistors, résistances et condensateurs qui doivent être formés sur chaque puce. Ces
circuits intégrés commencent leur cycle de vie sous forme de silicium, généralement
extrait du sable. Transformer le silicium en puces de mémoire est un processus
extrêmement méticuleux qui nécessite l’expertise d’ingénieurs, de métallurgistes, de
chimistes et de physiciens. La mémoire est dans une grande usine, appelée « fab », qui
comporte de nombreuses salles blanches. Les puces de mémoire en semi-conducteurs
sont fabriquées dans des salles blanches, car les circuits imprimés sont si petits que le
moindre grain de poussière peut les endommager. Le principal site de Micron, à Boise,
Idaho, aux États-Unis, s’étend sur plus de 165 000 m² et dispose de salles blanches de
classe 1 et de classe 10. Dans les salles blanches de classe 1, il n’y a pas plus de
35 particules de poussière par mètre cube d’air. En comparaison, une chambre propre
dans un hôpital moderne compte environ 350 000 particules de poussière par mètre
cube d’air. L’air de la pièce est filtré et circule en permanence. Les membres des
équipes de production portent des charlottes, des combinaisons et des masques
spéciaux qui leur permettent de ne pas polluer l’air avec des particules.

1|Page
II-Les différents types et formats de mémoire RAM
1-Les types de mémoires RAM
Il existe plusieurs types de RAM divisés en deux groupes :
* Le groupe de la mémoire RAM STAITIQUE

 La mémoire vive statique SRAM (Static Random Access Memory), Static

RAM, utilise le principe des bascules électroniques, elle est très rapide et ne
nécessite pas de rafraîchissement, par contre, elle est chère, volumineuse et,
grosse consommatrice d'électricité. Elle est utilisée pour les caches mémoire,
exemple les tampons mémoire L1, L2 et L3 des microprocesseurs.

Cellule de la SRAM
SRAM

 La MRAM (Magnetic RAM), technologie utilisant la charge magnétique de

l'électron. Les performances possibles sont un débit de l'ordre du gigabit par
seconde, temps d'accès comparable à de la mémoire DRAM (~10 ns) et non-
volatilité des données. Étudiée par tous les grands acteurs de l'électronique, elle
commence en juillet 2006 à être commercialisée et devrait prendre son essor en
2010.

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 MRAM

 La DPRAM (Dual Ported RAM), technologie utilisant un port double qui

permet des accès multiples quasi simultanés, en entrée et en sortie.

* Le groupe de la mémoire RAM DYNAMIQUE

La mémoire dynamique (DRAM, Dynamic RAM) utilise la capacité parasite

drain/substrat d'un transistor à effet de champ. Elle ne conserve les informations
écrites que pendant quelques millisecondes : le contrôleur mémoire est obligé de relire
régulièrement chaque cellule puis y réécrire l'information stockée afin d'en garantir la
fiabilité, cette opération récurrente porte naturellement le nom de « rafraîchissement ».
Malgré ces contraintes de rafraîchissement, ce type de mémoire est très utilisée car elle
est bien meilleur marché que la mémoire statique. En effet, la cellule mémoire
élémentaire de la DRAM est très simple (un transistor accompagné de son nano-
condensateur) et ne nécessite que peu de silicium. Les puces mémoires sont
regroupées sur des supports SIMM (contacts électriques identiques sur les 2 faces du
connecteur de la carte de barrette) ou DIMM (contacts électriques séparés sur les 2
faces du connecteur).

On distingue les types de mémoire vive dynamique suivants :

 SDRAM (Synchronous Dynamic RAM). Elle est utilisée comme mémoire

principale et vidéo. Elle tend à être remplacée par la DDR SDRAM. Pour les
machines de la génération Pentium II, Pentium III. On distingue la SDRAM 66,
100 et 133 (fréquence d'accès en MHz). Elle comporte normalement 168
broches.

