Physique Solide PDF

Physique du solide
Physique du solide
Par Sam Kinyera OBWOYA
Prepared by Sam Kinyera OBWOYA
African Virtual university

Université Virtuelle Africaine
Universidade Virtual Africana
Université Virtuelle Africainee
Note
Ce document est publié sous une licence Creative Commons.

http://en.wikipedia.org/wiki/Creative_Commons
Attribution
http://creativecommons.org/licenses/by/2.5/
License (abréviation « cc-by »), Version 2.5.
Table des matières
I. Physique du Solide _ ________________________________________5
II. Connaissances préalables/ Pré requis ___________________________5
III. Temps d’apprentissage Nécessaire _ ____________________________5
IV. Matériels Requis _ __________________________________________5
V. Justification du module _____________________________________ 5
VI. Contenu __________________________________________________6
6.1 Vue d’ensemble__________________________________________6
6.2 Aperçu________________________________________________7
6.3 Représentation Graphique_________________________________ 8
VII. Objectif(s) Général (aux) _ ____________________________________8
VIII. Objectifs Spécifiques liés aux activités d’apprentissage)______________9
IX. Évaluation Préliminaire _____________________________________11
X. Activités d’enseignement et d’apprentissage______________________17
XI. Liste Compilée de tous les Concepts Clé_________________________87
XII. Liste Compilée de Lectures Obligatoires _ _______________________90
XIII. Liste compilée (optionnelle) des ressources multimédias ___________92
XIV. Liste Compilée de liens utiles _________________________________93
XV. Résumé du Module________________________________________114
XVI. Évaluation sommative_ ____________________________________116
XVII. Références_ ____________________________________________119
XVIII. Auteur Principal du Module_ _______________________________120
XIX. Structure du fichier________________________________________120

Avant-propos
Ce module a quatre sections majeures
La première section est la section Introduction qui est composée de cinq parties :
Titre:- Le titre du module est clairement décrit
Connaissances préalables/ Pré requis : Ce module vous fournit des informations
sur les connaissances spécifiques préalables et les compétences nécessaires pour com-
mencer à étudier ce module. Examiner avec soin les exigences car cela vous aidera
à décider si vous avez besoin de faire des révisions ou pas.
Temps d’apprentissage Nécessaire: Cette section vous donne le temps total (en
heures) requis pour apprendre le module. Tous les autotests, activités et évaluations
sont à faire dans le temps spécifié.
Matériels Requis: Dans cette section, vous trouverez la liste du matériel nécessaire
pour étudier le module. Une partie du matériel fait partie de la trousse du cours
que vous allez recevoir dans un CD-Rom ou vous pouvez y accéder via l’internet.
Le matériel recommandé, pour mener à bien des expériences, peut être obtenu par
votre institution hôte (Institution partenaire de l’AVU) ou vous pouvez l’acquérir,
l’emprunter ou par d’autres moyens.
Justification du module: Dans cette section, vous aurez la réponse à vos questions
comme ‘’ Pourquoi devrais-je étudier ce module en tant que professeur en apprentis-
sage ? En quoi est-ce pertinent pour ma carrière ?’’
La deuxième section est le Contenu qui est composé de trois parties:
Vue d’ensemble: Le contenu de ce module est présenté brièvement. Dans cette sec-
tion, vous trouverez une vidéo (Quicktime, .mov) dans laquelle l’auteur du module
est interviewé pour faire un résumé du module. Le paragraphe ‘’vue d’ensemble’’ du
module est suivi d’un aperçu du contenu incluant le temps approximatif requis pour
étudier chaque section. Une organisation graphique de tout le contenu est présentée
après l’aperçu. Les trois éléments mentionnés ci-dessus vont vous aider à avoir une
idée sur l’organisation du module.
Objectif(s) Général (aux): Des objectifs clairs, informatifs, concis et atteignables
sont fournis pour vous donner les connaissances et attitudes qu’on attend de vous
pour atteindre ces objectifs au terme de l’étude de ce module.
Objectifs spécifiques liés aux activités d’apprentissage (Objectifs formateurs):
Chacun des objectifs spécifiques, énoncés dans cette section, est au cœur d’une
activité d’apprentissage et d’enseignement. Les unités, éléments et thèmes de cette
section sont destinés à réaliser les objectifs spécifiques et tout autre type d’évaluation
est basé sur les objectifs devant être atteints. Vous êtes invités à prêter un maximum
d’attention aux objectifs spécifiques car ils sont essentiels afin d’organiser vos efforts
dans l’étude de ce module.
La troisième section constitue le gros du module. C’est la section dans laquelle on

passe le plus de temps et elle représente les Activités d’enseignement et d’appren-
tissage. L’essentiel des neufs composantes est énuméré ci-dessous:
Évaluation préliminaire: Une série de questions, qui vont évaluer quantitativement
votre niveau de préparation par rapport aux objectifs de ce module, est présentée dans
cette section. Les questions d’évaluation préliminaire vont vous aider à identifier ce
que vous savez et ce que vous devrez savoir, afin que votre niveau de préoccupation
augmente et que vous jugiez votre niveau de maitrise. Des réponses clés sont four-
nies pour la série de questions et quelques commentaires pédagogiques sont fournis
à la fin.
Activités d’enseignement et d’apprentissage: C’est le cœur du module. Vous devrez
suivre le guide d’apprentissage dans cette section. Divers types d’activités sont fournis.
Lisez chaque activité. À certains moments, vous n’allez pas nécessairement suivre
l’ordre dans lequel les activités sont présentées. Il est important de noter que:
• Les évaluations formatives et sommatives sont menées en profondeur.
• Toutes les lectures obligatoires et ressources sont faites
• Le plus de liens utiles possibles sont visités
• Il est possible de communiquer avec le professeur et de lui faire des sugges-
tions Liste Compilée de tous les Concepts clés (glossaire) : Cette section
contient des définitions courtes et concises de termes utilisés dans ce module.
Cela vous aidera avec les termes qui ne vous seraient pas familiers dans le
module
Liste Compilée de toutes les Lectures obligatoires : Un minimum de trois lectu-
res obligatoires vous est fourni dans le module. Il est obligatoire de lire ces docu-
ments.
Liste Compilée de toutes les Ressources Multimédias (Optionnelles): Un minimum
de deux vidéos et un fichier audio avec un résumé sous forme texte sont fournis dans
cette section.
Liste Compilée de tous les Liens utiles: Une liste d’au moins de dix sites web est
fourni dans cette section. Cela vous aidera à négocier avec le contenu de manière
approfondie.
Synthèse du Module : Le Résumé du module est présenté

Évaluation Sommative :
Aimez votre travail sur ce module

I. Physique du Solide
Par Sam Kinyera, Université Obwoya Kyambogo, Uganda.
II Connaissances préalables/ Pré requis

Les pré-requis de base pour ce module sont la physique à l’école que vous avez
appris. En particulier, une connaissance des cours suivants est essentielle afin de
pouvoir suivre et comprendre le module d’une façon efficace. Un des cours pré-requis
est l’électricité et le magnétisme. Le concept de la force et la loi de Coulomb sont
essentiels lorsqu’on apprend la structure atomique. Une connaissance préalable de la
chaleur et de la thermodynamique est aussi requise afin d’apprendre le module. En
particulier, vous avez besoin de réviser la capacité thermique à un volume constant et à
une pression constante. En plus, vous aurez besoin de réviser les concepts d’entropie,
d’enthalpie et les fonctions thermodynamiques. Comme une exigence générale, vous
avez besoin de maîtriser le calcul en mathématiques
III Temps Nécessaire

Ce module peut être étudié en 120 heures.
IV Matériels Requis
Le matériel requis pour le module nécessite un accès à un ordinateur, mais encore il est
plus important d’avoir accès à Internet. L’internet va fournir beaucoup de références
essentielles et de ressources multimédia. Ces ressources multimédia sont impor-
tantes car dans certains cas elles servent comme conférencier virtuel et les sources
de l’équipement qui peuvent être utilisées pour réaliser des expériences virtuelles.
Cependant, quelques CD-ROM seront aussi disponibles pour compléter l’utilisation
de l’internet. D’autres matériels incluent les lectures et les ressources obligatoires
qui peuvent être disponibles dans les librairies ou écoles à proximité.
V Justification du module
Ce module est désigné pour fournir une fondation de base en physique aux étudiants.
Cela permettra aux étudiants de pouvoir expliquer les propriétés physiques, thermi-
ques, électriques et optiques des corps solides. Le module est structuré de telle façon
que l’apprenant puisse faire les activités telles que c’est prescrit. Le module global
va fournir à l’étudiant des idées de base sur ce que sont les corps solides en fonction
de leur comportement et par conséquent lui permettra d’être capable d’enseigner une
grande partie de la physique d’école.
VI Contenu
6.1 Vue d’ensemble
Ce cours est destiné aux étudiants qui s’inscrivent à un BSc en Éducation et aux di-
plômes BEd. La physique du solide forme l’épine dorsale de la physique. Le module
a quatre unités : Introduction à la physique du solide ; défauts cristallins et propriétés
mécaniques ; propriétés thermiques et électriques ; et la théorie des bandes et les
propriétés optiques.
Dans la première unité/activité, introduction à la physique du solide, l’étudiant est
censé capable d’expliquer la structure atomique, de décrire les différentes liaisons
atomiques telles que les liaisons ioniques et les liaisons covalentes. L’apprentissage
va aussi exiger aux étudiants de faire la distinction entre le cristallin et les matières
amorphes ; polycristal et les matières amorphes et d’expliquer la production et l’uti-
lisation de la diffractométrie des rayons X. Dans la seconde unité, l’étudiant étudiera
les défauts cristallins et propriétés mécaniques ; l’apprentissage, exige de l’étudiant
qu’il puisse faire la distinction entre les différents types de défauts cristallins : les
défauts ponctuels (Lacunes, Atomes Interstitiels et Ponctuels) et les dislocations (vis
et coins). Ici, l’étudiant apprend que les défauts ponctuels sont très localisés et sont
de tailles atomiques, tandis que la dislocation est un désordre qui s’étend au delà du
volume d’un ou deux atomes. Les effets des défauts sur les propriétés mécaniques
et électriques de ces défauts font aussi partie de l’apprentissage du module. Dans
la troisième unité, les résultats de l’apprentissage contiennent les définitions de la
capacité thermique, et les explications de la variation de la capacité thermique avec
la température basée sur les modèles classiques d’Einstein et Debye. Les étudiants
seront requis d’utiliser la théorie de l’électron libre pour expliquer les hautes conduc-
tivités électriques et thermiques des métaux ainsi que d’être capables de démontrer et
d’appliquer la loi Wiedermann-Frantz. Finalement, dans l’activité quatre, l’appren-
tissage attendu devrait permettre aux étudiants d’utiliser la théorie des bandes pour
expliquer les différences entre les conducteurs, semi-conducteurs et isolants, expliquer
les différences entre les semi-conducteurs intrinsèques et extrinsèques en relation
avec le rôle du dopage. A la fin, les étudiants utilisent les concepts d’interaction des
ondes électromagnétiques (lumière) avec les matériaux pour expliquer l’absorption
optique, la réflectivité et la transmittance.
6.2 Aperçu
L’aperçu de ce cours consiste en quatre activités: Introduction à la physique du solide

; défauts cristallins et propriétés mécaniques ; propriétés thermiques et électriques ;
la théorie des bandes et les propriétés optiques. Les composantes de chaque activité
sont listés comme suit
Introduction à la physique du solide (40 heures)
• Révision de la structure atomique Cristalline,
• Polycristal et matières Amorphes.
• Diffractométrie des rayons X, loi de Bragg et applications.
Défauts cristallins et propriétés mécaniques: (20 heures)
• Lacunes, Atomes Interstitiels et Dislocations
• Propriétés mécaniques
Propriétés thermiques et électriques: (40 heures)
• Capacité thermiques: modèle classique,
• Modèle d'Einstein et modèle de Debye
• Conductivité électrique et thermique.
• La théorie de l'électron libre
La théorie des bandes et les propriétés optiques: (20 heures)
• Métaux,
• Semi-conducteurs (intrinsèque and extrinsèque).
• Isolants ;
• Propriétés Optiques
6.3 Représentation Graphique
C.Propriétés hermiques A. Introduction à la

et Electriques physique du solide
Capacité Thermique -- Révision de la structure atomique
Modèle classique, modèle d'Einstein et
de Debye -- Cristallins, policristallins et solides
Amorphes
Conductivité Electrique et Thermique
-- Diffractométrie des rayons X. loi de
La théorie de l'électron libre Physique Bragg et applications.
du Solide
D.Théorie des bandes et B. Défauts cristallins et

propriétes optiques propriétes mécaniques
Métaux, Semi-conducteurs (intrinséque

-- Lacunes, Interstiels et Dislocations
et extrinsèque). Isolants
-- Propriétés mécaniques
Absorption, Réflectivite, Transmissivité
VII. Objectif(s) Général (aux)
Après avoir étudier ce module, l’étudiant sera capable de :
• Comprendre le comportement thermique, mécanique, électrique et optique

des corps solides d'un point de vue fondamental.
VIII. Objectifs Spécifiques aux activités

d’apprentissage
(Objectifs formateurs)
Introduction à la physique du solide (40 heures)
• Révision de la structure atomique Cristalline,
• Polycristal et matières Amorphes.
• Diffractométrie des rayons X, loi de Bragg et applications.
Défauts cristallins et propriétés mécaniques: (20 heures)
• Lacunes, Atomes Interstitiels et Dislocations
• Propriétés mécaniques
Propriétés thermiques et électriques: (40 heures)
• Capacité thermiques: modèle classique,
• Modèle d'Einstein et modèle de Debye
• Conductivité électrique et thermique.
• La théorie de l'électron libre
La théorie des bandes et les propriétés optiques: (20 heures)
• Métaux,
• Semi-conducteurs (intrinsèque and extrinsèque).
• Isolants ;
• Propriétés Optiques
Contenu Objectifs d’apprentissage

Après avoir compléter cette section, vous
allez être capable:
1. Introduction à la physique du solide
(40 heures) • Expliquer la structure atomique;
• Révision de la structure atomique • Décrire les différentes liaisons atomiques;
• Cristal, Polycristal et matières Amor- • Distinguer entre les cristallines, poly cristaux et
phes. les matières amorphes et expliquer comment la
• Diffractométrie des rayons X, loi de diffractométrie des rayons X est utilisée
Bragg et applications.
2. Défauts cristallins et propriétés • Expliquer le concept de défaut cristallin

mécaniques: (20 heures) • Relater les défauts cristallins à quelques
• Lacunes, Atomes Interstitiels et Disloca- propriétés mécaniques observées et autres
tions, propriétés.
Propriétés mécaniques
3. Propriétés thermiques et électri- • Définir la capacité thermique et expliquer

ques (40 heures). la variation de la capacité thermique avec la
• Capacités thermiques: modèle classi- température basé sur les modèles classiques
que, d’Einstein et de Debye;
• Modèle d’Einstein et de Debye • Utiliser la théorie de l’électron libre pour
• Conductivité électrique et thermique. expliquer les hautes conductivités thermiques
• La théorie de l’électron libre. et électriques des métaux;
• Démontrer et appliquer la loi Weidermann
– Frantz.
4. La théorie des bandes et les • Décrire la théorie des bandes

propriétés optiques: (20 heures) • Expliquer la différence entre conducteurs, semi-
• Métaux conducteurs et isolants;
• Semi-conducteurs (intrinsèque et • Expliquer la différence entre les semi-conduc-
extrinsèque). teurs intrinsèque et extrinsèque – le rôle du
• Isolants ; dopage. &
• Absorption optique, la réflectivité et la • Expliquer, basé sur l’interaction des ondes
transmittance électromagnétiques) lumière et les matériaux:
- Absorption optique, la réflectivité et la trans-
mittance
IX. Évaluation Préliminaire
Êtes-vous prêt pour ce module ?
Titre de l’évaluation préliminaire: Physique du Solide
Justification :
L’évaluation préliminaire fournie ici est destinée à déterminer le degré de maîtrise des
prérequis du module, physique du solide. Donc, elle sert à motiver les étudiants, à
plus les impliquer, et à les rendre plus attentifs dans les expériences d’enseignement
et d’apprentissage ; la pré-évaluation aide à identifier plus clairement ce qu’ils savent
et ce qu’ils ont besoin de savoir. Les questions fournies sont aussi destinées à évaluer
l’étudiant sur ce qu’il sait ou ce qu’il ne sait pas en répondant à ces questions. Ceci
va probablement relever le niveau de préoccupation de l’apprenant en signalant ce
dont il a besoin d’apprendre.
Questions
Auto-évaluation
1. Des sites qui normalement occupés par un atome mais qui sont inoccupés sont
appelés
(A) lacunes (B) interstitiels (C) substitutionnel (D) dislocation
2. Une dislocation causée par la germination d’un plan d’atomes au milieu d’un
cristal est connue comme
(A) vis (B) coins (C) vecteur de burger (D) vide
3. Dans un espace réseau réciproque, le vecteur a* est donné par
b× c a ×b
(A) a* = 2p (B) a* = 2p
a × (b × c) a × (b × c)
b× c a×c
(C) a * = 2p (D) a * = 2p .
a .(b × c ) b.( a × c )

1 2

4
3

4. Le diagramme ci-dessus représente une partie de 2D en treillis. Lequel des

contours ne représente pas une cellule d’unité primitive ?
(A) 1 (B) 2 (C) 3 (D) 4
5. Pour le réseau cfc avec une base d’un atome quel est le nombre de coordinations ?
(A) 4 (B) 6 (C) 8 (D) 12
6. Un faisceau de rayons X d’une longueur d’onde de 0.25 nm est incident d’un

cristal de séparation interplan de 0.30 nm. Calculez l’angle d’incidence pour le
premier ordre de diffraction.
(A) 24.60 (B) 36.00 (C) 56.40 (D) 54.80
7. Le constante de réseau d’un réseau cubique est 2.4 nm. Trouver l’espacement
de maille pour le plan (122).
(A) 0.8 (B) 0.48 (C) 7.2 (D) 1.25

8. Laquelle des affirmations suivantes est correcte ?
(A) Les liaisons métalliques ont des caractéristiques non-directionnelles :
(B) La liaison métallique consiste en une « mer d’électrons libres » entourant
des ions positifs
(C) Une des caractéristiques qui contribuent aux propriétés d’un solide métallique
est d’avoir une surface qui brille
(D) Une liaison métallique est formée par un partage d’électrons qui arrive entre
deux atomes ou plus
9. Lequel des énoncés suivants n’est pas un effet de dislocation

(A) La présence de dislocations se traduit par une déformation de réseau (dis-
torsion).
(B) La direction et l’intensité d’une telle distorsion sont exprimées en termes
de vecteur de Burger, b.
(C) Pour un type coin, b est perpendiculaire à la ligne de dislocation, alors que
dans les cas du type vis ils sont parallèles.
(D) Dans les matériaux métalliques, b est aligné avec des directions cristallo-
graphiques et son intensité est équivalente à deux espacements interatomi-
ques
10. Une force de 160 N agit perpendiculairement à une section transverse avec
une surface de 0.002 m2. Calculez la constante Young du matériau si la tension
produite est 0.004.
(A) 1.28 x 10-7 (B) 5.0 x 10-6 (C) 2 x 107 (D) 8.0 x 10
11. Laquelle des propositions suivantes n’est pas impliquée dans la diffractométrie
des rayons X à travers un cristal ?
(A) Transition d’électron
(B) Plans cristallographiques
(C) Interactions Nucléaires
(D) Interférence Constructive
12. Un cristal a un réseau primitif avec un espacement entre (100) plans de 0.420
nm. Quelle sera la valeur de l’angle de Bragg pour les 100 réflexions de rayons
X de longueur d’onde 0.154 nm.
(A) 5.30 (B) 10.60 (C) 21.20 (D) 42.60
13. Laquelle des affirmations suivantes est fausse ?
(A) Le niveau de Fermi est le haut de la collecte de niveau d’énergie de électrons
à une température de zéro absolu.
(B) Puisque les électrons sont des fermions et par le principe d’exclusion de Pauli,
il ne peut exister deux électrons dans des états d’énergies identiques. Donc
à zéro absolu, ils s’entassent dans des états d’énergies disponibles les plus
bas et construisent une ‘’mer de Fermi’’ d’états d’énergies des électrons
(C) Le niveau de Fermi est la surface de cette mer à zéro absolu où les électrons
ont assez d’énergie pour s’élever au dessus de la surface. Donc, le niveau
de Fermi est situé dans l’écart des bandes
(D) Dans un conducteur, le niveau de Fermi se trouve dans la bande de conduc-
tion, telle que la bande soit seulement remplie à moitié avec des électrons.
Dans ce cas, seulement une petite quantité d’énergie est nécessaire pour que
les électrons trouvent d’autres états non-occupés pour s’y emmagasiner et
permettre ainsi le passage du courant.
14. Dans les gaz diatomiques, la présence de degrés internes de liberté est apparente
c’est à dire, en plus des trois degrés de liberté de translation, il y a des degrés de
liberté de rotation et de vibration.
(i) Il y a un total de trois degrés de rotation de liberté, un correspondant à la
rotation sur chacun des axes d’un espace à trois-dimensions
(ii) Seulement deux degrés de liberté de rotation pour des molécules linéaires
sont considérés en pratique parce que le moment d’inertie autour de l’axe
internucléaire est extrèmement petit par rapport aux autres moments d’inertie
dans la molécule
(iii) En mécanique quantique, l’intervalle entre des énergies successives de ro-
tation, est directement proportionnel au moment d’inertie autour des axes
(A) La conductivité électrique est plus ou moins fortement dépendante de la
température.
(B) Dans les métaux, la conductivité électrique diminue quand la température
augmente.
(C) Dans les semi-conducteurs, la conductivité électrique augmente avec la
température...
(D) Sur une large gamme de température, la valeur approchée de la conductivité
électrique est directement proportionnelle à la température.
16. Laquelle des expressions suivantes est correcte ?
⎛ ∂S ⎞ ⎛δQ ⎞
(A) C V = ⎜ ⎟ (B) C V = T ⎜ ⎟
⎝ ∂ T ⎠V ⎝ ∂ T ⎠V
⎛ ∂H ⎞ ⎛ ∂S ⎞
(C) C P = ⎜ ⎟ (D) C P = ⎜ ⎟
⎝ ∂T ⎠ P ⎝ ∂T ⎠ P

où
C V et C P sont les capacités thermiques à volume constant et à pression constante

respectivement...
δQ est la quantité infinitésimale de chaleur ajoutée,

dT est l’augmentation subséquente de la température.
∂ U est le changement dans l’énergie interne.
∂ H est le changement dans l’enthalpie.

17. Laquelle des caractéristiques suivantes est fausse pour des matériaux ?
(A) Dans les solides cristallins, les atomes interagissent avec leurs voisins, et
les niveaux d’énergie des
électrons dans des atomes isolés se transforment en bandes.
(B) Les électrons dans un corps solide remplissent les bandes d’énergie jusqu’à
un certain niveau, appelé énergie de Fermi.
(C) Les bandes qui sont complètement remplies d’électrons peuvent conduire
l’électricité, parce qu’il n’y a pas d’état d’énergie proche sur lequel les
électrons peuvent aller dessus.
Cependant dans certains cas, la théorie des bandes se brise et les matériaux prédits
pour être des conducteurs par cette théorie se révèlent être des isolants. Les isolants
de Mott et les isolants de transfert de charge sont deux catégories d’isolants.

(A) La conductivité thermique d’un matériau dépend de sa structure.
(B) La conductivité thermique d’un matériau dépend de la température.
(C) Des substances cristallines pures présentent des conductivités thermiques
très variables autour des axes différents de cristal, dues aux différences de
couplages de phonon au long d’une dimension du cristal.
(D) L’air et d’autres gaz sont généralement de bons isolants même en présence
de convection.
Réponses clés :
1. A
2. B
3. C
4. D
5. D
6. A
7. A
8. B
9. D
10. C
11. C
12. B
13. C
14. D
15. D
16. C
17. C
18. D
Commentaires Pédagogiques pour les apprenants
Vous n’avez pas besoin de désespérer en cas de mauvais résultats dans la pré-éva-
luation. Ce que le résultat de l’évaluation préliminaire vous dit est que vous avez
besoin de travailler et de se concentrer davantage pendant l’étude et l’apprentissage
du module. Comme vous le remarquez, la plupart des questions contiennent des sujets
qui ne sont normalement pas traités à l’école.
Au début de ce module, vous apprendrez tout sur les structures atomiques qui de-
vraient fournir une base pour l’étude de ce module. Cela vous permet de comprendre
au finish les lignes de symétrie, les indices de Miller, qui sont utilisés pour l’iden-
tification des avions, la loi de Bragg et enfin la construction de la sphère d’Ewald
qui aide à déterminer les avions responsables de la diffractométrie des rayons X. Il
est conseillé à l’étudiant Un étudiant est conseillé de faire les activités dans l’ordre
chronologique préétabli. Pour tout ce qui exige la maîtrise des connaissances préa-
lables, il est conseillé à l’étudiant de commencer par les thèmes d’électricité et de
magnétisme avant de poursuivre.
Un certain nombre de références sont mentionnées dans les activités. Un étudiant
a besoin d’avoir accès à ces références. La plupart d’entre elles sont en ligne. Si un
étudiant n’a pas un accès permanent à Internet, l’étudiant est conseillé de téléchar-
ger ces documents et de garder des copies papier. Un certain nombre de ressources
multimédias sont également inclues. Elles sont très utiles car elles agissent en tant
que conférenciers virtuels ou les sources de laboratoire virtuel. Les étudiants sont
encouragés à utiliser ces ressources multimédias tout le temps
X. Activités d’enseignement et d’apprentissage
Activité 1: Introduction à la physique de l’état solide

Vous aurez besoin de 40 heures pour faire cette activité. Assurez-vous que vous allez
parcourir les activités systématiquement. Dans certains cas, vous aurez besoin de lire
les cours et les pré-requis avant d’entamer le module
Objectifs spécifiques d’enseignement et d’apprentissage:
Au terme du module, l’étudiant doit être capable de :

• Expliquer la structure atomique
• Décrire les diverses liaisons atomiques
• Distinguer les cristallins des solides amorphes ; cristallins, polycristallins et
solides amorphes et expliquer l'occurrence et l'utilisation de la diffractométrie
des rayons X
Résumé de l’Activité d’Apprentissage
Les résultats de l’apprentissage incluent de savoir qu’un atome est composé de trois
types de particules: électrons, protons et neutrons et que la constante d’Avogadro
est la quantité qui contient 6.02 x 1023 de particules par mole. L’apprentissage et la
discussion aussi incluent les similarités et différences des quatre types de liaisons.
Cette activité inclut aussi l’apprentissage sur les structures de cristal, des polycristaux
et des solides amorphes dont l’identification des plans utilisant les indices de Miller
forme une partie majeure. Dans la suite du module vous aurez des explications sur,
les calculs de densité, la démonstration de la loi de Bragg et l’utilisation ultérieure
de la construction de la sphère d’Ewald afin de déterminer les plans responsables de
la diffractométrie des rayons X.
Liste des lectures pertinentes
Lecture 1: Structure Cristalline.

Référence Compléte: From Wikipedia.
URL : http://en.wikipedia.org/wiki/Crystal_structure
Consultée le 20 Avril 2007
Résumé: Ce matériel de lecture décrit brièvement l’unité cellule, la
classification des cristaux par symétrie, propriétés physiques des cristaux
et des liens sont donnés à différents sites dans Wikipedia et autres sites.
Justification: Ce matériel de lecture fournit des discussions élaborées sur
les contenus de la première activité du module.

Référence Compléte: From University of Exeter
URL : http://newton.ex.ac.uk/teaching/resources/rjh/phy2009/
Résumé: Dans cet article, la structure cristalline est décrite avec des
diagrammes bien illustrés. Les exercices dans l’article aident le lecteur à
consolider les sujets appris.
Justification: L’article donne une autre façon de regarder les structures
cristallines. En outre les tests d’échantillon et des exercices donnés à la
fin, fournissent une bonne occasion d’utiliser les théories et les principes
décrits à partir de perspectives différentes.
Liste de Ressources Multimédias Pertinentes
Ressource #1
Titre: The crystal structure of Cu-Zn brass
URL: http://video.google.com/videoplay?docid=5897475989157955721&q=cry
stal+structure&hl=en
Description: Illustrations et explications sont fournies,
Date de Consultation : 20/05/2007
Ressource #2
Titre: Great Ball of Glass
URL: http://video.google.com/videoplay?docid=2134572208219565504&q=po
lycrystalline+solid&hl=en
Description: C’est une bonne ressource d’apprentissage.
Date de Consultation : 20/05/2007
Ressource #3
Titre: Two Dimensional Lattice: Real and Reciprocal
URL: http://solidstate.physics.sunysb.edu/teach/intlearn/lattice/lattice.html
Description: Les sites fournissent d’excellents matériels d’apprentissage
Date de consultation: 16/11/2007
Ressource #4
Titre: Exploring materials engineering
URL: http://www.engr.sjsu.edu/WofMatE/Structure.htm
Description: On a des matériaux d’apprentissage et d’animation sur la
structure atomique: RCC, CFC.
Date de consultation : 19/11/2007.
Liste des Liens Utiles Pertinents
Liens Utiles #1: Wikipedia
Titre: Crystal Structure

URL: http://en.wikipedia.org/wiki/Crystal_structure,
Capture d’écran:
Description: La structure cristalline d’un matériau est souvent discutée en termes de

maille élémentaire. La maille élémentaire est un arrangement spatial d’atomes qui
est tuilé dans un espace tridimensionnel pour décrire le cristal.
La maille élémentaire est donnée par ses paramètres de réseau, la longueur des mailles
de coin et les angles entre eux, tandis que les positions de l’atome à l’intérieur de
la maille élémentaire sont décrites par l’ensemble des positions atomiques (x, y, z)
mesure d’un point de réseau. La page Wikipedia a une bonne description de ceci telle
que montré sur la capture d’écran
Date de consultation : 29/11/2006:
Liens Utiles #2
Titre: Atomic Structure

URL: http://web.jjay.cuny.edu/~acarpi/NSC/3-atoms.htm
Capture d’écran:
Description: Ce site est un voyage à travers les merveilles des sciences naturelles.
En utilisant l’animation et l’interaction afin d’améliorer l’expérience, le site permet
à l’usager d’explorer des concepts en science basique incluant la méthode scien-
tifique, la nature de la matière, la structure atomique, la liaison chimique, ADN,
l’astronomie, structure cellulaire et bien plus. Ce site a été organisé pour NSC107:
‘’An Introduction to Science in Society at John Jay College of the City University
of New York’’, cependant les leçons sont conçues pour l’usage général et tous les
visiteurs sont les bienvenus. Utilisez la barre du menu à gauche afin de naviguer à
travers le contenu du cours.
Svp emailez-les commentaire et suggestions afin d’aider à améliorer le site.
Justification: le site fournit du matériel d’apprentissage utile pour le cours.
Description Détaillée de l’Activité (Principaux Éléments Théoriques)
Dans cette section, un mélange de la théorie, des instructions de ce que l’apprenant

devrait faire tout en étudiant le module sont prescrites. L’apprenant est conseillé
d’étudier pleinement chaque section du module avant de passer à la prochaine sec-
tion ou activité. Pour chaque section, il est conseillé à l’apprenant de consulter les
références recommandées. Ceci est important parce que les instructions et activités
décrites le sont dans des formes brèves.
Activité 1.1: Structure Atomique
Dans cette activité, vous allez expliquer la structure atomique. Afin de faire cela, vous
aurez besoin de connaissances préalables de la physique de l’école.
A l’école, vous avez appris que les atomes sont des particules d’éléments, ou des
substances qui ne peuvent pas être décomposées à nouveau. Mais, en examinant la
structure atomique, on doit clarifier cette affirmation. U atome ne peut pas être brisé
à nouveau sans changer la nature chimique de la substance. Par exemple, si vous
avez 1 kilogramme, 1 gramme ou 1 atome de nitrogène, toutes ces unités ont la même
propriété. On peut dire que l’atome de nitrogène est composé d’une combinaison de
trois types de particules : électrons, protons, et neutrons.
(i) Utilisez les références fournies dans les ressources multimédias et
• Prendre quelques notes de cours détaillant les différentes propriétés de ces
trois particules.
• Décrire comment l’existence de molécules/atomes peut être démontrée par
l’expérience du mouvement Brownien. Utilisez les références fournies pour
faire cela
Activite1.1.1 La constante d’Avogadro, la mole

(a) Prendre quelques notes de cours sur les masses moléculaires et atomiques
et décrire comment elles sont mesurées.
(b) Souligner le fait que sur une balance, la masse atomique du carbone-12 est
prise comme exactement égale à 12, celle de l’hydrogène 1.008 et celle de
l’oxygène 16.
Vous devrez être capable de tirer une conclusion que:
• En général 1g d’hydrogène contient le même nombre d’atomes que 12g de
carbone. La masse atomique de tout élément exprimée en grammes, contient
le même nombre d’atomes que 12g d’atomes. Ce nombre par définition
est donc une constante. C’est la constante d’Avogadro. Sa valeur est 6.02
× 10 23
• Une quantité qui contient 6.02 × 10 23 de particules est la mole. On peut
avoir une mole d’atomes, une mole de molécules, une mole d’ions, une mole
d’électrons ; toutes contiennent 6.02 × 10 23 particules. Donc la constante
d’Avogadro N A = 6.02 × 10 23 particules par mole.
Activité 1.1.2
Utilisons un atome d’oxygène comme exemple pour illustrer quelques propriétés. Un
atome d’oxygène a 8 électrons, 8 protons et 8 neutrons. Ceci implique que l’oxygène
a un total de 8 charges négatives portées par 8 électrons; 8 charges positives portées
par 8 protons. Les Neutrons ne portent aucune charge électrique.
Activité 1.1.3
Répétez le même exercice avec d’autres atomes jusqu’à ce que vous vous sentiez
assez confiant.
Activité 1.2: Liaisons Atomiques
Utiliser les références fournies et tout autre auxquelles vous aurez accès pour effectuer
les activités suivantes.
(i) Expliquer comment les atomes sont maintenus ensembles par des forces
d’attraction
(ii) Rédiger des notes de cours incluant les différents types de liaisons: liaisons
ioniques, liaisons covalentes, liaisons métalliques et les liaisons Van der
Waals. Une illustration d’une liaison covalente est donnée comme suit.
Dans la liaison covalente, les partages d’électrons arrivent entre deux ou plus d’atomes.
Par exemple, chaque atome de carbone (C), (Fig. 1.1) a quatre électrons externes,
qui peuvent tous être partagés avec quatre autre atomes de carbone pour faire quatre
liaisons, chacune formée de deux nuages d’électrons qui s’accrochent
Liaison covalente
Figure 1.1: Atome de carbone avec quatre liaisons

