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Département : Génie électrique

« Génie Electrique et Contrôle des Systèmes industriels »

GECSI

Rapport du TP

TP N°1 : REDRESSEMENT MONOPHASE


DOUBLE ALTERNANCE

Réalisé par : Encadré :


AYAT Nabil M.KISSAOUI Mohamed

Année Universitaire : 2019-2020


Objectif du TP :
Objectif Il s’agit dans ce TP, de faire l’étude et la simulation du redressement et du filtrage d’un
signal alternatif, de réaliser des circuits de redressement en double alternance, et d’analyser
l’évolution de la tension et du courant de sortie du convertisseur avec charges résistives et
inductives.

Partie I : Redresseur double alternance à diodes :

 Définition :

Un redresseur, également appelé convertisseur alternatif/continu ou pont de Graetz, est un


convertisseur destiné à alimenter une charge qui nécessite de l'être par une tension et un courant
tous deux les plus continus possibles, à partir d'une source de tension alternative. L'alimentation
est, la plupart du temps, un générateur de tension. Il y a deux types de redresseurs :

 Les redresseurs non commandés, essentiellement réalisés à partir de diodes , sont utilisés
lorsque la tension de sortie n'a pas besoin d'être ajustée
 Les redresseurs commandés dont la tension de sortie peut être variable comportent
des thyristors ou des ensembles de diodes et de thyristors. Du fait de leur
importante puissance massique ces redresseurs sont toujours utilisés en forte puissance et
lorsqu'il est nécessaire de réguler ou de faire varier les grandeurs électriques en sortie. En
faible et moyenne puissance, les redresseurs commandés à thyristors sont en voie
d'obsolescence et sont avantageusement remplacés par la « mise en cascade » d'un
redresseur commandé ou non et d'un convertisseur continu-continu. Dans les petites
puissances, la commande d'un transistor à effet de champ ou d'un IGBT est plus simple que
celle d'un thyristor, d'autre part, les fréquences de fonctionnement des hacheurs, qui sont
aujourd'hui du domaine des 200 kHz, permettent de diminuer considérablement la taille des
composants de filtrage (inductances et condensateurs). Enfin il existe des redresseurs à
absorption sinusoïdale construits à l'aide de
diodes, transistors Ballast MOSFET ou IGBT qui sont utilisés afin d'améliorer la forme
d'onde du courant alternatif consommé côté réseau.
Figure 1 Trois redresseurs sous forme de ponts de Graetz.

1. Manipulation nº1 : Débit sur une charge résistive :


 Travail à effectuer :
Tout d’abord on doit dessiner le montage sur le logiciel psim et Régler les paramètres
suivants : Time step : 100μs, Total time : 20ms, Print time : 0

Figure 2 montage redresseur non commandé double alternance

Figure 3 régulation des paramètres sous simulation control


a. Visualisez et relevez, la tension à l’entrée du redresseur, la tension de sortie, et la
tension aux bornes d’une des 4 diodes du pont.

Pour la tension de l’entrée Ve du redresseur reste le même avec la fréquence de 50 HZ et


valeur efficace de 45 V.

Figure 4 Tension d’entrée du redresseur

Pour la tension de la charge Vch on voit le redressement selon la figure suivant :

Figure 5 Tension de sortie

Pour la tension au borne d’une des diodes il faut ajouter un voltmètre au borne d’une diode
La tension inverse des diodes peut avoir une valeur maximale supérieure à la valeur maximale
de la tension d’entrée (voir les figures 4 et 6)

Tension aux bornes de D’1

Figure 6 la tension au borne de la diode D4

b. Calculer théoriquement et par Simview en utilisant ; la valeur moyenne de la tension


aux bornes de la charge.
 Valeur moyenne de la tension aux bornes de la charge :

2𝑉𝑚𝑎𝑥 2√2 𝑉𝑒𝑓𝑓


𝑉𝑐ℎ𝑚𝑜𝑦 = = = 40,5V
𝜋 𝜋

Ça donne la même valeur sur simview

Figure 7 La valeur moyenne de Vch

c. Calculer théoriquement et par Simview en utilisant ; la valeur efficace de la tension


aux bornes de la charge

 Valeur efficace de la tension aux bornes de la charge :

1 𝜋 𝑉𝑚𝑎𝑥
√ ∫0 (𝑉𝑚𝑎𝑥 𝑠𝑖𝑛𝜃)2 𝑑𝑡 = 𝑉𝑒𝑓𝑓 = = 45V
𝜋 √2

Ça donne la même valeur sur simview

Figure 8 la valeur efficace de Vch

d. Visualisez et relevez, le courant à l’entrée du redresseur, le courant qui circule dans les
diodes, et le courant de charge.