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 SDRAM

 VRAM (Video RAM). Présente dans les cartes graphiques. Elle sert à construire
l'image vidéo qui sera envoyée à l'écran d'ordinateur via le convertisseur
RAMDAC.

VRAM

 RDRAM (Rambus Dynamic RAM). Développée par la société Rambus, elle

souffre notamment d'un prix beaucoup plus élevé que les autres types de
mémoires et de brevets trop restrictifs de la part de la société créatrice. Elle est
utilisée pour les machines de génération Pentium III et Pentium 4.

RDRAM

 DDR SDRAM (Double Data Rate Synchronous Dynamic RAM). Utilisée

comme mémoire principale et comme mémoire vidéo, elle est synchrone avec
l'horloge système mais elle double également la largeur de bande passante en
transférant des données deux fois par cycles au lieu d'une seule pour la SDRAM
simple. Elle est aussi plus chère. On distingue les DDR PC1600, PC2100,
PC2700, PC3200, etc. Le numéro représente la quantité théorique maximale de
transfert d'information en Mégaoctets par seconde. Pour les machines de
génération Pentium III et Pentium 4. Elle comporte normalement 184 broches.

4|Page
 DDR SDRAM

 DDR2 SDRAM (Double Data Rate two SDRAM). On distingue les DDR2-400,
DDR2-533, DDR2-667, DDR2-800 et DDR2-1066. Le numéro (400, 533, …)
représente la fréquence de fonctionnement. Certains constructeurs privilégient
la technique d'appellation basée sur la quantité de données théoriquement
transportables (PC2-4200, PC2-5300, etc.), mais certains semblent retourner à
la vitesse réelle de fonctionnement afin de distinguer plus clairement la DDR2
de la génération précédente. Pour les machines de génération Pentium 4 et plus.
Elle comporte normalement 240 broches.

DDR2 SDRAM

 DDR3 SDRAM (Double Data Rate three SDRAM). Il s'agit de la 3e génération

de la technologie DDR. Les spécifications de cette nouvelle version ne sont pas
finalisées en septembre 2006 par JEDEC. Les premiers micro-ordinateurs
pouvant utiliser la DDR3 sont arrivés sur le marché pour la fin de 2007.

DDR3 SDRAM

 XDR DRAM (XDimm Rambus RAM). Technologie basée sur la technologie

Flexio développée par Rambus. Elle permet d'envisager des débits théoriques
de 64 Go/s à 128 Go/s en rafale.

5|Page
 XDR DRAM

2- Les formats de mémoire RAM

 Les barrettes mémoires de format SIMM (Single In-line Memory Module) :

Ce type de mémoire était utilisé avec les anciens systèmes : les barrettes SIMM
à 30 connecteurs (8 bits) équipaient les PC 286 et 386, et les barrettes SIMM à
72 connecteurs (32 bits) équipaient les PC 386DX, 486 et les premiers Pentium.

SIMM

 Les barrettes mémoires de format DIMM (Dual In-line Memory Module) :

Ce type de mémoire est actuellement utilisé dans nos PC. Il s’agit de mémoires 64 bits.
Leur dimension est de 130x25mm. Contrairement aux mémoires de type SIMM, les
mémoires DIMM possèdent des puces de mémoire de part et d’autre de la barrette.

6|Page
 DIMM

 Les barrettes mémoires de format SO-DIMM (Small Outline Dual In-line

Memory Module) :

Ce type de mémoire est actuellement utilisé dans nos PC portable. C’est un format
compact DIMM

SO-DIMM

III- L’évolution des mémoires RAM

1- Mémoire RAM STATIQUE

Dans une mémoire RAM statique, chaque bit d'information est mémorisé dans
une bascule à transistors qui nécessite au moins deux transistors. En réalité, pour que
cette bascule soit adressable, le schéma de chaque cellule mémoire se complique un
peu et se présente sous la forme indiquée figure 30.