Vous devez noter que les liaisons covalentes sont aussi fortes et que beaucoup de
composés ont des propriétés mécaniques similaires à celles des composés ioniques.
Contrairement, aux liaisons ioniques, elles ne conduisent pas l’électricité quand les
composés qui les contiennent sont fondus.
(iii) Montrez que la force électrostatique entre deux charges ponctuelles distantes
l’une de l’autre de r est donnée par Eq. 1.1
q2
F =
4pε 0 r 2
(1.1)
(Conseil: Utilisez la loi de Coulomb).
(iv) Montrez que le travail effectué pendant que les ions sont situés à une distance
variant de r à l’infini est donnée par Eq. 1.2
∞
q2
U = ∫ F dr =
4pε 0 r
(1.2)
r
(v) Dans vos notes, comparez chaque type de liaisons entre elles.
Activité 1.3 Cristallin, polycristallin et solides amorphes
Activité 1.3.1: Solides Cristallins

(a) Utilisez les références et notez les définitions du cristallin, polycristallin et
les solides amorphes
(b) Donnez des exemples de chaque type faisant partie de vos notes
Activité 1.3.2: Crystal

Arrière-plan
En cristallographie, une structure cristalline est un arrangement unique d’atomes
dans un cristal. Une structure cristalline est composée de maille élémentaire, un en-
semble d’atomes arrangé d’une façon particulière; qui est périodiquement dans trois
dimensions sur un réseau. L’espacement entre les mailles simples dans des directions
variées est appelé paramètres de réseaux. Les propriétés de symétrie du cristal sont
incarnées dans cet espace groupe. La structure d’un cristal et la symétrie jouent un
rôle en déterminant beaucoup de ses propriétés, telles que le clivage, la structure de
bande électronique et les propriétés optiques.
(a) Afin de comprendre certains de ces concepts, vous devez savoir par exemple
la signification du réseau
(b) Un réseau est une géométrie simplifiée d’un cristal dans lequel les atomes
sont balayés laissant seulement un squelette des points mathématiques par
lesquels chaque point remplace n’importe quoi de un à plusieurs centaines
d’atomes à l’état initial. Chaque groupe de ces atomes est appelé la base.
(c) Dans deux dimensions, il y a seulement cinq réseaux: monoclinique, cubique,

orthorhombique, tétragonale, hexagonale. Ils sont généralement connus
comme le Réseau de Bravais.
(d) Considérez un exemple donné dans la Fig. 1.2 comment un réseau est
construit à partir d’une structure cristalline
An obliqu e lattice obtained

from th e cry stal stru cture .
Eac h poin t on the lattice
A crys tal stru cture
represe nts a pair of atoms in
consi sting of large and
the stru cture
sm all atom s
Figure 1.2: Un réseau construit à partir d’une structure cristalline
Notez que les points de réseau dessiné doivent se conformer à

• Un motif infini de points
• Tous les points ayant le même entourage dans la même direction.
(e) La différence fondamentale entre le monocristal, les polycristallins et les

matières amorphes est l’échelle de longueur sur laquelle les atomes sont
liés les uns aux autres par la symétrie de translation (périodicité ou ordre à
longue distance). Les monocristaux ont une périodicité infinie, les polycristaux
ont une périodicité locale, et les solides amorphes (et liquides) n’ont aucun ordre
à longue portée.
• Un monocristal idéal a une structure atomique qui se répète périodiquement
à travers son volume entier. Même à des échelles de longueur infinie, cha-
que atome est lié à chaque autre atome équivalent dans la structure par la
symétrie de translation.
• Un solide polycristallin ou polycristal est composé de nombreux grains in-
dividuels ou cristallites. Chaque grain peut être considéré comme un cristal
unique, dans lequel la structure atomique a un ordre à longue portée. Dans
un solide polycristallin isotrope, il n’y a pas de relation entre les grains voisins. Par
conséquent, sur une grande échelle de longueur suffisante, il ny a pas de périodicité
pour un échantillon polycristallin.
Les matériaux amorphes, comme le verre à vitre, ont un ordre à courte portée, ils
n’ont donc aucune symétrie de translation.
Exemple.
Pour identifier les nombres d’atomes à chaque point qui peut être construit d’une
structure cristalline donnée par Fig. 1.3.
Figure 1.3: Structure cristalline

• Le réseau de cette structure cristalline est le réseau orthorhombique, ayant
deux atomes par point de réseau
Activité 1.3.3: Maille élémentaire, et maille primitive

(a) (i) Utilisez les références (Steadman R, 1982, Crystallography, Van Nos-
trand
Reinhold (UK) Co. Ltd, Norfolk ), ou toute autre référence et définir une
maille élémentaire et une maille primitive. Notez la différence entre les
deux.
(ii) Une maille élémentaire est définie par six éléments ou paramètres : a, b, c
les longueurs des coins de la maille (pris comme des axes) ; α,β, et γ , les
angles entre les directions axiales telles que montrées dans la Fig. 1.4.
α
β
γ b
a
Figure 1.4: Les six éléments d’une maille élémentaire
(b) Exemple de mailles simples données dans la Fig.1.5 construites à partir d’un
réseau donné.
Figure 1.5: Exemple de mailles simples données construites à partir d’un réseau
donné.
(c) Suivez les instructions ci-dessous et construisez une maille de Wigner-Seitz
qui est un exemple d’une maille primitive. Voir Fig. 1.6.
1. Dessinez des lignes pour connecter un point donné du réseau à tous les
points du réseau à proximité.
2. Dessinez des nouvelles lignes ou plans au point du milieu et normales à ces
lignes. Le plus petit volume clôturé de cette façon est la maille primitive de
Wigner-Seitz.
Figure 1.6: Construction d’une maille primitive de Wigner-Seitz

(d) Lisez tout ce qui concerne ce sujet http://newton.ex.ac.uk/teaching/resour-
ces/rjh/phy2009/
Activité 1.3.4: Systèmes cristallins; Réseaux tridimensionnels

(a) Le réseau tridimensionnel est d’abord compris en reconnaissant les sept
systèmes d’axes qui donnent sept mailles simples appelées systèmes cris-
tallins. Il y a des axes donnés ci-dessus sous les mailles élémentaires. Les
intensités des des vecteurs a, b, et c sont a, b, et c respectivement. Ce sont
les paramètres d’une maille élémentaire.
(b) Utilisez les références (http://en.wikipedia.org/wiki/Crystal_structure,) et
décrivez les systèmes cristallins (réseaux): triclinique, monoclinique, ortho-
rhombique, tétragone, rhomboédrique, hexagonal et cubique en termes de
paramètres de réseaux, a, b, c et ; α , β , γ , les angles entre les directions
axiales.
Activité 1.3.5: Classification des cristaux par symétrie

La propriété qui définit un cristal est sa symétrie inhérente, on entend par là que sous
certaines opérations, le cristal demeure inchangé quand il est vu sous un certain angle.
Par exemple, tourner le cristal de 190 degrés autour d’une certain axe peut donner
une configuration atomique identique à la configuration initiale. Le cristal est alors dit
avoir une double symétrie de rotation autour de cet axe. En plus des symétries de rotation de
ce genre, un cristal peut avoir des symétries sous la forme de plans de réflexion et les symé-
tries de translation, et aussi celles appelées symétries composés qui sont une combinaison de
translation et de rotation / miroir symétries. Un classement complet d’un cristal est obtenu
lorsque l’ensemble de ces symétries inhérentes du cristal sont identifiées.
Lire ce sujet et résoudre le plus de problèmes possibles. Utiliser les références fournies.
Déterminer le nombre de symétries rotationnelles pour des réseaux rectangulaires,
circulaires, équilatérales et hexagonales.
(a) Quand un réseau carré montré dans la Fig. 1.7 est en rotation autour d’un
axe à travers son centre. Il va apparaitre exactement quatre fois après être
tourné sur 3600. Donc, un réseau carré a une symétrie rotationnelle à a
quatre plis. A chaque pli, le réseau est tourné de 900 ou p / 2
Figure 1.7: un réseau carré
(i) Notez que les symétries de rotation possibles sont au nombre de : un, deux,
trois et 6 ordres de rotation de l’axe qui transporte les réseaux sur eux-mê-
mes correspondant à 2p / 1, 2p / 2, 2p / 3, 2p / 4, 2p / 6 . Reconnaissez ces
valeurs dans les réseaux donnés dans l’activité 1.3.5 (a) ci-dessous.
LISEZ PLUS SUR CE SUJET!! (Blakemore J.S. 1974, Solid State Physics 2nd ed.,
Cambridge University Press, Cambridge).
(c) Lisez et prenez des notes sur les réseaux de Bravais (Utilisez Introduction
to solid state physics by C Kittel, Introduction to Solid State Physics, 5th
Ed., New York:Wiley, 1976, including the websites; http://pages.physics.
cornell.edu/sss/bravais/bravais.html : (Simulation de réseaux de bravais
Exemples de système cubique

Il y a trois réseaux dans le système cubique : le réseau cubique primitif (cp ); le ré-
seau cubique centré (rcc) ; le réseau cubique à faces centrées. Ceux-ci sont montrés
dans la Fig. 1.8
Figure 1.8: Les trois réseaux dans le système cubique

(ii) Vérifier d’autres références pour comparaison (Vous pouvez avoir ceci dans
n’importe laquelle des références)
Activité 1.3.6: Lignes de symétrie

Une expression générale pour une rotation permise dans un réseau périodique est
obtenue comme suit
Considérez un réseau de paramètres réseaux tels que montré dans la Fig. 1.9.
1 2 (m-3)a m-1 m
Row A
α α
. a a
Row B 1I X mI
Figure 1.9: Rotation dans un réseau périodique permis.

Au long de la rangée A, les atomes 1 et m sont séparés par ce réseau. Une rotation
autour de l’atome 2 déplace l’atome 1 à la position initialement occupée par un cer-
tain atome 1I . Similairement, une rotation dans le sens horaire de m autour de m-1
déplace m à mI . 1I et mI sont sur la rangée B. Leur séparation X est un multiple
de a si α est une rotation permise.
Soit X = pa p est une inconnue.
La différence entre les nombres entiers m et p peut être décrite en fonction de α
comme
X = pa = (m − 3) a + 2a cos α
3+ p− m
⇔ cos α = (1.3 )
2
Les solutions montrent que des efforts de remplir la surface avec des polygones
réguliers de n’importe quelle symétrie de rotation mènent soit à des espaces qui se
chevauchent ou gaspillés
Solution de l’équation 1.3

Si m et p sont des nombres entiers, il y a seulement 5 solutions de l’équation telle
que la table 1.1 le montre
Table 1.1 : Solutions de l’équation 1.3.
p-m Cos α α Ordre de rotation
-1 1 0 ordre 1
-2 ½ p/3 ordre 6
-3 0 p/2 ordre 4
-4 -1/2 2p/3 ordre 3
-5 -1 p ordre 2
(iii) Vérifiez que l’information dans cette table est correcte.
Activité 1.3.7: Systèmes d’indice pour les plans de cristal (Indices de Miller)
Dans cette activité, vous allez apprendre à définir les positions, directions et plans
des cristaux : comment les structures sont formées et les deux types distincts.
(a) Positions et directions

(i). La position de tout réseau est donnée par r = ua + vb + wc, où u, v, et w
sont des nombres entiers
(ii) La position de tout point en général est r = ua + vb + wc, mais au cas où u,
v, et w n’ont pas besoin d’être des nombres entiers
(iv) Les directions sont aussi définies en fonction de r, à partir de l’origine. La
direction est notée comme [uvw].
(b) Pour illustrer les deux concepts : la position au centre d’un rcc a des coordonnées
fractionnelles (½,½,½) tandis que la direction de ce point à partir de l’origine est
[½½½]
(c) Indices de Miller
Les indices de Miller sont utiles pour définir les ensembles de plans dans les cris-
taux. Il est utile de spécifier l’orientation d’un plan par des indices déterminés par
les règles suivantes :
(i) Trouvez les intersections sur les axes en fonction des paramètres de réseaux,
a, b, et c. Dans le cas d’un réseau cubique, a = b =c. Soientt ces intersec-
tions 3a, 2b, 3c, Fig. 1.10
3c
2b
3a
Figure 1.10 : Plan utilisé pour calculer les indices de Miller

(ii) Prenez les inverses des ces nombres
(iii) Réduire les inverses des trois nombres entiers ayant le même ratio, norma-
lement le plus petit des nombres entiers h, k, l. Ceci est fait en multipliant
les inverses avec leur LCM.
(IV) Joindre les trois nombres entiers dans des parenthèses comme (hkl). Il ne
devrait pas y avoir de virgules entre les indices. (hkl) est appelé l’index du
plan ou les indices de Miller pour le plan.
Illustration des procédures ci-dessus:
1. Les valeurs d’intersections sur les axes x-, y-, et z sont 3a, 2b et 3c respective-
ment.
1 1 1 1 1 1
2. Les inverses de ces intersections sont , , = , , puisque a, b,et c
3a 2b 3c 3 2 3
sont des unités de vecteur au long des axes respectifs.
3. Réduire les inverses, par exemple en se multipliant à travers LCM. Dans ce cas,
le LCM est 6. Les inverses se réduisent à 2,3,2 respectivement.
4. Les indices de Miller pour un plan est donc (232).

Si un plan coupe un axe sur le côté négatif de l’origine, l’indice correspondant est
négatif et est indiqué par un signe «moins» écrit sous forme de barres, par exemple
(hkl ) . L’indice k est interprété comme k barré.
• Notez que dans le cas d’un réseau cubique, toutes les faces semblent identi-
ques. Pour cette question, les plans sont équivalents par symétrie. Les plans
équivalents par symétrie sont notés par des parenthèses fermées autour des
indices.
LISEZ PLUS SUR CE SUJET ET PRENEZ DES NOTES. (Steadman R, 1982,

Crystallography, Van Nostrand Reinhold (UK) Co. Ltd, Norfolk)
Exemple
( )
Pour un réseau cubique, un plan avec des indices de Miller 123 est donné tel que
suit.
z
plane
(123)
y
Figure 1.11: Croquis d’un plan dans un réseau cubique

• Notez que le choix de l’origine est important quand on fait le croquis d’un
plan. Dans l’exemple dans la Fig. 1.11, l’origine est au coin droit le plus
élevé. Notez aussi la façon dont les coins sont sous-divisés selon les indices
correspondants avant de faire le croquis du plan.
(d) Structure empaquetée simple
Dans n’importe quelle matrice empaquetée de sphères, chaque sphère (représentant un
atome) a 6 voisins pour un solide monoatomique considéré comme incompressible.
De tels plans dans une symétrie hexagonale peut être empilée pour faire un solide
compacte de deux façons simples. Dans les deux arrangements, chaque atome a 12
voisins les plus proches, six dans son plan, trois dans le plan au-dessus et trois dans
le plan en-dessous, Voir Fig. 1.12
Séquence d’empilement
Figure 1.12: Séquence d’empilement dans une structure simple empaquetée

Les Sphères sont disposées en une couche simple empaquetée A en plaçant chaque
sphère en contact avec les six autres. Cette couche peut servir soit le plan de la base d’une
structure hcp ou le (111) plan de la structure cfc. Une deuxième couche identique de sphères
peut être placée sur le dessus de la présente, au-dessus et parallèle au plan du dessin avec les
centres sur les points marqués B. Il y a deux choix pour une troisième couche. Il peut aller
au dessus de A ou au dessus de C. Si ça va au dessus de A, la séquence est ABABAB....et la
structure est hexagonale et empaquetée. Si la troisième couche va au dessus de C, la
séquence est ABCABCABC...et la structure est cubique à face centrée.
* Pour apprécier ce qui a été décrit sur la séquence d’empilement, prenez des
billes ou des modèles sphériques et essayer de les arranger tel que c’est décrit
Activité 1.3.8: Taux de remplissage (Compacité)

Dans cette activité, vous serez capable de calculer le taux de remplissage/compacité
de différents cristaux
(a) Lire la théorie et l’exemple fourni concernant le taux de remplissage (com-
pacité). Utiliser d’autres références pour suppléer ce qui est fourni ci-des-
sus.
(b) Le taux de remplissage est défini comme la proportion maximum du volume
disponible qui peut être rempli avec des sphères dures.
(c) Écrivez l’expression mathématique pour une affirmation dans (b).
(d) Un exemple sur comment calculer le taux de remplissage. Considérez un réseau
cubique simple (cs) montré dans la Fig. 1.13.
Afin de déterminer le taux de remplissage, on doit d’abord trouver le nombre de

points de réseau dans une cellule donnée.
(i) Le point de réseau dans ce cas se réfère à un nombre complet d’atomes
qu’une maille élémentaire contient.
(ii) In a sc, the atoms are in
(ii) Dans un contact with sont
cs, les atomes one en
another
contact only along
les uns theautres
avec les edges au of the
long descell as
shown in Fig. 1.13.coins de la cellule telle que vu dans Fig. 1.13.

Figure 1.13: A simple cubic lattice showing relative positions of atoms on one face.
(iii) All the atoms are at the corners of the cubic lattice.
Figure 1.13: Un réseau cubique simple montrant les positions relatifs d’un atome
sur une face. 1
(iv) Each atom at the corner is shared by 8 cells. Thus, each atom contributes th of it
(iii) Tous les atomes sont à des coins d’un réseau cubique. 8
to a unit cell. (iv)
Since there are 8 atoms at the corners;
Chaque atome au coin est partagé par 8 cellules. Donc, chaque atome contribue
1/8sc de 1
= soi-même
x 8 =dans
1. la maille élémentaire. Puisqu’il y a 8 atomes aux coins;
ème
The lattice points in
8
1
This means that a unit cell
Lesinpoints
sc system has
de réseau one
dans cs atom
= to
x 8itself.
= 1.
Thus, volume, V, occupied by this atom is, 8
3
Ceci
4 veut
3
dire
4 qu’une
a maille élémentaire
a dans le système cs a un atome à elle-même.
V =Donc,
rle =volume, ,
V, occupé rpar (radius
= l’atome est, of atom in terms of lattice parameter)
3 3 2 2
3
4 3 4 ⎛a⎞ volumeaoccupied by lattice points
V = Packing
p r = fraction
p ⎜ ⎟ ,= r = (rayon de l’atome en termes de paramètre de
3 3 ⎝2⎠ Volume
2 occupied by unit cell
réseau) 4 (a 2 )3
= ( )
3 = = 52%
a3 6
Ceci veut dire que 48% du volume d’un cs sont vides, tandis que 52% sont remplis
d’atomes
This means that 48% of the volume of a sc is empty, while 52% is filled with atoms.
Activity 1.3.10: Diffraction and reflection of X-rays

(a) In this activity we look at elastic scattering of waves in periodic structures. This
includes the simple derivation of Bragg’s conditions. See reference for animation of crystal
diffraction. http://www2.wwnorton.com/college/chemistry/gilbert/tutorials/ch10.htm
(b) When a beam of parallel X-rays of wavelength, is incident on planes of crytals as
shown in Fig. 1.14, the reflection of x-rays by planes in a crystal can be shown to take
Activité 1.3.10: Diffractométrie et réflexion des rayons X

(a) Dans cette activité, on regarde la diffusion élastique des ondes dans des
structures périodiques. Ceci inclut la simple dérivation des conditions
de Bragg. Voir Référence pour l’animation de la diffraction du cristal.
http://www2.wwnorton.com/college/chemistry/gilbert/tutorials/ch10.htm
(b) Quand un faisceau de rayons X parallèle de longueur d’onde, λ est incident
sur des plans de cristaux tels que montré dans la Fig. 1.14, la réflexion des
rayons X par plans dans un cristal peut être démontrée seulement lorsque.
2d( hkl ) sinθ = nλ , n = 1,2,3…. (1.4)

( )
L’équation 1.4 est connue pour la loi de Bragg. d est l’espacement entre les plans
dans le cristal. En général, la réflexion de Bragg peut seulement arriver quand la lon-
gueur d’onde λ ≤ 2d . Ceci explique pourquoi la lumière visible n’est pas utilisée.
La lumière visible a des longueurs d’onde plus longues.
Inciden t beam
Reflected beam
Crys tal planes

d
Figure 1.14: Réflexion des Rayons X de plans de cristal.
Un ensemble de couches d’un cristal reflète seulement a un certain angle et l’angle

θ , l’angle entre le faisceau et les plans augmente tandis que l’espacement baisse.
θ l’angle d’incidence.
(c) Dans des livres avancés, on peut montrer que la séparation planale, , d, pa-
ramètre de réseau, a, et les indices de Miller (hkl) ont une relation donnée
par Eq. 1.4.
a
dhkl = (1.4)
h + k2 + l2
2

Si une maille élémentaire cubique a une paramètre de réseau a = 1.20 nm, donc
d221 = 0.4nm , d224 = 0.2 nm .

(d) Montrez que les valeurs ci-dessus de, d, dans 1.3.10(c) sont correctes.
La preuve de la loi de Bragg
Inciden t x-rays
Reflected x-rays
θ
dhkl
X Z
Figure 1.15: Rayons X réfléchis de plans de cristal

Dans la Fig. 1.15, la différence générale du chemin = 2x, ou x = XY = YZ
x
Mais sin θ = ⇒ x = d sin θ La différence de chemin est donc = 2d( hkl ) sinθ .
d
L’interférence constructive arrive quand la différence de chemin est égale à l’intégrale
multiple de λ quand 2d( hkl ) sinθ = nλ . n = 1,2 3.......
Exemple
Montrez que la séparation interplanétaire, d, le paramètre de réseau, a et les indices
de Miller h, k, l sont donnés par
a
d=
h2 + k 2 + l 2
Solution
Figure 1.16 : Plan utilisé par dérivation de l’expression de la séparation inter

planaire
Utilisons Fig. 1.16 afin de dériver l’expression de la séparation interplanétaire, d.
2 2
2 ⎛a⎞ ⎛a⎞
Du triangle OAB g = ⎜ ⎟ +⎜ ⎟
(1) ⎝ h⎠ ⎝ k ⎠
2 2
a/k e ⎛a⎞ ⎛a⎞
Nous avons aussi sin φ = = ⇔ e2 g 2 = ⎜ ⎟ . ⎜ ⎟
(2) g a/h ⎝ k ⎠ ⎝ h⎠
2
⎛a⎞ 2 2
Du triangle OCE ⎜ ⎟ +e = f
(3) l
⎝ ⎠
e d e2
Aussi sin θ = = ⇔ f2 = 2
(4) f a/l d 2 . (a / l )
Des équations (2), (3) et (4), on peut montrer que
a2
d2 =
h2 + k 2 + l 2
Activité 1.3.11 : Caméra de Rayon X à poudre

Dans cette activité, vous allez lire et trouver comment une caméra de Rayon
X à poudre fonctionne dans l’étude de la structure cristalline. En particulier,
pour l’identification de plans dans un cristal et donc fournissant des moyens
appropriés afin de déterminer l’angle d’incidence. (Steadman. R, 1982 est
particulièrement très bon pour ça).
(a). Utiliser les références fournies afin d’avoir des notes sur l’utilisation de
caméra de Rayon X à poudre.
(b) Durant votre prise de note, considérer un cristal cubique simple (cs), un
cristal cubique à faces centrées (cfc) et un cristal cubique centré (ccc).
Activité 1.3.11: Espace de réseau réciproque et la sphère d’Ewald

Dans cette activité, vous allez déterminer les plans dans un cristal qui sont respon-
sables de la diffractométrie des rayons X
(a) Vous devez noter que c’est difficile d’imaginer un faisceau de rayons X
entrant dans un cristal peut se comporter, avec tellement de plans fixés à
tous les angles du faisceau et tous avec des distances interréticulaires diffé-
rentes. Lequel d’entre eux va satisfaire le loi de Bragg et refléter le faisceau
? L’utilisation du réseau réciproque afin de comprendre la diffraction a été
démontrée en 1913 par P. P. Ewald. Les points d’un réseau réciproque re-
présentent les plans du réseau direct (réel) qui est formé. Le réseau direct
détermine (via des relations définies) les vecteurs du réseau réciproque, les
espacements des points de réseau et les directions réciproques associées..
Considerez deux réseaux directs bidimensionnels montrés dans la Fig. 1.17.
Il est défini par deux vrais vecteurs a et b, et l’ angle γ . Les espacements
d d
des plans (100) et (010) ( 100 et 010 ) sont montrés. Un réseau direct tri-
dimensionnel pourrait introduire un vecteur de réseau c perpendiculaire au
plan du diagramme.
Figure 1.17: Réseau direct bidimensionnel

Le réseau réciproque va avoir les vecteurs récriproques a* et b*, sépararés par l’ angle
γ * a* sera perpendiculaire aux plans (100) et est égale en intensité à l’inverse de
d100
. Similairement, b* sera perpendiculaire aux plans (010) et est égale en intensité
d
à l’inverse de 010 . Donc γ et γ * vont s’ajouter à 180º.
• Étudier attentivement comme un exemple de construction d'espace récipro-
que à partir d'un espace réel est fait ci-dessous.
Soit a*, b*, et c* des vecteurs de réseaux réciproques.
a* est perpendiculaire aux (100) plans.
b*, est perpendiculaire aux (010) plans
c*, est perpendiculaire aux (001) plans.
1 1 1
La longueur de a* est , b* est , et c* est .
d100 d010 d001
Reciprocal space
Real space b
a 110
010 100
110
(010 ) pla ne 000
(100 ) pla ne
b* 110
a*
100
010 120
110
020
120
Figure 1.18: Construction d’un espace réciproque a partie d’un espace réel
Notez que les vecteurs a* et b* sont dessinés perpendiculairement aux plans (100) et
(010) respectivement.
Points Importants à noter sur la construction de la sphère d’Ewald

(i) En construisant un réseau réciproque, on commence par définir l’origine
000 ensuite les axes. Cette origine est fixée et est centrale à tout le réseau
et c’est le point sur lequel tous les indices de tous les autres points sont liés.
Le vrai réseau, d’autre part, n’a pas d’origine fixe et tous les points sont
identiques
(ii) Le réseau réciproque diffère dans cette manière fondamentale du vrai réseau
du fait que ce n’est pas répétitif (à part le fait d’avoir des points également
espacés). Son origine reste l’origine, et les points 001 et 002 points par
exemple ont leurs propres identités et ne peuvent pas être inter changées, à
la différence des vrais réseaux. Ces points représentent des plans contraire-
ment au cas de l’espace réel, où les points représentent les atomes.
Le réseau réciproque et la loi de Bragg

Le réseau réciproque donne une façon simple et élégante de représenter la réflexion des
rayons X par plans de cristal. Ceci est obtenu en construisant la sphère d’ Ewald.
Étapes Essentielles à suivre pendant qu’on construit la sphère d’Ewald
Utilisez les paramètres de réseau donnés afin de déterminer la longueur des vecteurs
1 1 1
dans un espace réciproque, la longueur de a* est , b* est , et c* est
d100 d010 d001
Soit a = 0.3 nm; b = 0.5 nm; λ =0.25 nm
Si n = 1 donc
0.25
sin θ = ⇔ θ = 14.5 0 .
0.5
b a* b*
a
200
420
cryst al
000 Q
X-rays
010
Figure 1.19: Construction de la Sphère d’Ewald

1. Construire l’espace réciproque à partir d’un espace réel montré dans la Fig.
1.19.
2. Choisir un des points sur le réseau réciproque pour 000.
3. Étiqueter tous les autres points qui dans ce cas représentent les plans.
4. Utilisez l’équation de Bragg et calculer l’angle d’incidence en utilisant les
variables fournies. Supposez que l’instruction est que, la réflexion prend

place à partir de (010), la séparation inter planétaire, d est égale à la valeur
du paramètre de réseau b. Si la réflexion est de (100) plans, puis la valeur
d est égale à la valeur du paramètre de réseau a.
5. En utilisant un des axes, mesurer l’angle θ à partir de cet axe. Dessiner une
ligne qui marque cet angle tel que, la ligne passe à travers l’origine 000.
Cette ligne représente la direction des rayons X.
6. Calculez la réciproque de λ , la longueur d’onde des rayons X utilisés par la
diffraction. Le réciproque de λ est égal au rayon, r, de la sphère d’Ewald,
1
i. r =
λ
7. En commençant à partir de 000, mesurer r au long de la ligne qui marque
l’angle d’incidence. La fin de r dans ce cas représente le centre de la sphère
d’Ewald ou le cristal est sûr d’être placé. Appelez ce point P
8. Dessiner une sphère de rayon r autour de P. Cette sphère forme la sphère
d’Ewald. Bien sûr dans un espace bidimensionnel, c’est un cercle.
9. Sur la construction de la sphère, identifier les points qui se trouvent sur la
sphère, Les points qui sont sur la sphère par exemple le Point Q représente
les plans qui sont responsables de la réflexion des rayons X, tandis que les
points par exemple S qui touchent seulement la sphère, reflètent les rayons
X partiellement. Si n en est un donc les plans sont responsables de la dif-
fraction de premier ordre.
Hauts ordres de diffractions
Il y a deux façons de faire cela. La première serait de suivre les procédures ci-dessous
mais pendant qu’on détermine θ en utilisant l’équation de Bragg, n doit être prise
avec la valeur 2, pour une diffraction de deuxième ordre et comme valeur 3 pour une
diffraction de troisième ordre etc.
Deuxièment, les plans responsables pour les hauts ordres de diffraction sont obte-
nus comme suit:
1. Utilisez la sphère d’Ewald afin de déterminer les plans responsables pour
une diffraction de premier ordre.
2. Avec l’aide d’un papier calque, tracer le contour du la sphère sur le papier
calque
3. Fixez le contour en utilisant une aiguille ou crayon à environ 000.
4. Tournez le contour autour de 000 dans le sens des aiguilles d’une montre
jusqu’à ce que de nouveaux ensembles de points soient sur la sphère.
Ces points vont correspondre aux plans responsables de la diffraction de
deuxième ordre.
5. Afin d’obtenir les plans responsables pour le 3ème, 4ème etc… continuez à
tourner dans le sens des aiguilles d’une montre, tout en localisant d’autres
plans qui se trouvent sur la sphère
Approche Générale aux réseaux réciproques.
Amplitude de la diffusion des ondes
Figure 1.20: Amplitude de la diffusion des ondes.

Le diagramme dans la Fig. 1.20 montre une onde diffusée à partir d’un point situé
une distance r de l’origine O.
(a) Utilisez quelques références : (http://en.wikipedia.org/wiki/Crystal_struc-
ture), fournies et montrant que la condition pour tous les vecteurs réseaux
R, l’interférence constructive dans un réseau réciproque est
Δ k.R = G.R = 2np . (1.5)
k est le vecteur d’onde donné par k = (2p ) / λ .

R = ua + vb + wc est le vecteur de réseau. u, v, et w sont des nombres
entiers.
(b) Déterminez les propriétés de l’onde exp(iG.r) qui satisfait la condition
G.R = 2np .
(c) Les Conditions de Laue pour la diffraction
Une façon alternative de nommer la condition que
Δ k. R = G.R = 2np
est que R = ua + vb + wc est de dire
G.a = 2p h .
G.b = 2p k.
G.c = 2pl .
h, k, and l sont des nombres entiers.
La condition est satisfaite si on définit G hk l = ha* + kb* + l c* avec

a*.a = 2p , a*.b = 0, a*.c = 0.
b*.b = 2p , b*.a = 0, b*.c = 0.
c*.c = 2p , c*.b = 0, c*.a = 0.

Les affirmations ci-dessus signifient que a* est perpendiculaire aux vecteurs
primitifs b et c du réseau direct (vrai).
(e) Utilisez les conditions de Laue pour la diffraction et montrez que:
b× c
(i) a* = 2 p
a .(b × c )
c×a a×b
(ii) b* = 2 p and (iii) c* = 2p .
a .(b × c ) (
a. b× c )
Auto Evaluation 1
1. Discutez les caractéristiques d’un composant ionique à température

ambiante
2. Identifiez les réseaux donnés dans la Fig. 1.21 et nommez les nombres
d’atomes par point de réseau.

Figure 1.21: Structure cristalline
3. Déterminez le nombre de symétrie rotationnelle pour:

(i) un réseau cubique.
(ii) un cristal équilatéral.
4. Pourquoi tous les réseaux possèdent une symétrie transrationnelle ?
5. Expliquez pourquoi l’ordre de rotation correspondant à un ordre 5 ou 6 n’existe

pas.
6. L’ombre dans un plan (100), un plan (001) et un plan (111)
7. Montrez que le taux de remplissage (la compacité) dans

(i) un cristal cubique centré est 68%.
(ii) un cristal à face centrée est 74%.
8. Expliquez comment la diffractométrie des rayons X a lieu
Activité 2
Défauts Cristallins et Propriétés Mécaniques
Vous aurez besoin de 20 heures pour faire cette activité.
Les résultats de l’apprentissage requièrent de différencier les différents types de dé-

fauts cristallins : les défauts ponctuels (Lacunes, Atomes Interstitiels et Ponctuels)
et les dislocations (vis et coins). Vous allez apprendre que les défauts ponctuels sont
très localisés et sont de taille atomique, tandis que la dislocation est un désordre
qui s’étend au delà du volume d’un ou deux atomes. Dans cette activité, vous allez
apprendre sur les effets des défauts sur les propriétés mécaniques et électriques. Les
objectifs clés pour cette activité doivent :
• Expliquer les concepts de défauts cristallins.
• Mettre en relation les défauts cristallins à quelques propriétés mécaniques
et électriques observées.
Liste des Lectures Obligatoires

Référence Compléte: De University of Exeter
Accédée le 20 Avril 2007
Résumé: Dans cet article, la structure cristalline est décrite avec des diagram-
mes bien illustrés. Les exercices dans l’article aident le lecteur à consolider
les sujets appris
Justification: Cet article donne une autre façon à regarder les structures
cristallines. En outre les tests et exercices d’échantillon donnés à la fin
donnent une bonne opportunité d’utiliser les théories et principes exercés
de perspectives différentes.
Lecture 3: Échelle Atomique de Structure des Materiaux.
Référence Compléte : From DoITPoMS Teaching and Learning Packages
URL :
Accessed on the 24th April 2007
Résumé : Des types de cristaux variés sont décrits et des exemples tra-
vaillés sont fournis dans les sujets des cristaux et défauts cristallins.
Justification : Ce matériel fait partie des lots DoITPoMS d’Enseignement
et d’Apprentissage. Les lots sont destinés à être utilisés interactivement
sur un ordinateur ! Cet extrait imprimable est fourni par commodité mais
n’affiche pas tous les contenus du TLP. Par exemple, tous les clips vidéos et
les réponses aux questions sont manquantes. Si vous avez un accès internet,
prenez le temps de visiter et d’interagir avec les exercices. Ceci complète
la seconde activité du module.
Liste de Ressources MM
Ressource #1
Titre: Défauts Cristallins
URL: http://www.tf.uni-kiel.de/matwis/amat/def_en/index.html
Description: Fournit des techniques expérimentales d’étude de défauts
ponctuels, dislocation et autres défauts.
Date de consultation : 19/11/2007
Ressource #2
Titre: Structure Cristalline
URL: http://www.eserc.stonybrook.edu/ProjectJava/Bragg/index.html
Description: Fournit une animation sur comment les ondes révèlent la
structure atomique des cristaux.
Liste de Liens Pertinents Utiles
Lien Utile #4 de Wikipedia, l’encyclopédie gratuite
Titre: Défauts Cristallins

URL: http://en.wikipedia.org/wiki/crystallographic_defects#Point_defects
Capture d’écran:
Description: Une bonne description des défauts (défauts ponctuels, défauts linéaires,
défauts planaires et défauts en gros sur ce site).
Visité le 24 avril 2007:
Liens Utiles #5
Titre: Structure Cristalline

URL: http://phycomp.technion.ac.il/~sshaharr/
Capture d’écran:
Description: Ce site web a une bonne collection de liens et des visualisations de

la structure tridimensionnelle.
Visité le:- Avril 24 2007:
Lien Utile # 6
de Université de Virginie, ‘’Department of Materials Science’’.