 Visualisation de courant du réseau


Il faut ajouter un ampèremètre en série avec la source

Figure 9 le courant de la source


 Visualisation des courants qui circule dans les diodes D1 et D4 :
Il faut ajouter un ampèremètre en série avec les diodes D1 et D4

Figure 10 le courant ID1

Figure 11 le courant ID4

 Visualisation de courant de charge :

Figure 12 le courant de la charge

2. Manipulation nº2 : Débit sur une bobine :


 Travail à effectuer :
Tout d’abord on doit dessiner le montage sur le logiciel psim et Régler les paramètres
suivants : R = 12Ω, L=100mH
Figure 13 PD2 avec charge RL

Partie A :
a. Visualisez et relevez, la forme d’onde du courant de charge et vérifier son lissage

 Visualisation du courant de la charge :

D’après la figure suivant il se voit qu’Ilya de lissage produit par la bobine

Figure 14 courant de la charge

b. Augmenter progressivement la valeur de l’inductance jusqu’à obtenir un taux


d’ondulation inférieur à 5%

On peut calculer le taux d’ondulation à partir de la relation suivant :

𝐼𝑚𝑎𝑥 − 𝐼𝑚𝑖𝑛
𝜏=
𝐼𝑚𝑜𝑦
D’après simview pour L=0.1H on peut déduire que Imoy = 2.13A

Figure 15 la valeur moyenne du courant Vch


pour L= 0.1H
3.4−3.3
Et 𝜏= = 0.04 = 4%
2.13

Donc pour avoir un taux d’ondulation de 5% il faut augmenter la valeur de


l’inductance.
c. Relevez la valeur de L nécessaire à obtenir 𝝉 < 5%
Selon simview j’ai trouve que pour L= 0.000001H on trouve un taux d’ondulation qui
est supérieure a 5%
Pour L = 0.000001H on trouve que Imoy = 3.37A

Figure 16 la valeur moyenne du Ich pour


L=0.000001H

On trouve aussi le taux d’ondulation


3.4−3.1
𝜏= = 0.059 = 5,9%
2.37

Donc on constate que si la valeur de l’inductance tend vers 10−5 le taux d’ondulation devient
supérieur à 5%

d. Relevez la valeur de L nécessaire à obtenir 𝝉 < 5%

e. Visualisez et relevez, la forme d’onde de la tension de charge

Figure 17 tension au borne de la charge

f. Calculer par Simview en utilisant respectivement les touches , et ; la valeur moyenne


et la valeur efficace de la tension aux bornes de la charge. Comparez-les aux valeurs
théoriques.
Figure 18 la valeur efficace de Vch
Figure 19 la valeur moyenne de Vch

Donc on constate Pour la valeur moyenne et la valeur efficace sont les mêmes que
pour la charge résistive La tension subie par les diodes est le même que celui subie
par les diodes du PD2 avec charge résistive

g. Visualisez et relevez, le courant à l’entrée du redresseur, le courant qui circule dans les
diodes D1 et D’1, et le courant de charge.
 Visualisation du courant à l’entrée du redresseur :

Figure 20 courant à l’entrée du redresseur

 Visualisation du courant qui circule dans les diodes D1 et D4 :

Figure 21 courant dans la diode D1

Figure 22 courant dans la diode D4


 Visualisation du courant de charge :

Figure 23 courant dans la charge

h. Visualiser et relever la tension aux bornes de la diode D1 et le courant la traversant.


Evaluer la tension inverse maximale subie par la diode.
 Visualisation de la tension aux borne de D1 et le courant qui traversant :

Figure 24 tension et courant aux borne de D1

On constate que la tension inverse maximale aux borne de la diode D1 garde sa valeur malgré
l’ajoute de l’inductance.
i. Mesurer la puissance active Pc dans la charge
On sait que Pc=Ich xVch
J’ai mesure la puissance active sur simview ça donne :

Figure 25 la puissance active dans la charge

j. 9. Calculer Ps la puissance active côté source. Comparer Ps et Pc.

Maintenant il faut calculer la puissance au niveau de la source. On sait que Ps=Ie x


Ve .
On utilisant simview ça donne :

Figure 26 la puissance active dans la source


Alors Il se voit que Les valeurs de puissances sans égaux donc la puissance n’a pas été
dissipée de la source vers la charge.