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Les transistors T3, T4, T5 et T6 forment la bascule ; le transistor T1 sert à
sélectionner la mémoire pour y écrire une donnée, alors que le transistor T2 sert à
sélectionner la cellule pour lire son contenu. Ce ne sont donc pas deux mais six
transistors qui sont nécessaires pour stocker un bit. Les constructeurs ont alors pensé à
réduire le nombre de transistors d'une cellule mémoire de façon à pouvoir en intégrer
un plus grand nombre sur une même surface. Ils ont alors imaginé les RAM
dynamiques. Dans celles-ci, l'information n'est plus stockée sous forme d'état d'une
bascule mais est emmagasinée dans un condensateur.

2-LES MÉMOIRES RAM DYNAMIQUES

Les mémoires dynamiques stockent les informations (ou bits) sous la forme de
charges électriques appliquées à de petits condensateurs intégrés. Ces condensateurs
ont des capacités de l'ordre de 50 femtofarads soit 50 x 10-15 farads.

A un condensateur chargé correspond la valeur logique 1. A un condensateur

déchargé correspond la valeur logique 0. Sa charge peut être de l'ordre de 500
femtocoulombs, charge correspondant à une tension de 10 volts à ses bornes. Bien
que cette valeur de charge puisse sembler faible, elle correspond tout de même à trois
millions d'électrons et l'on peut considérer qu'une charge mille fois moindre
permettrait encore une mémorisation fiable.

Le schéma d'une cellule élémentaire de RAM dynamique se résume à celui représenté

figure 31-a.

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Elle est constituée d'un transistor MOS et du condensateur de mémorisation C qui est
en réalité la capacité parasite GRILLE-SUBSTRAT du transistor. La résistance R en
série dans le circuit drain est en réalité constituée par un second transistor MOS dont
la grille et la source sont reliées comme le montre la figure 31-b.

Une cellule de mémoire RAM dynamique nécessite donc en réalité deux

transistors, soit trois fois moins qu'une cellule de mémoire RAM statique. Cette
simplicité permet d'atteindre des densités d'intégration assez élevées sur les surfaces
restreintes. A l'heure actuelle, la plupart des constructeurs proposent des RAM
dynamiques de 256 kilobits. Cette diminution du nombre de transistors par cellule
mémoire réduit d'autant la consommation et augmente la rapidité, ce qui constitue
deux avantages non négligeables. Par contre, l'inconvénient majeur de ces mémoires
est que si on les abandonne après leur chargement, les condensateurs se déchargent en
quelques millièmes de secondes et les informations sont perdues. Il est donc nécessaire
d'opérer un rafraîchissement des mémoires dynamiques de façon périodique pour
conserver les données aussi longtemps que l'alimentation est branchée. Le
rafraîchissement des cellules de mémoire s'effectue habituellement toutes les unes ou
deux millisecondes, c'est-à-dire 500 ou 1 000 fois par seconde. Il consiste à recharger
chaque condensateur individuellement avant qu'il ne soit complètement déchargé. Bien
évidemment, les condensateurs qui correspondent à une valeur logique 0 et qui sont
déchargés au départ, ne doivent pas être chargés lors des rafraîchissements. Ce
processus nécessite un signal périodique qui peut être fourni soit par un générateur
d'horloge, soit par le signal de lecture lui-même à condition qu'il soit répété
régulièrement. Ainsi, dans les mémoires dynamiques, il existe toujours une porte
utilisée pour générer les signaux internes de commande nécessaire à la régénération
des données.

La figure 32 donne le schéma synoptique d'une mémoire dynamique de 64 bits.

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Examinons de plus près, à l'aide de la figure 33, le principe de fonctionnement du
circuit de rafraîchissement.

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Considérons la cellule mémoire sélectionnée par la rangée et la colonne correspondant
à l'adresse choisie (en gras figure 33). Les données transitent par la liaison
correspondant à la colonne sélectionnée sur laquelle est relié un amplificateur de seuil.

11 | P a g e
 Lorsqu'il s'agit d'écrire dans la mémoire, les inverseurs , et sont sur la
position «a» et la donnée arrive à la cellule mémoire, chargeant le condensateur s'il
s'agit d'un 1 logique et le déchargeant si c'est un 0 logique.