Titre : Structure et imperfections dans les corps solides
URL: http://people.virginia.edu/~lz2n/mse209/
Capture d’écran:
Description : Ce lien mène à l’Université de Virginie, Department of Materials

Science and Engineering
Le cours (Introduction à la Science et Ingénierie des Matériaux) a des chapitres in-
diqués dans la capture d’écran qui sont de la documentation organisée et pertinente
à cette activité
Justification : Ce lien fournit de bons matériels de lecture.
Description détaillée de l’activité

Activité 2.1 : Défauts Cristallins
Dans cette activité vous allez apprendre et expliquer les effets des défauts sur les
propriétés des matériaux. On se concentrera sur deux types de défauts notamment
les défauts ponctuels et les dislocations. Lire et apprendre les différences entre les
défauts.
Défauts Ponctuels
Il y a deux types de défauts géométriques dans un cristal. Il y a ceux qui sont très
localisés et sont de dimensions atomiques. Ils sont appelés défauts ponctuels. Un
exemple de cela est l’impureté d’un atome qui peut être soit substitionnelle ou une
impureté interstitielle.
(a) Quand certains atomes ne sont pas exactement au bon endroit, le réseau est
dit contenir des imperfections ou défauts.
(b) De nombreuses propriétés des corps solides par exemple la résistance élec-
trique et la force mécanique sont dues à la présence de certains types de
défauts dans le réseau.
2.1.1 Impureté Substitutionnelle.
L’impureté est dite substitutionnelle quand elle replace un atome sur un réseau hôte
par exeemple A ; elle dite interstitielle quand l’impureté est entre les atomes hôtes
sur un site non-réseau par exemple B. Dans les deux cas, il y aura de la distorsion
de réseau autour d’elle
Figure 2.1: Exemples de défauts ponctuels
Une troisième forme de défaut ponctuel est quand un atome manque sur son site dans
un réseau par de C ???. Ce type forme le défaut le plus simple. Le réseau vacant est
appelé lacune ou défaut de Schottky. Ils sont montrés dans la Fig. 2.1.
a) Utilisez les références fournies et expliquez les effets des impuretés tel que
A ou B sur la propriété physique du cristal.
http://www.people.virginia.edu/~lz2n/mse209/Chapter4.pdf. 20/05/2007
http://www.msm.cam.ac.uk/doitpoms/tlplib/dislocations/raftseq2.php .
20/05/2007.
2.2.2 Les effets de la présence de lacune sur un site à ion-positif

• La présence de lacune dans un site à ion-positif peut être présentée telle que
vu dans la Fig. 2.2.
• Étudiez le diagramme dans la Fig. 2.2 et fournissez les réponses aux ques-
tions posées ci-dessous.
Figure 2.2: Effets des lacunes sur un site à ion-positif

(i) Qu’arrive t-il à la neutralité dans la vicinité d’une lacune ?
(ii) Qu’arrive-t-il quand l’énergie électrostatique du cristal ?????? et quel sera
son effet ?
(iii) Autre que la propriété électrique, expliquez les effets de la lacune.
Activité 2.1.3 Dislocations

Contrairement aux défauts ponctuels, il y a des types de désordre qui s’étendent au-
delà du volume d’un ou deux atomes. C’est un défaut linéaire qui peut s’étendre à
travers un cristal ou qui peut former des boucles fermées.
(a) Il y a deux types de dislocations, dislocation coin et dislocation vis.
( Des dislocations «MIXÉES» combinant des aspects des deux types sont
très communes).
(i) Dislocation Coins
Elles sont causées par la termination d’un plan d’atomes au milieu d’un
cristal. Dans de tels cas, les plans adjacents ne sont pas droits mais au lieu
de cela, ils plient autour des coins d’un plan clôturant afin que la structure
du cristal soit parfaitement ordonnée de chaque coté. Voir Fig. 2.3. L’ana-
logie avec une pile de papiers est juste : si la moitié d’un bout de papier est
insérée dans une pile de papiers, le défaut dans la pile est seulement visible
au coin de la moitié de papier. Voir Fig. 2.3.
(ii) Dislocation vis
Ceci est plus difficile à visualiser mais à la base comprend une structure dans
laquelle un chemin hélicoïdal est tracé autour d’un défaut linéaire (ligne de
de dislocation) par des plans atomiques d’atomes dans un réseau cristallin.
Voir. Fig. 2.3.
Figure 2.3
Notez que dans une dislocation vis, le plan d’une dislocation s’étend à mi-chemin
dans le cristal de l’avant. Les atomes d’un côté sont décalés vers le bas par une maille
élémentaire relative aux atomes de l’autre côté.
Autres formes de défauts
(a) Sous cette section, vous aurez besoin de:
(i) Lire des documents sur les défauts planaires et les défauts en gros. http://
en.wikipedia.org/wiki/crystallographic_defects#Point_defects
(ii) Prendre quelques notes.
(iii) Comparer ces défauts avec les défauts ponctuels et les dislocations
(b) Utilisez les références et prenez note de :
(i) La force mécanique des matériaux. Discutez des défauts jusqu’à les identi-
fier.
(ii) Joint de grain dans un cristal (Vous devez discuter des macles). Vous devez
aussi noter que les joints de grains dans un polycristal peuvent être considérés
comme des défauts bidimensionnels dans un réseau cristallin parfait
Activité 2.1.4 Cristallogenèse
Dans cette activité, les grandes lignes ci-dessous vous donnent les effets de la dislo-
cation sur les corps solides. Lisez-les et essayez de connecter chacune à des situations
de vies réelles. Vous allez apprendre que :
(i) la présence de dislocations résulte de la déformation du réseau (distor-
sion).
(ii) La direction et l’intensité de telle distorsion est exprimée en fonction du
vecteur de Burgers, b
(iii) Pour un type coin, b est perpendiculaire à la ligne de dislocation, tandis que
dans les cas d’un type vis, il lui est parallèle.
(iv) Dans des matériaux métalliques, b est aligné dans des directions cristallo-
graphiques et son intensité est équivalente à l’espacement interatomique.
(v) Les dislocations peuvent déplacer un des plans voisins, briser leurs liaisons
et rebondir avec les atomes au coin. C’est la présence des dislocations et
leurs habiletés à se déplacer facilement (et interagir) sous l’influence de
déformations induites par de charges externes qui mènent à des caractéris-

tiques malléables de matériaux métalliques.
Activité 2.1.5 Déformation Plastique

Dans cette activité, on vous donne des plans dans lesquels des matériaux se glis-
sent
(i) Des investigations microscopiques montrent que lorsqu’un métal est plastique-
ment déformé, la déformation arrive par un glissement du plan au long de la
direction de la ligne dans ce plan.
(ii) Pour des cristaux cubiques à face centrée, le glissement arrive normalement au
long des quatre plans équivalents {111}.
v Identifiez les plans au long desquels le glissement arrive dans un cristal à

corps centré. Dessiner le cristal pour montrer les plans.
Activité 2.2. Propriétés Mécaniques
(a) Lisez et prenez des notes sur une réponse des matériaux d’une force appliquée.
En particulier, prenez note que les deux importants régimes du comportement
mécanique, notamment :
(i) La déformation élastique (non-permanente) qui est due à l’étirement des
liaisons atomiques.
(ii) La déformation plastique (permanente) qui est due au mouvement des dis-
locations.
(b) La discussion devrait concerner
(i) Les définitions de contrainte (incluant la traction et le cisaillement). En plus
aussi de considérer les états communs de la contrainte (tension simple, com-
pression simple, tension bi axiale, pression hydrostatique et cisaillement)
(ii) Les définitions de la contrainte qui devraient inclure la contrainte tensile,
contrainte latérale et le cisaillement.
Activité 2.2.1 Coefficient de Poisson

• Prenez des notes brèves sur la définition du coefficient de Poisson et sa
relation donnée par Eq.2.1.
εx
v=− (2.1)
εz
ε z est la contraction transverse et ε x est l’allongement axial perpendiculaire à l’ex-
tension par contrainte tensile
Activité 2.2.2 Propriétés Élastiques
Dans cette activité, vous allez réaliser des expériences afin de vérifier la loi de
Hooke. Vous allez aussi utiliser les résultats de l’expérience pour montrer comment
la constante de Young d’un matériau est obtenue.
(a) Déformation Tensile et Contrainte:

Utilisez les résultats de l’expérience et prenez quelques notes sur:
(i) Comment la loi de Hooke pour des petites déformations est établit.
(ii) Comment montrer que les petites déformations, contraintes, σ constante
de Young, E, et la déformation, ε , a une relation donnée par:
σ = E .ε
Au terme duquel:
l −l 0 Δl
(i) Déformation Tensile ε = = , où l 0 est la longueur non-étirée
l l0
et l est la longueur étirée. 0
F
(ii) Contrainte Tensile σ = ⊥ ,où F ⊥ est l’intensité de la force et A est la
surface de coupe. A
stress F⊥ A F⊥ l 0
(iii) Constante de Young = = =
strain Δl l 0 A Δl
Les unités de la constante de Young sont les mêmes que celles de la contrainte, puis-
que que la déformation est un nombre pair. Donc, l’unité de la constante de Young
est le Pascal (Pa)
1 pascal = 1 Pa = 1 Nm-2.
(iii) Vos notes devraient contenir des graphes dessinés, étiquetés de la relation
Contrainte/ Déformation.
Des explications adéquates des différentes parties du graphique devraient être four-
nies dans les notes.
(b) Contrainte Compressive et la Déformation
Figure 2.4: forces compressives

Quand les forces, F agissent aux extrèmités de la barre telle que vu dans la Fig. 2.4,
alors la barre est en compression.
(i) La contrainte compressive de la barre en compression est définie de la même
façon que la déformation tensile mais Δ l a une direction opposée.
(ii) La loi de Hooke est valide pour la compression aussi bien que la tension si
la déformation compressive n’est pas trop grande.
(iii) Pour beaucoup de matériaux, la constante de Young a la même valeur que
les contraintes compressives et tensiles, et les matériaux composés tel que
le béton sont des exceptions.
(c) La Contrainte de Cisaillement et Déformation
(a) Le Contrainte de Cisaillement est définie comme étant le rapport entre la
force tangente à une surface de matériau et la surface A sur laquelle la force
agi t: Voir Fig. 2.5
Fp
Contrainte de Cisaillement =
A
FP
A FP
FP
FP
Figure 2.5: Un corps sous un cisaillement. La surface A est la surface de coin sur
laquelle chaque force F p agit.
(d) La déformation de cisaillement

Le diagramme du corps déformé est donné par Fig.2.6, ou abcd représente un bloc
non-stressé de matériau tel qu’un livre ou un mur. La surface a/b/c/d/ montre le même
bloc sous le même cisaillement.
x
b b/ c
c/
φ
φ
h
a, a/ d, d/
Figure 2.6: Un corps déformé par le cisaillement
x
(i) Angle de cisaillement = = tan φ . Mais dans de vrais situations, x est
h
beaucoup plus petit que h. Ceci veut dire que tan φ ≈ φ (en radians)
(ii) Si les forces sont tellement petites que la loi de Hooke est applicable, le
cisaillement serait proportionnel à l’angle de cisaillement. La constante
élastique correspondant est appelle la constante le de cisaillement, S telle
que
shear stress FP / A FP h FP / A
S=
shear strain
=
x/h
= . =
A x φ
( 2.2)
• Utilisez cet argument ci-dessous afin de dériver l’ équation 2.2 et son unité.
(e) Produire de la déformation par glissement simultané des atomes

Exemple:
Cet exemple donne une illustration du calcul de la production de la déformation. Vous
avez besoin de savoir que déplacer un plan particulier, un cisaillement doit être appli-
qué. Dans la Fig. 2.7, les cisaillements sont mesurés par un angle de cisaillementα ,
afin que si d, est l’espacement interplanétaire et, x, le déplacement linéaire donc
x
α=
d
τ
x
d d α
x
b
Figure 2.7: Un petit déplacement élastique
Pour un petit déplacement élastique, le cisaillement τ est donné par Eq. 2.3.
Gx
τ = Gα = (2.3)
d
où G est la constante de cisaillement (rigidité).
Pour des déplacements plus larges, τ doit être une fonction qui a une périodicité d’un
espacement interatomique b des atomes à l’intérieur du plan de glissement. Ceci est
donné par l’équation 2.4. C’est à dire,
⎛ 2p x ⎞
τ = cons tan t × sin ⎜ ⎟ (2.4)
⎝ b ⎠
A partir de l’Eq. (2.3) et (2.4) si le déplacement, est petit on a:

2p x Gx
cons tan t × =
b d
Gb G
C’est à dire cons tan t = ≈
2p d 2p
Puisque b est approximativement égal à d,
G ⎛ 2p x ⎞
τ≈
2p
sin ⎜
⎝ b ⎠
⎟ ( 2.5)
G
Donc, τ a une valeur maximum de et cela doit correspondre à la production de
2p
déformation du matériau mais en réalité, il ne doit pas. La production de déformation
G
dans les métaux est toujours beaucoup plus petite que de deux ou quatre ordres
de magnitude. 2p
Auto Evaluation 2
1. (a) Utilisez des exemples pertinentes, distinguez clairement entre les défauts
ponctuels et les
dislocations
(b) Expliquez les effets possibles entre les défauts planétaires
2. (a) Définir le réseau.

(b) Décrire comment une maille primitive peut être choisie par une procédure
Wigner- Seitz
(c) Dérivez une expression pour une rotation allouée a, dans un réseau pério-
dique et montrez comment les solutions possibles à l’équation peuvent être
obtenues
Activité 3
Propriétés Thermiques et Électriques
Vous aurez besoin de 40 heures afin de compléter ce module.
Titre de l’Activité d’Apprentissage: Propriétés Thermiques et Électriques
Cette activité a deux parties majeures : propriétés thermiques et électriques des corps
solides. Sous les propriétés thermiques, les sujets suivants font partie des activités
d’apprentissage : capacité thermique, capacité thermique massique, modèle théorique
de la capacité thermique et la conductivité thermique. Pour les propriétés électriques,
l’activité implique l’apprentissage de la conductivité électrique, la théorie de l’électron
libre des métaux et la loi Wiedemann-Franz.
Objectifs Spécifiques
Les objectifs spécifiques requièrent des étudiants de :

• Définir la capacité thermique, et expliquer la variation de la capacité ther-
mique avec la température basée sur les modèles classiques d’Einstein et
de Debye.
• Utiliser la théorie de l ‘électron libre pour expliquer les hautes conduc-
tivités thermiques et électriques des métaux
• Démontrer et appliquer la loi de Wiedermann-Frantz
Liste de Lecture Obligatoires
Lecture 4: Capacité Thermique.

Référence compléte : De Wikipedia, the free encyclopedia.
URL : http://en.wikipedia.org/wiki/Heat_capacity
Accédé le 20 Avril 2007
Résumé: La capacité thermique est définie et quantitativement décrite
par les corps compressibles. La capacité thermique de masse est définie et
les modèles théoriques sont décrits. La capacité thermique à températures
variées est décrite.
Justification: Ce matériel complète la section des propriétés thermiques
de la troisième activité dans le module. Des liens sont fournis pour plus
de lecture.
Lecture 5: Conductivité Électrique.

Référence compléte : De Wikipedia, the free encyclopedia.
URL : http://en.wikipedia.org/wiki/Electrical_Conductivity
Accédée le 24 Avril 2007
Résumé : La Classification des matériaux par conductivité, certaines
dépendances typiques de température des conductivités électriques sont
discutées. Des liens à dàutres facettes sont fournis.
Justification : Ce matériel complète la section des propriétés électriques
dans la troisième activité du module. Des liens sont fournis pour plus de
lecteurs.
Liste de Ressources Multimédias Pertinentes
Ressource #1
Titre: Thermodynamic equilibrium

URL: http://www.hazelwood.k12.mo.us/~grichert/sciweb/applets.html
Description: Fournit des expériences virtuelles appropriées aux étudiants.
En plus, il y a une simulation du processus de la diffusion quand les gaz à
différentes températures sont mélangés.
Date de consultation 16/11/2007.
Ressource #2
Titre: Structure and bonding

URL:http://learningzone.coruseducation.com/schoolscience/KS5specia-
liststeels steelch 1pg2.html
Description: Ce site donne une animation montrant des électrons qui bougent
aléatoirement et les mouvements des électrons à travers un fil. Cela contient
aussi une simulation montrant des électrons délocalisés, pour la conductivité
thermique et électrique.
Ressource # 3
Titre: Heat transfer mechanism

URL: http://www.engr.colostate.edu/~allan/heat_trans/page4/page4f.
html.
Description: Ce site a une discussion sur les trois mécanismes du transfert
thermique : La Conduction, La Convection
et le Rayonnement. Il fournit aussi les calculs numériques à faire en ligne
Liste de Liens Utiles Pertinents
Lien Utile #4: Wikipedia
Titre: Heat capacity.

URL: http://en.wikipedia.org/wiki/Heat_capacity
Capture d’écran
Specific heat capacity

From Wikipedia, the free encyclopedia
Section Listing
7.5 Theoretical models
7.5.1 Gas phase
7.5.1.1 Monatomic gas
7.5.1.2 Diatomic gas
7.5.2 Solid phase
7.6 Heat capacity at absolute
zero
Description : Ce site fournit du matériel de lecture de base sur la capacité thermique

incluant les modèles théoriques (phase de gaz, gaz monoatomique et gaz diatomique)
et la phase solide.
Lien Utile #5 Wikipedia
Title: Electrical conductivity

URL: http://en.wikipedia.org/wiki/Electrical_conductivity, 3/12/2006
Capture d’écran:
commonly represented by the Greek letter σ, but κ or γ are also occasionally used.
An EC meter is normally used to measure conductivity in a solution.
Contents
[hide]
1 Classification of materials by conductivity
2 Some electrical conductivities
3 Complex conductivity
4 Temperature dependence
5 See also
6 External links
[edit] Classification of materials by conductivity

http://en.wikipedia.org/wiki/Thermal_conductivity, 3/12/2006
http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbase/thermo/thercond.html
Description détaillée de l’activité
Activité 3.1 Capacité thermique
Dans cette activité vous allez:
1) Définir et apprendre la capacité thermique et la capacité thermique massique.
2) Résoudre et appliquer les équations pertinentes dans des problèmes numéri-

ques.
3) Utilisez les références fournies pour plus d’information pertinentes pendant que
vous prenez des notes et faites les devoirs/quiz.
(a) Les points clés d’apprentissage sur la capacité thermique sont que, la ca-
pacité thermique est:
(i) Normalement désignée par un C majuscule, souvent avec des indices.
(ii) Est une quantité physique mesurable qui caractérise l’habileté d’un corps à
stocker la chaleur tandis que la température change.
(iii) Définie tandis que le taux de changement de la température comme la chaleur
est ajouté au corps a certaines conditions et l’état du corps.
(iv) Exprimée en unités de joules par kelvin dans le Système d’Unités Interna-
tional,
(v) Est qualifié comme ``quantité extensive``
(vi) Une capacité thermique massique quand lorsque divisée par la masse du
corps cède
(b) Définition
La capacité thermique est mathématiquement définie comme le ratio d’une petite
quantité de chaleur δQ ajouté à un corps, à la petite augmentation correspondante
de sa température dT:
⎛ δQ ⎞ ⎛ dS ⎞
c=⎜ ⎟ =T ⎜ ⎟ . (3.1)
⎝ dT ⎠cond ⎝ dT ⎠cond

• où S est l’entropie et l’indice définit la condition sous laquelle la capacité

thermique est définie.
Choses importantes à apprendre de l’équation (3.1)

(i) Pour les systèmes thermodynamiques avec plus d’une dimension physique,
la définition ci-dessus ne donne pas une seule et unique quantité à moins
qu’un chemin particulier infinitésimal à travers l’espace phase du système
soit défini (Ceci veut dire qu’on a besoin de savoir en tout temps où sont
les parties du système ? Combien de masse ont-elles ? Et à quelle vitesse
elles se déplacent ?).
(ii) Pour tous les systèmes réels, le chemin à travers lequel les changements
arrivent doit être explicitement défini, puisque la valeur de la capacité ther-
mique dépend du chemin pris d’une température à une autre.
Activité 3.1.1: Capacité Thermique à volume constant C V , et la capacité thermique

à pression constante C P :
Dans cette activité, vous allez :
(a) Distinguer entre la capacité Thermique à volume constant C V , et la capacité

thermique à pression constante C P :
(b) Notez la première loi de thermodynamique et utilisez la conjointement avec
les définitions de C V et C P
afin de montrer que :
⎛ ∂Q ⎞ ⎛ ∂S ⎞ ⎛ ∂U ⎞
CV = ⎜ = T = ⎜⎝ ∂T ⎟⎠ (3.2)
⎝ ∂T ⎟⎠ V ⎜⎝ ∂T ⎟⎠
V V
⎛ ∂Q ⎞ ⎛ ∂S ⎞ ⎛ ∂H ⎞
Cp = ⎜ ⎟ =T ⎜ =⎜ (3.3)
⎝ ∂T ⎠ P ⎝ ∂T ⎠ P ⎝ ∂T ⎟⎠ P
⎟

où
∂Q est la quantité infinitésimale de chaleur ajoutée,

∂T est l’augmentation subséquente de la température.
∂ U est le changement dans l’énergie interne
∂ H est le changement dans l’enthalpie.

• Rappelez vous que
(i) L’augmentation de l’énergie interne est la différence entre la chaleur ajoutée
et le travail effectué :
dU = TdS – PdV. (3.4)

(ii) L’Enthalpie est définie par H = U + PV. Donc l’augmentation de l’ enthalpie

est donné par
dH = dU + (PdV + VdP). (3.5)
v De nombreux livres sur la chaleur et la thermodynamique traitent ce sujet

très bien, donc vous devriez vous référer à eux.
Activité 3.1.2: Capacité thermique massique

(a) Sous cette activité, on définit le terme de capacité thermique massique sous
une forme mathématique. Donc, la capacité thermique spécifique, c, d'un
matériau est
∂C
c= , ( 3.6)
∂m
Qui dans l’absence de phase de transitions est équivalente à
C C
c= = . (3.7)
m ρV
où,
C est la capacité thermique d’un corps (J·K−1)
m est la masse d’un corps (kg).
V est le volume d’un corps ( m3 ).

−1
ρ = mV est la densité d’un matériau ( kgm− 3 ).
(b) Pour les gaz, et aussi les autres matériaux sous autres pressions, il est
nécessaire de distinguer les différentes conditions des limites pour les
processus sous considération (puisque les valeurs diffèrent sensiblement
entre les conditions différentes). Les processus typiques pour lesquels la
capacité thermique peut être définie comme des processus isobares (pression
constante, dP = 0) et des processus isochores (volume constant, dV = 0), et
on écrit d’une façon conventionnelle pour les gaz :
⎛ ∂C ⎞
cP = ⎜ ⎟ (3.8)
⎝ ∂m ⎠ P
⎛ ∂C ⎞
cV = ⎜ (3.9)
⎝ ∂m⎟⎠ V

(c) Capacité thermique sans dimension
La capacité thermique sans dimension C * d’un matériau est donnée par
C C
C* = = , (3.10)
nR Nk
où ,
−1
C est la capacité thermique d’un corps ( J K ),
n est le nombre de moles dans un corps (mol),
−1
R est la constante des gaz parfaits ( J K mol − 1 ),
−1
nR=Nk est la quantité de matière dans le corps ( J K ),
N est le nombre de molécules dans un corps. (sans dimension),
kB est la constante de Boltzmann ( J K − 1 molecule− 1 )
• En utilisant cette information fournie ci-dessus, montrez que C * n’as pas

de dimension.
(d) Loi de Dulong-Petit
(i)
Pour de la matière dans une phase solide cristalline, la loi Dulong-Petit dit
que la capacité thermique massique sans dimension assume la valeur 3. Ef-
fectivement, pour les éléments chimiques métalliques solides à température
ambiante, les capacités thermiques vont de 2.8 à 3.4 (le béryllium étant une
exception notable à 2.0).
(ii) La ‘’limite’’ Dulong-Petit résulte du théorème d’équipartition, donc c’est
seulement valide dans la limite classique d’un continuum de micro-état, qui
est une limite de haute température.
Notez aussi que:
(iii) La capacité thermique théorique maximum pour des gaz multi-atomiques
de plus en plus grand à des hautes températures, approche aussi la limite
Dulong-Petit de 3R, tant que c’est calculé par mole d’atomes, mais pas par
molécules. La raison est que les gaz avec des molécules larges, en théorie ont
quasiment la même capacité thermique à haute température que les solides,
manquant seulement la (petite) contribution de la capacité thermique qui
vient de l’énergie potentielle qui ne peut pas être stockée entre les molécules
distinctes dans un gaz.
(iv) Pour les éléments légers et non-métalliques, ainsi que la plupart des soli-
des moléculaires de base sur des composés de carbone à une température
ambiante standard, les effets quantiques peuvent aussi avoir un rôle à jouer
comme les gaz multi-atomiques. Ces effets normalement combinent pour
donner des capacités thermiques plus petites que 3 R par mole d’atomes dans
un solide, quoique les capacités thermiques calculées par mole de molécules
dans des solides moléculaires puissent être supérieures à 3 R. Par exemple,
la capacité thermique de l’eau glacée au point de fusion est à peu près à
4.6 R par mole de molécules, mais seulement de 1.5 R par mole d’atomes.
Les nombres inférieurs résultants du gel des modes possibles de vibration
pour les atomes légers à des températures suffisamment faibles, comme
pour beaucoup de gaz. Les effets sont vus dans les solides plus souvent que
dans les liquides : par exemple la capacité thermique de l’eau liquide est
encore proche du théorique 3 R par mole d’atomes du maximum théorique
de Dulong-Petit.
Activité 3.1.3 : Modèle théorique de la capacité thermique

Cette activité est présentée en deux parties, c'est à dire, sous les gaz et les solides
comme il en sera discuté bientôt.
Avant de passer à la prochaine étape, Lisez et prenez quelques notes sur la théorie
cinétique des gaz.
Gaz
1. Monoatomique
Selon le théorème de l’équipartition des mécaniques classique et statistique, pour un
système fait de dégrés de liberté indépendants et quadratiques, n’importe quel apport
d’énergie dans un système fermé composé de N molécules est uniformément divisé
parmi les degrés de liberté disponibles pour chaque molécule, pour chaque degré de
liberté indépendant et quadratique,
kB T
Ei = . (3.11)
2
où Ei est l’énergie moyenne (mesurée en joules) associée à un degré de liberté i.

T est la température (mesurée en kelvins),
kB est la constante de Boltzmann, (1.3807 × 10 − 23 J K −1

).
• En général, le nombre de dégrée de liberté f, dans un molécule avec na

atomes est 3 na :
f = 3 na (3.12)
• Utilisez les références et résolvez l’équation (3.11)
Exemple 1
L’exemple suivant est destiné à illustrer comment la capacité thermique des gaz peut
être calculée. Considérons un gaz monoatomique.
1) Dans le cas d’un gaz monoatomique tel que l’hélium sous volume constant,
étant sûr qu’aucune excitation quantique électronique ou nucléaire arrive,
chaque atome dans le gaz a seulement 3 degré de liberté, tous de type trans-
rationnel.
2) Pas de dépendance d’énergie est associée avec les degrés de liberté qui
définit la position des atomes. Tandis que, au fait, les degrés de liberté cor-
respondants du mouvement des atomes est quadratique, et donc contribue
à la capacité thermique.
3) Pour N atomes, dont chacun a 3 composantes de momentum, signifie qu’il
y a 3N degrés de liberté totale. Donc :
⎛ ∂U ⎞ 3 3
CV = ⎜ ⎟ = NkB = nR . (3.13)
⎝ ∂T ⎠V 2 2
CV 3
C V ,m = = R = 1.5 R . (3.14)
n 2
où
C V est la capacité thermique à volume constant du gaz,
C V , m est la capacité thermique molaire à volume constant du gaz,

N est le nombre total d’atomes présents dans un récipient,
n est le nombre de moles dans un corps,
−1
R est la constante de gaz parfait, (8.3145 J K mol − 1 ). R est égal au produit de la
constante de Boltzmann, k B et du nombre d’Avogadro.
En général, les capacités expérimentales de la chaleur des gaz monoatomiques nobles
sont en accord avec une simple application de la mécanique statistique à un très haut
degré.
2. Gaz Diatomiques
(a) Lisez des documents sur les gaz diatomiques et confirmez que:
(i) Dans un gaz diatomique, la présence de degrés internes de liberté est appa-
rente, en plus des trois degrés de liberté translationels, il y a les degrés de
liberté vibrationnels et rotationnels.
(ii) Il existe un total de trois degrés rotationnels de liberté, un correspondant à
la rotation autour de chaque axe de l’espace tridimensionnel.
(iii) En pratique, seulement deux degrés de liberté en rotation pour les molécules
linéaires sont pris en compte car le moment d’inertie autour de l’axe inter-
nucléaire est extrêmement faible par rapport à d’autres moments d'inertie
dans la molécule. (Pourquoi?) (Ceci est dû aux rayons extrêmement réduits des
noyaux atomiques, par rapport à la distance entre eux dans une molécule).
(iv) En mécanique quantique, la variation d’énergie de rotation successive est
inversement proportionnelle au moment d'inertie autour de cet axe.
Le nombre de degrés de liberté de vibration est
fvib = f − ftrans − f rot = 6 − 3 − 2 = 1

Ceci est dû aux trois degrés de liberté translationnels et deux degrés de liberté ro-
tationnels.
(b) Capacité thermique molaire à volume constant du gaz diatomique.

(i) Chaque degré de liberté rotationnel et translationnel contribue à hauteur de
R/2 à la capacité thermique molaire d’un gaz
(ii) Chaque mode de vibration contribue à hauteur de R à la capacité thermique
molaire à cause de chaque mode de vibration ; il existe une composante
potentielle et une composante cinétique d’énergie, où chaque contribution
par composante potentielle et composante cinétique d’énergie en capacité
thermique molaire totale du gaz, est R/2.
(iii) Donc, la capacité thermique molaire attendue à volume constant d’une
molécule diatomique est
3R 7R
C V ,m = +R+R= = 3.5R. (3.15)
2 2
Exercice 1
a) Vérifiez que la valeur de C V , m est correcte

b) Vérifiez pour des valeurs de quelques capacités thermiques molaires de gaz
diatomiques variés et enregistrez les dans une table.
c) Les valeurs que vous allez enregistrer vont montrer que la plupart des gaz
diatomiques plus légers ont des capacités thermiques qui sont inférieures
que celles prédites dans le Théorème d’Équipartition, contrairement au cas
des molécules plus lourdes.
d) EXPLIQUEZ POURQUOI EST-CE AINSI ?
Avant de continuer à l’activité 3.1.4 vous aurez besoin:
v Lire et prendre quelques notes sur les limitations de la théorie spécifique classique
à de basses températures.
Activité 3.1.4: Phase Solide: Modèle de Debye et d'Einstein
(a) Dans cette activité, vous allez brièvement apprendre que :

(i) Le modèle de Debye est une méthode développée pour estimer la contribu-
tion des phonons à la chaleur massique (capacité thermique) dans un corps
solide.
(ii) Il traite des vibrations du réseau atomique (chaleur) comme les phonons
dans une boîte, en contraste avec le modèle d’Einstein, qui traite les corps
solides comme des oscillateurs quantiques sans interaction.
(iii) Le modèle de Debye prédit correctement la dépendance à la basse tempé-
rature de la capacité thermique, qui est proportionnelle à T 3 .
(iv) Tandis que le modèle d’Einstein d’un corps solide prédit avec précision
la capacité thermique à hautes températures, il s’écarte sensiblement des
valeurs expérimentales à basses températures.
(v) Comme le modèle d’Einstein, il récupère également la loi Dulond-Petit à
hautes températures. Mais en raison d’hypothèses simplificatrices, sa pré-
cision souffre à des températures intermédiaires.
(b) La variation de la capacité thermique sans dimension, équation (3.9), avec tem-
pérature est montrée dans la Fig. 3.1 telle que préditent par le modèle de Debye
et le modèle d’Einstein. Le solide d’Einstein est un modèle d’un solide basé
sur deux hypothèses:
(i) Chaque atome dans un réseau est un oscillateur 3D quantique harmoni-
que.
(ii) Les atomes n’interagissent pas les uns avec les autres.
Figure 3.1 : Variation de la capacité thermique sans dimensions.
(c) Caractéristiques du graphique:

(i) La capacité thermique sans dimension est nulle à zéro absolue, et augmente
a une valeur de trois pendant que la température devient supérieure que
la température de Debye. Donc, une des forces du modèle de Debye est
qu’il prédit une approche de la capacité thermique vers zéro pendant qu’on
s’approche de la température zéro, et prédit aussi la forme mathématique
correcte de cette approche.
(ii) Pour un solide d’Einstein la valeur de 3Nk est retrouvée à de hautes tem-
pératures.
(iii) La ligne horizontale correspond à la limite classique de la loi de Dulong-Petit.
Lisez plus sur ceci et prenez des notes compréhensibles sur les modèles de Debye
et d’Einstein.
Activité 3.1.5: Conductivité Électrique

Dans cette activité, un nombre de résolutions et de définitions d’équations seront
faites. En plus de tout cela, les questions qui vont vous aider à mieux comprendre le
sujet vous seront posées pendant que vous continuez l’apprentissage. Pendant que
vous progressez, vous devez prendre des notes à chaque étape de l’activité d’ap-
prentissage.
(a) Conductivité Électrique

(i) La conductivité électrique est une mesure de l’habileté d’un matériau de
conduire un courant électrique. Quand une différence de potentielle électri-
que est appliquée à travers un conducteur, sa charge mobile fluctue, donnant
naissance à un courant électrique. La conductivité σ est définie comme le
ratio de la densité de courant (courant par surface), J, à la force du champ

Equation 3.16 électrique, E,

E
J = E = (3.16)
(3.16)
Page 111 (ii) La conductivité est l’inverse de la résistivité électrique, ρ .

