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Diode à jonction
Jonction P-N
Une jonction P-N est créée par la mise en contact d’un semi- conducteur
dopé N et d’un semi- conducteur dopé P. si l’on applique une tension
positive du coté de la région P, les porteurs majoritaires (les trous) sont
repoussés vers la jonction. Dans le même temps, les porteurs majoritaires
du coté N (les électrons)sont attirés vers la jonction.
Diode à jonction
Jonction P-N
La diffusion des e- de n vers p vide la région près de la jonction des
porteurs. De Chaque coté, il se crée des ions positifs et négatifs. Cela
engendre un champ électrique interne Ei . Ce champ s’oppose au
déplacement des porteurs majoritaires de part et d’autre de la jonction.
tension seuil Vo
Vd <0, la diode se comporte comme un bon isolant : Is ~ 1 pA - 1µA ,diode
bloquée.
Vd >>Vo, la diode se comporte comme un bon conducteur, diode passante.
La tension aux borne de la jonction PN = 0.7V (barrière de potentiel)
Zone du coude : 0< Vd V o I d I s exp Vd /VT 1 avec 1 2 (facteur “non d’idéalité”)
Diode à jonction
Caractéristiques courant / tension d’une diode
Polarisation directe
Equation de la caractéristique Id = f(Vd)
T: température en Kelvin
q: charge de l’électron =
K: constante de boltzman=
IS: courant inverse de jonction =le courant de fuit (de l’ordre de 10 nA)
1,2 : Facteur de non idéalité
Diode à jonction
Caractéristiques courant / tension d’une diode
Polarisation directe
Pour un courant I0 la tension aux bornes de la diode varie en fonction de la
température.
Tension de claquage
Diodes
Point de fonctionnement
Loi de Kirchoff :
Ri Vd Val
Val >0
Val
Val
Id
Ri diode “bloquée”
Val<0 Vd Val Vd 0
Val
Diodes
Modélisation
seconde approximation
Id
tension seuil Vo non nulle courant inverse nul Tension directe =0.7
résistance directe nulle
Vo
Schémas équivalents : diode “passante”
Id Ri Id 0
pente=1/Ri
Ri Val >Vo Val Vo
Vd
Vo Val
Val
Id
diode “bloquée”
Ri
Vd Vo
Vd Val
Val<Vo
Val
Diodes
Modélisation
3ième approximation
Ri
Val <Vo :
Vd diode bloquée
Val
Val Rr Vd Vo
Application des diodes
Application des diodes
Redressement et filtrage
+
C
Coefficient d’ondulation :
Le coefficient d’ondulation (r) est une indication de l’efficacité du filtre
est définie par
Application des diodes
Circuits limiteurs (à diodes)
Symbole:
Application des diodes
Diode Zener
Pour d’autres diodes zener, il est possible que sous l'action du champ électrique
interne, les porteurs de charges minoritaires (du silicium) de la zone isolante
acquièrent une énergie telle qu'il puisse y avoir ionisation par choc, et, par effet
d'avalanche, le courant croît extrêmement vite. La tension aux bornes de la diode ne
varie pratiquement pas non plus. C’est ce qui est appelé effet d’avalanche.
Application des diodes
Diode Zener
Caractéristique de claquage
La figure si dessous montre la portion inverse de la courbe caractéristique d’une
diode Zener
R
D1 D2
Vm
C Dz Rc
D3 D4
Diodes optiques
Diode électroluminescente
Lorsque les électrons se recombine, ils libèrent de l’énergie sous forme de chaleur
et de la lumière.
Différentes impuretés sont ajoutées lors du procédé de dopage afin d’établir la
langue d’onde de la lumière émise. la longueur d’onde détermine la couleur du
faisceau lumineuse .
Une LED peut contenir de l’arséniure de gallium (GaAs), du phosphate d’arséniure
de galium(GaAsP) ou du phosphate de gallium(GaP)
Le silicium et le germanium ne sont pas utilisés puisque ce sont des matériaux
semi conducteur produise de la chaleur .
Mauvais pour émettre de la lumière
(AsGa: ~1.3V)