Lorsqu'il s'agit de lire le contenu de la mémoire, les inverseurs , et

sont sur la position «b» et la charge du condensateur de la cellule mémoire
sélectionnée est appliquée à l'entrée d'un amplificateur de seuil. Suivant le niveau haut
ou bas appliqué sur son entrée, cet amplificateur bascule dans un état haut ou bas et
délivre ainsi sur la sortie le bit mémorisé. Aussitôt après cette lecture, l'inverseur
repasse sur la position «a» et l'état haut ou bas de la sortie de l'amplificateur sert à
recharger éventuellement (dans le cas de l'état haut) le condensateur de la cellule
mémoire. Lors d'un cycle de rafraîchissement, chaque cellule est ainsi lue et rechargée
aussitôt. Pour accélérer le processus, un amplificateur est relié à chaque colonne
et toutes les colonnes sont rafraîchies simultanément : l'opération de
rafraîchissement d'une mémoire complète consiste donc à lire séquentiellement en une
ou deux millisecondes toutes les lignes de la mémoire.

IV-RAPIDITÉ DES MÉMOIRES

Nous avons vu précédemment que les mémoires dynamiques MOS étaient plus
rapides que les mémoires statiques réalisées avec la même technologie. Voyons ce que
cela signifie concrètement. Une mémoire est considérée comme plus ou moins rapide
selon le temps plus ou moins long nécessaire à la lecture du contenu d'une adresse.
Plus précisément, cette rapidité de la mémoire est fonction du temps d'accès et du
temps de cycle de lecture. Le temps d'accès est le temps qui s'écoule entre l'instant où
la mémoire reçoit un ordre de lecture et l'instant où celle-ci fournit en sortie la donnée
contenue à l'adresse indiquée. Les mémoires MOS ont un temps d'accès de l'ordre de
100 à 200 nanosecondes, par contre pour les mémoires bipolaires, ce temps est réduit
à quelques dizaines de nanosecondes. Le temps de cycle de lecture est égal au temps
d'accès, plus un certain temps nécessaire à la mémoire pour se préparer à recevoir la
demande suivante. En effet, dans les mémoires dynamiques, lorsqu'une donnée vient
d'être lue, elle doit être réécrite aussitôt à la même adresse sous peine d'être perdue.
Cette procédure n'existe pas dans les mémoires statiques qui ne perdent pas le contenu
d'une adresse pendant la lecture.

V-Importance des mémoires RAM

La mémoire RAM est mémoire importance pour tout ordinateur, car lors du
fonctionnement de l'ordinateur, le processeur du PC a besoin de stocker les
programmes actifs de même que des données et des résultats intermédiaires dont il
peut avoir besoin. Ce qui la différencie des autres périphériques de stockage est que
son temps d'accès est environ 200 fois plus rapide. L'accès au disque dur est
relativement lent. Par conséquent, si à chaque fois que le système d'exploitation devait
récupérer des informations il passait par le disque dur, l'ordinateur serait extrêmement
peu véloce, ce qui n'est évidemment pas le but recherché ! C'est là que la mémoire vive

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fait son entrée : de fait, le système charge provisoirement les données dont il a besoin
dans la RAM afin de pouvoir y accéder instantanément. Et quand l'ordinateur s'éteint,
elle se vide de toutes ses données. C'est la raison pour laquelle il est important d’avoir
une bonne capacité de mémoire RAM dans son ordinateur afin de profiter d'une une
meilleure utilisation. Tout comme les disques durs, sa capacité s'exprime en
Gigaoctets (ou Go).