(iii) Les matériaux peuvent être classés en fonction de leur conductivité. Un
n v k conducteur telneque
2

le métal a une haute conductivité ; un isolant ou un aspi-
conductivities = rateur aune
= conductivité basse ; tandis que celle d’un semi-conducteur est
2 généralementmintermédiaire,
v quoique quoiqu’elle varie sous des conditions
différentes, telles que l’exposition du matériau aux champs électriques ou
Thermal des fréquencesElectrical
spécifiques de la lumière et plus important avec la tempéra-
ture.
[ajouter les mots Thermal and Electrical]des matériaux
(b) Caractéristiques
(i) Dans les solides cristallins, les atomes interagissent avec leurs voisins, et
les niveaux d’énergie des électrons dans des atomes isolés se transforment
en bandes
Page 115 (ii) Qu’un matériau conduit ou pas est déterminé par sa structure de bande.
(iii) Les électrons dans un solide remplissent les bandes d’énergie d’un certain
6(c) devrait être
niveau appelé énergie de Fermi
(iv) Les bandes qui sont complètement remplies d’électrons ne peuvent pas
conduire l’électricité car il n’y a G
pas d’état d’énergie voisine sur lequel les
(c) Show that shear stress,électrons
has a peuvent
maximum value of
se trouver.. when it causes a particular
2
(v) Les matériaux dans lesquels les bandes sont remplies (L’énergie de Fermi
plane to move. G is the shear (or rigidity) modulus.
est entre les deux bandes) sont des isolants.
(vi) Dans quelques cas, cependant, la théorie des bandes se brise et les matériaux
[Dernière ligne conflit avec éqution?]
qui sont prédits pour être conducteurs par la théorie des bandes se révèlent
être isolants. Les isolants de Mott et les isolants à transfert de charge sont
deux classes.
(c)
(i) Expliquez brièvement pourquoi les métaux sont des bons conducteurs
(ii) Utilisez le modèle de Drude et montrez que la conductivité σ en fonc-
tion du temps de relaxationτ , de la densité de la conduction des électrons
n, de la charge de l’électron e, et de la masse de l’électron m, est donnée
ne2τ
par σ = (3.17)
m
• Montrez que la dimension dans l’équation (3.17) est constante.

(iii) Pour des fins de comparaison, écrivez des notes sur la conduction électrique
dans les semi-conducteurs, les gaz et le plasma et un aspirateur.
Activité 3.1.6 : Conductivité Thermique

Dans cette activité, un nombre de définitions et de calculs d’équations seront données.
Avec cela, les questions qui vont vous aider à mieux comprendre le sujet seront posées
pendant que vous continuez à apprendre. Pendant que vous progressez, vous devez
prendre des notes à chaque étape de l’activité d’apprentissage.
(a) La conductivité thermique κ , est une propriété intensive d’un matériau qui
indique son habileté à conduire la chaleur.
(i) C est défini comme la quantité de chaleur Q , transmisse à un temps t à

travers une épaisseur L, dans une direction normale à la surface d’une aire
A, à cause de la différence de température Δ T, sous des conditions stables
et quand le transfert de chaleur est seulement dépendant du gradient de
température.
(ii) Conductivité Thermique = taux de flux de chaleur × distance / (surface ×
différence de température)
Q L
κ = × (3.18)
t A × ΔT
v Calculez les DIMENSIONS et UNITES de la conductivité thermique de

l’équation (3.18)
v NOTEZ QUE:
(1) Conceptuellement, la conductivité thermique peut être vue comme un récipient

pour les propriétés moyennement dépendantes qui concernent le taux de perte
de chaleur par unité de surface au taux de changement de température
ΔQ ΔT
= −κ (3.19)
AΔ T Δx
Puissance par unité de surface
(2) Pour un gaz parfait, le taux de transfert de chaleur est proportionnel à la vitesse
moléculaire moyenne, le parcours libre moyen, et la capacité thermique molaire
du gaz.
n c λC V
κ= (3.20)
3N A
où
κ est la conductivité thermique,
c est la vitesse moyenne des particules,

n est le nombre de particules par unité de volume,
λ est le parcours libre moyen,
C V est la capacité thermique molaire,
N A est le nombre d’Avogadro.
v Vérifiez que les dimensions dans l’équation (3.19) sont conformes
Gaz
(b) Propriétés thermiques des matériaux
Prenez quelques notes succintes sur les similarités et différences entre la conduction
électrique et la conduction thermique.
(i) Cependant, la conductivité thermique dépend de beaucoup de propriétés
d’un matériau, notamment de sa structure et de sa température.
(ii) Par exemple, les substances cristallines pures montrent des conductivités
thermiques hautement variables au long des axes de cristaux différents,
dues aux différences dans le couplage des phonos au long d’une dimension
cristalline donnée. (LISEZ PLUS SUR CECI)
(iii) L’air et d’autres gaz sont généralement des bons isolants, en absence de
convection.
(c) Mesures
Prenez des notes précises sur les mesures de
(i) Les bons conducteurs de chaleur par la méthode de bar de Searle
(ii) Les mauvais conducteurs de chaleur par la méthode de disque de Lees
Activité 3.1.6: Théorie de l’électron libre des métaux

(a) Information
(i) Ceci a d’abord été proposé par Drude et Lorentz dans les premières années
du 20ème siècle.
(ii) Cela considère que quelques électrons agissent comme s’ils étaient capables
de se déplacer librement à l’intérieur du corps solide et que les électrons
libres sont dans un équilibre thermique avec leurs atomes.
(iii) Les électrons libres sont maintenus dans un corps solide par un puits de
potentiel ou boîte, mais ne sont pas affectés par le potentiel local associé
avec les atomes individuel.
(iv) Cependant, les métaux de transition, tels que le fer, sont partiellement rem-
plis d’états électroniques d et ne sont pas traités par le modèle des électrons
libres.
v En s’assurant que le chemin moyen libre des électrons est limité par les
collisions, H.A. Lorentz a fait l’étude quantitative de cette théorie. De
cette façon, il a été capable de déduire la loi d’Ohm pour la conductivité
électrique et obtenir le ratio de la conductivité thermique à la conduc-
tivité électrique en excellent accord avec l’expérience.
(b) Insuffisance de la théorie.

(i) D’abord, elle a prédit une large composante de la chaleur spécifique d’un
métal, non présente dans les isolants, ce qui n’a pas été observé.
(ii) Deuxièment, la comparaison de la théorie avec l’expérience indiquait que
le chemin libre moyen des électrons devient extrèmement large à de basses
températures ; et le modèle n’offre aucune justification.
Toutefois, ces lacunes ont été surmontées par l’utilisation de la statistique quantique,
qui a enlevé la difficulté de la chaleur spécifique sans perdre la description réussie
des propriétés de transport. La théorie résultante reste la base pour la compréhen-
sion de la plupart des propriétés de transport des métaux et des semi-conducteurs. À
peu près au même moment, WV Houston et F. Bloch a résolu l'équation des ondes
mécaniques quantiques pour les électrons dans une structure périodique régulière,
estimant qu’elles pourraient effectivement avoir arbitrairement de grands chemins
libres moyens, s’il n’y a pas de défaut dans la périodicité, plaçant ainsi la théorie
des électrons libres sur une base ferme.
Activité 3.1.7: La loi de Wiedemann-Franz
(a) Dans cette activité, la relation entre les conductivités électriques et thermiques est
discutée. Un nombre d’informations vous sont fournies afin de suivre comment
la relation est déduite. On observe que :
(i) Le ratio de la conductivité thermique a la conductivité électrique d’un métal
est proportionnel à la température.
(ii) Qualitativement, la relation est basée sur le fait que le transport de la chaleur
et de l’électricité implique des électrons libres dans un métal.
(iii) La conductivité thermique augmente avec la vitesse moyenne des particules
puisque cela augmente le transport de l’énergie.
(iv) Cependant, la conductivité électrique diminue avec la vitesse des particules
qui augmente à cause des collisions entre les électrons. Ceci signifie que le
ratio de la conductivité thermique à la conductivité électrique dépend du
carré de la vitesse moyenne, qui est proportionnelle à la température ciné-
tique. La capacité thermique molaire d’un gaz classique monoatomique est
donnée par
3 3
cV = R = N Ak (3.21)
2 2
(b) Détermination de la loi de Wiedemann-Franz

(i) La loi de Wiedemann-Franz est déterminée en traitant les électrons comme
des gaz classiques et en comparant la conductivité thermique résultante à
la conductivité électrique. Les expressions pour la conductivité thermique
et la conductivité électrique deviennent:
n c λk ne2 λ
conductivities κ= ; σ= . (3.22)
2 mc

Thermale Électrique
(ii) Mais la vitesse moyenne des particules de la théorie cinétique est donnée
par Eq. (3.23)
8kT
c = . (3.23)
pm
(iii) Donc, le ratio de la conductivité thermique à la conductivité électrique donne

la loi de Wiedemann-Franz Law comme
κ 4k 2T
= = LT . (3.24)
σ p e2
L est le nombre de Lorentz .

v Voir C. Kittel, Introduction to Solid State Physics, 5th Ed., New York:
Wiley, 1976, p. 178.
Auto Évaluation 3
1. (a) (i) Pourquoi la capacité thermique est référée comme une quantité exten-
sive?
(ii) Pourquoi la capacité thermique massique est référée comme une quantité
extensive?
2. Comparer les modèles de Debye et dÈinstein .
3. Déduire lùnité de conductivité de l’équation (3.16).
4. Comparer la conductivité des différents matériaux (conducteurs, et semi-conduc-

teurs) à la température à complèter!!! . Décrivez comme ils se comparent.
5. Expliquez:
(i) La notion du transfert de chaleur par conduction.
(ii) Les raisons des larges variations dans la conductivité thermique
6. Utilisez l’équation 3.23 et déterminez
(i) La valeur du nombre de Lorentz, L.
(ii) L’unité de L.
Activité d’apprentissage 4
Titre de l’activité d’apprentissage: Theorie des bandes et proprietes optiques.

Vous aurez besoin de 20 heures pour faire complètement cette activité.
Résumé de l’activité d’apprentissage.
Ce modèle consiste en deux parties : Théorie des bandes et propriétés optiques.

Les éléments de base de l’activité inclut l’apprentissage de : la structure des bandes
électroniques dans laquelle les conducteurs, les isolants et les semi-conducteurs en
font partie. Plus d’apprentissage est sur le dopage, le niveau de Fermi, et les bandes
d’énergie dans les corps solides. Sous les propriétés optiques, le sujet enseigné inclut
l’absorption et le coefficient d’extinction, la réflectivité et la transmittance.
Les objectifs d’apprentissage des modules requièrent que les étudiants soient
capables de:
(i) Décrire la théorie des bandes,

(ii) Expliquez les différences entre les conducteurs, les semi-conducteurs et les
isolants,
(iii) Expliquez les différences entre les semi-conducteurs intrinsèques et les
semi-conducteurs extrinsèques sur le rôle du dopage.
Les objectifs pour l’apprentissage des propriétés optiques sont de permettre les
étudiants de :
(i) Expliquer, la base sur l’interaction des ondes électromagnétiques (lumière)

et matériaux, l’absorption, la réflectivité et la Transmittance.
Liste de Lectures Obligatoires
Lecture 4: Capacité Thermique

Référence Compléte : From Wikipedia, the free encyclopedia.
Résumé: La capacité thermique est définie et quantitativement décrite
pour les corps compressibles. La capacité thermique massique est définie
et les modèles théoriques sont décrits. La capacité thermique à des tempé-
ratures variées est décrite.
Justification: Ce matériel complètela section dans la troisième activité

des propriétés thermiques. Des liens sont fournis pour plus de lecture.
Référence Compléte: From Wikipedia, the free encyclopedia.
Accédé le 24 Avril 2007
Résumé : La classification des matériaux par conductivité, quelques
dépendances typiques de température de conductivités électriques sont
discutées. Des liens avec d’autres sites sont aussi fournies.
Justification: Ce matériel complète la section dans la troisième activité
des propriétés électriques. Des liens sont fournis pour plus de lecture.
Liste des Ressources Multimédias Utiles
Ressource#1
Titre: Fermi Level and carrier concentration

URL: http://jas.eng.buffalo.edu/education/semicon/fermi/bandAndLevel/
intro.html
Description: Ceci fournit de bonnes notes d’introduction et une simulation
du niveau de Fermi et la concentration du porteur
Liste de Liens Utiles Pertinents
Titre: Bandes d’Énergie

URL: http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbase/hframe.html
Capture d’écran:
small compared to that in doped semiconductors under the same conditions.
Click on any part of the illustration for further information.
Description: Ceci fournit du matériel de lecture adéquat sur la théorie des solides :
commentaires sur les bandes d’énergie ; bandes d’énergie d’isolants ; bandes d’éner-
gie des semi-conducteurs ; bandes d’énergie des conducteurs ; bandes d’énergie des
silicons…
Activité 4.1 Structure des bandes électroniques
Dans cette activité, vous allez définir, décrire et discuter quelques termes de base, en
relation avec les métaux, les semi-conducteurs et les isolants. Au fur et à mesure que
vous progressez avec votre étude, vous serez requis à fournir des réponses à quelques
questions qui sont posées dans cette activité.
(1) L’activité est d’abord introduite en donnant des définitions de quelques termes
clés tels que la structure des bandes.
(i) Dans la physique des solides, la structure des bandes électroniques (ou tout
simplement structure des bandes) d’un solide décrit les plages d’énergie
qu’un électron est ‘’interdit’’ ou ‘’permis’’ d’avoir.
(ii) La structure de bandes détermine les propriétés électriques, optiques et autres
d’un matériau.
(2) Faits de base sur la formation des bandes.

A partir de votre lecture, vous allez noter que:
(i) Les électrons d’un atome isolé occupent les orbitales atomiques, qui forment
un ensemble discret de niveaux d’énergie
v (DANS CETTE AFFIRMATION, QUE VEUT T-ON DIRE PAR : orbitale
atomique et ensemble discret de niveaux d’énergie ?)
(ii) Dans une molécule, où il y a beaucoup d’atomes, leurs orbitales atomiques
se divisent à cause du principe d’exclusion de Pauli.
v (EX PLIQUEZ QU’EST-CE LE PRINCIPE D’EXCLUSION DE PAULI)
(iii) En conséquence, un nombre d’orbitales moléculaires proportionnel aux
nombres d’atomes est produit.
(iv) Dans les corps solides, le nombre d’orbitale est extrèment grand,
v (Pourquoi est-ce le cas ?).
(v) Donc, la différence d’énergie entre eux devient très petite. Cependant, VOUS
DEVEZ NOTEZ CECI, quelques intervalles d’énergie ne contiennent pas
d’orbitales, quelque soit le nombre d’atomes ensembles.
(3) Considérons maintenant les trois types de matériaux séparément.
(a) Métaux
(i) Les métaux contiennent des bandes qui sont partiellement vides et par-
tiellement remplies quelque soit la temperature. Donc, ils ont de hautes
conductivités.
(ii) A cause de très grands nombres d’atomes qui interagissent dans un matériau
solide, les niveaux d’énergie sont tellement rapprochés qu’ils forment des
bandes donc, les électrons dans le métal sont arrangés en bandes d’éner-
gie.
(iii) La bande la plus remplie d’énergie est appelée bande de valence, la bande
suivante la plus haute est la bande de conduction.
(iv) Les régions d’énergie pour lesquelles aucune orbitale d’électrons sans on-
des n’existe peuvent peut séparer les deux. De telles régions interdites sont
appelées gap d’énergie ou bandes de gap.,
(v) Si le nombre d’électrons est impair, alors il existe des électrons non cou-
plés dans chaque maille élémentaire, la bande de valence n’est donc pas
totalement occupée, et ceci rend le matériau conducteur.
(vi) Leurs électrons de valence sont essentiellement libres à cause de la théorie
des bandes, il y a un chevauchement entre la bande de valence et la bande
de conduction afin qu’une fraction des électrons de valence puisse bouger
à travers le matériau.
(b) Semi-conducteur
(i) Un semi-conducteur est un solide dont la conductivité électrique peut être
contrôlée sur une large plage soit d’une façon permanente ou soit d’une
façon dynamique.
v Lire et prendre des notes sur les utilisations et applications des semi-
conducteurs
( ii) Un des principaux mécanismes pour les électrons à être excités par la bande
de conduction est dû à l’énergie thermique, à cause de cela, la conductivité
des semi-conducteurs est fortement dépendante de la température du maté-
riau.
(EXPLIQUEZ POURQUOI EST-CE AINSI).
(iii) Les semi-conducteurs peuvent être des matériaux élémentaires tels que
le silicon et le germanium, ou des semi-conducteurs composéstels que le
gallium et l’indium phosphite, ou les alliages tels que le silicongermanium
ou aluminium gallium arsénide.
(iv) Les semi-conducteurs et les isolants ont une bande de valence qui est presque
vide sous des conditions normales.
(i) La facilité avec laquelle les électrons dans un semi-conducteur peuvent être
excités de la bande de valence à la bande de conduction dépend de la bande
de gap entre les bandes.
(ii) Afin de conduire le courant électrique, les électrons doivent se déplacer
entre les états.Du fait du principe d’exclusion de Pauli, les bandes remplies
ne contribuent pas à la conductivité électrique. Mais, pendant que la tem-
pérature d’un semi-conducteur s’élève au dessus du zéro absolu, les états
des électrons sont de plus en plus aléatoires et quelques électrons peuvent
être trouvés dans la bande de conduction.
(iii) Dans les semi-conducteurs, le mouvement du courant de charge est facilité
par les électrons et les trous. (LISEZ LES DOCUMENTS SUR LES TROUS
ET PRENEZ NOTES)
v Prendre des notes sur les semi-conducteurs intrinsèques et les semi-conducteurs
extrinsèques.
v Comparer les deux types de semi-conducteurs.
(c) Isolants
(i)
Les isolants contiennent des bandes complètement remplies. Donc, ils ont
de très faibles conductivités.
(ii) Les isolants ont de larges gaps entre les énergies des électrons de valence
et l’énergie à laquelle les électrons peuvent se déplacer librement à travers
le matériau (la bande de conduction). C’est la taille de cette bande gap
d’énergie qui sert de ligne qui sépare arbitrairement les semi-conducteurs
et les isolants.
v **Lire Documentez vous davantage sur les isolants et prenez des notes.
(4) Dopage
(i) Le processus d’ajouter les impuretés contrôlées au réseau cristallin d’un
semi-conducteur afin de modifier sa conductivité est connu sous le nom de
dopage. La quantité d’impuretés, ou dopant, ajouté à un semi-conducteur
intrinsèque (pure) varie son niveau de conductivite. Les semi-conducteurs
dopés sont souvent appelés extrinsèques.
v Écrire en quelques lignes comment un dopant peut influencer influence la
conductivité d’un semi-conducteur.
(5) Le niveau de Fermi
(i) Le niveau de Fermi est le haut de la collection des niveaux d’énergie d’élec-
tron à la température de zéro absolu.
(ii) Puisque les électrons sont des fermions et par le principe d’exclusion de
Pauli ils ne peuvent pas sortir dans des états d’énergies identiques. Donc à
zéro absolu, ils se regroupent dans les états d’énergie les plus bas pour bâtir
‘’une mer deFermi ‘’ d’états d’énergie d’électrons.
(iii) Le niveau de Fermi est la surface de cette mer à zéro absolu ou aucun élec-
tron n’aura assez d’énergie afin de s’élever au dessus de la surface. Donc le
niveau de Fermi est positionné dans la bande de gap.
(iv) La position du niveau de Fermi avec la relation à la bande de conduction
est un facteur crucial pour déterminer les propriétés électriques.
(v) Dans un conducteur, le niveau de Fermi se trouve dans la bande de conduc-
tion, de telle sorte que la bande soit seulement remplie à moitié avec des
électrons. Dans ce cas, seulement la plus petite quantité d`énergie est requise
pour trouver d’autres états non-occupés afin de s’y déplacer pour que le
courant puisse passer.
(vi) Pour les semi-conducteurs tels que le silicon et le germanium, le niveau de
Fermi est essentiellement à mi-chemin entre les bandes de valence et de
conduction. Bien qu’aucune conduction n’arrive à 0 K, à de hautes tempé-
ratures, un nombre fini d’électrons peut atteindre la bande de conduction et
fournir du courant. Dans des semi-conducteurs dopés, des niveaux d’énergie
supplémentaires sont ajoutés.
** Pour fin de simulation de quelques concepts allez voir http://www.collage.soe.ucsc.
edu/JavaFiles/ElectronDopedSimulation.html. 12/11/2007.
(6) Bandes d’énergie dans les corps solides

La Fig. 4.1 représente les diagrammes schématiques des bandes d’énergie dans les
isolants solides, les semi-conducteurs et les conducteurs. Étudiez attentivement les
trois diagrammes et notez les positions relatives de la bande de conduction, de la
bande de valence et du gap d’énergie.
Énergie des électrons
Fer m i
Conduction
c
lev el
Band
Conduction
Larg e energy gap Band
Between valenc e and
Conduction
Conduc tion bands Band
Valence Band Valence Band Valence Band
Insulateur Semi conducteur Conducteur
Figure 4.1: Diagrammes schématiques des bandes d’énergie

Activité 4.2 Propriétés Optiques
Dans cette section, nous allons considérer les propriétés optiques des matériaux. Les
propriétés optiques les plus importantes d’un matériau sont les transmittances internes
et externes, la réflectance à la surface et les indices de réfraction. Les discussions
suivantes incluent : l’absorption, la réflectivité et la transmissivité.
Considérons chacune séparément.
1. Absorption.
Dans cette section, nous allons expliquer comment les photons sont absorbés par les
matériaux.
(i) Vous aurez besoin de savoir que les photons sont des ondes électromagné-
tiques avec une fréquence particulière et que les molécules sont un système
avec séparation de charge (champ négatif d’électrons et noyau positif).
(ii) Les propriétés optiques d’un corps solide sont dues à l’interaction entre les
corps solides et le champ électrique d’une onde électromagnétique.
Le concept important que vous devez apprendre est que:
(i) L’état d’une séparation de charge moléculaire peut changer d’une façon
quantifiée en ‘’absorbant’’ l’énergie d’un photon.
(ii) AFIN QUE CECI ARRIVE : La fréquence des photons doit correspondre
à la ‘’fréquence’’ associée avec l’énergie de transition de la molécule afin
que le transfert d’énergie arrive. Cette énergie est donnée par l’équation
(4.1) :
hc
E = hv = . (4.1)
λ
où E est l’énergie, h la constante de Planck ; ν est la fréquence, c’est la vitesse de la

lumière dans l’aspirateur et λ est la longueur d’onde.
a) On a aussi besoin de savoir que l’absorption des photons arrive en tant qu’évé-
nement quantique, un événement tout ou rien.(ESSAYEZ DE COMPRENDRE
LA SIGNIFICATION DE CETTE AFFIRMATION )
b) Dans l’optique biomédicale, l’absorption des photons est un événement impor-

tant
(i) L’absorption est l’événement primaire qui permet à un laser ou toute autre
lumière de causer un effet potentiellement thérapeutique (ou endommageant)
sur le tissu humain. Sans l’absorption, il n’y a pas de transfert d’énergie et
le tissu est laissé non-affecté par la lumière.
(ii) L’Absorption de la lumière fournit un rôle de diagnostic tel que la spec-

troscopie d’un tissu. L’Absorption peut fournir un indice à la composition
chimique d’un tissu, et servir comme un mécanisme de contraste optique
durant l’imagerie. L’Absorption est utilisée pour les applications de spec-
troscopie et d’imagerie.
(c) Définition et unités de coefficient d’absorption.
Le coefficient d’absorption, μ a est un paramètre qui est utilisé pour décrire l’effi-
cacité de l’absorption. Si un faisceau de lumière tombe sur une sphère telle tel que
montré dans la Fig. 4.2.
Beam of light
effective cross-section
σ a = Qa A
A
geom etrical
cross -section

Figure 4.2: Un faisceau de lumière tombant sur une surface de coupe A.
Si la taille de l’ombre de l’absorption est σ a cm2 et la taille géométrique de la sphère

est A cm2 l’efficacité d’absorption Qa [sans dimension], est donnée par l’équation
4.2.
σ a = Qa A (4.2)
Si ρ a est la densité de volume, donc le coefficient d’absorption µa est donné par

l’équation 4.3.
μ a = ρ aσ a (4.3)
L’unité du coefficient d’ absorption est le cm-1, et celui de la densité du volume est
le cm-3.
Si L (cm) est la longueur du trajet du photon à travers le médium, la probabilité de
survie (transmission T) du photon est donnée par l’équation (4.4)
T = exp (− μ a L ) (4.4)
L’expression dans l’équation (4.4) est vraie pour tout chemin si le photon passe à
travers.
(d) L’Absorption et l’Absorptivité Molaire

Dans cette section, on calcule les expressions de l’absorption et des absorptivités
molaires.
(i) La vitesse de propagation d’une onde électromagnétique à travers un corps
solide est donnée par l’indice de réfraction complexe dépendant de la fré-
quence
N = n - ik , (4.5)
où la vraie partie, n est en relation avec la vitesse, et k, l’absorptivité molaire est en
relation avec la décroissance, ou pour amortir l’amplitude de l’oscillation du champ
électrique incident.
(ii) Si une onde plane de fréquence (f) se propage à travers un solide avec une
vitesse ν , dans la direction x, le champ électrique, E, est donné par l’équation
(4.6)
⎧ ⎡ x ⎤⎫
E = E 0 exp ⎨2p fi ⎢t − ⎥ ⎬ (4.6)
⎩ ⎣ v ⎦⎭
où, (E ) est le champ vectoriel électrique incident, et
0
{2p fi [t − ( x / v )]} est le déplacement au temps t après la perturbation, x, au long

de la ligne de propagation.
Puisque la vitesse de propagation à travers un corps solide d’un indice de réfraction
complexe N = n - ik est en relation avec la vitesse de lumière dans un aspirateur, c,
par
c
v= , (4.7)
N
On a
1 ⎛ n ⎞ ⎛ ik ⎞
= ⎜ ⎟−⎜ ⎟ . (4.8)
v ⎝c⎠ ⎝ c ⎠
Si l’équation (4.8) est substituée dans l’équation (4.6) on a
⎛ −2p xni ⎞ ⎛ −2p fkx ⎞

E = E 0 exp (2p fti )exp ⎜ ⎟ exp ⎜ ⎟ (4.9)
⎝ c ⎠ ⎝ c ⎠
Le terme (− 2p fkx / c ) est une mesure du facteur d’amortissement, ou une absorp-
tivité molaire, k.
Mais la puissance (P) ou intensité d’une onde incidente à travers un solide est donnée
par
P = σ E2 (4.10)
où σ, est la conductivité du corps solide, et E est le champ vectoriel électrique.
En utilisant le terme facteur d’amortissement, la fraction de la puissance incidente

qui se propage d’une position (o) à une distance (x) à travers le matériau avec une
conductivité (σ) est donnée par :
P (x ) σ E 2 (x ) ⎛ −4p fkx ⎞
= 2
= exp ⎜ ⎟. (4.11 )
P (0 ) σ E (0 ) ⎝ c ⎠
Donc, le coefficient d’absorption est donné par,
4p fk
α = (4.12)
c
(e) Réflectivité
Vous compléterez la majorité de cette section par vous-même. Cependant, quelques
définitions sont fournies.
(ii) Dans l’optique, la réflectivité est la reflectance c’est à dire, le ratio de la
puissance réfléchie à une puissance incidente.
(iii) La Réflectivité est généralement exprimée en décibels.
Complétez cette section et prenez des notes. Inclure des exemples.
(f) Transmissivité
Un partie de l’information fournie ici va aider à faire des notes compréhensives sur
la transmittance
(i) Important qu’on parle de transmittance externe et de transmittance in-
terne
• La transmittance externe est le seul passage d’irradiance d’un élément
optique, tandis que la transmittance interne est le seul passage d’irradiance
en l’absence de toutes pertes de réflexion de surface (transmittance de ma-
tériau).
(ii) La transmittance externe est d’une importance primordiale quand on choisit les
optiques pour un système de lentilles formant une image due à la transmittance
externe qui néglige les réflexions multiples entre les surfaces des lentilles.
Si Te est la transmittance désirée d’irradiance externe, Ti est la transmittance corres-

pondante interne, t1, le seul passage de transmittance de la première surface, et t2 le
seul passage de transmittance de la deuxième surface, ensuite
Te = t1t2Ti = t1t2 e− μtc (4.13)

μ est le coefficient d’absorption dû au matériau des lentilles, et tc est l’épaisseur du

centre de la lentille.
v Utilisez les références fournies et expliquez comment l’équation (4.13) est dé-
duite.
Si les deux surfaces de la lentille ne sont pas recouvertes, donc
t1t2 = 1 − 2γ + γ 2 (4.14)
2
⎛ n −1 ⎞
où γ = ⎜ ⎟
⎝ n +1⎠
est la réflectance d’irradiance de la seule surface du seul passage à une incidence

normale telle que donnée par la formule de Fresnel. Les deux indices de réfraction,
n et μ sont des fonctions des longueurs d’onde.
**POUR être complet, vous pouvez lire plus sur ce sujet.
Auto Évaluation 4
1. Écrivez quelques notes sur :

a) La bande de Valence,
b) La bande de Conduction,
c) La bande interdite de gap,
d) Dessinez un diagramme montrant ces bandes dans un métal.
2. (i) Utilisez un diagramme dans la Fig. 4.1 afin de comparer les trois matériaux.
(ii) Expliquez comment la conduction prend place dans un semi-conducteur
quand un électron est excité de la bande de valence à la bande de conduc-
tion.
(iii) Donnez les différences entre les semi-conducteurs intrinsèques et extrinsè-
ques.
(iv) Que veut-on dire par une impureté dans la technologie des semi-conducteurs ?
XI Liste Compilée de tous les Concepts Clés