Partie B :
a. On étudiera l’impact de la tension seuil et de la résistance interne sur la valeur moyenne
de la tension de charge

Tout d’abord on doit ajouter aux diodes une tension de seuil de 0,7V et une résistance de
0.1Ω

Figure 27 l’ajoute de la tension de seuil et la résistance

 Visualisation de la tension de charge

Figure 28 tension de charge

On peut déduire que la valeur moyenne de la tension de la charge a diminué, et ceci dû à


la tension de seul présentée aux bornes de la diode.
b. Etudier enfin le phénomène d'empiètement en plaçant une bobine d'inductance L =
250μH entre la source et le redresseur, simulant l'inductance de fuite du secondaire
d'un transformateur.
On doit ajouter une inductance de 𝐿 = 250µ𝐻 entre la source et le redresseur
 Visualisation de la tension de charge :

Figure 29 La tension de charge

Dans ce cas la valeur moyenne de la tension de la charge est 〈𝑉𝑐ℎ 〉 = 16.3𝑉 donc le
phénomène d’empiètement conduit une chute de tension de sortie.

L’inductance présente une certaine chute de tension ce qui diminue la valeur moyenne
de la tension en sortie du PD2, et la conduction de diode en même temps :

Figure 30 phénomène d’empiétement


3. Manipulation nº3 : Débit sur une charge RC (Filtrage)
 Travail à effectuer :
Tout d’abord on doit ajouter un condensateur en parallèle avec la charge comme le
montre la figure suivant

Figure 31 l’ajoute d’un condensateur

a. Pour C fixée à 100μF, faites varier, R= 100Ω, 50Ω, 10Ω, 1Ω . Visualisez et relevez
vos courbes.
On fixe C à 100μF et on va visualiser les courbes pour la tension d’entrée et de charge
 Pour R= 100Ω

Figure 32 Vch et Ve pour R= 100Ω

 Pour R= 50Ω

Figure 33 Vch et Ve pour R= 50Ω


 Pour R= 10Ω

Figure 34 Vch et Ve pour R= 10Ω

 Pour R= 1Ω

Figure 35 Vch et Ve pour R= 1Ω

b. Pour R fixée à 100Ω, faites varier, τ=R C = T /10 ; τ = R C = T ; τ = R C = 10 T, où T


est la période en seconde Visualisez et relevez vos courbes.
Pour T /10 on trouve que 𝐶 = 20µF
 Visualisation de Vch et Ve

Figure 36 Vch et Ve pour T/10

Pour T on trouve que 𝐶 = 200µ𝐹


 Visualisation de Vch et Ve
Figure 37 t Vch et Ve pour T

Pour 10T on trouve que 𝐶 = 2 𝑚F


 Visualisation de Vch et Ve

Figure 38 Vch et Ve pour 10T

c. Remplir les tableaux 1 et 2


• Pour C fixe, et R variable :
R(Ω) 1 10 50 100
Vchmoy(V) 40,5096 40,8311 44,67 48,3272
Vcheff(V) 44,9922 45,0411 47,098 50,0423

Ichmoy(A) 40,5095 4,08311 8,9354 0,4832


Icheff(A) 44,9921 4,50411 9,4197 0,5004
ΔV 63,6286 57,6841 40,8925 29,5292
F 1,11065 1,1031 1,0543 1,0354
τ 1,5707 1,4127 0,9154 0,6110
Vchmax(V) 63,628664 63,629866 63,629966 63,629987
Vchmin(V) 0 5,9457 22,7374 34,1006

• Pour R fixe, et C variable :


τ (s) T/10 T 10T
Vchmoy(V) 41,6227 51,8032 57,1204
Vcheff(V) 45,3012 53,2646 58,6632
Ichmoy(A) 0,41622 0,51803 0,57120
Icheff(A) 0,45301 0,53264 0,58663
ΔV 52,8241 19,1206 2,7996
F 1,0883 1,02821 1,0270
τ 1,2691 0,36910 0,0490
Vchmax(V) 63,6299 63,6299 63,6299
Vchmin(V) 10,8058 44,5093 60,8303

d. Relevez la valeur de C nécessaire à obtenir 𝝉 < 5%


D’après le tableau 2 on peut constater que si on augmente 𝝉 (constante du temps) la
valeur de 𝝉 (taux d’ondulation) sera diminuée. Et la valeur de C au-delà de laquelle le
10𝑇 10 10
taux d’ondulation sera inférieur à 5% est = = = 2𝑚𝐹
𝑅 𝑓𝑅 50.100