VI-Comment choisir une mémoire RAM

Le choix d'une mémoire RAM doit être fait en fonction de votre carte mère
(pour des raisons de compatibilité), de son constructeur et de sa capacité. Plusieurs
types de mémoires RAM existent mais vous entendrez beaucoup plus parler : de
DDR2, DDR3 et actuellement de DDR4. Les cartes mère actuelles sont compatibles
avec la mémoire vive DDR3 et la mémoire vive DDR4. Alors, la question qui se pose
est de savoir comment bien choisir une mémoire RAM ? Pour bien choisir une
mémoire RAM, il faudrait à priori se demander quel type d'utilisation vais-je faire de
mon ordinateur (Montage vidéo, Gaming, Bureautique, etc.). Il faudrait aussi noter
qu'il existe deux formats de RAM qui sont les plus utilisées : les DIMM pour les
ordinateurs de Bureau et les SO-DIMM pour les ordinateurs portables. Si aujourd'hui
vous configurez un nouvel ordinateur, ne réfléchissez pas : optez pour de la mémoire
vive DDR4 qui représente la nouvelle génération.

Pour la Bureautique une RAM de 4 Go minimum ferait l'affaire. Pour le Multimédia et

pour ceux qui utilisent Windows 10, il est conseillé d'utiliser 8 Go. Pour ceux qui font
du MAO, CAO et DAO, les capacités peuvent variées de 8 Go et 64 Go en fonction
des logiciels que vous utilisez, car tous ne demandent pas les mêmes capacités. Et pour
les Gamers, privilégiez au minimum 8 Go de RAM.

Le choix d'une mémoire RAM ne se fait pas seulement en fonction de sa

capacité mais aussi et surtout de sa marque. Pour cela, notre équipe de professionnels a
sélectionne pour vous les meilleures barrettes de RAM : Kingston, Crucial, G.Skill et
Corsair, qui sont des constructeurs reconnus pour leur expertise et leur fiabilité. Ces
barrettes de mémoire vive DDR3, DDR4 pour PC portable SO-DIMM DDR3 et SO-
DIMM DDR4 sont adaptées à une utilisation bureautique, multimédia, ou Gaming,
selon votre profil. Ces mémoires proposent en effet des capacités allant de 2 Go à 64
Go, et des timings, CAS et fréquences de fonctionnement adaptés à chaque besoin
pour un PC fiable, vif et puissant.

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 DDR4

VII-Caractéristiques comparées de quelques mémoires RAM.

Temps
Mots Capacité Consommation
Type Technologie d'accès en Remarques
de en Kbits en mW
ns
Ces mémoires doivent
RAM MOS N 1, 4, 8 être rafraîchies toutes
16 à 256 100 à 350 30 à 40
dynamique MOS bits les 3 ms pour conserver
leur contenu
Densité plus faible que
RAM MOS N 1, 4, 8 les RAM dynamiques.
4 à 64 150 à 400 150 à 600
statique MOS bits Généralement 2
transistors par cellule
Faible consommation.
RAM 1, 4, 8 0,256 à
CMOS 100 à 600 20 à 100 Peut être rendu non
statique bits 64
volatile grâce à une pile
Temps d'accès faible
RAM 1, 4, 8 0,256 à mais capacité (max. 4
ECL 10 à 45 400 à 1 000
statique bits 4 Kbits) et
consommation élevée
RAM Bipolaire 1 ou 4 64 bits à Chaque cellule est une
33 à 50 175 à 500
statique TTL bits 4 Kbits bascule bistable

## EXEMPLE DE MÉMOIRE RAM

La figure 35-a montre le brochage d'une mémoire RAM statique de type 4016 de
Texas Instruments de 2K mots de 1 octet. La figure 35-b montre son schéma
synoptique.

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CONCLUSION
La mémoire vive est un élément très important dans la gestion des processus et
c'est elle qui permet à votre ordinateur d'organiser toutes les taches qu'il a à faire. Dans
l'éventualité où vous devriez changer de barrette de RAM respectez bien certains
paramètre (version, fréquence...). Essayez toujours de choisir un produit de bonne
qualité, les prix peuvent varier et grimper selon la devise du pays pour les barrettes de
RAM les plus performantes (128 Go). La durée de vie de ces dernières variera en
fonction de leur qualité de fabrication et leur utilisation.

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