(Glossaire)
Mouvement Anharmonique : est un mouvement d’un corps sujet à une force res-
tauratrice qui n’est pas directement proportionnelle au déplacement d’un point fixé
dans la ligne de mouvement.
Recuit : c’est le processus de chauffage d’une substance à une température spécifique
inférieure à son point de fusion, le maintien de cette température pendant un certain
temps, avant de refroidir lentement. La Cristallisation lente se fait donc à l’état solide
dans des conditions de température contrôlée. Le Recuit adoucit généralement des
métaux et des articles de verre se stabilisent en permettant des contraintes produites
durant la fabrication de disparaître.
Orbitale Atomique : Est une fonction autorisée d’onde d’un électron dans un atome
obtenue par les solutions de l’équation d’onde SchrÖdinger.
Bandes: Dans les solides cristallines, les atomes interagissent avec leurs voisins, et les
niveaux d’énergie des électrons dans les atomes isolés se transforment en bandes.
Réseau de coordination: Un réseau cristallin dans lequel chaque ion à la même
relation que ses ions voisins dans toutes les directions, donc l’identité des molécules
devient ambiguë.
Structure Cristalline : La spécification des deux cadres géométriques auxquels le
cristal est référé, et de l’arrangement des atomes ou la distribution de la densité des
électrons par rapport à ce cadre.
Degrés de liberté : le nombre de degrés de liberté d’un système mécanique est égal
au nombre de variables indépendantes nécessaires pour décrire sa configuration, par
exemple un système composé de deux particules reliés par une barre rigide possède
5 degrés de liberté puisque 5 coordonnées (3 du barycentre ou de chaque particule,
ainsi que 2 angles) sont nécessaires pour préciser son état. Le plus petit nombre de
coordonnées nécessaires pour préciser l’état du système est appelé coordonnées gé-
néralisées et qu’elle spécifie l’état du système complet, elles précisent aussi l’état de
toute particule du système. Les coordonnées généralisées peuvent être choisies de plus
d’une façon. Le nombre de degrés de liberté dépend uniquement des possibilités de
mouvement des différentes parties du système et non pas des mouvements réels. Pour
un gaz monoatomique, le nombre est 3. Pour le gaz diatomique avec des molécules
rigides, elle est de 6, composé de 3 degrés de liberté du centre de gravité afin de se
déplacer dans l’espace, 2 degrés de liberté de la ligne reliant les deux atomes afin de
changer de direction dans l’espace et 1 pour la rotation autour de cet axe.
Dopage : est l’ajout d’impuretés (dopants) à un semi-conducteur afin d’arriver à une
n-conductivité désirée ou p-conductivité.
Énergie d’Équipartition : Le principe d’énergie d’équipartition est basé sur la mé-

canique statistique classique et énoncé par Boltzmann, stipule que l’énergie moyenne
des molécules d’un gaz est répartie également entre les différents degrés de liberté
des molécules. L’énergie moyenne de chaque degré de liberté est de ½ kT, où k est
la constante de Boltmann et T est la température thermodynamique.
Conductivité Intrinsèque : La conductivité d’un semi-conducteur qui est associée au
semi-conducteur lui-même n’est pas contribuée par des impuretés. À toute température
un nombre égal de porteurs de charge des électrons et des trous sont thermiquement
générés, et ce sont eux qui donnent naissance à la conductivité intrinsèque.
Réseau : Un réseau est une géométrie simplifiée d’un cristal dans lequel les atomes
sont balayés ne laissant qu’un squelette de points mathématiques par lesquels cha-
que point remplace n’importe quoi de une à plusieurs centaines d’atomes d’origine.
Chaque groupe de ces atomes est appelé la base.
Capacité thermique molaire : est la capacité thermique par unité de montant de subs-
tance d’un élément, composite ou matériau. Elle est mesurée en kelvin par mole.
La Mole: Une quantité qui contient 6.02 x 1023 particules est la mole.
Principe d’exclusion de Pauli : est le principe selon lequel deux fermions identi-
ques dans tout système ne peuvent être dans le même état quantique, c’est-à-dire ne
peuvent avoir le même ensemble de nombres quantiques. Le principe a d’abord été
proposé en (1925) dans la forme que pas plus de deux électrons dans un atome pourrait
avoir le même ensemble de nombres quantiques. Cette hypothèse a représenté les
principales caractéristiques de la structure de l’atome et de la table périodique. Avec
l’introduction du quatrième nombre quantique, on a vu que seulement un électron
peut être dans un état donné. Un électron dans un atome est caractérisé par quatre
nombres quantiques, n,l , m et s (où n,s,l et m sont respectivement nombre quan-
tique principal, nombre de spin quantique, nombre quantique azimutal, et de spin
magnétique. Une orbitale atomique particulière qui a des valeurs fixes de n,l et m
peut donc contenir un maximum de deux électrons, puisque le nombre quantique
de spin s peut être + ½ ou - ½. Deux électrons de spins opposés dans une orbitale
atomique sont dits couplés en spin.
Photons: un photon est le quantum de rayonnement électromagnétique. Il a une
énergie de hν où h est la constante de Planck et ν la fréquence du rayonnement.
À certains fins, les photons peuvent être considérés comme des particules élémen-
()
taires voyageant à la vitesse de la lumière c et ayant un momentum de hν / c . Les
photons peuvent provoquer une excitation des atomes et des molécules et d’autres
plus énergiques peuvent provoquer de l’ionisation.
Phonons: Dans un solide, les atomes ne vibrent pas de façon autonome, mais les
oscillations sont transmises à travers la substance comme des ondes acoustiques à
fréquences extrêmement élevées, f , (typiquement de l’ordre de 1012 Hz ). L’éner-
gie transmise par les vagues est quantifiée; le quantique est appelé un phonon et a
une valeur hf , où h est la constante de Planck. À de nombreuses fins les phonons
peuvent être traités comme s’ils étaient des molécules de gaz qui se déplacent dans
l’espace occupé par le solide, le libre chemin moyen étant limité par divers processus
de diffusion.
Déformation plastique : Des études microscopiques montrent que lorsqu’un métal
est déformé plastiquement, la déformation arrive par un glissement sur un plan au
long de la direction de la ligne dans le plan.
L’Élasticité : La loi de Hooke est valide pour la compression ainsi que la tension si
la déformation compressive n’est pas trop grande. Pour beaucoup de matériaux, la
constante de Young a la même valeur pour les compressions tensiles et compressives,
l’exception des matériaux composés, tels que le béton.
Isolants: Les bandes qui sont complètement remplies d’électrons ne peuvent pas
conduire l’électricité, car il n’y a d’état d’énergie proche sur laquelle les électrons
peuvent y sauter. Les matériaux dans lesquels toutes les bandes sont remplies sont
appelés isolants.
Métaux:- Les métaux sont de bons conducteurs car ils ont des espaces non-remplis
dans la bande d’énergie de valence.
Conductivité Thermique : peut être conceptuellement vue comme le contenant des
propriétés qui mettent en relation le taux de perte de chaleur par unité de surface au
taux de changement de température.
Transfert thermique par conduction : implique le transfert d’énergie dans le maté-
riau sans mouvement du matériau dans son ensemble. Le taux de transfert thermique
dépend du gradient de température et la conductivité thermique du matériau.
Dans la physique du solide, la structure des bandes électroniques (ou tout sim-
plement structure des bandes) : d’un corps solide décrit une plage d’énergie qu’un
électron est interdit ou permis d’avoir. La structure des bandes détermine les propriétés
électroniques, optiques et autres d’un matériau.
En optique, la réflectivité:- est la réflectance (le ratio de la puissance réfléchie au
pouvoir incident, généralement exprimé en décibels ou pourcentage) à la surface
d’un matériau tellement épaisse que la réflectance ne change pas lorsque l’épaisseur
augmente.
Point de rupture : Un point sur un graphe de contrainte versus déformation pour
un matériau sur lequel la déformation devient dépendante du temps et le matériau
commence à couler.
XII. Liste Compilée de Lectures Obligatoires
Référence Compléte:
De Wikipedia.
URL : http://en.wikipedia.org/wiki/Crystal_structure
Consultée le 20 avril 2007.
Résumé: Ce matériel de lecture décrit brièvement l’unité cellule, la classification
des cristaux par symétrie, propriétés physiques des cristaux et des liens sont don-
nés à différents sites dans wikipedia et autres sites.
Justification: Ce matériel de lecture fournit des discussions élaborées sur les
contenus de la première activité du module.
Reference Compléte:
From University of Exeter
Résumé: Dans cet article, la structure cristalline est décrite avec des diagrammes
bien illustrés. Les exercices dans l’article aident le lecteur à consolider les sujets
appris.
Justification: L’article donne une autre façon de regarder les structures cristalli-
nes. En outre les tests d’échantillon et des exercices donnés à la fin, fournissent
une bonne occasion d’utiliser les théories et les principes exercés à partir de pers-
pectives différentes.
Lecture 3: Échelle atomique de structure des matériaux.
Référence Complete:
From DoITPoMS Teaching and Learning Packages
Résumé : Des types de cristaux variés sont décrits et des exemples travaillés sont
fournis dans les sujets des cristaux et défauts cristallins.
Justification: Ce matériel fait partie des lots DoITPoMS d’Enseignement et d’Ap-
prentissage. Les lots sont destinés à être utilisés interactivement sur un ordinateur
et extrait imprimable est fourni par commodité mais n’affiche pas tous les contenus
du TLP. Par exemple, tout manque : clips vidéos et les réponses aux questions. Si
vous un accès internet, prenez le temps de visiter et d’interagir avec les exercices.
Ceci complète la seconde activité du module.
Lecture 4: Capacité Thermique.
Référence complète :
De Wikipedia, the free encyclopedia.
Consultée le 20 avrile 2007
Résumé: La capacité thermique est définie et quantitativement décrite par les
corps compressibles. La capacité thermique de masse est définie et les modèles
théoriques sont décrits. La capacité thermique à températures variées est décrite.
Justification: Ce matériel complète la section des propriétés thermiques de la troi-
sième activité dans le module. Des liens sont fournis pour plus de lecture.
Référence Compléte:
De Wikipedia, the free encyclopedia.
Consultée le 20 avrile 2007
Résumé : La Classification des matériaux par conductivité, certaines dépendances
typiques de température des conductivités électriques sont discutées. Des liens à
dàutres facettes sont fournis.
Justification: Ce matériel complète la section des propriétés électriques dans la
troisième activité du module. Des liens sont fournis pour plus de lectures.

XIII. Liste compilée (optionnelle) des

ressources multimédias
Ressource #1
Titre: Electrons in Extrinsic Semiconductor Simulation

URL: http://www.collage.soe.ucsc.edu/JavaFiles/ElectronDopedSimulation.html
Description: l’Applet montre le mouvement des électrons dans les semi-conducteurs
extrinsèques. Le champ électrique, le nombre d’électrons et il existe un mécanisme
de glisser.
Justification : aide à visualiser la conduction dans les semi-conducteurs extrinsè-
ques.
Ressource #2
Titre : Braggs law

URL: http://www.eserc.stonybrook.edu/ProjectJava/Bragg/
Description : L’applet montre deux rayons incidents sur deux couches d’atomes
d’un cristal, par exemple, les atomes, les ions et les molécules, séparés par la dis-
tance d. Les couches ressemblent à des rangées, car les couches sont projetées sur
deux dimensions et votre vue est parallèle aux couches. L’applet commence avec les
rayons dispersés en phase et en interférant de manière constructive. La loi de Bragg
est satisfaite et la diffraction est en cours. Le compteur indique dans quelle mesure
les phases des deux rayons sont assorties. La petite lumière sur le compteur est verte
quand l’équation de Bragg est satisfaite et rouge quand elle n’est pas satisfaite.
Le compteur peut être observé alors que les trois variables de Bragg sont changées
en cliquant sur les flèches de la barre de défilement et en tapant les valeurs dans les
cases. Les variables d et q peuvent être modifiées en tirant sur les flèches prévues sur
les couches de cristal et faisceau diffusé, respectivement
Justification: aide à visualiser la conduction dans les semi-conducteurs extrinsè-
ques.
XIV. Liste Compilée de liens utiles

Au moins 10 sites web pertinents. Ces liens utiles devraient aider les étudiants à
comprendre les sujets couverts dans le module. Pour chaque lien, la référence com-
plète (Titre du site, URL), ainsi qu’une description de 50 mots, une façon de motiver
l’apprenant à lire le texte, doit être fournie. La justification pour un lien fournie est
aussi expliquée (longueur maximum: 50 mots). Une capture d’écran pour chaque
lien utile est requise.
Lien Utile #1
Titre: Amorphous Solid

URL: http://www.britannica.com/eb/article-9110300/amorphous-solid
Capture d’écran:
Description: L’Encyclopédie Britannica en ligne est une des excellentes ressources

en ligne à avoir une discussion d’introduction sur tous les sujets d’intérêt. Malgré
que le site n’est pas gratuit, il y a un temps d’accès limite.
Justification: Un compte rendu détaillé des corps solides est disponible.
Date de consultation :-29 Avril 2007
Lien Utile #2
Titre: X-Ray Diffraction

URL: http://galileo.physics.edu/classes/252
http://mhsweb.ci.manchester.ct.us/Library/webquests/atomicmodels.htm
Capture d’écran:
Description: Ce site a des liens remplis de description sur la diffraction et les mé-
thodes de rayon-x.
Date de consultation :- Avril 2007
Lien Utile #3
Titre: http://galileo.physics.edu/classes/252 MIT open courseware

URL: http://ocw.mit.edu/OcwWeb/Physics/8-231Physics-of-Solids-IFall2002/Cour-
seHome/index.htm
Capture d’écran:
Description: Le ‘’MIT Open Courseware’’ est l’une des collections les plus connues
de matériels de cours accessible au monde, C’est riche en démonstrations vidéo et
exercices. Cette collection a des sites miroirs dans des universités africaines comme
l’Université d’Addis Ababa http://ocwmit.aau.edu.et/ et l’université de Nairobi.
Justification: Très pertinent pour le module en général. .
Date de consultation : Avril 2007.
Lien Utile #4
Titre: http://galileo.physics.edu/classes/252 Defects in crystals

URL: http://www.ndt-ed.org/EducationResources/CommunityCollege/Materials/
Structure/crystal_defects.htm http://mhsweb.ci.manchester.ct.us/Library/webquests/
atomicmodels.htm
Capture d’écran:
Description: Cette page web fait partie du ‘’ NDT Resource Center’’. Ce site a été
conçu pour être une source compréhensive d’informations et de matériaux pour
l’éducation technique NDT et NDE. Ce site a été créé par des professionnels NDT
et des éducateurs du monde entier.
Justification: Un nombre de liens pertinents sont fournis et les sciences de base des
défauts cristallins sont discutées.
Date de consultation : Mai 2007
Lien Utile #5
Titre: http://galileo.physics.edu/classes/252 Free Electron Theory

URL: http://www.teknik.uu.se/ftf/education/ftf1/forelasningar/overview/Freelec-
tronmodel.pdf
Capture d’écran:
Description: Ce lien fournit un document PDF sur la théorie de l’électron libre.

Justification: Pertinent pour la troisième activité de ce module.
Date de consultation : Mai 19, 2007
Lien Utile #6
Titre: http://galileo.physics.edu/classes/252 Optical Properties of Solids

URL:http://web.missouri.edu/~speckan/witch-stuff/Research/chapter4/node2.html http://
mhsweb.ci.manchester.ct.us/Library/webquests/atomicmodels.htm
Capture d’écran:
Description: Une description détaillée des propriétés optiques est disponible sur ce
site et des liens.
Justification: Un traitement avancé du contenu pour le lecteur curieux.
Date de consultation : Mai 20, 2007
Lien Utile #7
Titre: http://galileo.physics.edu/classes/252 Einstein Model of Crystals

URL:http://www.plmsc.psu.edu/~www/matsc597c-1997/systems/Lecture4/node3.
html http://mhsweb.ci.manchester.ct.us/Library/webquests/atomicmodels.htm
Capture d’écran:
Description: Le modèle d’Einstein est décrit. Des liens sont disponibles pour le
modèle de Debye, l’état solide et pour l’oscillateur harmonique.
Justification : complète un sujet dans l’activité trois de ce module.
Date de consultation : 20 Mai, 2007
Lien Utile #8
Titre: http://galileo.physics.edu/classes/252 Electric properties of Solids

URL:http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbase/solids/elpro.html#c1 http://
mhsweb.ci.manchester.ct.us/Library/webquests/atomicmodels.htm
Capture d’écran:
Description: Ceci fait partie d’une collection large d’articles sur la physique du
solide. Si vous cliquez
http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbase/solcon.html vous verrez comment le
contenu est structuré dans ce site et vous pourrez l’utiliser aussi sur d’autres sujets.
Justification: Très pertinent au cours.
Date de consultation : Avril 2007
Lien Utile # 9
Titre: http://galileo.physics.edu/classes/252 Band Theory of Solids

URL: http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbase/solids/band.html#c6
Capture d’écran:
Description : Une bonne collection de théories et d’applets java sont disponibles

sur ce lien.
Justification: Complémente l’Activité 4
Date de consultation : Avril 2007
Lien Utile #10
Titre: http://galileo.physics.edu/classes/252 Electronic Band Structure

URL: http://en.wikipedia.org/wiki/Electronic_band_structure
Capture d’écran:
Description: Une explication Claire des bandes d’énergie d’isolants, bandes d’énergie
des semi-conducteurs, bande d’énergie des conducteurs, semi-conducteurs et dopants
est fournie.
Justification: Ce site fournit une lecture simple sur la théorie des bandes. Ceci est
très important afin qu’on puisse développer une fondation ferme dans le sujet. Les
sujets importants incluent, pourquoi les bandes arrivent, la structure des bandes des
cristaux, parmi d’autres
Date de consultation : 20 Mai 2007
Solutions à l’auto évaluation 1
1. A température ambiante, les composés ioniques sont généralement solides et ont

un haut point de fusion. Ils sont des bons isolants électriques dans un état solide
puisque les électrons sont presque tous fortement liés aux ions particuliers et
peu sont disponibles pour la conduction. Dans un état fondu, quelques liaisons
ioniques sont brisées et la conduction est possible.
2. Le réseau formé est un carré. Chaque point représente trois atomes.
3. (i) Un réseau rectangulaire a une symétrie de deuxième ordre
(ii) Un cristal équilatéral a une symétrie de troisième ordre
4. Tous les réseaux possèdent la propriété de symétrie translationnelle car le réseau

se transforme en soi-même (reste le même) quand il est déplacé à travers les
nombres entiers de vecteurs de réseau
5. On ne peut pas trouver un réseau qui va sur lui-même sous la rotation telle que
2π/5 ou 2π/7. Ceci est dû au réseau qui subit une telle rotation qui se chevau-
che. Un axe de symétrie de cinquième ordre ne peut pas exister dans un réseau
car il n’est pas possible de remplir tout l’espace avec un tableau connecté de
pentagones.
7 La compacité dans un rcc
a
RR
a
R
a
Calcul du rayon d’un atome Sketch, diagramme montrant les positions relatives des
atomes dans un RCC
Pour un rcc, les atomes le long de la diagonale telle que montré dans la Fig. 1.21. Si
le rayon d’un atome est r donc
R 2 = 2 a 2 + a 2 = 3a 2
Mais R = 4r
⇒ 16 r 2 = 3a 2
3a 2 a
où r2 = ⇔r = 3
16 4
Ensuite, déterminons le nombre de points de réseau dans un r

Chaque atome au coin est partagé par 8 mailles, comme le cas dans un sc. Donc, le
nombre de points de réseaux due aux atomes dans les coins en est un.
En plus de cela, il y a un atome dans la maille. Ceci veut dire que dans un rcc, il y a
deux points de réseau.
Donc, le volume occupé par les points de réseau est
4
pr3 ×2
3
Compacité = volume occupé par les points de réseau
Volume occupé par la maille élémentaire
4 3
pr × 2
= 3 3 = 68%.
a
Ceci signifie que seulement 32% de l’espace dans un rcc est vide, tandis que 68%
est rempli d’atomes.
(ii) Déterminez la compacité dans un cfc.
4r
Compacité dans un cristal

Dans le cfc, les atomes se touchent les un les autres sur la face au long de la diago-
nale telle que montré dans la Fig. 1.22. Si le paramètre de réseau est a et le rayon
de chaque atome r donc
2 a2
( )
4r = 2a 2 ⇔ r 2 =
8
.
Déterminez le nombre de points de réseau.
Ceci est dû à l’atome à la face et ceux dans les coins.
Les atomes sur les faces sont partagés par deux cellules, tandis que ceux aux coins
sont partagés par 8 mailles.
1 1
Donc, le nombre de points de réseau = ×6+ ×8
2 8
= 4.
3
4p ⎛ a ⎞
⎜ ⎟ ×4
3 ⎝2 2⎠
Donc, la compacité = = 74%.
a3
8. Quand les rayons X frappent un atome, ils font bouger le nuage électronique
comme toute onde électromagnétique. Le mouvement de ces charges réirradie
les ondes avec la même fréquence (flou légèrement dû à la variété des effets);
ce phénomène est connu comme la diffusion de Rayleigh (ou diffusion élas-
tique). Ces champs d’onde réémis interfèrent les uns avec les autres soit de
façon constructive ou destructive, produisant une séquence de diffraction sur un
détecteur ou film. La séquence d’interférence d’onde résultante est la base de
l’analyse de diffraction. La longueur d’onde des rayons X est comparable par
les distances interatomiques (~150 pm) et donc est une excellente sonde pour
cette échelle de longueur.
L’interférence est constructive lorsque le déphasage est proportionnel à 2p ;

Cette condition peut être exprimée par la loi de Bragg:
nλ = 2d sinθ.
où
n est un nombre entier,
λ est la longueur d’onde des rayons X,

d est l’espacement entre les plans dans un réseau atomique et
θ est l’angle entre les rayons incidents et les plans de diffusion.

Solution à Q1.
Les impuretés Substitutionnels causent quelques distorsions autour du point où on

les trouve. En outre, la présence des défauts augmente le désordre du cristal et son
entropie. Par conséquent, il y a une tendance pour la présence de plus de défauts à
des températures plus hautes
• Autour d'une lacune par exemple, il y a une tendance pour l'arrangement atomique
à se réajuster légèrement et à provoquer une déformation du réseau cristallin.
La présence des lacunes fournit un moyen pour les atomes afin de diffuser assez
facilement d'un point à un autre puisqu'un atome peut se déplacer vers une lacune
en laissant sa propre lacune sans produire trop de perturbations dans le cristal
existant, très peu d’énergie est requise. Ceci implique que la diffusion peut être
pensée comme une migration des lacunes dans la direction opposée.
• Des complexes peuvent aussi se former entre les différents types de défauts
ponctuels. Par exemple, si une lacune rencontre une impureté, les deux peuvent
se lier si l'impureté est trop large pour le réseau. Les Interstitiels peuvent former
des structures ''slip interstitiels'' ou ''cloches'' ou les deux atomes partagèrent
effectivement un site atomique, résultant à aucun des atomes à occuper le site.
Solution à la section 2.1.2
La présence de lacune dans un site à ion-positif modifie la neutralité électrique de la

région et que la lacune a une charge effective négative associée.
(i) Ceci augmente l’énergie électrostatique du cristal ; afin de maintenir la
neutralité électrique, il y a une tendance pour des lacunes à ion positif ou
négatif à être produites.
(ii) La présence des lacunes augmente aussi la diffusion ordinaire dans un
cristal ionique, mais la présence du champ électrique appliqué, la diffusion
ascendante due aux lacunes qui va aussi aider la conduction électrique.
Solution à la section 2.1.5 (c)
Dans des cristaux rcc, le glissement arrive au long des six équivalents [110}
Solution to Q1(b) Défauts planaires
Les effets possibles des défauts planaires sont:
Les joints de grain arrivent quand la direction cristallographique du réseau change
brusquement. Ceci se produit généralement quand les deux cristaux commencent à

grandir séparément et ensuite se rencontre.
Les frontières d’antiphase se produisent dans les alliages ordonnés: dans ce cas, la
direction cristallographique reste la même, chaque côté de la frontière a une phase
opposée. Par exemple, si l’ordre est normalement ABABABAB, et la frontière d’an-
tiphase prend la forme de ABABBABA.
Les fautes d’empilement arrivent dans un nombre de structures cristallins, mais le
l’exemple commun est dans des structures proches. Les structures cubique à faces
centrées (cfc) différentes des structures hexagonales (hcp) seulement dans un ordre
d’empilement: les deux structures ont des plans atomique fermés avec une symétrie
de 6ieme ordre – les atomes forment ne sont pas directement l’un au dessus de l’autre
– les deux premières couches sont identiques pour hcp et cfc, et étiquetées AB. Si la
troisième couche est placée afin que ses atomes soient directement au dessus de ceux
de la première couche, tel que les atomes ne sont pas au dessus de la première couche.
Au lieu de ca, la quatrième couche est placée de tel façon que les atomes sont direc-
tement au dessus de la première couche. Ceci produit l’empilement ABCABCABC,
et est actuellement un arrangement cubique des atomes. Un défaut d’empilement est
une interruption d’une ou deux couches, par exemple si la séquence ABCABABCAB
est trouvée dans une structure cfc.
Auto Évaluation 3
Solution à Q1
(i) La capacité thermique est une quantité extensive car c’est sensible à a la
taille de l’objet (par exemple, une baignoire d’eau a une plus grande capacité
thermique qu’un verre d’eau). Diviser la capacité thermique par le corps.
(ii) La capacité thermique massique est une quantité intensive car elle n’est plus
dépendante du montant du matériel, mais beaucoup plus dépendante du type
de matériel, ainsi que les conditions physiques du chauffage.
Solution à l’Exercice 1(c) dans 3.1.3
- Une des raisons de ce phénomène est la quantification des états vibrationnels
et, à une moindre mesure, rotationnels.
- En s’assurant que les molécules restent dans leurs états d’énergie vibration-
nel le plus bas dû à des espacements d’énergie , le volume constant de la
capacité thermique molaire pour une molécule diatomique devient
3R
C V ,m = + R = 2.5 R
2
- Ceci est une approximation assez proche des capacités thermiques des mo-
lécules les plus légères.
- Si l’approximation de l’oscillateur harmonique quantique (INFORMEZ
VOUS SUR CE SUJET) est faite, il va s’avérer que les espacements des
niveaux d’énergie quantique vibrationnels sont inversement proportionnels
à la racine carrée de la masse réduite (INFORMEZ VOUS SUR CE SUJET)
des atomes composant la molécule diatomique.
Dans le cas de molécules diatomiques plus lourdes, les espacements de niveau d’éner-
gie quantique vibrationnel deviennent plus fins, ce qui permet plus d’excitations dans
les niveaux vibrationnels plus hauts à des températures fixes.
Solution à Q2
Les modèles d’Einstein et de Debye fournissent une forme fonctionnelle pour la ca-
pacité thermique. Ils sont des modèles mais pas de modèle est sans échelle. L’échelle
du modèle d’Einstein est donnée par
2
⎛ ε ⎞ eε / kT
C V = 3 Nk ⎜ ⎟ ε / kT
⎝ kT ⎠ (e − 1) 2
où ε / k est l’échelle du modèle de Debye, et TD, La température de Debye
- Les échelles d’Einstein et Debye ne sont pas les mêmes, c’est-à-dire,
ε
≠ TD
k
qui signifie que les tracer sur le même ensemble d’axes n’est pas approprié. Il y a
deux de modèles de la même chose mais d’échelles différentes. Si la température
d’Einstein est définie telle que
ε
T E def
k
Donc on peut dire que T E ≠ T D , et pour mettre les deux en relation, on doit trouver
TE
la relation .
TD
Le solide d’Einstein est composé d’une fréquence simple ε = hw = hv . Cette fréquen-

ce serait en relation avec la vitesse du son, quoiqu’ il n’y a pas de son dans un solide
d’Einstein, on peut imaginer la propagation du son comme une séquence d’atomes
s’entrechoquant les uns contre les autres. Si c’est vrai, la fréquence d’oscillation doit
correspondre à la longueur d’onde minimum durable par le réseau atomique, λ m in
cs cs 3 N cs N
v= = = 3 , L est la dimension d’un cube.
λ 2L 2 V
qui donne la température d’Einstein
ε hv hcs N
TE = = = 3 .
k k 2k V
Et par conséquent le ratio est
TE p
=
TD 6
Maintenant les deux modèles peuvent être tracés sur le même graphique.
Solution à Q4
(i) La conductivité électrique est plus ou moins fortement dépendante de la

température.
(ii) Dans les métaux, la conductivité électrique baisse quand la avec une tem-
pérature augmente alors que dans les semi-conducteurs, la conductivité
électrique augmente quand la température augmente
(iii) Sur une plage de température limitée, la conductivité électrique est approxi-
mativement proportionnelle à la température.
(iv) Afin de comparer les mesures de la conductivité électrique à des tempéra-
tures différentes, elles ont besoin d’être standardisées à une température
commune. Cette dépendance est souvent exprimée comme une pente dans
le graphique conductivité-vs-température, et peut être utilisée:
σT
σT =
( )
/
1+α T −T /
où
σ T′
est la conductivité électrique à une température commune, T′ ,
σ T est la conductivité électrique à une température mesurée, T
α est la pente de compensation de température du matériel,
T est la température mesurée,
T′ est la température commune.
Solution à la section 3.1.5 (c) (i)
(ii) Les métaux sont des bons conducteurs parce qu’ils ont des espaces non-rem-
plis dans la bande d’énergie de valence. En l’absence d’un champ électrique,
il existe des électrons qui voyagent dans toutes les directions et beaucoup
de vitesses différentes jusqu’à la vitesse de Fermi (la vitesse des électrons
à l’énergie de Fermi ).
(iii) Quand un champ électrique est appliqué, un léger déséquilibre se développe
et des électrons mobiles fluctuent.
(iv) Les électrons dans cette bande peuvent être accélérés par le champ car il y
a beaucoup de champs non-remplis dans la bande.
Solution à Q5
(i) Le transfert thermique par conduction implique le transfert d’énergie dans

un matériau sans mouvement du matériau dans son ensemble. Le taux de
transfert thermique dépend du gradient de température et la conductivité
thermique du matériau.
(ii) Les Gaz transfèrent la chaleur par collisions directes entre les molécules,
et donc, leurs conductivités sont basses comparées à la plupart des solides
car ils sont dilués. Les solides non-métalliques transfèrent la chaleur par
vibrations de réseau afin qu’il n’ait pas de mouvement de média, par contre
l’énergie se propage à travers les solides non-métalliques. Un tel transfert
thermique est souvent décrit en termes de ‘’phonons’’, qui sont des quanta
de vibrations de réseau. Les métaux sont meilleurs conducteurs que les non-
métaux car les mêmes électrons mobiles qui participent dans une conduction
électrique font aussi partie du transfert thermique.
(iii) Pour les solides non-métalliques, le transfert thermique est vu comme
étant transféré via les vibrations de réseau, tandis que les atomes vibrent
plus énergétiquement d’un côté du solide que le transfert d’’énergie à des
atomes voisins moins énergétiques. Ceci peut être renforcé par le mouve-
ment coopératif sous la forme d’ondes de réseau propagatrices, qui dans la
limite quantique sont quantifiées comme des phonons. Pratiquement, il y a
une telle variabilité pour les solides non-métalliques que nous caractérisons
normalement la subtance avec une conductivité thermique mesurée quand
on fait des calculs ordinaires.
Solution à Q1
(a) La bande de valence

C’est la bande composée d’orbitales moléculaires orbitales et est plus basse en
énergie que la bande de conduction. Elle est généralement complètement remplie
dans les semi-conducteurs. Quand chauffés, les électrons de cette bande, saute de la
bande à travers la bande de gap et dans la bande de conduction, rendant le matériau
conducteur.
(b) La bande de conduction
C’est la bande qui accepte les électrons de la bande de valence. Dans les isolants, les
électrons dans la bande de valence sont séparés par des gaps larges de la bande de
conduction, dans les conducteurs comme les métaux, la bande de valence chevauche
sur la bande de conduction, rendant ainsi les électrons de valence libres, et dans les
semi-conducteurs il y a un gap assez petit entre les bandes de valence et de conduction
que les excitations thermiques ou autres peuvent combler.
Solution à Q2
(i)
• La chose importante sur la conduction est de savoir ou non s’il y a des
électrons dans la bande de conduction.
• Dans les isolants, les électrons dans la bande de valence sont séparés par un
grand gap de la bande de conduction,
• Dans les conducteurs comme les métaux, la bande de valence chevauche
sur la bande de conduction, et
• Dans les semi-conducteurs, il y a un gap assez petit entre les bandes de
valence et de conduction que les excitations thermiques ou autres peuvent
combler le gap. Avec un gap aussi petit, la présence d’un petit pourcentage
d’un matériau dopant peut augmenter la conductivité dramatiquement.
(ii)
• Quand les électrons sont excités à la bande de conduction, ils laissent derrière
les trous d’électron, ou des états non-occupés dans la bande de valence.
• Les électrons de la bande de conduction et de valence contribuent à une
conductivité électrique.
• Les trous mêmes ne se déplacent pas mais un électron voisin peut se déplacer
pour remplir le trou, laissant un trou à l’endroit d’où il est venu et de cette
façon, les trous semblent se déplacer et les trous se comportent comme s’ils
étaient des particules chargées positivement.
(iii) Un semi-conducteur dont les propriétés électriques dépendent de la présence

de certaines impuretés est référé comme un semi-conducteur extrinsèque;
tandis qu’un semi-conducteur intrinsèque est un semi-conducteur ne conte-
nant aucun atome impur
(iv) Dans la technologie des semi-conducteurs, un matériau tel que le boron, le
phosphorus ou l’arsenic ajouté en petites quantités à un cristal pour produire
un excès d’électrons (impureté donneur) ou des trous (impureté accepteur)
est référé comme une impureté.
XV. Résumé du Module

Dans la première activité, on a appris plusieurs choses. Ceci inclut l’apprentissage
des propriétés des cristallins et des solides amorphes et comment ils peuvent être
distingués l’un de l’autre. L’identification des réseaux a été faite et on a été capable
de résoudre dériver une équation comme
3+ p−m
cos α =
2
qui nous a permis de calculer la rotation allouée possible. Dans cette activité on a
appris comment les indices de Miller sont calculés, incluant comment les plans dif-
férents peuvent être dessinés. L’apprentissage inclut comment la compacité pour sc,
rcc et cfc est calculée. Vous avez appris la diffractométrie des rayons X. Ceci inclut
comment l’équation de la loi de Bragg est résolue et appliquée à des problèmes
numériques. Le concept de la diffractométrie des rayons X a aussi inclut le traitement
impliquant l’espace de réseau réciproque où la sphère d’Ewald a été construite afin
de déterminer les plans responsables pour la diffractométrie des rayons X
Dans la deuxième activité, les défauts cristallins et les propriétés mécaniques for-
ment la plupart de l’activité. Vous devrez être maintenant capable de différencier les
différents types de défauts cristallins incluant comment ils affectent les propriétés
thermiques, physiques et électriques des corps solides. Les définitions de base apprises
sont que les défauts ponctuels sont très localisés et sont de taille atomique, tandis que
la dislocation est un désordre qui s’étend au delà du volume d’un ou deux atomes.
Les effets de ces défauts sur les propriétés mécaniques et électriques ont tous été
discutés et appris. L’activité d’apprentissage vous a permis de calculer et appliquer
la constante de Young. Ceci inclut l’expression pour la constante de cisaillement et
la déformation par glissements simultanés des atomes
Fondamentalement dans l’activité trois, vous êtes capables de calculer les expressions
de la capacité thermique à volume constant et à pression constante. Liées à cela, les
explications de la variation de la capacité thermique avec la température basée sur
les modèles classiques d’Einstein et de Debye sont faites. En plus, l’utilisation de
la théorie de l’électron libre afin d’expliquer les hautes conductivités thermiques et
électriques des métaux et l’application de la loi de Wiedermann-Frantz law ont été
des sujets que vous avez appris. C’est-à-dire, vous avez appris que la loi de Wie-
demann-Franz est déduite en traitant les électrons comme un gaz classique et vous
êtes capables de comparer la conductivité thermique à la conductivité électrique. Les
expressions pour la conductivité thermique et la conductivité éelectrique est
n v λk ne2 λ
conductivities κ= σ=
2 mv
Conductivités Thermique Électrique
Finalement, dans l’activité quatre, vous avez appris la théorie des bandes et ceci vous
a permis d’expliquer les différences entre les conducteurs, les semi-conducteurs et les
isolants. Le concept vous a permis d’expliquer les différences entre les semi-conduc-
teurs intrinsèques et extrinsèques en relation avec le rôle du dopage. A la fin de tout
cela, vous avez utilisé les concepts de l’interaction des ondes électromagnétiques
(lumière) et des matériaux pour expliquer l’absorption et la transmissivité
XVI. Évaluation sommative

1) Répondre aux questions suivantes basées sur la figure ci-dessous.
a) Définir le réseau.
b) Décrire comment une maille primitive peut être choisie par une procédure
Wigner- Seitz.
c) Identifier le réseau donné ci-dessous et énumérer le nombre d’atomes par
point de réseau.
d) Dériver une expression pour une rotation permiseα , dans un réseau pé-
riodique et montrer comment les solutions possibles à l’équation sont
obtenues.
2)
a) Définir le nombre de Coordination et donner une illustration
b) Déterminer si les directions suivantes sont coplanaires ou non
⎡110 ⎤ , ⎡121⎤ , ⎡ 211⎤