Partie II : Redressement monophasé commandé : Cas d’un pont mixte

1. Manipulation nº1 : Débit sur une charge résistive


Dans un premier lieu on va travailler sur le pont mixte symétrique

Figure 39 pont mixte symétrique

 Travail à effectuer :
a. Indiquez sur deux périodes les intervalles de conduction de chaque élément pour 𝜶 =
𝝅
Pour 𝑡 ∈ [ π/4 , π + π/4 ] : TH1 et D4 conduisent.
Pour 𝑡 ∈ [π + π/4 , 2π] :TH1 et D3 conduisent.
b. A quel instant chaque interrupteur est-il mis en conduction ?
 angle de conduction :
Pour TH1 : 45°
Pour TH2 : 135°
Pour D3 : 135°
Pour D4 : 45°
 Temps de conduction :
Pour TH1 : 0,0025s
Pour TH2 : 0,0075s
Pour D3 : 0,0075s
Pour D4 : 0,0025s
c. Visualisez et relevez la tension et le courant de charge

Figure 40 la tension Vch

Figure 41 le courant Ich

d. Calculer par Simview en utilisant respectivement les touches , et ; la valeur moyenne


et la valeur efficace de la tension aux bornes de la charge
Figure 42 la valeur moyenne et efficace de Vch

e. Exprimez théoriquement en fonction de 𝜶 ; quelle est la plage de variation de la


tension ?
π
𝑉𝑐ℎ 𝑚𝑜𝑦 = 1/π ∫π/4 Vmax sin θ dθ = Vmax(1 + cos θ) /π

La plage de variation de la tension : −1 ≤ cos 𝜃 ≤ 1


0 ≤ 1 + cos 𝜃 ≤ 2
0 ≤ 𝑉𝑚𝑎𝑥(1 + cos 𝜃)/π ≤ 2 𝑉𝑚𝑎𝑥/π
Alors la plage de variation est : 𝑉𝑐ℎ 𝑚𝑜𝑦 𝜖 [0,2 𝑉𝑚𝑎𝑥/π]
f. Refaire le même travail pour un pont mixte asymétrique.

Figure 43 pont mixte asymétrique

Figure 45 valeur moyenne de Vch Figure 44valeur efficace de Vch

g. Comparez les résultats obtenus des 2 ponts

Donc On peut constater que la valeur moyenne et la valeur efficace sont les mêmes que
celles du redresseur mixte asymétrique.
Partie III Redressement monophasé commandé : Pont tout thyristor-
lissage de courant

1. Manipulation nº1 : Débit sur moteur à cc

Figure 46 Pont tout thyristor-lissage de courant

a. Préciser les intervalles de conduction des thyristors ;

Pour [0 ; π/3] : Th1, Th2, Th3 et Th4 sont bloqué

Pour [π/3 ; π] : Th1 et Th3 sont passant

b. Relever la tension et le courant de charge ;


 Visualisation de la tension

Figure 47 la tension Vch

 Visualisation de courant
Figure 48 le courant Vch

c. Relever les courants iTH1, iTH'2, iTH2, iTH'1 ;


 Visualisation du courant iTH1

Figure 49 le courant iTH1

 Visualisation du courant iTH2 :

Figure 50 le courant iTH2

d. Relever le courant i(t) à l’entrée du redresseur ;


 Visualisation de courant à l’entrée du redresseur

Figure 51 le courant à l’entrée du redresseur


e. Visualiser le spectre en fréquence du courant à l’entrée du redresseur et déduire le
Taux de distorsion harmonique THD ;

Figure 52 spectre du courant

f. Calculer théoriquement et par Simview en utilisant ; la valeur moyenne de la tension


aux bornes de la charge ucharge ;

Figure 53 valeur moyenne Vch et Ich

𝑇
Vchmoy = 1/T ∫0 𝑉 (𝑡)𝑑𝑡 = 140𝑉 la même valeur qu’on a trouvé sur simview
g. Mesurer la puissance active Pch dans la charge et le facteur de puissance PF de cette
manipulation ;

Conclusion :
Ce Tp une occasion pour moi afin d’apprendre tous ce qui est mesure et interprétation
et visualisation des circuits de puissance sur le logiciel psim.

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