⎣ ⎦ ⎣ ⎦ ⎣ ⎦
c) Donner une expression pour la compacité pour un réseau rcc. Expliquez la

signification de l’expression.
d) Donner une expression pour la loi de Bragg et énumérer les conditions
requises
3) Une chaine linéaire de masses alternantes M et m sont interconnectées à
des masses voisines par ressort ayant une force constantea. Les fréquen-
ces u des modes vibrationnels de ce système sont données par l'expression
⎛ α ⎡ 1/ 2 ⎞
4p 2ν 2 = ⎜ M + m ± (M 2 + m2 + 2mM cos qA ) ⎤ ⎟
⎝ Mm ⎣⎢ ⎦⎥ ⎠
où A est la longueur de l’unité de répétition, et q est l’intensité du vecteur d’onde.

a) Réduire l’expression ci-dessus afin de la rendre appropriée pour une chaine
de particules interconnectées de manière similaire par des ressorts identi-
ques.
b) Dessiner les relations de dispersion des deux systèmes à la même échelle.
Déduire les expressions pour les points clés et discuter des similarités et
différences entre les deux diagrammes
c) Donner des dessins des densités des modes des deux systèmes.
4) Supposer qu’un cristal a N sites normaux et NI sites interstitiels
a) Montrer que le nombre de façons d’arranger N f atomes sur des si-
tes interstitiels et N-Nf atomes sur des sites normaux est donné par
N! NI !
W= .
N f !(N − N f )! N f !(N I − N f )!
b) Si Ef est l’énergie requise pour déplacer un atome d’un site normal a
un site interstitiel, montrer que l’énergie libre est à un minimum quand

(N − N )(N f I −Nf )
=e
βE f
2
N f
(N − N )(N f I −N f ) βE
2
= e f
N
c) Montrer que le fnombre de défauts de Frenkel, N f ,est donné par
1/ 2 −β E f / 2
N f = ( NN I ) .e
si N f est beaucoup plus petit que N et N I .
5)
a) Expliquer la signification de ce qui suit; la bande de valence, la bande de
conduction, et le niveau de Fermi en relation avec les corps solides.
b) Donner une expression de l’énergie ε n d’une particule libre dans

une boîte cubique de volume V en fonction du nombre quantique n,
de la masse m d’une particule et d’autres constantes habituelles, donc
montrer que l’énergie correspondante au momentum pi est donnée par
h2
2
εj =n j
8mL2
L est la longueur des côtés du cube
6)
a) Expliquer la signification de ce qui suit: polarisation électronique, orienta-
tionelle et ionique
b) Décriver comment les défauts ponctuels peuvent être formés et expliquer
leurs effets sur les propriétés des cristaux
G
c) Montrer que le cisaillement, τ a une valeur maximum de quand cela
2p
permet de déplacer un plan particulier. G est la constante de cisaillement.
XVII. Références
Steadman R, 1982, Crystallography, Van Nostrand Reinhold (UK) Co. Ltd, Nor-
folk.
Blakemore J.S. 1974, Solid State Physics 2nd ed., Cambridge University Press,
Cambridge
C. Kittel, Introduction to Solid State Physics, 5th Ed., New York:Wiley, 1976.
Sears F.W & Salinger Gerhard L, (1975), Thermodynamics, Kinetic Theory, and
Statistical Thermodynamics, 3rd ed., Addison-Wesley Publishing Company,
Reading..
H.P Myers, (1997), Introductory Solid State Physics, CRC Pr I Llc
Laszlo Mihaly & Michael C. Martin, (1996), Solid State Physics: Problems and
Solutions (Paperback), John Wiley
Wilson J. & M.N Rudden, (1993), Elements of Solid State Physics
John Wiley & Sons Inc
Myers H.P., (1997), Introductory Solid State Physics, CRC Pr I Llc
Keer, H.V. (1993), Principles of the Solid State, John Wiley & Sons Inc
Richard Christman J, (1998), Fundamentals of Solid State Physics, John Wiley
& Sons Inc
Hans Luth & Harald Ibach, (1995), Solid-State Physics: An Introduction to Prin-
ciples of Materials Science, Springer Verlag.
John R. Hook & Henry Edgar Hall. Solid State Physics (The Manchester Physics
Series); John Wiley and Sons Ltd; 2Rev Ed edition (31 Jan 1995)
XVIII. Auteur Principal du Module
Dr. Obwoya Kinyera Sam est un Maître de Conférence au Département de Physique

à l’Université de Kyambogo, Ouganda. Il est actuellement le Directeur de la Forma-
tion à distance et du e-learning à l’Université de Kyambogo. Il a été formateur de
formateurs depuis 1984. Entre 1978 et 1984, il a été chef du département de Physique
à l’école secondaire Old Kampala Secondary school, en Ouganda.
Son adresse courriel est ksobwoya@yahoo.co.uk.
XIX. Structure du fichier

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PHYSIQUE DU SOLIDE
Lectures Obligatoires
Source: Wikipedia.org
1
Table des matières
Loi de Bragg ................................................................................................................................................ 6
Diffraction sur un cristal ....................................................................................................................... 6
Description .............................................................................................................................................. 6
Énoncé ................................................................................................................................................. 7
Justification géométrique .................................................................................................................. 7
Analogie .............................................................................................................................................. 8
Condition de Laue .................................................................................................................................. 8
Théorème de Bloch ................................................................................................................................ 9
Applications .......................................................................................................................................... 10
Modèle d'Einstein...................................................................................................................................... 10
Énergie interne ..................................................................................................................................... 10
Capacité calorifique ............................................................................................................................. 11
Résultats du modèle ............................................................................................................................. 11
Modèle de Debye ....................................................................................................................................... 12
Obtention .............................................................................................................................................. 12
Obtention de Debye .............................................................................................................................. 14
Résulats du modèle .............................................................................................................................. 15
Limite des basses températures ...................................................................................................... 15
Limite des hautes températures ...................................................................................................... 15
Comparaison au modèle d'Einstein .................................................................................................... 16
Physique du solide ..................................................................................................................................... 16
Historique ............................................................................................................................................. 17
Frontières du domaine et domaines connexes ................................................................................... 18
Petite typologie des solides .................................................................................................................. 19
Verres et cristaux ............................................................................................................................. 19
Solides ioniques et solides covalents ............................................................................................... 19
Métaux et isolants ............................................................................................................................ 20
Méthodes de production ...................................................................................................................... 20
Propriétés mécaniques et structurales (arrangement des atomes dans les solides) ....................... 21
Propriétés mécaniques macroscopiques ......................................................................................... 21
Défauts dans les cristaux ................................................................................................................. 21
2
Méthodes d'investigation ................................................................................................................. 22
Propriétés électroniques et optiques ................................................................................................... 23
Interprétation microscopique ......................................................................................................... 23
Transport du courant ...................................................................................................................... 24
Propriétés thermiques et thermodynamiques ................................................................................... 24
Magnétisme ........................................................................................................................................... 24
Supraconductivité ................................................................................................................................ 25
Dispositifs basés sur des propriétés de physique du solide ............................................................... 25
Prix Nobels en physique du solide ...................................................................................................... 25
Science des matériaux ............................................................................................................................... 25
Historique ............................................................................................................................................. 25
Principes de la science des matériaux ................................................................................................ 26
Les grandes classes de matériaux ....................................................................................................... 26
Métaux .............................................................................................................................................. 26
Polymères .......................................................................................................................................... 27
Céramiques ....................................................................................................................................... 28
Semi-conducteurs ............................................................................................................................. 29
Matériaux composites ...................................................................................................................... 31
Biomatériaux .................................................................................................................................... 32
Caractérisation des matériaux ............................................................................................................ 33
L'industrie des matériaux ................................................................................................................... 33
Mise en forme des matériaux .......................................................................................................... 33
Applications ...................................................................................................................................... 33
Aspects économiques et environnementaux ................................................................................... 34
Prix Nobel ............................................................................................................................................. 34
Cristallographie......................................................................................................................................... 34
Historique ............................................................................................................................................. 35
Les bases ............................................................................................................................................... 35
Le cristal parfait ................................................................................................................................... 35
Le réseau cristallin ........................................................................................................................... 35
Le réseau de Bravais ........................................................................................................................ 36
Les indices de Miller ........................................................................................................................ 37
3
Groupes ponctuels de symétrie et groupes d'espace ..................................................................... 37
Les défauts cristallins .......................................................................................................................... 37
La cristallogénèse ................................................................................................................................. 37
Diffraction ............................................................................................................................................. 37
Principe ............................................................................................................................................. 38
Réseau réciproque ............................................................................................................................ 38
Appareillage utilisé en cristallographie .......................................................................................... 38
Matériaux isotropes et anisotropes ................................................................................................. 38
Applications .......................................................................................................................................... 38
Silicate ........................................................................................................................................................ 39
Classement des silicates ....................................................................................................................... 39
Les silicates en astronomie .................................................................................................................. 40
Silicium ...................................................................................................................................................... 41
Caractéristiques ................................................................................................................................... 43
Cristallographie .................................................................................................................................... 44
Découverte ............................................................................................................................................ 44
Utilisations ............................................................................................................................................ 45
Alliages Aluminium-Silicium .......................................................................................................... 45
Synthèse des silicones ....................................................................................................................... 45
Semi-conducteur .............................................................................................................................. 45
Photovoltaïque .................................................................................................................................. 45
Composants mécaniques .................................................................................................................. 46
Micro et nanostructure .................................................................................................................... 46
Composés .......................................................................................................................................... 46
Dans la nature ...................................................................................................................................... 47
Minéraux ........................................................................................................................................... 47
Molécules organiques ....................................................................................................................... 47
Biologie du silicium[10] ...................................................................................................................... 47
L'hypothétique biochimie à base de silicium ................................................................................. 48
Production industrielle du silicium .................................................................................................... 48
Pureté du silicium ............................................................................................................................ 48
Production du silicium métallurgique ............................................................................................ 49
4
Préparation pour l'industrie électronique ..................................................................................... 50
5
Loi de Bragg
En physique, la loi de Bragg est une loi empirique qui interprète le processus de la diffraction
des radiations sur un cristal. Elle fut découverte par W.H. et W.L. Bragg vers 1915.
Lorsque l'on bombarde un cristal avec un rayonnement dont la longueur d'onde est de l'ordre de
la distance inter-atomique il se produit un phénomène de diffraction. Les conditions de
diffraction sont les directions dans lesquelles il y a de l'intensité.
Les rayonnements peuvent être électromagnétiques — pour cet ordre de grandeur de longueur
d'onde, ce sont des rayons X — ou bien des particules ayant une énergie cinétique adaptée, de
l'ordre de 100 keV pour des électrons, ou bien des dizaines de MeV pour des neutrons.
Diffraction sur un cristal []

Considérons un monocristal bombardé de rayons X. Les rayons X frappent chaque atome avec
une phase différente (ils parcourent un chemin optique plus ou moins long).
Les rayons X, comme toutes les ondes électromagnétiques, provoquent un déplacement du nuage
électronique par rapport au noyau dans les atomes ; ces oscillations induites provoquent une
réémission d'ondes électromagnétiques de même fréquence ; ce phénomène est appelé diffusion
Rayleigh.
Article détaillé : Interaction rayonnement-matière.
Les ondes n'ont pas toutes la même phase lorsqu'elles frappent les atomes. En un point de
l'espace, les ondes électromagnétiques proviennent de tous ces atomes et subissent encore un
déphasage dû à la différence de chemin optique. Du fait de l'organisation régulière du cristal,
dans certains endroits de l'espace, les ondes s'annulent (interférences destructives), et dans
d'autres, les ondes s'additionnent et l'on a une intensité positive. Ces lieux d'intensité positive
sont alignés par rapport au « point d'impact » du faisceau incident, on parle donc de « directions
de diffraction ».
On peut retrouver ces directions de diffraction grâce à différentes lois équivalentes.
Description []
6
Énoncé []
Selon la déviation 2θ, on a des interférences constructives (figure de gauche) ou destructives

(figure de droite)
Pour cette loi, on considère des plans imaginaires contenant des atomes et perpendiculaires au
vecteur de diffraction (c'est-à-dire à la bissectrice entre le faisceau incident et la direction à
laquelle on s'intéresse). Mais il existe aussi d'autres lois décrivant la diffraction.
Si λ est la longueur d'onde de la radiation et d est la distance interréticulaire du plan cristallin

diffractant, alors les directions 2θ de l'espace dans lesquelles on aura des pics d'intensité (le 0
pour 2θ étant la direction du faisceau incident) vérifient :
avec :
 d = distance interréticulaire, c'est-à-dire distance entre deux plans cristallographiques ;

 θ, angle de Bragg = demi-angle de déviation (moitié de l'angle entre le faisceau incident
et la direction du détecteur) ;
 n = ordre de diffraction (nombre entier) ;
 λ = longueur d'onde des rayons X.
Lorsque le rayonnement n'est pas électromagnétique mais particulaire, la diffusion Rayleigh n'est
pas due au déplacement du nuage atomique mais résulte du principe d'incertitude d'Heisenberg :
comme la particule est bien localisée (elle interagit avec l'électron), l'incertitude sur son
impulsion, donc notamment sa direction, est grande, il y a donc une diffusion isotrope. Pour bien
comprendre ceci, il faut également bien comprendre la notion de dualité onde-particule.
Justification géométrique []
7
démonstration de la loi de Bragg
On peut retrouver la loi de Bragg de manière simple. Considérons deux rayons parallèles
frappant deux atomes situés sur une même droite perpendiculaire à la surface. Le chemin
supplémentaire parcouru par le rayon « profond » est 2d·sin(θ), puisque c'est ce trajet
supplémentaire suit les côtés opposés à un angle θ de triangles rectangles d'hypoténuse d. Les
interférences sont constructives si la différence de chemin introduit un déphasage multiple de 2π,
c'est-à-dire si le chemin supplémentaire est un multiple de λ.
Analogie []
Interférence par une lame d'air : analogie avec la loi de Bragg
On image souvent cette loi en considérant que les plans cristallographiques sont des miroirs
semi-transparents ; en effet, la formule est strictement identique aux interférences par une lame
d'air que l'on obtient avec un interféromètre de Michelson. Cependant, il faut bien comprendre
que les plans cristallographiques ne sont qu'une vue de l'esprit, et que dans les faits, les ondes
sont diffusées individuellement par les atomes.
Condition de Laue []
Le rayonnement incident a un vecteur d'onde .
Si l'on s'intéresse à l'intensité diffusée dans une direction de l'espace , cela revient à s'intéresser
aux ondes dont le vecteur d'onde est
en effet, puisque la diffusion est élastique, la longueur d'onde reste la même, donc les vecteurs
d'onde ont la même norme.
La maille élémentaire du cristal est définie par trois vecteurs , et qui forment par ailleurs
une base de l'espace.
On appelle le vecteur de diffusion
8
.
La condition de diffraction de Laue s'exprime ainsi :
il y a diffraction dans la direction si les produits scalaires de avec les vecteurs

sont entiers, c'est-à-dire
si , et sont des nombres entiers.
On note en général[1]
les indices (hkl) sont caractéristiques de la tache (ou du pic) de diffraction. Ce sont aussi les
indices de Miller d'un plan cristallographique, ce qui permet de retrouver la loi de Bragg.
Théorème de Bloch []
On peut définir une autre base, appelée base réciproque, par[2]
Comme , et dépendent de la maille élémentaire, les vecteurs de la base réciproque

dépendent eux aussi de la maille élémentaire ; ils sont une caractéristique du cristal.
La condition de diffraction peut alors s'énoncer de la manière suivante[3] :
il y a diffraction dans la direction si a des coordonnées entières dans la base

réciproque
soit
, h, k et l étant des entiers.
9
Les indices (hkl) sont les mêmes que pour la condition de Laue, et mènent donc également à la
loi de Bragg.
Les points ayant des coordonnées entières dans le repère forment un réseau
appelé réseau réciproque. La condition de diffraction est donc :
il y a diffraction dans la direction si l'extrémité de est sur un nœud du réseau

réciproque.
C'est le théorème de Bloch.
Applications []
Lorsque la longueur d'onde de la radiation est de l'ordre de grandeur de la distance inter-
atomique dans le cristal, les directions de diffraction sont suffisamment éloignées pour être
distinguables, et suffisamment rapprochées pour figurer sur le même cliché. La loi de Bragg est
utilisée entre autres pour :
 la microscopie électronique en transmission ;

 l'analyse dispersive en longueur d'onde ;
 la diffraction de rayons X
 la diffraction de neutrons
Modèle d'Einstein
En physique statistique et en physique du solide, le modèle d’Einstein est un modèle permettant
de décrire la contribution des vibrations du réseau à la capacité calorifique d’un solide cristallin.
Il est basé sur les hypothèses suivantes :
 chaque atome de la structure est un oscillateur harmonique quantique 3D,

 les atomes vibrent à la même fréquence, contrairement au modèle de Debye.
Ce modèle est nommé d’après Albert Einstein, qui l'a proposé en 1907[1].
Énergie interne []
Les vibrations du réseau cristallin sont quantifiées[2], c’est-à-dire que les énergies de chaque
mode normal de vibration ne peuvent prendre que des valeurs discrètes . Ce modèle repose
donc sur la dualité onde-particule des phonons et sur le fait que les 3N oscillateurs
harmoniques[3] vibrent à la même fréquence, de manière isotrope.
10
L’énergie interne U du solide est donnée par la formule :
où ℏ est la constante de Planck réduite, ωE est la pulsation d’un oscillateur, N le nombre d’atomes
qui constituent le système et où kB est la constante de Boltzmann et T la température

absolue.
[Dérouler]
Démonstration de la formule de l’énergie interne
Capacité calorifique []
La capacité calorifique CV est définie par :
avec , on obtient
On peut définir la température d’Einstein comme . Tout cela nous donne
Résultats du modèle []
11
La capacité calorifique obtenue à l’aide du modèle d’Einstein est une fonction de la température.
La valeur expérimentale de 3Nk est retrouvée pour des températures élevées.
Le modèle d’Einstein retrouve la loi de Dulong et Petit, pour les hautes températures :
Cependant, à basse température, ce modèle concorde moins avec les mesures expérimentales que
celui de Debye :
Lorsque
Cette discordance avec l’expérience peut s’expliquer en abandonnant l’hypothèse selon laquelle
les oscillateurs harmoniques vibrent à la même fréquence.
Modèle de Debye
En physique statistique et en physique du solide, le modèle de Debye est une explication,
développée par Peter Debye en 1912[1], du comportement de la capacité thermique des solides en
fonction de la température. Il consiste à étudier les vibrations du réseau d'atomes formant le
solide, autrement dit, les phonons.
Ce modèle permet d'expliquer précisément les relevés expérimentaux, alors que le modèle
d'Einstein, basé sur la notion d'oscillateur harmonique quantique, présentait une légère
différence. Le modèle de Debye rejoint également la Loi de Dulong et Petit à haute température.
Obtention []
12
Le modèle de Debye est analogue à l'obtention de la loi de Planck sur le rayonnement du corps
noir. Le second traîte un ensemble de photons, alors que le premier traîte un ensemble de
phonons.
On suppose, pour simplifier, que le solide a une forme cubique de côté L. Les phonons
susceptibles d'exister doivent, à la manière de la vibration d'une corde de guitare, ne pas vibrer
aux extrémités (voir figure ci-contre). On en déduit alors que les longueurs d'ondes possibles
sont données par :
où n est un entier naturel non-nul.
Or l'énergie d'un phonon est donnée par :
avec
où est la constante de Planck, le vecteur d'onde du phonon, et cs sa vitesse.
Cela correspond, en trois dimensions, à l'expression :
13
Il est alors possible de faire la somme de ces énergies pour tous les phonons présents. Pour cela,
il faut utiliser la statistique de Bose-Einstein, donnant la distribution des énergies dans
l'ensemble des phonons, à la température T. On obtient finalement l'expression suivante de
l'énergie totale U des phonons :
où N est le nombre d'atomes dans le solide considéré, kB est la constante de Boltzmann, et TD est
la température de Debye donnée par :
La capacité thermique molaire est alors, par définition, la dérivée de U par rapport à T. On
obtient :
Obtention de Debye []
En réalité, Debye a obtenu cette formule d'une façon un peu différente, et plus simple. En
utilisant la mécanique des milieux continus, il montra que le nombre d'états vibrationnels
accessibles aux phonons en dessous d'une fréquence ν est donné approximativement par :
où V est le volume du solide et F est un facteur calculé à l'aide des coefficients d'élasticité
(comme le module d'Young).
En combinant cela à l'énergie d'un oscillateur harmonique (méthode déjà utilisée dans le modèle
d'Einstein), on obtiendrait une énergie totale :
Mais il ne peut pas y avoir plus d'états vibrationnels que les N atomes peuvent fournir, c'est-à-
dire 3N (car il y a trois degrés de liberté de vibration par atome). Ainsi, l'intégrale de la formule
précédente doit être calculée jusqu'à une fréquence maximale νmax telle que le nombre d'états
total soit 3N. C'est-à-dire :
14
.
La formule donnant l'énergie est donc :
On retrouve bien l'expression obtenue plus haut, avec une température TD d'expression différente.
On peut vérifier aussi que les deux expressions de TD sont cohérentes avec la mécanique des
milieux continus.
Résulats du modèle []
Limite des basses températures []
Lorsque la température est faible devant TD, l'expression de CV se simplifie :
Cette intégrale peut être calculée, ce qui donne :
Les relevés expérimentaux correspondent bien à ce comportement.
Limite des hautes températures []
Lorsque la température est grande devant TD, l'expression de CV se simplifie une fois encore :
D'où :
15
On retrouve ainsi la loi de Dulong et Petit, qui est relativement bien vérifiable par l'expérience,
sauf lorsque l'anharmonicité des vibrations fait remonter la valeur de CV. De plus, il peut être
intéressant d'ajouter la contribution des électrons à cette capacité thermique.
Comparaison au modèle d'Einstein []
Comparaison des courbes de la capacité thermique par les modèles d'Einstein et de Debye.
Les modèles d'Einstein et de Debye donnent des résultats relativement proches, mais celui de
Debye est valable aux basses températures alors que celui d'Einstein ne l'est pas.
Physique du solide
La Science et les Sciences

Généralités
Connaissance · Théorie · Savoir
Classification des sciences
 Science empirique · sciences exactes
 Sciences dures · sciences molles
 Science de la nature · sciences humaines et sociales
 Science appliquée · Science fondamentale
 Science formelle ·
Amélioration des sciences

Vie scientifique
16
 Personnes : Chercheur · Communauté scientifique
 Savoir : Découverte · Progrès
 Diffusion du savoir : Congrès · Publication (Revue · Vulgarisation)
 Recherche scientifique : Valorisation · Laboratoire · Financement
 Histoire des sciences : Histoire des sciences (discipline) · Fin de la science
Méthode scientifique
 scientificité · Observation · Méthode expérimentale · Histoire de la méthode scientifique
 Axiome · Hypothèse · Modèle scientifique · Théorie
 Épistémologie : Rationalisme · Positivisme · Constructivisme · Empirisme · Réfutabilité ·
Scientisme · Philosophie des sciences · Phénoménologie · Sociologie des sciences · Typologie
épistémologique · Théorie de la connaissance
 Divers : Simulation informatique · Bibliométrie et scientométrie
Voir aussi
 Catégories : Sciences · Portails scientifiques
 Portails : Sciences (sous-portails)
Cette boîte : voir • disc. • mod.
La physique du solide est l'étude des propriétés fondamentales des matériaux solides, cristallins
– par exemple la plupart des métaux –, ou amorphes – par exemple les verres – en partant autant
que possible des propriétés à l'échelle atomique (par exemple la fonction d'onde électronique)
pour remonter aux propriétés à l'échelle macroscopique. Bien que celles-ci présentent parfois de
fortes réminiscences des propriétés microscopiques (par ex. transitions supraconductrices dans
lesquelles des propriétés quantiques se manifestent de façon spectaculaire à l'échelle
macroscopique) elles se présentent la plupart du temps comme des propriétés de continuité
macroscopique (domaine des milieux continus) non directement déductibles des propriétés
microscopiques. Tout l'art du physicien du solide est de mettre en relation des propriétés
macroscopiques parfois très banales (ou très utiles) avec le phénomène à l'origine de celles-ci,
phénomène qui souvent n'est pas prépondérant à l'échelle atomique.
Dans un solide, les atomes sont situés à quelques angströms[1] les uns des autres et sont liés
suffisamment fortement pour résister à la contrainte. Pour comprendre comment les propriétés
macroscopiques émergent de cette collection d'atomes, la physique des solides se base sur les
résultats de deux théories plus fondamentales. D'une part la physique quantique, à l'aide de
méthodes adaptées au cas des solides, décrit au niveau microscopique les interactions des
électrons entre eux et avec les noyaux du solide. D'autre part, la physique statistique permet de
prendre en compte le nombre macroscopique d'atomes dans un solide.
Historique []
Les connaissances empiriques sur les solides et leurs propriétés sont très anciennes et jalonnent
l'histoire de l'humanité. L'apparition de la métallurgie, environ 4 000 ans avant J.-C., marque les
premières réussites dans le travail des métaux : l'homme apprend ainsi à travailler le cuivre, le
bronze, le fer puis une liste de plus en plus étendue de métaux et d'alliages. Cependant, les
17
connaissances acquises sont très empiriques, transmises de maître à compagnon, et ne sont pas
reliées sur une science commune. Le premier, Agricola (1494 - 1555) applique les méthodes
scientifiques de la Renaissance et présente une synthèse des techniques de son époque dans son
ouvrage De Re Metallica, paru en 1556.
Avant même l'arrivée des méthodes de cristallographie modernes, l'observation et la

classification des cristaux amène les scientifiques à comprendre leur structure interne. En 1611,
Johannes Kepler (1571 - 1630) fait ainsi l'hypothèse que la symétrie hexagonale des cristaux de
neige est due à un arrangement hexagonal de particules d'eau sphériques. Au XVIIIe siècle, Haüy
(1743 - 1822) établi que les faces des cristaux peuvent être repérées par un ensemble de trois
nombres entiers appelés indice de Miller, ce qui l'amène à associer à chaque cristal un réseau de
petits volumes de matière qu'il nommait « molécules intégrantes » et qui correspondent
actuellement à la notion de maille élémentaire. Ces notions seront progressivement formalisées
au cours du XIXe siècle. Entre autres, Bravais (1811 - 1863) et Schoenflies (1853 - 1928) montrent à
l'aide de la théorie des groupes que les cristaux peuvent être catégorisés en 32 groupes ponctuels
de symétrie et en 230 groupes d'espace.
Le XIXe siècle voit également l'apparition de nouveaux domaines scientifiques, tels que la
mécanique des milieux continus, l'électromagnétisme ou la thermodynamique, qui attribuent des
propriétés macroscopiques mesurables à la matière – module d'Young, susceptibilité optique,
conductivité électrique et thermique, etc. Bien que ces grandeurs macroscopiques permettent une
description phénoménologique satisfaisante des solides, elles ne permettent pas de comprendre
leur origine profonde.
Les progrès scientifiques réalisés au tournant du XIXe siècle permettent de soulever un coin du
voile. Les rayons X découverts en 1895 vont ainsi permettre à Max von Laue (1879 - 1960) de
réaliser la première expérience de diffraction des rayons X sur un cristal en 1912. Cette
technique – complétée par la diffraction d'électrons et de neutrons – va être appliquée par la suite
de manière systématique à la détermination de la structure cristalline et des distances
interatomiques dans les solides. Parallèlement, en 1900 Drude (1863 - 1906) développe un modèle
quasi-classique de la conduction des métaux en supposant ceux-ci remplis d'un gaz d'électrons
libres auxquels il applique la physique statistique de Ludwig Boltzmann. Au cours du
XXe siècle, découvertes, nouveaux outils et modèles se succèdent à un rythme accéléré : étude
des propriétés des solides aux basses températures, introduction de la mécanique quantique,
apparition du microscope électronique...
Frontières du domaine et domaines connexes []

La physique du solide est considérée comme une sous-branche de la physique de la matière
condensée, laquelle étudie également les liquides et les matériaux intermédiaires tels que la
matière molle, les mousses ou les gels.
La délimitation est d'autre part de plus en plus floue entre la physique du solide et la science des
matériaux. À l'origine, la physique du solide était une branche de la physique fondamentale, et la
science des matériaux une branche de la physique appliquée. Il y a longtemps que cette
distinction est caduque, sous l'effet d'une double évolution. La première évolution est celle de la
18
physique du solide vers l'étude de systèmes de plus en plus complexes, et donc de plus en plus
proches des systèmes réels et utiles. L'autre évolution est celle de la science des matériaux, qui,
avec l'apparition de moyens fins d'investigation (comme par exemple le microscope électronique,
qui permet une observation à l'échelle atomique) ainsi que d'élaboration (par exemple l'épitaxie,
qui permet une élaboration de semi-conducteurs couche d'atomes par couche d'atomes) est
parfois devenue une ingénierie des matériaux à l'échelle atomique. Elle s'est donc intéressée de
très près aux phénomènes à cette échelle, et a ainsi empiété largement sur le domaine de la
physique fondamentale. Au total, la distinction entre ces deux disciplines relève maintenant plus
d'une nuance d'approche que d'autre chose.
Les matériaux synthétisés ont vocation à être utilisés dans d'autres sciences, et à ce titre la
physique du solide est fréquemment en contact avec d'autres disciplines comme l'optique,
l'électronique, la mécanique...
Petite typologie des solides []

Il existe une grande diversité de solides différents dans la nature, et quels que soient les
ensembles que l'on essaie de définir, on trouvera toujours un solide pouvant être classé dans deux
ensembles différents. Ci-dessous, nous exposons différentes typologies établies selon les critères
suivant : l'existence ou l'absence d'un ordre cristallin, la nature de la liaison entre les atomes ou
encore la facilité avec laquelle les solides conduisent le courant électrique.
Verres et cristaux []
Rayer ou supprimer les éléments lorsqu'ils sont intégrés au texte
Un cristal représente une classe importante de solides dans lesquels les mêmes atomes se
répètent périodiquement dans les trois dimensions de l'espace. Le cristal forme alors un réseau
qui reste identique à lui-même lors de la translation par un vecteur
où , et sont des vecteurs délimitant la maille élémentaire du réseau et m1, m2, m3 sont des
entiers relatifs quelconques. La fidélité avec laquelle le cristal se reproduit d'une maille à l'autre
est impressionnante. La loi ci-dessus fonctionne encore sur des distances de l'ordre de plusieurs
micromètres ; c'est-à-dire que si l'on prend deux atomes séparés par m = 104 mailles, leur
distance sera la même à ~1Å près quelle que soit les deux atomes de départ[2].
cristal et ordre à toutes les portées, monocristal et cristallites

matière amorphe et ordre à courte portée
fonction de corrélation
quasi-cristal
Solides ioniques et solides covalents []
19
Types de liaison
Les forces assurant la cohésion des solides sont toutes de nature fondamentalement électriques.
Les diverses formes de celles-ci à l'échelle atomique se retrouvent dans les solides.
Le solide le plus dur, le diamant est maintenu par un ensemble de liaisons covalentes qui se
renforcent mécaniquement réciproquement, exactement comme dans une molécule à squelette
carboné. A l'autre extrémité, se trouvent les cristaux ioniques, par exemple le chlorure de sodium
qui est un empilement de charges positives et négatives ordonné, mais sans liaison chimique : les
électrons sont à demeure attachés à un noyau et il n'est pas question pour eux de participer
directement à la cohésion entre atomes autrement que par l'intermédiaire des ions qu'ils forment.
On parle de liaison ionique. Il existe un type de liaison intermédiaire, la liaison ionocovalente qui
est une liaison covalente avec une probabilité plus forte de trouver l'électron dans le voisinage
d'un type d'atomes que de l'autre. C'est ce type de liaison qu'on retrouve par exemple dans les
cristaux du type blende. Dans le cas où la liaison entre les noyaux et les électrons périphériques
est faible, l'électron peut passer indifféremment d'un atome à l'autre sur toute la longueur du
cristal. On dit qu'il est délocalisé. Les modèles de telles liaisons sont les métaux, et les électrons
délocalisés assurent alors la cohésion en créant un puits de potentiel piégeant les atomes sur tout
le volume de l'échantillon. Une telle liaison est appelée liaison métallique. Reste enfin le cas des
solides formés d'atomes ou de sous structures électroniquement stables, par exemple les cristaux
de gaz rares. Aucun des mécanismes précédents ne peuvent s'appliquer à ceux-ci, mais il reste
encore la possibilité d'une corrélation des orbitales électroniques entre deux atomes voisins : c'est
la force de Van der Waals.
Métaux et isolants []
Classification des matériaux
L'une des plus anciennes classification des solides est fonction de leur résistivité électrique.
Bien avant de connaitre l'origine atomique de cette singularisation, on a distingué les métaux,
presque tous bon conducteurs d'électricité et de chaleur, situés dans la partie inférieure gauche de
la table de Mendeleïev. La résistivité de ceux-ci croit avec la température. Les autres éléments
sont des isolants électriques. Les matériaux situés sur la quatrième colonne varient du statut
isolant pour le carbone diamant à métal pour le plomb. Les matériaux compris entre ces deux
extrêmes sont les semi-conducteurs (silicium, germanium). Ces matériaux ont une résistivité qui
décroit avec la température, par la promotion thermique d'électrons de valence au statut
d'électrons de conduction. L'étain est un cas intéressant car il possède une transition de phase
entre un état semi-conducteur basse température (étain gris) et un état métallique haute
température (étain blanc) ; c'est la transition de Mott. Celle-ci s'accompagne d'un changement de
la structure cristalline et est une cause de désagrégation des étains anciens de collection. Une
autre façon de faire varier la conductivité électrique d'un semi-conducteur est le dopage, qui par
le biais d'impuretés soigneusement choisies enrichit le matériau en électrons de conduction ou en
lacunes d'électrons de valence.
Méthodes de production []
20
Les propriétés dépendent fondamentalement de la microstructure amorphe ou cristalline ainsi
que de la composition chimique, avec une sensibilité allant parfois jusqu'au niveau de l'impureté
(1 atome par million ou moins). Deux genres d'élaboration sont possibles :
 les méthodes les plus performantes — mais aussi les plus coûteuses — abordent les deux
aspects en une seule étape. C'est le cas de l'épitaxie, de la pulvérisation cathodique ou de
la cristallogénèse. De plus la nature même de ces méthodes limite la taille des
échantillons produits ;
 d'autres méthodes — moins performantes mais économiquement très importantes — sont
spécifiquement dévolues à chacun des deux aspects : par exemple l'élimination des
impuretés par fusion de zone ou leur ajout contrôlé par dopage d'un côté pour les semi-
conducteurs, des méthodes d'hypertrempe ou de recuit d'un autre côté pour maitriser la
microstructure cristalline des métaux.
Propriétés mécaniques et structurales (arrangement des

atomes dans les solides) []
Propriétés mécaniques macroscopiques []
Article détaillé : Mécanique des milieux continus.
Les solides étant caractérisés par des formes définies, pérennes et stables, les premières
investigations réussies portèrent sur la façon dont ils pouvaient revenir à leur état initial après
l'application de contraintes extérieures. C'est le domaine des déformations élastiques, dont l'étude
fut initiée par Robert Hooke (1635 – 1703). Cependant, cette capacité de retour à l'état antérieur
sans dommage résiduel est restreinte à des déformations dues à des contraintes limitées. Au-delà
de ce domaine s'étend le domaine des déformations irréversibles et de la rupture. Ainsi, le
domaine des déformations plastiques, dans lequel les déformations sont assez importantes pour
suffisamment et de façon irréversible la structure interne du solide et empêcher un retour à l'état
de départ. Comme autre déformation irréversible, le fluage est une déformation lente sous une
contrainte modérée mais continue, avec une accumulation progressive de dommages sur la
microstructure. Un autre effet des déformations irréversible peut être de changer les
caractéristiques physiques des matériaux. Par exemple, un matériau présentant à l'origine une
certaine plasticité peut devenir cassant et fragile après avoir été soumis à des cycles de
déformation : c'est l'écrouissage.
Propriétés atomiques
alliage et effet de durcissement • piézoélectricité
Défauts dans les cristaux []
Article détaillé : Défaut cristallin.
Les propriétés mécaniques macroscopiques des solides sont modélisées en supposant que les
matériaux sont des corps continus, dont le comportement est caractérisé par des grandeurs
21
phénoménologiques – c'est-à-dire mesurées expérimentalement. Si cette approche marche bien
pour décrire les déformations élastiques réversibles, au cours de laquelle les atomes bougent peu
autour de leur position d'équilibre, elle ne permet ni d'expliquer la valeur observée du module
d'Young, ni les comportements révélateurs de la structure microscopique du matériau : par
exemple pourquoi un fil de fer écroui est plus fragile qu'un fil fraîchement produit. La démarche
propre à la physique du solide de partir du microscopique pour en dériver les propriétés
macroscopiques explique l'écrouissage par une accumulation de défauts dans la structure
cristalline.
Un cristal réel présente en effet des écarts par rapport au cristal parfait qui modifient
profondément ses propriétés. Ces défauts sont classés pour l'essentiel suivant des critères
géométriques et topologiques. On distingue ainsi les défauts ponctuels, les défauts linéaires
nommés dislocations, les défauts plans nommés joints de grains et les défauts tridimensionnels
nommés macles. En particulier, l'écrouissage s'explique par le mouvement des dislocations
suivant le mécanisme de Franck et Reed : la déformation du réseau cristallin est possible lorsque
les dislocations peuvent bouger librement, mais celles-ci se figent lorsque deux dislocations se
rencontrent. À force de déformer le matériau, on crée une forte densité de dislocations figées, qui
finissent par empêcher la déformation du matériau, lequel finit par casser.
Un autre exemple intéressant de modification de la microstructure est la trempe des aciers.
Durant celle-ci des impuretés en solution précipitent autour des dislocations et bloquent les
mouvements irréversibles – cause de la plasticité – au profit de déformations réversibles de
celles-ci – engendrant l'élasticité. Il en résulte une modification sensible des propriétés
mécaniques macroscopiques, mise à profit dès l'âge du fer.
Méthodes d'investigation []
Cristallographie []
Article détaillé : Cristallographie.
Historiquement, les premières investigations sur la structure interne des solides ont été réalisées
en clivant des cristaux et en remarquant que les faces faisaient toujours un angle particulier entre
elles. Par une réflexion s'étalant sur plusieurs siècles, les cristallographes en ont déduit que les
cristaux pouvaient être décrits comme la répétition infinie d'une unité élémentaire, la maille,
selon les vecteurs d'un réseau géométrique, puis l'étude mathématique de ces réseaux par les
méthodes de la théorie des groupes a abouti à la classification complète des cristaux à l'aide de
leurs propriétés de symétrie. Plus qu'une simple méthode de catégorisation, l'étude du groupe
ponctuel de symétrie et du groupe d'espace permet de prévoir directement certaines propriétés
d'un cristal, ou du moins simplifie grandement les calculs de mécanique quantique nécessaires à
leur explication. On peut citer à titre d'exemple le fait qu'aucun cristal centrosymétrique – c'est-à-
dire identique à lui même lorsque l'on applique une symétrie ponctuelle – ne possède de
propriété optique non-linéaire d'ordre deux.
Au réseau dans l'espace réel est associé un réseau dans l'espace réciproque, un espace
mathématique abstrait qui sert à décrire certaines propriétés du cristal comme par exemple les
propriétés de diffraction. La découverte des rayons X à la fin du XIXs, puis leur utilisation en
22
radiocristallographie prouva de façon définitive la nature atomique des solides tout en permettant
de mesurer très précisément les paramètres de maille de nombreux cristaux.
Autres méthodes []
L'invention en 1931 de la microscopie électronique en transmission fournit l'outil d'un essor

considérable de la métallurgie physique dans l'après-guerre. En 1955 apparaît le premier
microscope électronique à balayage qui permet une analyse de la surface des échantillons
beaucoup plus fine que le microscope optique. Il faut noter au passage le microscope
électronique à balayage par transmission développé dans les années 1970 qui combine un
faisceau d'électrons explorant la profondeur de l'échantillon avec les outils électroniques de
reconstitution d'image du microscope à balayage. La mise au point en 1981 du microscope à
effet tunnel permet l'observation des surfaces à l'échelle atomique. Un développement important
sur le modèle du microscope à effet tunnel est le microscope à force atomique. Notons enfin la
diffraction de neutrons et le rayonnement synchrotron qui nécessitent pour leur mise en œuvre un
réacteur nucléaire ou un accélérateur de particules dédiés.
Propriétés électroniques et optiques []

électrodynamique des milieux continus et propriétés électromagnétiques macroscopiques
constante diélectrique • coefficient d'absorption
propriétés électriques
diélectrique • ferroélectricité
Interprétation microscopique []
Dans le cas idéal, le Graal du physicien du solide est d'extraire toutes les propriétés
macroscopiques (magnétiques, électriques, mécaniques...) des propriétés atomiques – c'est-à-dire
essentiellement des fonctions d'onde électroniques. Ceci n'est malheureusement pas toujours
possible à cause de la très grande complexité induite par le grand nombre d'atomes mis en jeu
dans le moindre échantillon (le solide est un objet macroscopique, et à ce titre, possède un
nombre d'atomes d'un ordre de grandeur comparable avec le nombre d'Avogadro).
Parmi les quelques cas où cette démarche peut être cependant fructueuse figure celui important
méthodologiquement, historiquement et techniquement du cristal parfait infini.
L'existence d'une périodicité dans le potentiel vu par les électrons simplifie fortement le calcul
des fonctions d'onde : le théorème de Bloch montre alors que la fonction d'onde a la même
période spatiale que le réseau cristallin.
théorie des bandes et méthodes de calcul des états quantiques
Une simplification capitale apparait dans la résolution de la fonction d'onde du solide : c' est la
séparation du problème de la fonction d'onde des électrons assurant la cohésion du solide
(électrons périphériques ou délocalisés) de celle du cœur des atomes (noyaux et électrons des
couches internes restant liés à celui-ci), due à la très grande différence de dynamique entre ces
23
deux composants (le noyau est plusieurs milliers de fois plus massique que l'électron) qui
pourtant interagissent fortement (sinon la cohésion du solide ne serait pas assurée !). Il en résulte
paradoxalement une très faible variation couplage entre ces modes deux modes du hamiltonien
pour des variations mêmes relativement importantes de l'autre mode tant que les effets moyens
entre les cœurs d'atomes et les électrons de liaison restent pratiquement constants. C'est
l'approximation de Born-Oppenheimer.
Approximation de Born-Oppenheimer • Théorie de la fonctionnelle de la densité •

Approximation des liaisons fortes • Pseudo-potentiel • Onde de Bloch et fonction
enveloppe dans les cristaux • méthode k.p
problème à N corps et quasi-particules
masse effective • résonance cyclotron • trou d'électron • exciton • phonon • autres quasi-
particules (magnon, plasmon, polaron, polariton,...)
Transport du courant []
propriétés spécifiques aux métaux

conductivité électrique • modèle de Drude • mobilité • plasmon • dégénérescence et
niveau de Fermi • liquide de Fermi
dopage et jonctions
Propriétés thermiques et thermodynamiques []

Conductivité thermique
Chaleur spécifique
Loi de Dulong et Petit • Modèle d'Einstein • Modèle de Debye • phonons et quantification
des vibrations élémentaires
Solutions solides et transition de phase
Eutectique • Alliage • Mélange binaire
Transport électrique et transport thermique
Effet Pelletier et effet Seebeck
Magnétisme []
modèle CLOA adapté aux métaux de transition
magnétisme des métaux de transition • métaux nobles • métaux antiferromagnétiques •
métaux ferromagnétiques
propriétés magnétiques
ferromagnétisme • diamagnétisme • paramagnétisme • antiferromagnétisme •
ferrimagnétisme
Spintronique
Modèle d'Ising
Effet Hall quantique
quantification des excitations magnétiques magnons
24
Supraconductivité []
Dispositifs basés sur des propriétés de physique du solide []
transistor bipolaire
transistor à effet de champ
LED
magnétorésistance géante
SQUID
capteur à effet Hall
Prix Nobels en physique du solide []

Les scientifiques suivants ont reçu le prix Nobel suite à des travaux en physique du solide :
 William Henry Bragg, William Lawrence Bragg (1915)

 Percy Williams Bridgman (1946)
 William Shockley, John Bardeen, Walter Brattain (1956)
 Lev Davidovich Landau (1962)
 Louis Néel (1970)
 John Bardeen, Leon Cooper, John Schrieffer (1972)
 Leo Esaki, Ivar Giaever, Brian Josephson (1973)
 Philip Anderson, Neville Mott, John van Vleck (1977)
 Klaus von Klitzing (1985)
 Johannes Georg Bednorz, Karl Alexander Müller (1987)
 Pierre-Gilles de Gennes (1991)
 Bertram Brockhouse, Clifford Shull (1994)
 Walter Kohn (prix Nobel de chimie en 1998)
 Alexei Abrikosov, Vitaly Ginzburg, Anthony Leggett (2003)
 Albert Fert, Peter Grünberg (2007)
Science des matériaux

La science des matériaux regroupe l'étude et la mise en œuvre des matériaux qui constituent les
objets qui nous entourent (métaux, polymères, semiconducteurs, céramiques, verres, etc.). Elle
est au cœur de beaucoup des grandes révolutions techniques depuis un siècle[1] : électronique
(ordinateurs, lecteurs de CD et DVD, etc.), automobile (moteurs, carrosserie, phares, etc.),
aéronautique, énergies renouvelables (panneaux solaires...), nanosciences, nanotechnologies, etc.
Historique []
25
Jusqu'au XIXe siècle l'utilisation des matériaux était essentiellement empirique. Une évolution
majeure a eu lieu quand Josiah Willard Gibbs (1839-1903), physico-chimiste américain, réussit à
démontrer que les propriétés thermodynamiques reliées à la structure atomique avaient un lien
direct avec les propriétés physiques d'un matériau[2]. À la suite de cela, la science des matériaux
ne s'est plus limitée aux métaux ou aux céramiques et s'est considérablement diversifiée,
notamment avec le développement des plastiques, des semi-conducteurs après la Seconde Guerre
mondiale[réf. nécessaire]. Aujourd'hui, le principal moteur de l'innovation de cette science est
constitué par le développement de nouvelles technologies destinées à des domaines de pointe tels
que les nanotechnologies (l'infiniment petit) ou l'aérospatial.
Principes de la science des matériaux []

La science des matériaux repose sur la relation entre les propriétés, les performances d'un
matériau et sa morphologie structurale. La connaissance et la maîtrise des phénomènes
microscopiques (diffusion, arrangement des atomes, recristallisation, apparition de phases, etc.)
confèrent aux scientifiques et aux industriels la possibilité d'élaborer des matériaux aux
propriétés et aux performances voulues.
La conception d'un cristal parfait est actuellement physiquement impossible, mais ce sont
souvent ses défauts structurels qui rendent intéressant un matériau. On utilise donc les défauts
dans les matériaux cristallins (tels que précipités, joints de grains, atomes interstitiels, lacunes,
dislocations, etc.) pour créer des matériaux avec les propriétés désirées.
Les grandes classes de matériaux []

Métaux []
Microstructure d'un acier au carbone avec ferrite en gris claire et la perlite en foncé
Les métaux sont des matériaux dont les éléments chimiques ont la particularité de pouvoir
former des liaisons métalliques et perdre des électrons pour former des cations (exemple : Fe ->
Fe2+ ou Fe3+). Ils peuvent être caractérisés aussi bien de manière physico-chimique que de
manière électronique (cf. section caractérisation). Les métaux se caractérisent par plusieurs
particularités physiques. Ils sont de bons conducteurs électriques, cette caractéristique se mesure
soit grâce à la conductivité soit grâce à son inverse, la résistivité. Ils sont aussi de bons
conducteurs thermiques et possèdent un éclat lumineux. Du point de vue mécanique, ils se
26
caractérisent par des propriétés telles que leur module d'élasticité (généralement élevé, de l'ordre
de plusieurs GPa), leur dureté, leur ductilité, etc.
Sur Terre, on ne trouve quasiment les métaux que sous forme d'oxydes. Cependant, ils sont peu
utilisés sous cette forme (excepté dans le domaine de la microélectronique). On préfère les
utiliser purifiés (exemples du cuivre et de l'aluminium) ou sous forme d'alliages. L'aluminium est
le métal le plus abondant dans la croûte terrestre. Il faut également noter l'importance du fer, qui
est très souvent utilisé sous forme d'acier ou de fonte après ajout de carbone.
Du point de vue économique, on note deux secteurs extrêmement importants, celui de l'acier et
celui de l'aluminium. En 2007, la production mondiale d'acier s'élevait à 1,3 milliard de tonnes
soit une augmentation de 5,4 % par rapport à 2006[3]. Ce secteur est actuellement dominé par
l'entreprise Mittal Steel. Le secteur de l'aluminium est quant à lui partagé entre plusieurs grands
groupes tels que Rio Tinto ou Alcan. En 2008, la production d'aluminium s'est élevée à 3,1
millions de tonnes soit une augmentation de 11,5 % par rapport à 2006[4].
Polymères []
Fibres de polyester observées au MEB
L'étymologie du mot polymère vient du grec « pollus » plusieurs et « meros » partie. Un

polymère est une macromolécule organique (ou parfois minérale) constituée d'un enchaînement
répétitif d'un (ou plus) type(s) de monomère. Les monomères sont reliés entre eux par des
liaisons covalentes. Les propriétés des polymères dépendent notamment du type de
monomère(s), de la nature de leur assemblage et du degré de polymérisation.
On distingue les polymères naturels, les modifiés (polymères artificiels) et les synthétiques. On
peut aussi les classer selon leur architecture. On distingue par exemple les polymères linéaires,
branchés (avec des ramifications) ou non, les dendritiques (ramifications dans les trois
dimensions) et les réticulés ou tridimensionnels qui forment un réseau.
Les polymères peuvent être fabriqués de diverses façons. On peut citer :
 les homopolymères, qui sont fabriqués avec le même monomère ;

 les copolymères, qui sont fabriqués avec des monomères différents.
Un autre type de classification des polymères est aussi selon leurs propriétés thermomécaniques.
On distingue :
27
 les polymères thermoplastiques, qui deviennent malléables quand ils sont chauffés, ce qui
permet leur mise en œuvre ;
 les polymères thermodurcissables, qui durcissent à chaud et/ou par ajout d'un durcisseur
en faible proportion. Ce durcissement est en général irréversible ;
 les élastomères, qui présentent en général un allongement réversible très important et une
température de transition vitreuse inférieure à l'ambiante.
On peut classer les polymères en deux types, en fonction de leur comportement à la chaleur et
sous pression :
 portés à une température suffisante, les polymères thermoplastiques se trouvent à l'état

« fondu » (état fluide ou déformable) et sont donc susceptibles de s'écouler sous l'action
d'une contrainte. Cela permet leur mise en forme par les techniques d'extrusion,
d'injection, de thermoformage, etc. C'est le cas des polyoléfines (PE, PP, PMP, etc.), du
PVC, du polystyrène, etc. ;
 les polymères thermodurcissables durcissent par réaction chimique. On peut citer les
résines phénoplastes, polyépoxydes, certains polyuréthanes.
Du fait de leurs propriétés intéressantes, les polymères ont peu à peu envahi les industries et la
vie quotidienne en remplaçant les matériaux traditionnels.
Céramiques []
Pièces de roulements, composite Si3N4
Celles-ci sont composées d'éléments métalliques et non métalliques. Elles sont généralement des
oxydes, des nitrures, ou des carbures. Le groupe des céramiques englobe une vaste gamme de
matériaux, comme les ciments, les verres, les céramiques traditionnelles faites d'argile, etc.
La structure cristalline des céramiques est plus complexe que celle des métaux, car au moins
deux éléments chimiques différents sont présents. Il existe des céramiques ioniques, composées
d'un métal et d'un non-métal (par exemple: NaCl, MgO) et les céramiques covalentes, composées
de deux non métaux ou d'éléments purs (diamant, carbure de silicium, etc.). La structure des
joints de grain est également plus complexe car des interactions électrostatiques entraînent des
contraintes d'équilibre supplémentaires. Les ions de signes contraires ne doivent donc pas se
toucher. C'est pourquoi la céramique présente une certaine porosité (environ 20 % en volume).
28
Les céramiques ont de nombreux avantages :
 propriétés mécaniques : elles présentent, comme les métaux, un module de Young bien
défini, c'est-à-dire que le module reste constant pendant l'application d'une charge
(contrairement au polymère dont l'élasticité n'est pas linéaire). De plus, elles ont la plus
grande dureté de tous les matériaux, et sont d'ailleurs utilisées comme abrasifs pour
couper (ou polir) les autres matériaux ;
 résistance aux chocs thermiques en raison d'un faible coefficient de dilatation ;
 bonne résistance chimique ;
 résistance à la corrosion ;
 isolations thermique et électrique.
Par contre, leur principale faiblesse est d'être prédisposées à rompre brutalement, sans
déformation plastique en traction (caractère fragile) ; les porosités « affaiblissent » le matériau en
entraînant des concentrations de contrainte à leur voisinage. La fragilité des céramiques rend
impossible les méthodes de laminage ou de forgeage utilisées en métallurgie.
Les céramiques technique []
La céramique technique est une branche de la céramique dédiée aux applications industrielles,
par opposition aux créations artisanales (poterie) ou artistiques (céramique d'art) ou porcelaine.
L'objectif de cette industrie est la création et l'optimisation de céramiques à propriétés physiques
spécifiques : mécaniques, électriques, magnétiques, optiques, piézoélectriques, ferroélectriques,
supraconductricesetc ...
La plupart des céramiques technique sont mises en forme à partir de poudre compactée puis
chauffée à haute température (procédé du frittage). On utilise surtout des poudres de
granulométrie très faible afin de réduire la porosité.
Les verres []
Les verres sont essentiellement des solides obtenus par figeage de liquide surfondu. Les quatre
principales méthodes de fabrication du verre sont le pressage, le soufflage, l'étirage et le fibrage.
Les verres sont des silicates non cristallins qui contiennent d'autres oxydes (CaO, par exemple)
qui en modifient les propriétés. La transparence du verre est l'une de ses propriétés les plus
importantes. Ceci est dû à sa structure amorphe et à l'absence de défauts de taille supérieure à la
fraction de micromètre. L'indice de réfraction d'un verre est d'environ 1,5. Pour ce qui est de
leurs propriétés mécaniques, les verres sont des matériaux fragiles, mais des traitements
thermiques ou chimiques peuvent y remédier.
Semi-conducteurs []
29
Cellule photovoltaïque en silicium
Structure des semi-conducteurs

On applique la théorie des bandes, ce qui amène à considérer une bande de valence entièrement
pleine qui est séparée d'une bande de conduction par une bande interdite distance de l'énergie
ΔE. Pour qu'un électron passe de la bande de valence à la bande de conduction, on apporte une
énergie thermique ou lumineuse. Dans un semi-conducteur, ΔE est assez faible pour autoriser, à
température ambiante, le passage d'un petit nombre d'électrons de la bande de valence vers la
bande de conduction.
La conduction électrique
Si nous considérons le modèle quantique des bandes d'énergie, les électrons occupent des
niveaux d'énergie. Ces niveaux d'énergie sont discrets dans l'atome et de par les interactions entre
atomes dans un cristal, s'étendent à des bandes d'énergie permises séparées par des bandes
interdites. Dans les isolants, les bandes d'énergie les plus faibles sont remplies. Du fait d'une
grande bande interdite (~ 5 eV), il n'y a pas de niveaux d'énergie accessibles et donc aucune
conduction. Dans les conducteurs, la dernière bande est partiellement occupée, il existe donc
beaucoup de niveaux d'énergie disponibles, d'où une bonne conduction. Dans les semi-
conducteurs, la dernière bande se trouve peu ou très occupée et la bande interdite est faible (~ 1
eV). Il y aura donc une conduction faible.
Conduction par électron et par trou

Le trou est une lacune qui va être comblée par un électron voisin libéré par l'agitation thermique
et qui va à son tour laisser un trou. Aux électrons (masse positive, charge négative)
correspondent des trous (masse négative, charge positive). Les trous et les électrons constituent
les porteurs libres intrinsèques dont le nombre est fonction de la température. Pour avoir une
neutralité électrique, on impose le même nombre de trous et d'électrons.
Semi-conducteurs dopés
Type N : On introduit dans la matrice du semi-conducteurs des atomes d'impureté. Chacun de ses
atomes apporte un électron de valence supplémentaire. Cet électron est peu lié au noyau et passe
aisément dans la bande de conduction. La conduction dite de type N est assurée par les électrons.
Les électrons sont les porteurs majoritaires. La conductivité extrinsèque devient très supérieure à
celle du matériau pur, à cause du taux de dopage. Les atomes donneurs deviennent des ions
positifs après passage des électrons excédentaires dans la bande de conduction.
30
Type P : On introduit dans le réseau une impureté trivalente telle que le bore, l'aluminium, le
gallium ou encore l'indium. Il manque à cette dernière un électron de valence pour assurer les
quatre liaisons avec l'atome de silicium voisin. Une faible énergie suffit à ce qu'une impureté
capte l'électron d'un silicium voisin. Les atomes trivalents, appelés accepteurs, deviennent ainsi
des ions négatifs. Il y a formation d'un trou peu lié et donc mobile. Ces trous, porteurs
majoritaires, assurent la conduction des semi-conducteurs dits de type P.
Matériaux composites []
Exemple de matériau composite
La fabrication des avions ultralégers, tels le Gossamer Albatross, fait souvent appel aux
composites[5].
Un matériau composite est un mélange de deux matériaux de base, distincts à l'échelle

macroscopique, ayant des propriétés physiques et mécaniques différentes. Le mélange est
effectué de manière à avoir des propriétés optimales, différentes et en général supérieures à
celles de chacun des constituants. Un composite est constitué au moins d'une matrice (liant) et
d'un renfort.
Les matrices peuvent être d'origine :
 organique : polymères thermoplastiques ou thermodurcissables (polyesters,

polyépoxydes, phénoliques, polyimides, silicones, etc.) ;
 minérale : carbone, céramique, béton ;
 métallique : Al, Mg.
Des charges (minérales, organiques ou métalliques) et additifs sont presque toujours incorporés
à la matrice.
Les renforts (verre, carbone, fibres aramides, de bore ou métalliques, etc.) peuvent être sous
forme :
31
 de fibres (courtes, longues ou continues), de mat ou de tissu ; les fibres longues (cas de
certaines fibres de verre) peuvent être orientées dans le sens des sollicitations ;
 de charges renforçantes : gravier (additionné au ciment pour fabriquer le béton), sable,
billes de verre, etc. ;
 d'acier (cas du béton armé).
Le renfort peut être seul au sein d'une matrice (composite homogène) ou associé à un renfort de
nature différente (composite hybride).
Les constituants sélectionnés (certains sont multi-fonctions) peuvent améliorer les propriétés
suivantes : rigidité, résistance thermo-mécanique, tenue à la fatigue, résistance à la corrosion,
étanchéité, tenue aux chocs, au feu, isolations thermique et électrique, allègement des structures,
conception de formes complexes.
Rôle(s) joué(s) par chaque constituant :
 la matrice est un liant, protège les fibres et transmet également les sollicitations aux
fibres ;
 les fibres apportent la tenue mécanique et supportent les sollicitations ;
 les charges et additifs améliorent les caractéristiques du matériau. Les charges abaissent
souvent le coût de la matière (effet de dilution). Exemples d'additifs : ignifugeants, anti-
UV, fongicides, antioxydants.
La mise en œuvre des composites est soit automatisée (moulage sous vide, RTM...), soit
artisanale pour des pièces à hautes performances (moulage au contact...).
Les matériaux composites à base de fibres et de polymères en constituent la classe la plus
importante (90 % de l'ensemble des composites fabriqués actuellement).
Les matériaux composites sont très utilisés dans les domaines aéronautique, automobile,
ferroviaire, etc.
Biomatériaux []
Article détaillé : Biomatériau.
Un biomatériau est surtout un matériau qui est utilisé et adapté pour les applications médicales. Il
peut être d'origine vivante, minérale ou chimique. Les biomatériaux sont aujourd'hui un des
secteurs qui se développe le plus rapidement dans le domaine des matériaux en raison de la
demande en matériaux novateurs et stériles, aussi bien pour les diverses prothèses que pour le
matériel médical.
Il faut faire la distinction entre la vision médicale du biomatériau et la vision d'un professionnel
des matériaux en ce qui concerne la biocompatibilité des matériaux et du corps humain. En effet,
un médecin aura tendance à demander un matériel répondant parfaitement à tous les problèmes
qu'il veut solutionner tandis que le spécialiste des matériaux verra les compromis qu'il faut
utiliser pour obtenir la meilleure alternative matérielle à un problème médical. L'un et l'autre
doivent travailler en collaboration mais il n'est pas possible qu'un médecin conçoive le matériel
qu'il veut utiliser et qu'un spécialiste des matériaux utilise le matériel qu'il a conçu.
32
Le secteur des bioplastiques progresse : production de 62 000 tonnes en 2007, 766 000 t
attendues en 2009[6].
Caractérisation des matériaux []

Article détaillé : Caractérisation des matériaux.
Il est indispensable pour étudier et comprendre un matériau de le caractériser à l'aide des

techniques de caractérisation appropriées. On peut les classer en techniques dites destructives,
c'est-à-dire qui endommagent le matériau et en techniques de contrôle non destructif, qui
n'endommagent pas le matériau et donc l'objet étudié. Ces techniques de caractérisation
bénéficient des apports de la science des matériaux et réciproquement aide à son développement.
L'industrie des matériaux []

Toutes les industries qui produisent des biens matériels font appel à des matériaux, la science des
matériaux y trouve donc naturellement sa place.
Mise en forme des matériaux []
Article détaillé : Mise en forme des matériaux.
Les techniques de mise en forme des matériaux ont pour objectif de donner une forme
déterminée au matériau tout en lui imposant une certaine microstructure, afin d'obtenir un objet
ayant les propriétés souhaitées. C'est un travail qui nécessite de maîtriser au mieux les
paramètres expérimentaux (composition, température, vitesse de refroidissement, etc.). Les
techniques diffèrent selon les matériaux et les objets à fabriquer. Toutes ces techniques
bénéficient de la compréhension apportée par la science des matériaux.
Applications []
Voici quelques applications des grandes classes de matériaux :
 les polymères : bouteilles d'eau en polyéthylène téréphtalate (PET), CD en polycarbonate

(PC), vêtements en polyéthylène (PE), Rilsan®, Gore-tex, bouteilles de lait, canalisations
en polyéthylène haute densité (PEHD), pièces mécaniques en polyamide, mousses
d'isolation en polyuréthane (PU), sacs biodégradables en acide polylactique (PLA), etc. ;
 les matériaux de la micro-électronique : AsGa, InP, Si, SiC, Ge, AlInP sont utilisés dans
la conception des diodes, transistors, diodes lasers, photodétecteurs, etc. ;
 les céramiques et les verres : vitres, disques de frein en carbone-céramique, outils de
machine-outil en carbure de tungstène, pot catalytique en Zircone, etc. ;
 les composites : coques de bateaux, pales d'hélicoptères, aubes de turbine, casques de
moto, skis, surfs, planches à voile, arbres de transmission, etc. ;
 les métaux et alliages : mobilier urbain en acier galvanisé, tôles en acier, filtres,
électrodes de batterie, coupe-flammes en mousse métallique, etc.
33
Le développement de la protection de l'environnement et du recyclage encourage les entreprises
à rechercher de nouveaux matériaux, comme les matériaux biodégradables. L'acide polylactique,
extrait de végétaux comme la betterave ou le maïs, en est un bon exemple. Il est actuellement
utilisé pour les fils de suture résorbables, pour remplacer les sacs plastiques, ou encore pour les
boîtes plastiques.
Aspects économiques et environnementaux []
Certains aspects économiques et environnementaux nous amènent à revoir notre façon d'utiliser
les matériaux. Le recyclage des matériaux est amené à se développer[7]. Par exemple, dans le
domaine de la microélectronique, les fabricants d'écrans plats ont été confrontés à la flambée du
cours de l'indium[8] et il devient intéressant de le recycler. Autre exemple, l'épuisement progressif
des ressources pétrolières pose problème pour la production future de polymères. Il faut donc
chercher des solutions alternatives (bioplastiques).
Mais certains matériaux très couramment utilisés ne sont toujours pas recyclables et constituent
un vrai problème environnemental. On pense notamment au caoutchouc naturel, à certains
élastomères (styrène-butadiène...) qui sont aujourd'hui encore les principaux constituants des
pneus, et aux polymères thermodurcissables. Il faut donc soit mettre au point de nouveaux
procédés de recyclage, soit mettre au point des matériaux alternatifs plus écologiques, tels les
élastomères thermoplastiques.
Prix Nobel []
Un certain nombre de prix Nobel de physique et chimie sont relatifs à la science des matériaux :
 Albert Fert et Peter Grünberg qui ont obtenu le prix Nobel de physique 2007 pour leur
découverte simultanée du phénomène de magnétorésistance géante, très utilisée dans les
têtes de lecture des disques durs modernes ;
 Pierre-Gilles de Gennes, prix Nobel de physique 1991 pour ses travaux sur les cristaux
liquides et les polymères ;
 les prix Nobel de physique 2003 (supraconducteurs, superfluides), 2000 (hétérostructures
semi-conductrices), 1998 (effet Hall quantique fractionnaire), 1994 (cristaux), 1987,
1986, 1985, 1982[précision nécessaire] ;
 les prix Nobel de chimie 2000 (polymères conducteurs), 1996 (fullerène).
Cristallographie
La cristallographie est la science qui se consacre à l'étude des substances cristallines à l'échelle
atomique. Les propriétés physico-chimiques d'un cristal sont étroitement liées à l'arrangement
spatial des atomes dans la matière. L'état cristallin est défini par un caractère périodique et
ordonné à l'échelle atomique ou moléculaire. Le cristal est obtenu par translation dans toutes les
directions d'une unité de base appelée maille élémentaire.
34
Elle est en rapport avec des disciplines aussi diverses que la physique, la chimie, les
mathématiques, la biophysique, la biologie, la médecine, la science des matériaux, la métallurgie
ainsi que les sciences de la terre.
Historique []
Le cristal, d'abord simple objet de curiosité, passionna les collectionneurs avant d'intriguer les
savants qui, en étudiant sa structure, ébauchèrent les premières théories sur la constitution intime
de la matière. La loi des indices rationnels ou des troncatures simples fut définie par l'abbé René
Just Haüy en 1774. Par observation du phénomène de clivage de la calcite, il a déterminé les
« molécules intégrantes », c'est-à-dire les parallélépipèdes identiques constituant les cristaux et
suite à cela, il a été déduit que chaque face d'un cristal peut être repérée dans l'espace par des
nombres entiers.
Les bases []
La matière solide est composée d'atomes, que l'on peut voir comme des boules élémentaires qui
s'assemblent. Elles peuvent s'assembler de plusieurs manières : quelques boules s'assemblent
pour former une molécule, c'est le cas des gaz, des liquides, des solides moléculaires, des
polymères (caoutchoucs, plastiques, papiers, protéines...), ces matériaux comportent des
milliards de molécules semblables. Les boules s'agencent de manière irrégulière, on a alors de la
matière dite « amorphe » (ou « vitreuse »), comme par exemple le verre, ou encore elles
s'entassent de manière ordonnée, c'est alors un cristal. Dans les cristaux non moléculaires, la
structure est composé d'atomes ou d'ions qui forment un réseau tridimensionnel de polyèdres de
coordination sans qu'aucune unité moléculaire n'existe : c'est le cas de la quasi totalité des
minéraux et de la majorité des cristaux inorganiques.
Le cristal parfait []
Le « cristal parfait » est un modèle utilisé pour représenter la structure de la matière cristalline.
Ce modèle considère qu'un cristal est un empilement ordonné et infini d'atomes, d'ions ou de
molécules.
Le cristal est un solide à structure constituée d'atomes ordonnés dans un réseau périodique et
même tripériodique et symétrique. Il a des propriétés de symétrie avec des axes directs et
inverses, des miroirs, des plans et des centres de symétrie.
Un cristal peut être isotrope (même indice de réfraction de la lumière dans toutes les directions)
ou anisotrope (deux indices différents dans deux directions perpendiculaires).
La maille élémentaire est le plus petit volume cristallin conservant toutes les propriétés
physiques, chimiques et géométriques du cristal. Elle est définie par trois vecteurs qui génèrent
ainsi six paramètres de mailles : les trois longueurs des vecteurs a, b, c et trois angles α, β, γ.
Le réseau cristallin []
35
Un réseau est un ensemble de points ou « nœuds » en trois dimensions qui présente la propriété
suivante : lorsque l'on se translate dans l‘espace selon certains vecteurs, on retrouve exactement
le même environnement. Il y a donc une périodicité spatiale. Cela permet de définir sept
systèmes réticulaires de base : cubique, hexagonal, rhomboédrique, quadratique (ou tétragonal),
orthorhombique, monoclinique et triclinique.
Le réseau de Bravais []
Le français Auguste Bravais définit, en 1848, à partir des différentes combinaisons des éléments
de symétrie cristalline, 32 classes de symétrie, qui elles-mêmes se répartissent en 14 types de
réseaux (il n'existe pas d'autre façon de disposer des points dans l'espace, afin de réaliser un
réseau ou une maille, de manière à ne laisser aucun volume libre entre les réseaux). Les 14
réseaux de Bravais sont des expansions des 7 formes primitives de cristaux.
Voici deux exemples des réseaux de Bravais primitifs :
 Triclinique:
on a et aucun des angles n'est égal à 90°.
 Monoclinique:
Le deuxième réseau de Bravais est le réseau monoclinique. Celui-ci est composé de 2 bases
rectangulaires et de 4 côtés ayant la forme de parallélogrammes. Les trois longueurs a, b et c ne
sont pas égales : , mais deux des trois angles sont à 90º.
36
On peut le trouver en réseau primitif (P ), ou en réseau à base centrée (C ) (un nœud au milieu de
la face définie par les axes a et b).
Articles détaillés : Réseau de Bravais et Famille cristalline.
Les indices de Miller []
Haüy a défini des indices (P, Q, R) qui permettent de repérer dans l'espace les faces d'un cristal.
Miller, pour simplifier, a dit qu'il ne fallait pas utiliser P, Q et R mais leurs inverses (1/P, 1/Q,
1/R) qui seront notés h, k, l. Ils doivent être entiers, premiers entre eux et de valeurs simples.
Article détaillé : Indices de Miller.
'
Groupes ponctuels de symétrie et groupes d'espace []
Le groupe ponctuel de symétrie d'un système cristallin est le groupe (au sens mathématique)
regroupant l'ensemble des opérations de symétrie qui laissent un nœud du réseau invariant. Ce
nœud est donc situé à l'intersection de toutes les opérations de symétrie, dont la translation ne fait
pas partie. Il existe 32 groupes ponctuels de symétrie distincts.
Le groupe d'espace d'un système cristallin regroupe l'ensemble des opérations de symétrie du
groupe ponctuel, auxquelles s'ajoutent les opérations de translation. Vers 1890, Fedorov et
Schoenflies démontrèrent - indépendamment l'un de l'autre - l'existence de 230 groupes, qui
représentent toutes les combinaisons possibles de réseaux et d'opérations de symétrie.
Pour plus d'information, voir les articles :
 système cristallin
 Groupe ponctuel de symétrie
 Groupe d'espace
Les défauts cristallins []

Article détaillé : Défaut cristallin.
La cristallogénèse []
La cristallogénèse est la formation d'un cristal, soit en milieu naturel, soit de façon
expérimentale.
Diffraction []
37
Principe []
Max von Laue eut l'idée d'irradier les cristaux avec des rayons X, car il pensait que le réseau
cristallin ferait dévier le rayonnement de la même façon que la lumière est déviée dans certains
minéraux transparents. L'expérience que des collègues réalisèrent sur un cristal de sulfate de
cuivre lui permit de faire la démonstration de la structure périodique des empilements d'atomes
dans les cristaux et de la nature ondulatoire du rayonnement X. La détermination structurale
s'effectue le plus souvent en mesurant la diffraction du rayonnement électromagnétique des
rayons X, dont les longueurs d'onde sont de l'ordre des distances qui séparent les plans atomiques
de la structure cristalline. Lorsque le cristal à étudier est irradié par un fin faisceau de rayons X,
chacun des atomes du cristal diffuse une onde de faible amplitude, qui se propage dans toutes les
directions. Les ondes issues des atomes interfèrent et donnent lieu à la diffraction, faisant
apparaître sur le détecteur qui les reçoit des taches qui correspondent au maximum des ondes en
phase ; les autres, en opposition de phase, se sont annulées.
Réseau réciproque []
Au niveau d'un écran situé à une distance des centres diffuseurs secondaires, on observera des
figures de diffraction qui permettent de visualiser les perturbations créées par les interférences
citées précédemment. Le réseau réciproque est l'image que l'on obtient à partir de la figure de
diffraction.
Appareillage utilisé en cristallographie []
 Le microscope polariseur analyseur

 Le diffractomètre
Matériaux isotropes et anisotropes []
En ce qui concerne les liquides et les gaz on peut considérer que le milieu est isotrope. Exception
tout de même, les propriétés physiques des cristaux liquides sont anisotropes. Cette complexité
vient de l'arrangement tridimensionnel des molécules qui composent le liquide. En effet, les
choses se compliquent lorsque l'on parle de cristaux: seuls les cristaux cubiques (ainsi que les
matériaux amorphes) sont isotropes, tous les autres étant anisotropes.
Applications []
On utilise les propriétés de diffraction des cristaux en physique, chimie, biologie, biochimie,
médecine et en sciences de la terre.
Leur analyse donne des informations sur des substances cristallines organiques et inorganiques
(distance entre atomes, agencement spatial des atomes, identification de phases cristallines, taille
des cristallites).
38
Silicate
Un silicate est un sel dérivant de la silice (SiO2). En chimie, ce sont des composés chimiques. En
minéralogie, les silicates désignent une importante famille de minéraux.
Les silicates constituent 97 % de la croûte terrestre. Il en existe de nombreuses variétés :
 silicates ferromagnésiens : chlorites, serpentines, amphiboles, pyroxènes, péridots ou

olivines, grenats ;
 aluminosilicates, pour lesquels l’aluminium peut remplacer le silicium : feldspaths, riches
en silice, zéolites, micas ;
 silicates d’alumine : tourmaline, grenats.
Classement des silicates []

Les silicates sont des minéraux dont le squelette est essentiellement formé par des tétraèdres de
silicium et d'oxygène additionnés d’aluminium, magnésium, fer, calcium, potassium, sodium et
autres éléments. Ils peuvent être classés selon plusieurs critères, mais les deux classifications les
plus employées en minéralogie sont basées sur l’enchaînement des tétraèdres :
1. la classification topochimique (classification de Machatski-Bragg) est basé sur

l’enchaînement des tétraèdres où le silicium et l’aluminium peuvent donner lieu à
substitution isomorphe ; les tétraèdres où seul l’aluminium est présent sont considérés
hétéro-tétraèdres ;
2. la classification topologique (classification de Zoltai) est basée sur l’enchaînement des
tétraèdres centrés par n’importe quel cation.
Les sous-catégories définies par ces deux critères sont les mêmes et, dans la plupart des cas, le
résultat final est aussi le même. Toutefois, dans le cas d’aluminosilicates dont la structure
comporte des tétraèdres centrés par des anions autres que le silicium et l’aluminium, les deux
classifications divergent.
Les principaux groupes d’aluminosilicates (et leurs minéraux les plus représentatifs) sont :
 les tectosilicates : les tétraèdres ont tous leurs sommets communs : quartz, tridymite,
cristobalite, feldspaths, feldspathoïdes, zéolites, scapolites.
 les phyllosilicates : les tétraèdres partagent trois sommets sur quatre et forment un feuillet
bidimensionnel : chlorites, micas, talc, pyrophyllite, serpentine, kaolinite ;
 les inosilicates : les tétraèdres sont associés en chaînes ou en rubans. pyroxènes,
amphiboles, pyroxénoïdes, amphiboloïdes ;
 les cyclosilicates : la structure est composée d’anneaux isolés de 3, 4 ou 6 tétraèdres.
tourmaline, béryl, cordiérite, dioptase ;
 les sorosilicates : deux tétraèdres partagent un sommet et forment un groupe [Si2O7]6- :
épidotes, mélilite, thortveitite, Hémimorphite (Calamine)
39
 les nésosilicates (ou orthosilicates) : les tétraèdres n'ont aucun sommet commun, mais
seulement avec d’autres polyèdres ; les anions appartiennent tous aux tétraèdres. zircon,
olivines, grenats ;
o nésosubsilicates : comme pour les nésosilicates, les tétraèdres n'ont pas de
sommet commun, mais ici la structure comporte en plus des anions qui
n’appartiennent pas à des tétraèdres : disthène, andalousite, sillimanite, staurotide,
topaze, titanite (sphène).
Les principales différences entre la classification topochimique de Machatski-Bragg et celle

topologique de Zoltai sont données dans le tableau suivant.
Exemples de différence entre les deux classifications des aluminosilicates. [4], [6] et [8]
indiquent le nombre de coordination des cations
Classification
Classification
topochimique Hétéro-
Minéral formule topologique
(Machatski- tétraèdre(s)
(Zoltai)
Bragg)
[4] [4]
Pétalite Li Al[4]SiO4 phyllo tecto Al, Li
[4] [4] [4]
α-eucriptite Li Al SiO4 neso tecto Al, Li
[4]
Phénacite Be2[4]SiO4 neso tecto Be
[4] [4]
Willemite Zn2 SiO4 neso tecto Zn
[6] [4] [4]
Béryl Al2 Be3 Si6O18 cyclo tecto Be
[6] [4] [4]
Cordiérite Mg2 Al3 (AlSi5)O18 cyclo tecto Al
Hémimorphite [4]
Zn4[4]Si2O7(OH)2·(H2O) soro tecto Zn
(Calamine)
[8]
Mélilite CaNa[4]Al[4]Si2O7 soro phyllo Al
[6] [4] [4]
Sillimanite Al Al SiO5 neso soro Al
Les silicates en astronomie []

Certaines étoiles entourées de matière circumstellaire « froide » — en deçà de la température de
sublimation des silicates, aux alentours de 1 500 K — présentent des grains de poussière
constitués de silicates. Leur présence est révélée par des raies spectrales larges, appelées features
des silicates, dans les bandes spectrales infrarouges N et Q, à 10 et 20 µm respectivement.
Le profil spectral de ces features, qui dépend du type de silicate, de la géométrie des grains de
poussière et de la présence additionnelle d’autres composés (par ex. la glace à moins de 300 K),
donne des indications sur les conditions physico-chimiques des environnements étudiés.
La présence de silicate est fréquemment attestée autour des étoiles jeunes et les étoiles évoluées,
notamment dans les disques d’accrétion et les enveloppes circumstellaires.
40
Silicium
Silicium
Aluminium ← Silicium → Phosphore

C
↑ Si
14
Si
↓
Ge
Table complète • Table étendue

Informations générales
Nom, Symbole, Numéro Silicium, Si, 14
Série chimique métalloïde
Groupe, Période, Bloc 14, 3, p
Masse volumique 2,33 g·cm-3 (25 °C)[1]
Dureté 6,50
Couleur gris foncé
N° CAS 7440-21-3 [2]
N° EINECS 231-130-8
Propriétés atomiques
Masse atomique 28,0855 ± 0,0003 u[1]
Rayon atomique (calc) 110 pm (111 pm)
Rayon de covalence 1,11 ± 0,02 Å [3]
Rayon de van der Waals 210
Configuration électronique [Ne] 3s2 3p2
Électrons par niveau d'énergie 2, 8, 4
État(s) d'oxydation +1, +2, +3, +4
Oxyde amphotère
Structure cristalline diamant
Propriétés physiques
41
État ordinaire solide diamagnétique
Température de fusion 1 414 °C [1]
Température d'ébullition 3 265 °C [1]
Énergie de fusion 50,55 kJ·mol-1
Énergie de vaporisation 384,22 kJ·mol-1
Volume molaire 12,06×10-6 m3·mol-1
Pression de vapeur 4,77 Pa
Vitesse du son 8 433 m·s-1 à 20 °C
Divers
Électronégativité (Pauling) 1,90
Chaleur massique 700 J·kg-1·K-1
Conductivité électrique 2,52×10-4 S·m-1
Conductivité thermique 148 W·m-1·K-1
Énergies d'ionisation
1re : 8,15168 eV [4] 2e : 16,34584 eV [4]
3e : 33,49302 eV [4] 4e : 45,14181 eV [4]
5e : 166,767 eV [4] 6e : 205,27 eV [4]
7e : 246,5 eV [4] 8e : 303,54 eV [4]
9e : 351,12 eV [4] 10e : 401,37 eV [4]
11e : 476,36 eV [4] 12e : 523,42 eV [4]
13e : 2 437,63 eV [4] 14e : 2 673,182 eV [4]
Isotopes les plus stables
Ed
iso AN Période MD PD
MeV
28
Si 92,23 % stable avec 14 neutrons
29
30
32 32
Si {syn.} 172 ans β- 0,224 P
Précautions
SIMDUT[5]
42
B4,
[+]
Unités du SI & CNTP, sauf indication contraire.
Le silicium est un élément chimique de la famille des cristallogènes, de symbole Si et de numéro

atomique 14.
C'est l'élément le plus abondant dans la croûte terrestre après l'oxygène, soit 25,7 % de sa
masse[6]. Il n'existe pas à l'état libre, mais sous forme de composés : sous forme de dioxyde de
silicium (SiO2), la silice (dans le sable, le quartz, la cristobalite, etc.), ou d'autres silicates (dans
les feldspaths, la kaolinite...).
Il est utilisé depuis très longtemps sous forme d'oxyde de silicium amorphe (silice ou SiO2)
comme composant essentiel du verre. Il a depuis le milieu XX siècle de nouveaux usages en
électronique (transistor), pour la production de matériaux tels que les silicones ou, pour fabriquer
des panneaux solaires photovoltaïques.
Le nom dérive du latin silex, silicis ; qui signifie caillou ou silex[7].
Il faut signaler, pour éviter une fréquente erreur de traduction depuis l'anglais, que l'anglais
silicon signifie silicium, tandis que silicone correspond bien au silicone. De son côté, « silica »
désigne la silice.
Caractéristiques []
Poudre de silicium
43
Polycristal de silicium
Les cristaux de silicium sont gris à noirs, en forme d'aiguille ou d'hexaèdres (forme cubique). La
phase amorphe est une poudre marron foncée.
Le silicium est un semi-conducteur, sa conductivité électrique est très inférieure à celle des
métaux.
Il est quasi insoluble dans l'eau. Il est attaqué par l'acide fluorhydrique (HF) ou un mélange acide
fluorhydrique/acide nitrique (HNO3) en fonction de la phase. Le silicium présente des reflets
métalliques bleutés, mais n'est pas du tout aussi ductile que les métaux.
Il existe trois isotopes naturels du silicium : 28Si (92,18 %), 29Si (4,71 %) et 30Si (3,12 %). Il
existe également des isotopes artificiels instables : 25Si, 26Si et 27Si qui sont émetteurs β+, ainsi
que 31Si à 34Si qui sont émetteurs β-.
Cristallographie []
Maille élémentaire de type diamant du silicium
Le silicium, comme le germanium et la forme diamant du carbone, a une structure de type

« diamant », forme dérivée de la structure cubique faces centrées (cfc), avec un paramètre de
maille de 0,5430710 nm[8].
Découverte []
44
Un des composés du silicium, la silice (dioxyde de silicium), était déjà connu dans l'Antiquité.
La silice a été considérée comme élément par les alchimistes puis les chimistes. C'est un
composé très abondant dans les minéraux.
Du silicium a été isolé pour la première fois en 1823 par Jöns Jacob Berzelius. Ce n'est qu'en
1854 que Henri Sainte-Claire Deville obtient du silicium cristallin.
Utilisations []
Alliages Aluminium-Silicium []
La principale utilisation du silicium en tant que corps simple est comme élément d'alliage avec
l'aluminium. Les alliages Aluminium-Silicium (AS ou série 40000 suivant NF EN 1780-1) sont
utilisés pour l'élaboration de pièces moulées, en particulier pour l'automobile (par exemple jantes
en alliage) et l'aéronautique (par exemple éléments de moteurs électriques embarqués). Les
alliages Aluminium-Silicium représentent à peu près 55 % de la consommation mondiale de
silicium.
Synthèse des silicones []
Article détaillé : Silicone.
La synthèse des silicones représente également une utilisation importante du silicium (environ
40 % de la consommation). Ces polymères [(CH3)2SiO]n sont utilisés dans des mastics pour joint,
des graisses résistantes à l'eau ou conductrices de la chaleur, les poudres lessivielles ou les
shampoings conditionneurs, etc.
Semi-conducteur []
Les propriétés de semi-conducteur du silicium ont permis la création de la deuxième génération

de transistors, puis les circuits intégrés (les « puces »). C'est aujourd'hui encore l'un des éléments
essentiels pour l'électronique, notamment grâce à la capacité technologique actuelle permettant
d'obtenir du silicium pur à plus de 99,999 99 % (tirage Czochralski, zone fondue flottante).
La magie de la lithographie sur silicium : les productions commerciales courantes (2007) de

circuit intégré réalisent la prouesse d'une finesse de gravure de 45 nm sur des plaques de 30 cm
(12 pouces, la taille d'un disque 33 tours). Ce qui permettrait de graver 600 millions de sillons
(soit un disque de 20 millions de minutes, environ 40 ans de musique, ou bien de l'ordre de 20
milliards de chansons au format numérique Ogg Vorbis).
Photovoltaïque []
45
Cellule photovoltaïque en silicium
Article détaillé : Cellule photovoltaïque.
En tant que semi-conducteur, le silicium est aussi l'élément principal utilisé pour la fabrication de
cellules solaires photovoltaïques. Celles-ci sont alors montées en panneaux solaires pour la
génération d'électricité.
Composants mécaniques []
Le silicium présente à l'état pur des caractéristiques mécaniques élevées qui le font utiliser pour
la réalisation de petites pièces destinées à certains micromécanismes et même à la fabrication de
ressorts spiraux destinés à des montres mécaniques haut de gamme.
Micro et nanostructure []
Du fait de la performance des procédés de gravure et de formation de forme avec le silicium, le

silicium est utilisé pour :
 la formation de silicium nanoporeux pour dissocier l'hydrogène de l'oxygène de molécule

d'eau dans les piles à combustibles ;
 la formation de nanopics sur une surface de silicium par Gravure Ionique Réactive (RIE)
en vue de relier des puces de semi-conducteur[9].
Composés []
Articles détaillés : Silice, Verre, Quartz (minéral) et Carbure de silicium.
Outre les propriétés du silicium élémentaire, de nombreux composés du silicium possèdent des
applications. Parmi les plus connus :
 la silice se trouve dans la nature sous forme compacte (galets, quartz filonien par
exemple), ou sous forme de sable plus ou moins fin. On l'obtient aussi industriellement,
sous forme pulvérulente (silice synthétique). Elle a de nombreux usages :
o le verre est fabriqué depuis des millénaires en faisant fondre du sable
principalement composé de SiO2 avec du carbonate de calcium CaCO3 et du
carbonate de sodium Na2CO3. Le verre peut être amélioré par différents additifs,
46
o le sable de silice est un des composants des céramiques,
o le quartz forme de superbes cristaux. Il est utilisé comme matériau transparent,
plus résistant à la chaleur que le verre (ampoule de lampes halogènes). Il est
également beaucoup plus difficile à fondre et à travailler,
o la silice intervient aux côtés du noir de carbone dans la fabrication des
pneumatiques économes en énergie (pneus « verts »),
o la silice très fine est utilisée comme adjuvant pour les bétons à haute
performance ;
 le ferro-silicium et le silico-calcium sont utilisés comme éléments d'addition dans

l'élaboration d'aciers ou de fontes ;
 le carbure de silicium possède une structure cristalline analogue à celle du diamant ; sa

dureté en est très proche. Il est utilisé comme abrasif ou sous forme céramique dans les
outils d'usinage ;
 le silicate de calcium CaSiO3 est un des composants des ciments.
Dans la nature []
Après l'oxygène, c'est l'élément le plus abondant dans la croûte terrestre.
Minéraux []
Article détaillé : Silicates.
Le silicium sur Terre se trouve essentiellement sous forme minérale, et en particulier sous forme
de silicates, qui constituent 97 % de la croûte terrestre. Le silicium est par exemple constitutif du
sable de silice, résultat de la dégradation de roches comme le granit.
Molécules organiques []
Le silicium se trouve dans certaines molécules organiques, comme les silanes —

méthylsilanetriols, diméthylsilanediol —, les silatranes.
Biologie du silicium[10] []
Les diatomées, présentes dans le plancton, participent au cycle géochimique du silicium dans les
mers, car elles extraient la silice pour former leurs membranes externes.
L'organisme humain contient entre 200 mg et 7 g de silicium, suivant les sources. Le silicium se
retrouve dans tous les glycosaminoglycanes et polyuronides : chondroïtine sulfate, dermatan-
sulfate, kératan-sulfate, héparan-sulfate et héparine. L’acide hyaluronique est la macromolécule
la plus riche en silicium. Le silicium est aussi impliqué dans la synthèse du collagène (3 à 6
atomes de Si par chaine alpha) et de l'élastine. Le silicium est un constituant important dans les
47
tissus de la paroi artérielle. L'aorte se trouve être le tissu qui en contient le plus avec la peau et le
thymus. Le taux de silicium dans ces tissus diminue avec l'âge dans des proportions très
importantes (perte supérieure à 60-70 %).
Le silicium potentialiserait l'action du Zinc (Zn) et du Cuivre (Cu) et permettrait la fixation du

Calcium (Ca). Les céréales et l'eau de boisson (dont la bière fabriquée à partir d'eau et de
céréales) apportent naturellement la quantité suffisante (25 mg·j-1) pour satisfaire les besoins
(environ 5 mg·j-1). L'Afssa (Agence française de sécurité sanitaire des aliments) n'a pas défini
d'apports nutritionnels conseillés pour le silicium car ils sont largement couverts par
l'alimentation.
Par abus, certains parlent de « silice organique ». Il semble que cette dénomination soit plutôt un
procédé commercial dans le domaine des médecines parallèles. Le silicium, dans notre corps, est
indispensable au processus de déclenchement de fabrication des antigènes et des anticorps.
D'autres (le chimiste Yvan Coste Manière par exemple, cofondateur des Laboratoires DEXSIL)
signalent au contraire que notre réserve de silicium diminue drastiquement avec l'âge, et que dès
cinquante ans il n'est pas inutile de compenser la perte par un apport extérieur en silice. On parle
de "silicium organique" dans le cas où l'on ajoute un atome de carbone à sa molécule, ce qui la
fait "reconnaître" et assimiler plus facilement par l'organisme. La silice tirée des plantes
polymérise une fois extraite et retourne très rapidement à la forme minérale, reformant ainsi des
molécules trop grosses et très difficilement assimilables. Il est donc préférable de supplémenter
l'organisme en silice organique plutôt qu'en silice végétale ou minérale issue de notre
alimentation.
L'hypothétique biochimie à base de silicium []
À la limite de la science et de la science-fiction, de multiples travaux[réf. souhaitée] visent à mettre en

évidence la possibilité d'une tout autre forme de vie, basée non pas sur le carbone, mais sur le
silicium. Ceci se fonde sur le fait que le silicium est non seulement tétravalent comme le
carbone, mais qu'il est susceptible de former des complexes penta- et hexa-coordinés chargés et
stables. Ils pourraient avoir des propriétés catalytiques intéressantes qui ont été peu explorées
dans les hypothèses exobiologiques. Cependant, le silicium n'a qu'une faible capacité à former
des liaisons multiples, puisque l'énergie de dissociation des liaisons π est beaucoup plus faible
que celle des liaisons π impliquant le carbone[11].
La position médiane actuelle semble être négative, le silicium ne participant que peu à des
réactions biologiques mais servant plutôt de support (enveloppes, squelettes, gels…)
Production industrielle du silicium []

Le silicium n'existe pas naturellement à l'état libre sur la Terre, mais il est très abondant sous
forme d'oxydes, par exemple la silice ou les silicates. Le silicium est extrait de son oxyde par des
procédés métallurgiques, et son niveau de pureté dépend de son utilisation finale.
Pureté du silicium []
48
Barreau de silicium de qualité solaire
On distingue trois niveaux de pureté du silicium, désignés en fonction de l'utilisation :
 silicium métallurgique (pureté 99 %), noté MG-silicium (en anglais : metallurgical

grade) ;
 silicium de qualité solaire (pureté 99,999 9 %), noté SoG-silicium (solar grade) ;
 silicium de qualité électronique (pureté 99,999 999 99 %), noté EG-silicium (electronic
grade).
Production du silicium métallurgique []
Pour obtenir du silicium libre (parfois appelé improprement « silicium métal » pour le distinguer
du ferrosilicium), il faut le réduire ; industriellement, cette réduction s'effectue par
électrométallurgie, dans un four à arc électrique ouvert dont la puissance peut aller jusqu'à
environ 30 MW. La réaction globale de principe est une réaction de carboréduction :
SiO2 + C → Si + CO2.
La réalité est plus complexe, avec des réactions intermédiaires conduisant par exemple à la
formation de SiC, de SiO (instable).
49
En pratique, le silicium est introduit sous forme de morceaux de silice (galets, ou morceaux de
quartz filonien), en mélange avec des réducteurs tels que le bois, le charbon de bois, la houille, le
coke de pétrole. Compte tenu des exigences de pureté des applications finales, la silice doit être
relativement pure (faible teneur en oxyde de fer en particulier), et les réducteurs soigneusement
choisis (houille lavée par exemple).
Le mélange est déversé dans un creuset de plusieurs mètres de diamètre, où plongent des
électrodes cylindriques en carbone (trois le plus souvent) qui apportent la puissance électrique et
permettent d'atteindre les très hautes températures dont les réactions recherchées ont besoin
(autour de 3 000 °C dans la région de l'arc électrique, à la pointe des électrodes).
Le silicium obtenu est recueilli dans des « poches », à l'état liquide, grâce à des orifices pratiqués
dans le creuset.
Il est ensuite affiné dans ces poches, par injection d'air pour oxyder l'aluminium et le calcium.
Puis il est séparé du « laitier » (oxydes produits au cours des différentes étapes du procédé et
entraînés avec le silicium) avant d'être solidifié :
 soit par coulée en lingotières ou sur une surface plane ;

 soit par granulation à l'eau (le silicium liquide est alors versé dans de l'eau et les gouttes
de silicium se solidifient en petits granules : opération relativement délicate).
Les réactions intermédiaires conduisant à la réduction du silicium produisent aussi une très fine
poussière de silice amorphe, qui est entrainée par les gaz chauds (essentiellement air et dioxyde
de carbone) émis par le four ; dans les installations modernes, ces gaz sont filtrés pour recueillir
cette poussière de silice amorphe, qui est utilisée comme élément d'addition dans les bétons à
haute performance.
Selon les applications, le silicium est utilisé sous forme de morceaux (production des alliages
aluminium-silicium) ou sous forme de poudre obtenue par broyage (production des silicones).
Le silicium pour électronique est obtenu à partir du silicium électrométallurgique, mais nécessite
une étape chimique (purification réalisée sur des silanes) puis un ensemble de purifications
physiques, avant le tirage des monocristaux.
Préparation pour l'industrie électronique []
Préparation du Si pur []
L'opération s'effectue à partir du trichlorosilane (SiHCI3), ou du tétrachlorure de silicium (SiCl4),

ou du tétraiodure de silicium (SiI4), etc. Par exemple, en attaquant du siliciure de cuivre à 300 °C
par de l'acide chlorhydrique il se forme du trichlorosilane ; ce corps est purifié par une
distillation très poussée ; il est ensuite décomposé à 950 °C en présence d'hydrogène ; on obtient
des blocs compacts de silicium très pur (procédé Pechiney).
50
Préparation du monocristal []
Barreau 302 grammes (10,3 cm de long × 4 cm de diamètre) de silicium polycristallin destiné à

la production de silicium monocristallin par le procédé Czochralski
Monocristal de silicium
On désire obtenir des monocristaux de type N ; or le silicium obtenu chimiquement contient

toujours quelques traces de bore et il est de type P ; on le cristallise donc et on le transforme en
semi-conducteur de type N.
Principe []
51
On place dans un creuset en quartz une quantité de silicium correspondant sensiblement au poids
du monocristal à obtenir ; on ajoute le dopeur donneur d'électrons ; aucune impureté ne doit
perturber la cristallisation ; l'opération doit donc se dérouler dans une enceinte hermétiquement
close, d'une propreté « chirurgicale », et dans une atmosphère neutre, ou sous vide.
Réalisation []
Autour de l'enceinte isolante en quartz est placé l'inducteur d'un générateur haute fréquence qui
permet de porter le mélange Si-dopeur à la température de fusion, soit 1 500 °C environ. Lorsque
la fusion est totale, l'opération de cristallisation peut commencer ; à cet effet, un système
mécanique de précision présente le germe monocristal au contact du bain, puis le soulève
verticalement, très lentement, tout en lui imprimant une très lente rotation qui aide à
l'homogénéisation. Le germe entraîne le silicium qui se trouve alors soustrait à l'action de
l'induction HF ; le Si se refroidit donc et cristallise suivant l'ordonnancement fixé par le germe.
L'opération est très délicate ; la vitesse de levage doit être constante afin de ne pas perturber la
formation du cristal ; la température du bain doit être également constante, à 0,1 °C près (et ceci
vers 1 500 °C). L'homogénéisation, aidée par les deux mouvements de levage et de rotation, est
primordiale ; en effet, à mesure que l'opération progresse, le bain voit sa concentration en
impuretés augmenter parce que ces dernières présentent plus d'affinité pour la phase liquide que
pour la phase solide.
Le monocristal obtenu se présente sous la forme d'un cylindre à peu près régulier, pouvant
atteindre 30 cm de diamètre[12] ; on le sectionne à ses deux extrémités : la tête, qui est très pure,
servira de germe pour une opération ultérieure ; le bas, qui risque de ne pas être assez pur, est
rejeté.
Préparation des plaquettes (wafers) []
Conditions à remplir []
Du fait du prix très élevé du silicium monocristallin, il faut éviter la perte de matière pendant la
préparation des wafers. Celles-ci sont très fragiles ; il faut donc éviter toute contrainte pouvant
les déformer ou les briser. Par ailleurs, l'état de surface des wafers doit être aussi parfait que
possible. Enfin le traitement ne doit pas « polluer » le monocristal.
Tronçonnage []
Le silicium est découpé en plaquettes (wafers) de 0,2 à 0,3 mm d'épaisseur au moyen d'une scie
circulaire diamantée de grande précision. Le travail s'effectue dans l'eau afin d'éviter tout
échauffement et toute pollution. Les déchets étant importants, les boues sont filtrées et la poudre
de silicium est récupérée et utilisée à nouveau.
Rodage des faces []
52
Wafer de silicium poli
Il a pour but d'éliminer les irrégularités de surface provoquées par les grains de poudre de
diamant lors du tronçonnage ; il s'effectue avec de la poudre de carborundum. Après le rodage
mécanique, un rodage chimique vient supprimer les dernières irrégularités sur la couche
superficielle qui peut avoir été polluée. À cet effet, on utilise des bains d'acides (acides
fluorhydrique et nitrique) ; puis les wafers sont rincées soigneusement et séchées. Cette attaque
chimique peut être remplacée ou complétée par un polissage électrolytique.
Découpage des pastilles []
On découpe les plaquettes (wafers) en un très grand nombre de pastilles, avec précision, la
largeur du trait de découpe étant aussi faible que possible (0,125 à 0,15 mm). Les bavures de
découpage sont ensuite éliminées par attaque chimique suivie d'un rinçage.
53

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Physique du solide

Par Sam Kinyera OBWOYA

Prepared by Sam Kinyera OBWOYA

African Virtual university

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Table des matières

I. Physique du Solide _ ________________________________________5

II. Connaissances préalables/ Pré requis ___________________________5

III. Temps d’apprentissage Nécessaire _ ____________________________5

IV. Matériels Requis _ __________________________________________5

V. Justification du module _____________________________________ 5

VI. Contenu __________________________________________________6

6.1 Vue d’ensemble__________________________________________6

6.3 Représentation Graphique_________________________________ 8

VII. Objectif(s) Général (aux) _ ____________________________________8

VIII. Objectifs Spécifiques liés aux activités d’apprentissage)______________9

IX. Évaluation Préliminaire _____________________________________11

X. Activités d’enseignement et d’apprentissage______________________17

XI. Liste Compilée de tous les Concepts Clé_________________________87

XII. Liste Compilée de Lectures Obligatoires _ _______________________90

XIII. Liste compilée (optionnelle) des ressources multimédias ___________92

XIV. Liste Compilée de liens utiles _________________________________93

XV. Résumé du Module________________________________________114

XVI. Évaluation sommative_ ____________________________________116

XVII. Références_ ____________________________________________119

XVIII. Auteur Principal du Module_ _______________________________120

XIX. Structure du fichier________________________________________120

Ce module a quatre sections majeures

La troisième section constitue le gros du module. C’est la section dans laquelle on

Synthèse du Module : Le Résumé du module est présenté

Aimez votre travail sur ce module

II Connaissances préalables/ Pré requis

III Temps Nécessaire

6.1 Vue d’ensemble

L’aperçu de ce cours consiste en quatre activités: Introduction à la physique du solide

6.3 Représentation Graphique

C.Propriétés hermiques A. Introduction à la

D.Théorie des bandes et B. Défauts cristallins et

Métaux, Semi-conducteurs (intrinséque

VII. Objectif(s) Général (aux)

Après avoir étudier ce module, l’étudiant sera capable de :

• Comprendre le comportement thermique, mécanique, électrique et optique

VIII. Objectifs Spécifiques aux activités

Contenu Objectifs d’apprentissage

2. Défauts cristallins et propriétés • Expliquer le concept de défaut cristallin

3. Propriétés thermiques et électri- • Définir la capacité thermique et expliquer

4. La théorie des bandes et les • Décrire la théorie des bandes

IX. Évaluation Préliminaire

Êtes-vous prêt pour ce module ?

Titre de l’évaluation préliminaire: Physique du Solide

(A) lacunes (B) interstitiels (C) substitutionnel (D) dislocation

3. Dans un espace réseau réciproque, le vecteur a* est donné par

4. Le diagramme ci-dessus représente une partie de 2D en treillis. Lequel des

6. Un faisceau de rayons X d’une longueur d’onde de 0.25 nm est incident d’un

(A) 0.8 (B) 0.48 (C) 7.2 (D) 1.25

9. Lequel des énoncés suivants n’est pas un effet de dislocation

C V et C P sont les capacités thermiques à volume constant et à pression constante

δQ est la quantité infinitésimale de chaleur ajoutée,

∂ U est le changement dans l’énergie interne.

∂ H est le changement dans l’enthalpie.

18. Laquelle des affirmations suivantes est fausse ?

Commentaires Pédagogiques pour les apprenants